JP2016086195A - 支持体、接着シート、積層構造体、半導体装置及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】内層基板30と、内層基板に設けられた絶縁層24と、絶縁層に接合している支持体22とを有する積層構造体であって、前記絶縁層の中央部の厚さをt(μm)とした場合、該絶縁層のうちの前記支持体の端縁部よりも外側に形成される盛り上がり部を含む厚さt0が2.5t(μm)以下である、積層構造体。
【選択図】図5
Description
例えば、特許文献1には、支持体付き樹脂組成物層(以下、接着シートという。)を内層基板に積層後、樹脂組成物層を熱硬化した後に該支持体を剥離する工程が開示されている。
[1] 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD1)及び条件(TD1):
〔条件(MD1)〕120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0.2%未満であること
〔条件(TD1)〕120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0.2%未満であること
を満たす、支持体。
[2] 下記の条件(MD2)及び条件(TD2):
〔条件(MD2)〕100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0%未満であること
〔条件(TD2)〕100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0%未満であること
を満たす、[1]に記載の支持体。
[3] 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱するとき、下記の条件(MD3)及び条件(TD3):
〔条件(MD3)〕MD方向の膨張率が最大になる温度が120℃未満であること
〔条件(TD3)〕TD方向の膨張率が最大になる温度が120℃未満であること
を満たす、支持体。
[4] 下記の条件(MD4)及び条件(TD4):
〔条件(MD4)〕支持体のMD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD4)〕支持体のTD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす、支持体。
[5] 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD1)及び条件(TD1):
〔条件(MD1)〕120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0.2%未満であること
〔条件(TD1)〕120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0.2%未満であること
を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む、接着シート。
[6] 前記支持体が、下記の条件(MD2)及び条件(TD2):
〔条件(MD2)〕100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0%未満であること
〔条件(TD2)〕100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0%未満であること
を満たす、[5]に記載の接着シート。
[7] 下記加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD3)及び条件(TD3):
〔条件(MD3)〕MD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD3)〕TD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む、接着シート。
[8] 下記の条件(MD4)及び条件(TD4):
〔条件(MD4)〕支持体のMD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD4)〕支持体のTD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む、接着シート。
[9] 工程(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、該樹脂組成物層が内層基板と接合するように、該内層基板に積層する工程と、
工程(B)前記樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程と、
工程(C)前記支持体を除去する工程と
をこの順序で含み、
前記支持体が、下記の加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD1)及び条件(TD1):
〔条件(MD1)〕120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0.2%未満であること
〔条件(TD1)〕120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0.2%未満であること
を満たす、プリント配線板の製造方法。
[10] 前記支持体が、下記の条件(MD2)及び条件(TD2):
〔条件(MD2)〕100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0%未満であること
〔条件(TD2)〕100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0%未満であること
を満たす、[9]に記載のプリント配線板の製造方法。
[11] 工程(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、該樹脂組成物層が内層基板と接合するように、該内層基板に積層する工程と、
工程(B)前記樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程と、
工程(C)前記支持体を除去する工程と
をこの順序で含み、
前記支持体が、下記の加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD3)及び条件(TD3):
〔条件(MD3)〕MD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD3)〕TD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす、プリント配線板の製造方法。
[12] 工程(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、該樹脂組成物層が内層基板と接合するように、該内層基板に積層する工程と、
工程(B)前記樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程と、
工程(C)前記支持体を除去する工程と
をこの順序で含み、
前記工程(B)において、
〔条件(MD4)〕前記支持体のMD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD4)〕前記支持体のTD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす、プリント配線板の製造方法。
[13] 前記工程(B)が、
i)樹脂組成物層を温度T1(但し50℃≦T1<150℃)にて加熱する工程と、
ii)前記加熱する工程後の樹脂組成物層を温度T2(但し150℃≦T2≦240℃)にて熱硬化させる工程と
を含む、[9]〜[12]のいずれか1つに記載のプリント配線板の製造方法。
[14] 前記加熱条件において、前記支持体のTD方向の膨張率が0(%)以下であるときの前記樹脂組成物層の最低溶融粘度が10000ポイズ以下であり、かつ、前記支持体のMD方向の膨張率が0(%)以下であるときの前記樹脂組成物層の最低溶融粘度が10000ポイズ以下である、[9]〜[11]のいずれか1つに記載のプリント配線板の製造方法。
[15] [9]〜[14]のいずれか1つに記載のプリント配線板の製造方法により製造されたプリント配線板を含む、半導体装置。
[16] 内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを有する積層構造体であって、
前記絶縁層の中央部の厚さをt(μm)とした場合、該中央部外の該絶縁層の盛り上がり部を含む厚さが2.5t(μm)以下である、積層構造体。
[17] 前記tがt≦40を満たす、[16]に記載の積層構造体。
[18] 内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを含み、
前記支持体が接合している前記絶縁層の盛り上がり部の頂点が前記支持体の表面の高さよりも低い位置に存在している、積層構造体。
[19] 内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを含み、
前記絶縁層と前記内層基板との界面から前記絶縁層と前記支持体とが接合する界面までの高さである前記絶縁層の高さが最低である最低点と、前記絶縁層の高さが最高である頂点との高さの差が60μm以下である、積層構造体。
本発明において、支持体についていう「MD方向(Machine Direction)」とは、支持体を製造する際の支持体の長手方向、すなわち製造時における長尺の支持体の搬送方向をいう。また、支持体についていう「TD方向(Transverse Direction)」とは、支持体を製造する際の支持体の幅方向をいい、MD方向に直交する方向である。なお、MD方向及びTD方向はいずれも、支持体の厚さ方向に対して直交する方向である。
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱する。
本発明の支持体は、下記の加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱するとき、下記の条件(MD1)及び条件(TD1):
〔条件(MD1)〕120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0.2%未満であること
〔条件(TD1)〕120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0.2%未満であること、又は下記の条件(MD2)及び条件(TD2):
〔条件(MD2)〕100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0%未満であること
〔条件(TD2)〕100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0%未満であること
を満たす。
条件(MD1)は、120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMDに関する。支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成するにあたって、最大膨張率EMDは、0.2%未満である。最大膨張率EMDの下限は、絶縁層の表面の粗化後の粗度の均一性を向上させる観点から、−4%以上が好ましく、−3%以上がより好ましく、−2%以上がさらに好ましい。絶縁層の平坦性及び絶縁層の表面の粗化後の粗度の均一性を向上させ、配線板の歩留まりを向上させる観点から、0%により近いことが好ましい。
条件(TD1)は、120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETDに関する。支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成するにあたって、最大膨張率ETDは、0.2%未満である。最大膨張率ETDの下限は、絶縁層の表面の粗化後の粗度の均一性を向上させる観点から、−3%以上が好ましく、−2%以上がより好ましい。絶縁層の平坦性及び絶縁層の表面の粗化後の粗度の均一性を向上させ、配線板の歩留まりを向上させる観点から、0%により近いことが好ましい。
条件(MD2)は、100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMDに関する。支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成するにあたって、最大膨張率EMDは、0%未満である。最大膨張率EMDの下限は、特に限定されず、上述の条件(MD1)と同様であり、絶縁層の平坦性及び絶縁層の表面の粗化後の粗度の均一性を向上させ、プリント配線板の歩留まりを向上させる観点から、0%により近いことが好ましい。
条件(TD2)は、100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETDに関する。支持体を付けたまま樹脂組成物層を熱硬化させて絶縁層を形成するにあたって、最大膨張率ETDは、0%未満である。最大膨張率ETDの下限は、特に限定されず、上述の条件(TD1)と同様であり、絶縁層の平坦性及び絶縁層の表面の粗化後の粗度の均一性を向上させ、プリント配線板の歩留まりを向上させる観点から、0%により近いことが好ましい。
条件(MD3)は、上記の加熱条件において、MD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満である。
−条件(TD3)−
条件(TD3)は、上記の加熱条件において、TD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満である。
条件(MD4)支持体のMD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満である。
条件(TD4)支持体のTD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満である。
図1〜3は、上記の加熱条件にて加熱される際の支持体のTD方向及びMD方向における膨張挙動を概略的に示すグラフである。図1〜3において、左縦軸は支持体のTD方向及びMD方向それぞれにおける膨張率(%)を表し、右縦軸は加熱温度(℃)を表し、横軸は加熱時間(分)を表す。またグラフaはMD方向の膨張挙動を示し、グラフbはTD方向の膨張挙動を示し、グラフcは経時的な温度プロファイルを示している。
本発明のプリント配線板の製造方法において使用される「接着シート」について説明する。
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱するとき、下記の条件(MD1)及び条件(TD1):
〔条件(MD1)〕120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0.2%未満であること
〔条件(TD1)〕120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0.2%未満であること
を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含むことが好ましい。
〔条件(MD2)〕100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0%未満であること
〔条件(TD2)〕100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0%未満であることを満たすことが好ましい。
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、支持体が、下記の条件(MD3)及び条件(TD3):
〔条件(MD3)〕MD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD3)〕TD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含むことが好ましい。
〔条件(MD4)〕支持体のMD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD4)〕支持体のTD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たす支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含むことが好ましい。
接着シートが備える樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性とを有するものであればよい。得られる絶縁層の熱膨張係数を低下させて、絶縁層と導体層との熱膨張の差によるクラックや回路歪みの発生を防止する観点から、樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物は無機充填材を含むことが好ましい。
なお、本発明において、樹脂組成物を構成する各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計質量を100質量%としたときの量である。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤が挙げられる。硬化剤は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、熱可塑性樹脂をさらに含んでいてもよい。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は1種単独で用いてもよく、又は2種以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、硬化促進剤をさらに含んでいてもよい。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂組成物は、必要に応じて、その他の成分として添加剤を含んでいてもよく、添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びにゴム粒子等の有機フィラー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、難燃剤及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
本発明のプリント配線板の製造方法は、
工程(A)支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、該樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する工程と、
工程(B)前記樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程と、
工程(C)前記支持体を除去する工程と
をこの順序で含み、
前記支持体が、下記の加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD1)及び条件(TD1):
〔条件(MD1)〕120℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0.2%未満であること
〔条件(TD1)〕120℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0.2%未満であること
を満たすことが好ましい。
〔条件(MD2)〕100℃以上におけるMD方向の最大膨張率EMD(%)が0%未満であること
〔条件(TD2)〕100℃以上におけるTD方向の最大膨張率ETD(%)が0%未満であること
を満たすことがより好ましい。
工程(B)前記樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程と、
工程(C)前記支持体を除去する工程と
をこの順序で含み、
前記支持体が、下記の加熱条件:
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃に昇温し180℃で30分間加熱すること
にて加熱されるとき、下記の条件(MD3)及び条件(TD3):
〔条件(MD3)〕MD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD3)〕TD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たすことが好ましい。
〔条件(MD4)〕支持体のMD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
〔条件(TD4)〕支持体のTD方向の膨張率が最大となる温度が120℃未満であること
を満たすことが好ましい。
以下、工程又は処理についていう「この順序で含む」についても同様である。
工程(A)において、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含む接着シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板に積層する。
工程(B)において、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。
i)樹脂組成物層を温度T1(但し50℃≦T1<150℃)にて加熱する工程と、
ii)加熱後の樹脂組成物層を温度T2(但し150℃≦T2≦240℃)にて熱硬化させる工程とを含む。
工程(C)において、支持体を除去する。
本発明の製造方法により得られたプリント配線板を用いて、かかるプリント配線板を含む半導体装置を製造することができる。
本発明の積層構造体は、内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを含む積層構造体であって、絶縁層の中央部の厚さをt(μm)とした場合、該中央部外の該絶縁層の盛り上がり部を含む厚さが2.5t(μm)以下である。ここでtは、t≦40(μm)を満たすことが好ましい。
図4は積層構造体の概略的な平面図である。図5は積層構造体を図4中のIII−III一点鎖線の位置で切断した端面を示す概略的な図である。
(1)内層基板の準備
ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅層の厚さ18μm、基板の厚さ0.8mm、パナソニック電工(株)製「R1515A」)を内層基板として用意した。内層基板の両面を、メック(株)製「CZ8100」に浸漬することにより銅層の表面の粗化処理を行った。
下記の実施例及び比較例において作製した接着シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター((株)名機製作所製「MVLP−500」)を用いて、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、内層基板の両面にラミネート処理した。ラミネート処理は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaで30秒間圧着することにより行った。なお、接着シートは、保護フィルムを剥離してから用いた。
接着シートの積層後、支持体を付けたまま、100℃(温度T1)で30分間加熱し、次いで180℃(温度T2)で30分間加熱する条件で樹脂組成物層を熱硬化することにより絶縁層を形成した。得られた絶縁層の銅層の直上の厚さは40μmであった。得られた構造体を評価基板Aと称する。
上記(3)で得られた評価基板Aから支持体を剥離した後、硬化した絶縁層と同じ大きさの接着シートを、上記(2)及び(3)と同様にして繰り返し、2層目の絶縁層を形成した。銅層の直上の1層目の絶縁層と2層目の絶縁層の厚さの合計は80μmであった。得られた構造体を評価基板Bと称する。
−支持体のTD方向の膨張率の測定−
下記の実施例及び比較例で調製した支持体のTD方向が長辺に沿う方向となるように寸法20mm(短辺)×4mm(長辺)の長方形状の試験片を切り出した。該試験片について、熱機械分析装置(セイコーインスツル(株)製「TMA−SS6100」)を用いて、引っ張り試験モードにて大気雰囲気下、引っ張り荷重9.8mmNで下記の加熱条件の下、加熱処理の全過程について膨張率を測定し、100℃以上における最大膨張率ETD、120℃以上における最大膨張率ETD、120℃未満における最大膨張率ETD、膨張率が正の値から負の値になる温度、換言すると膨張率が0(%)になる温度TTDを求めた。
〔加熱条件〕20℃から昇温速度8℃/分にて100℃(温度T1)に昇温し100℃で30分間加熱した後、昇温速度8℃/分にて180℃(温度T2)に昇温し180℃で30分間加熱
下記の実施例及び比較例で調製した支持体のMD方向が長辺に沿う方向となるように寸法20mm×4mmの長方形状の試験片を切り出した。該試験片について、上記「支持体のTD方向の膨張率の測定」と同様にして、100℃以上における最大膨張率EMD、120℃以上における最大膨張率EMD、120℃未満における最大膨張率EMD、膨張率が正の値から負の値になる温度、換言すると膨張率が0(%)になる温度TMDを求めた。
下記の実施例及び比較例で作製された接着シートの樹脂組成物層について、動的粘弾性測定装置((株)ユー・ビー・エム社製「Rheosol−G3000」)を使用して溶融粘度を測定した。樹脂組成物1gを試料として、直径18mmのパラレルプレートを使用して、開始温度60℃から200℃まで昇温速度5℃/分にて昇温し、測定温度間隔2.5℃、振動1Hz、歪み1degの測定条件にて動的粘弾性率を測定し、最低溶融粘度(ポイズ)を確認した。また、TTD、TMDより高い温度における樹脂組成物層の最低溶融粘度(ポイズ)を確認した。
絶縁層の端部の形状の観察は、下記の手順に従って行った。支持体のTD方向の端部近傍及びMD方向の端部近傍で盛り上がった絶縁層について、絶縁層をTD方向及びMD方向に沿う方向で切断した断面についてSEM観察を行い、絶縁層の最下部、すなわち内層基板の表面から絶縁層の表面であって盛り上がった部分の頂点までの距離(高さ)を算出した。SEM観察は、日立ハイテクノロジーズ(株)製「S−4800」を用いて行った。評価基板A及びBについて盛り上がり部の頂点の高さの測定を行った。
支持体の端部近傍の絶縁層の観察は、上記のSEM観察と同様にして目視で行った。支持体のTD方向の端部近傍及びMD方向の端縁部近傍で盛り上がった絶縁層について、それぞれの端縁部近傍で盛り上がった部分(盛り上がり部)の頂点が支持体の表面の高さを超えなかった場合を「良:○」と判定し、盛り上がった部分の頂点が支持体の表面の高さを超えるか、又は頂点が支持体の表面より上側にある場合、すなわち絶縁層が支持体の表面に乗り上げている場合を「不可:×」と判定した。
支持体の皺及び浮きの観察を目視にて行った。評価基準は下記のとおりである。
(評価基準)
絶縁層形成後の支持体の端部に皺及び浮きが発生していない:○(良)
絶縁層形成後の支持体の端部に皺及び浮きが発生している:×(不可)
支持体の端部近傍における絶縁層から発生したレジンチップ付着の観察は、支持体を剥離した後、支持体をSEM観察して行った。
(評価基準)
絶縁層形成後の支持体の端部近傍の表面に高さ5μm以上のレジンチップ付着がない:○(良)
絶縁層形成後の支持体の端部近傍の表面に高さ5μm以上のレジンチップ付着がある:×(不可)
下記の実施例及び比較例において支持体を調製するに際し採用した予備加熱条件を下記表1に示す。なお表1中「張力」とは支持体のTD方向に加えられる張力を意味する。
(1)支持体の調製
アルキド樹脂系離型層付きPETフィルム(リンテック(株)製「AL5」、厚さ38μm、以下「離型PETフィルム」という。)を、PETフィルムのTD方向が鉛直方向に沿う方向となるようにTD方向の一方の側の端縁を固定し、PETフィルム全体に均一に張力がかかるように吊るした後、TD方向の他方の側の端縁にPETフィルム全体に均一に張力がかかるように金属板を錘として設置した。その際、金属板の重量を調整して、20gf/cm2の張力がかかるようにした。大気雰囲気で常圧下、前記表1の予備加熱条件1の加熱温度及び加熱時間にて張力をかけながら加熱する予備加熱処理により、支持体を得た。
ビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量約290、日本化薬(株)製「NC3000H」)30部、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量162、DIC(株)製「HP−4700」)5部、液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)15部、及びフェノキシ樹脂(重量平均分子量35000、三菱化学(株)製「YX7553BH30」、不揮発成分30質量%のメチルエチルケトン(MEK)溶液)2部を、MEK8部及びシクロヘキサノン8部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤(フェノール性水酸基当量約124、DIC(株)製「LA−7054」、不揮発成分60質量%のMEK溶液)32部、リン系硬化促進剤(北興化学工業(株)製「TBP−DA」、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩)0.2部、アミノシラン系カップリング剤(信越化学(株)製「KBM573」)で表面処理した球状シリカ((株)アドマテックス製「SOC2」、平均粒径0.5μm)160部、ポリビニルブチラール樹脂溶液(重量平均分子量27000、ガラス転移温度105℃、積水化学工業(株)製「KS−1」、不揮発成分15質量%のエタノールとトルエンとの質量比が1:1の混合溶液)2部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスAを調製した。樹脂ワニスA中の不揮発成分の合計質量を100質量%としたとき、無機充填材(球状シリカ)の含有量は、69.4質量%であった。
上記(1)で調製した支持体の離型層上に、上記(2)で調製した樹脂ワニスAをダイコーターにて均一に塗布し、80℃〜120℃(平均100℃)で6分間乾燥させて支持体に接合している樹脂組成物層を形成した。得られた樹脂組成物層の厚さは40μmであり、残留溶剤量は約2質量%であった。次いで、樹脂組成物層に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(厚さ15μm)を貼り合わせながらロール状に巻き取った。得られたロール状の接着シートを幅507mmにスリットして、寸法507mm×336mmの接着シートを得た。
樹脂ワニスBを以下の通り調製した以外は、前記実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
液状ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量180、三菱化学(株)製「jER828EL」)28部、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂(エポキシ当量163、DIC(株)製「HP−4700」)28部を、メチルエチルケトン(MEK)15部及びシクロヘキサノン15部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ノボラック構造を有するナフトール系硬化剤(フェノール性水酸基当量215、新日鉄住金化学(株)製「SN−485」、不揮発成分50%のMEK溶液)110部、硬化促進剤(四国化成工業(株)製「2E4MZ」)0.1部、球形シリカ((株)アドマテックス製「SOC2」、平均粒径0.5μm)70部、ポリビニルブチラール樹脂溶液(積水化学工業(株)製「KS−1」、ガラス転移温度105℃、不揮発成分15%のエタノールとトルエンの1:1の混合溶液)35部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスBを調製した。樹脂ワニスB中の無機充填材の含有量は、樹脂ワニスB中の不揮発成分を100質量%としたとき、38質量%であった。また、[エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数]:[硬化剤の反応基の合計数]=1:0.78であった。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件2の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件2の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例2と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件3の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件3の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例2と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件5の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件5の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例2と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件6の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件6の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例2と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを予備加熱することなくそのまま支持体として使用した以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを予備加熱することなくそのまま支持体として使用した以外は、実施例2と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件4の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例1と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
離型PETフィルムを前記表1の予備加熱条件4の条件で張力をかけ加熱する予備加熱を行った以外は、実施例2と同様にして、支持体、接着シートを作製した。
10A 中央部
10B 端部
10C 盛り上がり部
22 支持体
22a 端縁部
22b 表面
24 絶縁層
30 内層基板
Claims (7)
- 内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを有する積層構造体であって、
前記絶縁層の中央部の厚さをt(μm)とした場合、該絶縁層のうちの前記支持体の端縁部よりも外側に形成される盛り上がり部を含む厚さが2.5t(μm)以下である、積層構造体。 - 前記tがt≦40を満たす、請求項1に記載の積層構造体。
- 2層以上の絶縁層を有する、請求項1に記載の積層構造体。
- 内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを含み、
前記支持体が接合している前記絶縁層のうちの前記支持体の端縁部よりも外側に形成される盛り上がり部の頂点が前記支持体の表面の高さよりも低い位置に存在している、積層構造体。 - 内層基板と、該内層基板に設けられた絶縁層と、該絶縁層に接合している支持体とを含み、
前記絶縁層と前記内層基板との界面から前記絶縁層と前記支持体とが接合する界面までの高さである前記絶縁層の高さが最低である最低点と、前記絶縁層のうちの前記支持体の端縁部よりも外側の高さが最高である頂点との高さの差が60μm以下である、積層構造体。 - 前記絶縁層の高さが最低である最低点と、前記絶縁層のうちの前記支持体の端縁部よりも外側の高さが最高である頂点との高さの差が50μm以下である、請求項5に記載の積層構造体。
- 前記絶縁層の高さが最低である最低点と、前記絶縁層のうちの前記支持体の端縁部よりも外側の高さが最高である頂点との高さの差が30μm以下である、請求項5に記載の積層構造体。
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