TW202018032A - 支撐體、接著片、層合構造體、半導體裝置及印刷電路板之製造方法 - Google Patents
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- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
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Abstract
本發明係提供一種即使在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層，亦不會使良率降低之印刷電路板之製造方法。印刷電路板之製造方法，係依序包含：步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及步驟(C)去除前述支撐體之步驟；支撐體在既定加熱條件進行加熱時，滿足：條件(MD1)於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，條件(TD1)於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%。
Description
本發明係關於印刷電路板之製造方法，該製造方法所使用之接著片、支撐體及層合構造體，以及包含藉由該製造方法所製造之印刷電路板之半導體裝置。
印刷電路板之製造方法，為人所知者有交互地重疊絕緣層與導體層之增層方式之製造方法。增層方式之製造方法中，一般是藉由使樹脂組成物熱硬化而形成絕緣層。多層印刷電路板中，係設置有藉由該增層方式所形成之複數層的增層，因而要求配線的進一步細微化及高密度化。
例如，專利文獻1中，揭示有在將附有支撐體之樹脂組成物層(以下稱為接著片)層合於內層基板後，使樹脂組成物層熱硬化後剝離該支撐體之步驟。
專利文獻1：日本特開2014-7403號公報
本發明者係發現到：在將接著片接合於內層基板，且於熱硬化後剝離支撐體之製造方法中，由於在熱硬化步驟中支撐體膨脹，使樹脂組成物於支撐體的端部附近被支撐體所按壓而越過支撐體上，或甚至產生超過支撐體的厚度而隆起之隆起部，因而損及在後續增層步驟的後續接著片接合步驟中所形成之絕緣層的平坦性，或是使支撐體產生皺摺及浮起，結果導致所製造之印刷電路板之良率的降低，或是在剝離支撐體之步驟中，隆起部缺損並游離而進一步產生附著於絕緣層之現象(稱為「樹脂端附著」)，因而使印刷電路板的良率降低。
因此，本發明之課題在於提供一種即使在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層，亦不會使良率降低之印刷電路板之製造方法，該製造方法所使用之接著片、支撐體及層合構造體。
本發明者係為了解決上述課題而進行精心探討，結果發現於樹脂組成物層的熱硬化時，藉由使用包含顯示出既定膨脹特性之支撐體之接著片，可解決上述課
題，因而完成本發明。
亦即，本發明係包含下述[1]至[19]。
[1]一種支撐體，其係在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)：
[條件(MD1)]於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，
[條件(TD1)]於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%。
[2]如[1]之支撐體，其中滿足下述條件(MD2)及條件(TD2)：
[條件(MD2)]於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0%，
[條件(TD2)]於100℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0%。
[3]一種支撐體，其係在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：
[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
[4]一種支撐體，其係滿足下述條件(MD4)及條件(TD4)：
[條件(MD4)]支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD4)]支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
[5]一種接著片，其係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，
該支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)：
[條件(MD1)]於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，
[條件(TD1)]於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%。
[6]如[5]之接著片，其中前述支撐體滿足下述條件(MD2)及條件(TD2)：
[條件(MD2)]於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0%，
[條件(TD2)]於100℃以上時之TD方向的最大膨脹
率ETD(%)未達0%。
[7]一種接著片，其係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，
該支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：
[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
[8]一種接著片，其係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，
該支撐體滿足下述條件(MD4)及條件(TD4)：
[條件(MD4)]支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD4)]支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
[9]一種印刷電路板之製造方法，其係依序包含：
步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及
步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層
之步驟，以及
步驟(C)去除前述支撐體之步驟；
前述支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)：
[條件(MD1)]於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，
[條件(TD1)]於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%。
[10]如[9]之印刷電路板之製造方法，其中前述支撐體滿足下述條件(MD2)及條件(TD2)：
[條件(MD2)]於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0%，
[條件(TD2)]於100℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0%。
[11]一種印刷電路板之製造方法，其係依序包含：
步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及
步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及
步驟(C)去除前述支撐體之步驟；
前述支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：
[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
[12]一種印刷電路板之製造方法，其係依序包含：
步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及
步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及
步驟(C)去除前述支撐體之步驟；
前述步驟(B)中，滿足：
[條件(MD4)]前述支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD4)]前述支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
[13]如[9]~[12]中任一項之印刷電路板之製造方法，其中前述步驟(B)包含：
i)以溫度T1(惟50℃≦T1<150℃)加熱樹脂組成
物層之步驟，以及
ii)以溫度T2(惟150℃≦T2<240℃)使前述加熱步驟後之樹脂組成物層熱硬化之步驟。
[14]如[9]~[11]中任一項之印刷電路板之製造方法，其中前述加熱條件中，前述支撐體之TD方向的膨脹率為0(%)以下時之前述樹脂組成物層的最低熔融黏度為10000泊以下，且前述支撐體之MD方向的膨脹率為0(%)以下時之前述樹脂組成物層的最低熔融黏度為10000泊以下。
[15]一種半導體裝置，其係包含藉由如[9]~[14]中任一項之印刷電路板之製造方法所製造之印刷電路板。
[16]一種層合構造體，其係具有：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體之層合構造體，
以前述絕緣層之中央部的厚度為t(μm)時，該中央部外之包含該絕緣層的隆起部之厚度為2.5t(μm)以下。
[17]如[16]之層合構造體，其中前述t滿足t≦40。
[18]一種層合構造體，其係包含：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體；
前述支撐體所接合之前述絕緣層的隆起部之頂點，存在於較前述支撐體表面的高度更低之位置。
[19]一種層合構造體，其係包含：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體；
從前述絕緣層與前述內層基板之界面至前述絕緣層與
前述支撐體所接合之界面為止的高度之前述絕緣層的高度為最低之最低點，與前述絕緣層的高度為最高之頂點之高度差，為60μm以下。
根據本發明，即使在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層，由於使用包含顯示出既定膨脹特性之支撐體之接著片，故可有效地抑制於熱硬化時，樹脂組成物於支撐體的端部附近被支撐體所按壓而越過支撐體上，或甚至超過支撐體的厚度而隆起之情形，此外，即使樹脂組成物隆起，由於可確保所形成之絕緣層的平坦性，所以在之後的增層步驟中，可使所形成之絕緣層之厚度的均一性達到良好。其結果可提供一種能夠進一步提升良率之印刷電路板之製造方法。
10‧‧‧層合構造體
10A‧‧‧中央部
10B‧‧‧端部
10C‧‧‧隆起部
22‧‧‧支撐體
22a‧‧‧端緣部
22b‧‧‧表面
24‧‧‧絕緣層
30‧‧‧內層基板
第1圖係顯示加熱時之支撐體之TD方向及MD方向上的膨脹動作之概略圖表。
第2圖係顯示加熱時之支撐體之TD方向及MD方向上的膨脹動作之概略圖表。
第3圖係顯示加熱時之支撐體之TD方向及MD方向上的膨脹動作之概略圖表。
第4圖為層合構造體之概略俯視圖。
第5圖為層合構造體的切斷端面之概略圖。
本發明中，對於支撐體所稱之「MD方向(Machine Direction；縱向)」，意指製造支撐體時之支撐體的長度方向，亦即於製造時之長條狀支撐體的運送方向。此外，支撐體所稱之「TD方向(Transverse Direction；橫向)」，意指製造支撐體時之支撐體的寬度方向，為與MD方向正交之方向。MD方向及TD方向，均為相對於支撐體的厚度方向呈正交之方向。
本發明中，支撐體的MD方向或TD方向上之支撐體的「膨脹率」，意指在既定的加熱條件下加熱支撐體時之支撐體的MD方向或TD方向上之支撐體之長度(大小)的增加比率(%)。支撐體的膨脹率(%)，當以初期長度(亦即加熱開始時點之支撐體的長度)為L0，以經過既定時間的加熱後之支撐體的長度為L時，藉由式：(L-L0)/L0×100所求取。膨脹率為正值時，表示支撐體因加熱而膨脹，膨脹率為負值時，表示支撐體因加熱而收縮。支撐體的膨脹率(%)，可使用熱機械分析裝置，測定在既定的加熱條件下進行加熱時之支撐體的MD方向或TD方向上之支撐體的長度變化而求取。熱機械分析裝置，例如可列舉出Rigaku股份有限公司製「Thermo Plus
TMA8310」、Seiko Instruments股份有限公司製「TMA-SS6100」。
本發明中，支撐體的MD方向或TD方向上之支撐體的「最大膨脹率」，意指依循下述加熱條件隨時審視上述膨脹率時，顯示出最大值之膨脹率。
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘。
此加熱條件，為特定出支撐體的膨脹率等特性時之條件，可與後述「使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟(B)」中的條件一致或不一致。
在詳細說明本發明之印刷電路板之製造方法前，先說明本發明之製造方法中所使用之「支撐體」。
本發明之支撐體，在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)：
[條件(MD1)]於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，
[條件(TD1)]於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%，或是滿足下述條件(MD2)及條件
(TD2)：
[條件(MD2)]於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0%，
[條件(TD2)]於100℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0%。
一般而言，支撐體被加熱時會膨脹或收縮。因支撐體種類的不同，加熱時之膨脹及/或收縮的程度有所不同，但由該製造步驟(例如支撐體之構成材料的選擇、被運送之支撐體於捲曲時(運送時)所施加之張力等)所起因，支撐體被加熱時，乃具有與TD方向相比，在MD方向上容易收縮，且與MD方向相比，在TD方向上容易膨脹之傾向。
通常，支撐體開始急遽膨脹之溫度約為120℃，但在本發明中，支撐體滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)。
條件(MD1)，係關於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD。在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層時，最大膨脹率EMD未達0.2%。最大膨脹率EMD的下限，從提升絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性之觀點來看，較佳為-4%以上，尤佳為-3%以上，更佳為-2%以上。從提升絕緣層的平坦性以及絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性，並提升電路板的良率之觀點來
看，較佳係更接近於0%。
條件(TD1)，係關於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD。在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層時，最大膨脹率ETD未達0.2%。最大膨脹率ETD的下限，從提升絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性之觀點來看，較佳為-3%以上，尤佳為-2%以上。從提升絕緣層的平坦性以及絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性，並提升電路板的良率之觀點來看，較佳係更接近於0%。
再者，本發明中，鑑於樹脂組成物開始硬化之溫度約為100℃，支撐體較佳滿足下述條件(MD2)及條件(TD2)。
條件(MD2)，係關於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD。在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層時，最大膨脹率EMD未達0%。最大膨脹率EMD的下限並無特別限定，與上述條件(MD1)相同，從提升絕緣層的平坦性以及絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性，並提升印刷電路板的良率之觀點來看，較佳係更接近於0%。
條件(TD2)，係關於100℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD。在附有支撐體之狀態下使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層時，最大膨脹率ETD未達0%。最大膨脹率ETD的下限並無特別限定，與上述條件(TD1)相同，從提升絕緣層的平坦性以及絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性，並提升印刷電路板的良率之觀點來看，較佳係更接近於0%。
此外，支撐體開始急遽膨脹之溫度通常約為120℃，本發明中，支撐體係滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)。
條件(MD3)，於上述加熱條件中，MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
條件(TD3)，於上述加熱條件中，TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
因此，若支撐體滿足條件(MD3)及條件(TD3)，則於上述加熱條件中可抑制於120℃以上之支撐體的膨脹，提升絕緣層的平坦性以及絕緣層表面之粗化後的粗度的均一性，並提升印刷電路板的良率。
此外，支撐體開始急遽膨脹之溫度通常約為
120℃，本發明中，支撐體係滿足下述條件(MD4)及條件(TD4)。
條件(MD4)支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
條件(TD4)支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
若使用具有該特性之支撐體，由於可抑制於120℃以上之支撐體的膨脹，所以樹脂組成物於支撐體的端緣部附近不會被支撐體所按壓，藉此可提升絕緣層的平坦性，其結果可進一步提升印刷電路板的良率。
支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度，並無特別限制，可為60℃以上，或是80℃以上。支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度，並無特別限制，可為60℃以上，或是80℃以上。
支撐體，從輕量且可顯現出印刷電路板的製造時所需強度之觀點來看，可較佳地使用由塑膠材料所構成之薄膜(以下亦僅稱為「塑膠薄膜」)。塑膠材料，例如可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯(稱為「PET」)、聚萘二甲酸乙二酯(稱為「PEN」)等之聚酯、聚碳酸酯(稱為「PC」)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等之丙烯酸、環狀聚烯烴、三乙醯纖維素(TA℃)、聚醚硫化物(PES)、聚醚酮、聚醯亞胺等。當中，支撐體較佳為聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯，特佳為便宜的聚對苯二甲酸乙二酯。
關於接著片所使用之以往的塑膠薄膜，本發明者係發現到：未滿足條件(MD1~4)(以下稱為條件(MD))或條件(TD1~4)(以下稱為條件(TD))中之一方或兩者，尤其是條件(TD1、TD2、TD3或TD4)時，在熱硬化步驟中，樹脂組成物於支撐體的端緣部附近被支撐體所按壓而越過支撐體上，或甚至產生超過支撐體的厚度而隆起之隆起部，因而損及在後續增層步驟的後續接著片接合步驟中所形成之絕緣層的平坦性，或是使支撐體產生皺摺及浮起，結果導致所製造之印刷電路板之良率的降低，或是在剝離支撐體之步驟中，隆起部缺損並游離而進一步產生附著於絕緣層之現象(樹脂端附著)，因而使印刷電路板的良率降低。
本發明之較佳一實施形態中，係對塑膠薄膜施以預熱處理，以調製出滿足條件(MD)及條件(TD)兩者之支撐體。預熱處理，其結果係以滿足條件(MD)及條件(TD)的組合之方式，因應塑膠材料的種類、製造時所施加之張力(拉伸)的有無、拉伸的軸方向、拉伸的程度、拉伸後的熱處理條件等，調整條件來進行。
使用長條狀的塑膠薄膜作為塑膠薄膜時，用以使支撐體滿足條件(MD)及條件(TD)之預熱處理，例如可列舉出一邊對塑膠薄膜的條件(MD)及條件(TD)中之一方或兩者的方向施加張力一邊加熱之處理。
使用長條狀的塑膠薄膜時，通常是藉由使用
製造時之運送輥等的輥進行運送以對MD方向施加既定張力，因此，藉由一邊僅對TD方向施加張力一邊加熱，有時可得到滿足條件(MD)及條件(TD)之支撐體。
為MD方向時，可藉由調整施加於在複數個輥間所拉送之塑膠薄膜之張力，來施加既定張力。此外，在對TD方向施加張力，可藉由以往所知的任意適當手段來實施。對TD方向施加張力時，可使用具有以往所知的構成之拉幅機等來施加既定張力。
此外，例如可藉由砝碼的重量及重力，對塑膠薄膜的MD方向或TD方向施加既定張力。具體而言，係以使TD方向及MD方向中之應予調整的方向與垂直方向一致之方式，例如藉由支撐棒等之任意適當的接著構件(例如Kapton黏著膠帶、PTFE黏著膠帶、玻璃布黏著膠帶)，固定塑膠薄膜之應予調整的方向之一方側的端緣部，並以對塑膠薄膜全體施加均一張力之方式懸掛。然後，以對塑膠薄膜全體施加均一張力之方式，藉由任意適當的接著構件，將金屬板等之砝碼連接於相對向之應予調整的方向之另一方側的端緣部，並藉由砝碼的重量一邊施加張力一邊加熱，藉此可進行預熱處理。
施加於塑膠薄膜之張力的大小，可考量到塑膠薄膜的材料、膨脹率、樹脂組成物的組成等，設定為任意適當的張力。例如可列舉出將張力設為3gf/cm2~30gf/cm2之條件。
一實施形態中，預熱處理的加熱溫度，在將
塑膠薄膜的玻璃轉移溫度設為Tg時，較佳為(Tg+50)℃以上，尤佳為(Tg+60)℃以上，更佳為(Tg+70)℃以上，特佳為(Tg+80)℃以上或(Tg+90)℃以上。加熱溫度的上限，在未達塑膠薄膜的熔點下，較佳為(Tg+115)℃以下，尤佳為(Tg+110)℃以下，更佳為(Tg+105)℃以下。
例如當支撐體為PET膜時，預熱處理的加熱溫度，較佳為130℃以上，尤佳為140℃以上，更佳為150℃以上，特佳為160℃以上或170℃以上。加熱溫度的上限，較佳為195℃以下，尤佳為190℃以下，更佳為185℃以下。
加熱時間，係以滿足條件(MD1)及條件(TD1)、條件(MD2)及條件(TD2)、或條件(MD3)及條件(TD3)之方式，因應加熱溫度來適當地決定。一實施形態中，加熱時間，較佳為1分鐘以上，尤佳為2分鐘以上，更佳為5分鐘以上，10分鐘以上或15分鐘以上。加熱時間的上限，因加熱溫度而異，較佳為120分鐘以下，尤佳為90分鐘以下，更佳為60分鐘以下。
實施預熱處理時之環境並無特別限定，例如可列舉出大氣環境、惰性氣體環境(氮氣環境、氦氣環境、氬氣環境等)，從可簡便地調製支撐體之觀點來看，較佳為大氣環境。
預熱處理，可在減壓下、常壓下、加壓下的任一項中實施，從可簡便地調製支撐體之觀點來看，較佳
在常壓下實施。
支撐體，可對與後述樹脂組成物層接合之面施以消光處理、電暈處理。此外，支撐體，可使用於與樹脂組成物層接合之面具有脫模層之附有脫模層之支撐體。附有脫模層之支撐體的脫模層所使用之脫模劑，例如可列舉出選自由醇酸樹脂、聚烯烴樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、及聚矽氧樹脂所組成之群組之1種以上的脫模劑。
支撐體的厚度並無特別限定，較佳為5μm~75μm的範圍，尤佳為10μm~60μm的範圍，更佳為10μm~45μm的範圍。尤其從防止樹脂的隆起之觀點來看，較佳為25μm以上，尤佳為30μm以上。使用附有脫模層之支撐體時，附有脫模層之支撐體全體的厚度較佳位於上述範圍。
參考第1圖~第3圖，說明本發明的實施形態之支撐體的膨脹動作之概略。
第1圖~第3圖係概略地顯示以上述加熱條件進行加熱時之支撐體之TD方向及MD方向上的膨脹動作之圖表。第1圖~第3圖中，左縱軸表示支撐體之TD方向及MD方向的各方向上之膨脹率(%)，右縱軸表示加熱溫度(℃)，橫軸表示加熱時間(分)。此外，圖表a表示MD方向的膨脹動作，圖表b表示TD方向的膨脹動作，圖表c表示隨時間經過之溫度分布。
從第1圖中可得知，根據圖表a，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的20℃升溫至100℃之
過程(加熱時間從0分鐘至10分鐘之區間)中，膨脹率降低並成為負值，於100℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從10分鐘至40分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。此外，根據圖表a，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的100℃升溫至180℃之過程(加熱時間從40分鐘至50分鐘之區間)中，膨脹率大幅降低，於180℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從50分鐘至80分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。再者，根據圖表b，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的20℃升溫至100℃之過程(加熱時間從0分鐘至10分鐘之區間)中，雖然膨脹率稍微提高，但在到達100℃之時點，膨脹率為負值，於100℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從10分鐘至40分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。此外，根據圖表b，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的100℃升溫至180℃之過程(加熱時間從40分鐘至50分鐘之區間)中，膨脹率大幅降低，於180℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從50分鐘至80分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。
參考第2圖，說明本發明的其他實施形態之支撐體的膨脹動作之概略。
從第2圖中可得知，根據圖表a，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的20℃升溫至100℃之過程(加熱時間從0分鐘至10分鐘之區間)中，膨脹率稍微提高，但推測未達0.2%，於100℃加熱30分鐘之過
程(加熱時間從10分鐘至40分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。此外，根據圖表a，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的100℃升溫至180℃之過程(加熱時間從40分鐘至50分鐘之區間)中，膨脹率大幅降低，於180℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從50分鐘至80分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。再者，根據圖表b，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的20℃升溫至100℃之過程(加熱時間從0分鐘至10分鐘之區間)中，雖然膨脹率稍微提高，但推測未達0.2%，於100℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從10分鐘至40分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。此外，根據圖表b，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的100℃升溫至180℃之過程(加熱時間從40分鐘至50分鐘之區間)中，膨脹率大幅降低，於180℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從50分鐘至80分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。
參考第3圖，說明本發明的其他實施形態之支撐體的膨脹動作之概略。
從第3圖中可得知，根據圖表a，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的20℃升溫至100℃之過程(加熱時間從0分鐘至10分鐘之區間)中，膨脹率稍微提高，並到達膨脹率成為最大之最大膨脹點Max1，於100℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從10分鐘至40分鐘之區間)中，膨脹率從最大膨脹點Max1緩慢地降
低。此外，根據圖表a，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的100℃升溫至180℃之過程(加熱時間從40分鐘至50分鐘之區間)中，膨脹率大幅降低，於180℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從50分鐘至80分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。再者，根據圖表b，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的20℃升溫至100℃之過程(加熱時間從0分鐘至10分鐘之區間)中，膨脹率稍微提高，於100℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從10分鐘至40分鐘之區間)中，膨脹率進一步稍微提高，並到達膨脹率成為最大之最大膨脹點Max2。此外，根據圖表b，在以升溫速度8℃/分從圖表c所示之溫度分布的100℃升溫至180℃之過程(加熱時間從40分鐘至50分鐘之區間)中，膨脹率從最大膨脹點Max2大幅降低，然後於180℃加熱30分鐘之過程(加熱時間從50分鐘至80分鐘之區間)中，膨脹率緩慢地降低。從圖表a及b中可得知，MD方向的膨脹動作及TD方向的膨脹動作中，均於120℃以下存在有最大膨脹點Max1及Max2，120℃以上之膨脹率，不會超過最大膨脹點Max1及Max2之膨脹率。
接著說明本發明之印刷電路板之製造方法中所使用之「接著片」。
本發明之接著片，係包含已說明之支撐體。
亦即，本發明之接著片，較佳係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，
該支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)：
[條件(MD1)]於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，
[條件(TD1)]於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%。
此外，接著片中的支撐體，較佳係滿足下述條件(MD2)及條件(TD2)：
[條件(MD2)]於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0%，
[條件(TD2)]於100℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0%。
再者，接著片較佳係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，
該支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：
[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
此外，接著片較佳係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，
該支撐體滿足下述條件(MD4)及條件(TD4)：
[條件(MD4)]支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD4)]支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
以上述加熱條件進行加熱時之支撐體之TD方向及MD方向上的膨脹特性及預熱處理的條件之詳細內容，如已說明之內容所述。
接著片所具備之樹脂組成物層所使用之樹脂組成物並無特別限定，只要該硬化物具有充分的硬度及絕緣性者即可。從降低所得之絕緣層的熱膨脹係數，以防止因絕緣層與導體層的熱膨脹差而造成龜裂或電路扭曲之觀點來看，樹脂組成物層所使用之樹脂組成物，較佳係包含無機填充材。
樹脂組成物中之無機填充材的含量，從降低所得之絕緣層的熱膨脹係數之觀點來看，較佳為30質量
%以上，尤佳為45質量%以上，更佳為60質量%以上。本發明中，構成樹脂組成物之各成分的含量，為以樹脂組成物中之非揮發成分的合計質量為100質量%時之量。
樹脂組成物中之無機填充材的含量之上限，從所得之絕緣層的機械強度之觀點來看，較佳為95質量%以下，尤佳為85質量%以下，更佳為75質量%以下。
無機填充材並無特別限定，例如可列舉出二氧化矽、氧化鋁、玻璃、菫青石(Cordierite)、矽氧化物、硫酸鋇、碳酸鋇、滑石、黏土、雲母粉、氧化鋅、水滑石(Hydrotalcite)、軟水鋁石(Boehmite)、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、氮化鋁、氮化錳、硼酸鋁、碳酸鍶、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、氧化鈦、氧化鋯、鈦酸鋇、鈦酸鋯酸鋇、鋯酸鋇、鋯酸鈣、磷酸鋯、及磷酸鎢酸鋯等。此等當中，特佳為非定形二氧化矽、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽、中空二氧化矽等之二氧化矽。此外，二氧化矽較佳為球狀二氧化矽。無機填充材可單獨使用1種或組合2種以上使用。市售之球狀熔融二氧化矽，例如可列舉出Admatechs公司製「SOC2」、「SOC1」。
樹脂組成物所使用之無機填充材的平均粒徑，較佳為0.01μm~5μm，尤佳為0.05μm~2μm，更佳為0.1μm~1μm，特佳為0.2μm~0.8μm。無機填充材的平均粒徑，可藉由依據米氏(Mie)散射理論之雷射繞射散射法來測定。具體而言，藉由雷射繞射散射式粒度分布
測定裝置，以體積基準製作出無機填充材的粒度分布，並以該中位徑作為平均粒徑而測得。測定樣本，可較佳地使用藉由超音波使無機填充材於水中分散之樣本。雷射繞射散射式粒度分布測定裝置，可使用堀場製作所公司製「LA-500」等。
無機填充材，從提高耐濕性及分散性之觀點來看，較佳係藉由胺基矽烷系偶合劑、環氧矽烷系偶合劑、巰基矽烷系偶合劑、矽烷系偶合劑、有機矽氮烷化合物、鈦酸酯系偶合劑等之1種以上的表面處理劑所處理。表面處理劑的市售品，例如可列舉出信越化學工業股份有限公司製「KBM403」(3-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷)、信越化學工業股份有限公司製「KBM803」(3-巰丙基三甲氧矽烷)、信越化學工業股份有限公司製「KBE903」(3-胺丙基三乙氧矽烷)、信越化學工業股份有限公司製「KBM573」(N-苯基-3-胺丙基三甲氧矽烷)、信越化學工業股份有限公司製「SZ-31」(六甲基二矽氮烷)等。
依據表面處理劑之表面處理的程度，可藉由無機填充材之每單位表面積的碳量來評估。無機填充材之每單位表面積的碳量，從提升無機填充材的分散性之觀點來看，較佳為0.02mg/m2以上，尤佳為0.1mg/m2以上，更佳為0.2mg/m2以上。另一方面，從防止樹脂清漆之熔融黏度的上升或構成為接著片時之熔融黏度的上升之觀點來看，無機填充材之每單位表面積的碳量，較佳為
1mg/m2以下，尤佳為0.8mg/m2以下，更佳為0.5mg/m2以下。
無機填充材之每單位表面積的碳量，可在藉由溶劑(例如丁酮(MEK))對表面處理後的無機填充材進行洗淨處理後測定。具體而言，將作為溶劑之充足量的MEK加入於以表面處理劑進行表面處理後之無機填充材，於25℃進行超音波洗淨5分鐘。去除上清液並使非揮發成分乾燥後，使用碳分析儀來測定無機填充材之每單位表面積的碳量。碳分析儀，可使用堀場製作所公司製「EMIA-320V」等。
樹脂組成物層所使用之樹脂組成物，係包含熱硬化性樹脂作為該材料。熱硬化性樹脂，可使用於形成印刷電路板的絕緣層時所使用之以往一般所知的熱硬化性樹脂，當中較佳為環氧樹脂。此外，樹脂組成物，可因應必要進一步包含硬化劑。一實施形態中，可使用包含無機填充材、環氧樹脂、及硬化劑之樹脂組成物。樹脂組成物層所使用之樹脂組成物，可進一步包含熱塑性樹脂、硬化促進劑、難燃劑以及橡膠粒子等之添加劑。
以下係說明可使用作為樹脂組成物的材料之環氧樹脂、硬化劑、以及添加劑。
環氧樹脂，例如可列舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、
二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂、酚-酚醛型環氧樹脂、三級丁基兒茶酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、縮水甘油酯型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、線狀脂肪族環氧樹脂、具有丁二烯結構之環氧樹脂、脂環型環氧樹脂、雜環型環氧樹脂、含螺旋環之環氧樹脂、環己烷二甲醇型環氧樹脂、萘醚型環氧樹脂及三羥甲基型環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨使用1種或併用2種以上。
環氧樹脂，較佳係包含：於1分子中具有2個以上的環氧基之環氧樹脂。以環氧樹脂的非揮發成分為100質量%時，較佳係至少50質量%以上為於1分子中具有2個以上的環氧基之環氧樹脂。當中，尤佳係包含：於1分子中具有2個以上的環氧基且於溫度20℃為液狀之環氧樹脂(以下稱為「液狀環氧樹脂」)，以及於1分子中具有3個以上的環氧基且於溫度20℃為固體狀之環氧樹脂(以下稱為「固體狀環氧樹脂」)。藉由併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂，可得到具有優異可撓性之樹脂組成物。此外，亦可提升使樹脂組成物硬化而形成之絕緣層的斷裂強度。
液狀環氧樹脂，較佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、酚-酚醛型環氧樹脂、及萘型環氧樹脂，尤佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、及萘型環氧樹脂，更佳為雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環
氧樹脂。液狀環氧樹脂的具體例，可列舉出DIC股份有限公司製「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(萘型環氧樹脂)、三菱化學股份有限公司製「jER828EL」(雙酚A型環氧樹脂)、「jER807」(雙酚F型環氧樹脂)、「jER152」(酚-酚醛型環氧樹脂)、新日鐵住金化學股份有限公司製「ZX1059」(雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之混合品)、Nagase Chemtex股份有限公司製「EX-721」(縮水甘油酯型環氧樹脂)。此等可單獨使用1種或併用2種以上。
固體狀環氧樹脂，較佳為萘型4官能環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、三酚型環氧樹脂、萘酚酚醛型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、或萘醚型環氧樹脂，尤佳為萘型4官能環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、或萘醚型環氧樹脂，更佳為萘型4官能環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。固體狀環氧樹脂的具體例，可列舉出DIC股份有限公司製「HP4032H」、「HP-4700」、「HP-4710」(萘型4官能環氧樹脂)、「N-690」(甲酚酚醛型環氧樹脂)、「N-695」(甲酚酚醛型環氧樹脂)、「HP-7200」(二環戊二烯型環氧樹脂)、「EXA7311」、「EXA7311-G3」、「EXA7311-G4」、「EXA7311-G4S」、「HP6000」(萘醚型環氧樹脂)、日本化藥股份有限公司製「EPPN-502H」(三酚型環氧樹脂)、「NC7000L」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(聯苯型環氧樹脂)、新
日鐵住金化學股份有限公司製「ESN475」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、「ESN485V」(萘酚酚醛型環氧樹脂)、三菱化學股份有限公司製「YX4000H」、「YL6121」(聯苯型環氧樹脂)、「YX4000HK」(雙二甲苯酚型環氧樹脂)、Osaka Gas Chemical股份有限公司製「PG-100」、「CG-500」、三菱化學股份有限公司製「YL7800」(茀型環氧樹脂)等。
當併用液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂作為環氧樹脂時，此等的量比(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，以質量比計較佳為1：0.1~1：5的範圍。藉由將液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比設為此範圍，可得到：i)以接著片的形態使用時，可達成適度的黏著性，ii)以接著片的形態使用時，可得到充分的可撓性，並提升處理性，並且iii)可得到具有充分的斷裂強度之絕緣層等效果。從上述i)~iii)的效果之觀點來看，液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之量比，(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂)，以質量比計尤佳為1：0.3~1：4的範圍，更佳為1：0.6~1：3的範圍，特佳為1：0.8~1：2.5的範圍。
樹脂組成物中之環氧樹脂的量，較佳為3質量%~50質量%，尤佳為5質量%~45質量%，更佳為5質量%~40質量%，特佳為7質量%~35質量%。
環氧樹脂的重量平均分子量，較佳為100~5000，尤佳為250~3000，更佳為400~1500。在此，
環氧樹脂的重量平均分子量，為藉由凝膠滲透層析法(GPC：Gel Permeation Chromatography)法所測定之經聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
環氧樹脂的環氧當量，較佳為50~3000，尤佳為80~2000，更佳為110~1000。藉由設為該範圍，可得到硬化物的交聯密度充分且表面粗糙度小之絕緣層。環氧當量可依循JIS K7236來測定，為包含1當量的環氧基之樹脂的質量。
硬化劑，只要是具有可使環氧樹脂硬化之功能者即可，並無特別限定，例如可列舉出酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑、苯并噁嗪(Benzoxazine)系硬化劑、氰酸酯系硬化劑及碳二醯亞胺(Carbodiimide)系硬化劑。硬化劑可單獨使用1種或併用2種以上。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑，從耐熱性及耐水性之觀點來看，較佳為具有酚醛結構之酚系硬化劑或是具有酚醛結構之萘酚系硬化劑。此外，從與導體層之密合性之觀點來看，較佳為含氮之酚系硬化劑，尤佳為含三嗪骨架之酚系硬化劑。當中，從高度滿足耐熱性、耐水性、及與導體層之密合性(剝離強度)之觀點來看，較佳為含三嗪骨架之酚-酚醛樹脂。
酚系硬化劑及萘酚系硬化劑的具體例，例如可列舉出明和化成股份有限公司製「MEH-7700」、「
MEH-7810」、「MEH-7851」、日本化藥股份有限公司製「NHN」、「CBN」、「GPH」、東都化成股份有限公司製「SN-170」、「SN-180」、「SN-190」、「SN-475」、「SN-485」、「SN-495」、「SN-375」、「SN-395」、DIC股份有限公司製「LA-7052」、「LA-7054」、「LA-3018」等。
活性酯系硬化劑並無特別限制，一般而言，可較佳地使用酚酯類、硫酚酯類、N-羥基胺酯類、雜環羥基化合物的酯類等之於1分子中具有2個以上之反應活性高的酯基之化合物。該活性酯系硬化劑，較佳為藉由羧酸化合物及/或硫羧酸化合物與羥基化合物及/或硫醇化合物之縮合反應所得者。尤其從提升耐熱性之觀點來看，較佳為由羧酸化合物與羥基化合物所得之活性酯系硬化劑，尤佳為由羧酸化合物與酚化合物及/或萘酚化合物所得之活性酯系硬化劑。羧酸化合物，例如可列舉出苯甲酸、乙酸、琥珀酸、順丁烯二酸、伊康酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、焦蜜石酸等。酚化合物或萘酚化合物，例如可列舉出氫醌(Hydroquinone)、間苯二酚(Resorcin)、雙酚A、雙酚F、雙酚S、酚酞、甲基化雙酚A、甲基化雙酚F、甲基化雙酚S、酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、兒茶酚、α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、二羥基二苯基酮、三羥基二苯基酮、四羥基二苯基酮、根皮三酚(Phloroglucin)、苯三醇、二環戊二烯型二酚化合物、
酚-酚醛等。在此，所謂「二環戊二烯型二酚化合物」，表示酚的2分子縮合於二環戊二烯的1分子所得之二酚化合物。
具體而言，較佳為包含二環戊二烯型二酚結構之活性酯化合物、包含萘結構之活性酯化合物、包含酚-酚醛的乙醯化物之活性酯化合物、包含酚-酚醛的苯甲醯化物之活性酯化合物，當中尤佳為包含萘結構之活性酯化合物、包含二環戊二烯型二酚結構之活性酯化合物。「二環戊二烯型二酚結構」，表示依序鍵結伸苯基、二環並環戊二烯(Dicyclopentalene)、伸苯基之2價的結構。
活性酯系硬化劑的市售品，例如可列舉出作為包含二環戊二烯型二酚結構之活性酯化合物之「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC-8000-65T」(DIC股份有限公司製)、作為包含萘結構之活性酯化合物之「EXB-9416-70BK」(DIC股份有限公司製)、作為包含酚-酚醛的乙醯化物之活性酯化合物之「DC808」(三菱化學股份有限公司製)，作為包含酚-酚醛的苯甲醯化物之活性酯化合物之「YLH1026」(三菱化學股份有限公司製)等。
苯并噁嗪系硬化劑的具體例，可列舉出昭和高分子股份有限公司製「HFB2006M」、四國化成工業股份有限公司製「P-d」、「F-a」。
氰酸酯系硬化劑，例如可列舉出雙酚A二氰酸酯、多酚氰酸酯、低聚(3-亞甲基-1,5-伸苯基氰酸
酯)、4,4'-亞甲基雙(2,6-二甲基苯基氰酸酯)、4,4'-亞乙基二苯基二氰酸酯、六氟雙酚A二氰酸酯、2,2-雙(4-氰酸酯)苯基丙烷、1,1-雙(4-氰酸酯苯基甲烷)、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚、以及雙(4-氰酸酯苯基)醚等之2官能氰酸酯樹脂；由酚-酚醛及甲酚酚醛等所衍生之多官能氰酸酯；此等氰酸酯樹脂的一部分經三嗪化之預聚物等。氰酸酯系硬化劑的具體例，可列舉出Lonza Japan股份有限公司製「PT30」及「PT60」(均為酚-酚醛型多官能氰酸酯樹脂)、「BA230」(雙酚A二氰酸酯的一部分或全部經三嗪化而成為三聚物之預聚物)等。
碳二醯亞胺系硬化劑的具體例，可列舉出Nisshinbo Chemical股份有限公司製「V-03」、「V-07」等。
環氧樹脂與硬化劑之量比，以[環氧樹脂之環氧基的合計數]：[硬化劑之反應基的合計數]的比率計，較佳為1：0.2~1：2的範圍，尤佳為1：0.3~1：1.5的範圍，更佳為1：0.4~1：1.2的範圍。在此，硬化劑的反應基為活性羥基、活性酯基等，因硬化劑的種類而異，此外，環氧樹脂之環氧基的合計數，係對於所有環氧樹脂，將以環氧當量除上各環氧樹脂之非揮發成分的質量後之值予以合計後之值，硬化劑之反應基的合計數，係對於所有硬化劑，將以反應基當量除上各硬化劑之非揮發成分的質
量後之值予以合計後之值。藉由將環氧樹脂與硬化劑之量比設為此範圍，可進一步提升樹脂組成物之硬化物的耐熱性。
一實施形態中，樹脂組成物包含上述無機填充材、環氧樹脂、以及硬化劑。樹脂組成物，較佳係分別包含二氧化矽作為無機填充材，包含液狀環氧樹脂與固體狀環氧樹脂之混合物(液狀環氧樹脂：固體狀環氧樹脂的質量比較佳為1：0.1~1：5的範圍，尤佳為1：0.3~1：4的範圍，更佳為1：0.6~1：3的範圍，特佳為1：0.8~1：2.5的範圍)作為環氧樹脂，包含選自由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、活性酯系硬化劑及氰酸酯系硬化劑所組成之群組的1種以上(較佳選自由酚系硬化劑、萘酚系硬化劑及活性酯系硬化劑所組成之群組的1種以上)作為硬化劑。關於組合該特定成分而包含之樹脂組成物，無機填充材、環氧樹脂及硬化劑的較佳含量如上所述，當中，較佳係無機填充材的含量為50質量%~95質量%，環氧樹脂的含量為3質量%~50質量%，尤佳係無機填充材的含量為50質量%~90質量%，環氧樹脂的含量為5質量%~45質量%。硬化劑，其環氧樹脂之環氧基的合計數與硬化劑之反應基的合計數之比，較佳為1：0.2~1：2的範圍，尤佳為1：0.3~1：1.5的範圍，更佳為1：0.4~1：1.2的範圍。
樹脂組成物可進一步包含熱塑性樹脂。熱塑性樹脂，
例如可列舉出苯氧樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、聚烯烴樹脂、聚丁二烯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚碸樹脂、聚苯醚樹脂及聚碸樹脂等。熱塑性樹脂可單獨使用1種或併用2種以上。
熱塑性樹脂之經聚苯乙烯換算之重量平均分子量，較佳為8000~70000的範圍，尤佳為10000~60000的範圍，更佳為20000~60000的範圍。熱塑性樹脂之經聚苯乙烯換算之重量平均分子量，可藉由凝膠滲透層析法(GPC)來測定。具體而言，熱塑性樹脂之經聚苯乙烯換算之重量平均分子量，係使用島津製作所股份有限公司製「LC-9A/RID-6A」作為測定裝置，昭和電工股份有限公司製「Shodex K-800P/K-804L/K-804L」作為管柱，三氯甲烷作為移動相，於管柱溫度40℃進行測定，並使用標準聚苯乙烯檢量線來算出。
苯氧樹脂，例如可列舉出具有選自由雙酚A骨架、雙酚F骨架、雙酚S骨架、雙酚苯乙酮骨架、酚醛骨架、聯苯骨架、茀骨架、二環戊二烯骨架、降莰烯骨架、萘骨架、蒽骨架、金剛烷骨架、萜骨架、以及三甲基環己烷骨架所組成之群組之1種以上的骨架之苯氧樹脂。苯氧樹脂的末端可為酚性羥基、環氧基等之任一官能基。苯氧樹脂可單獨使用1種或併用2種以上。苯氧樹脂的具體例，可列舉出三菱化學股份有限公司製「1256」及「4250」(均為含有雙酚A骨架之苯氧樹脂)、「YX8100」(含有雙酚S骨架之苯氧樹脂)、以及「YX6954」(含有
雙酚苯乙酮骨架之苯氧樹脂)，其他可列舉出東都化成股份有限公司製「FX280」及「FX293」、三菱化學股份有限公司製「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及「YL7482」等。
聚乙烯縮醛樹脂的具體例，可列舉出電氣化學工業股份有限公司製「Denka Butyral 4000-2」、「5000-A」、「6000-C」、「6000-EP」、積水化學工業股份有限公司製「S-Lec BH系列」、「BX系列」、「KS系列(例如KS-1)」、「BL系列」、「BM系列」等。
聚醯亞胺樹脂的具體例，可列舉出新日本理化股份有限公司製「Rikacoat SN-20」及「Rikacoat PN-20」。此外，聚醯亞胺樹脂的具體例，可列舉出使2官能性羥基末端的聚丁二烯、二異氰酸酯化合物及四質子酸酐反應所得之線狀聚醯亞胺(參考日本特開2006-37083號公報)、含有聚矽氧烷骨架之聚醯亞胺(參考日本特開2002-12667號公報及日本特開2000-319386號公報等)等之改質聚醯亞胺。
聚醯胺醯亞胺樹脂的具體例，可列舉出東洋紡績股份有限公司製「Vylomax HR11NN」及「Vylomax HR16NN」。此外，聚醯胺醯亞胺樹脂的具體例，可列舉出日立化成工業股份有限公司製之含有聚矽氧烷骨架之聚醯胺醯亞胺「KS9100」、「KS9300」等之改質聚醯胺醯亞胺。
聚醚碸樹脂的具體例，可列舉出住友化學股
份有限公司製「PES5003P」等。
聚碸樹脂的具體例，可列舉出Solvay Advanced Polymers股份有限公司製之聚碸「P1700」、「P3500」等。
樹脂組成物中之熱塑性樹脂的含量，較佳為0.1質量%~20質量%。藉由將熱塑性樹脂的含量設為該範圍，可形成樹脂組成物的黏度達到適度，且厚度或塊體性狀為均一之樹脂組成物。樹脂組成物中之熱塑性樹脂的含量，尤佳為0.3質量%~10質量%。
樹脂組成物可進一步包含硬化促進劑。硬化促進劑，例如可列舉出磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、胍系硬化促進劑等。較佳為磷系硬化促進劑、胺系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑。硬化促進劑可單獨使用1種或併用2種以上。
磷系硬化促進劑，例如可列舉出三苯基膦、鏻鹽硼酸酯化合物、四苯基鏻鹽四苯基硼酸酯、正丁基鏻鹽四苯基硼酸酯、四丁基鏻鹽癸酸鹽、(4-甲基苯基)三苯基鏻鹽硫氰酸酯、四苯基鏻鹽硫氰酸酯、丁基三苯基鏻鹽硫氰酸酯等，較佳為三苯基膦、四丁基鏻鹽癸酸鹽。
胺系硬化促進劑，例如可列舉出三乙胺、三丁胺等之三烷胺、4-二甲基胺基吡啶、苄基二甲胺、2,4,6-三(二甲基胺乙基)酚、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-
十一烯等，較佳為4-二甲基胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環(5,4,0)-十一烯。
咪唑系硬化促進劑，例如可列舉出2-甲基咪唑、2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1,2-二甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鹽偏苯三甲酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑鹽偏苯三甲酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基(1')]-乙基-對稱三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基(1')]-乙基-對稱三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基(1')]-乙基-對稱三嗪、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基(1')]-乙基-對稱三嗪異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5羥基甲基咪唑、2,3-二氫-1H-吡咯[1,2-a]苯并咪唑、1-十二烷基-2-甲基-3-苄基咪唑鹽氯化物、2-甲基咪唑啉、2-苯基咪唑啉等之咪唑化合物及咪唑化合物與環氧樹脂之加成物，較佳為2-乙基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑。
胍系硬化促進劑，例如可列舉出二氰二醯胺、1-甲基胍、1-乙基胍、1-環己基胍、1-苯基胍、1-(鄰甲苯基)胍、二甲基胍、二苯基胍、三甲基胍、四甲基胍、五甲基胍、1,5,7-三氮雜雙環[4,4,0]癸-5-烯、7-甲
基-1,5,7-三氮雜雙環[4,4,0]癸-5-烯、1-甲基雙胍、1-乙基雙胍、1-正丁雙胍、1-正十八烷雙胍、1,1-二甲基雙胍、1,1-二乙基雙胍、1-環己基雙胍、1-烯丙基雙胍、1-苯基雙胍、1-(鄰甲苯基)雙胍等，較佳為二氰二醯胺、1,5,7-三氮雜雙環[4,4,0]癸-5-烯。
樹脂組成物中之硬化促進劑的含量並無特別限制，以環氧樹脂與硬化劑之非揮發成分的合計量為100質量%時，較佳係在0.05質量%~3質量%的範圍內使用。
樹脂組成物，可因應必要包含添加劑作為其他成分，添加劑例如可列舉出有機銅化合物、有機鋅化合物及有機鈷化合物等之有機金屬化合物，以及橡膠粒子等之有機填充材、增黏劑、消泡劑、平坦化劑、密合性賦予劑、難燃劑及著色劑等之樹脂添加劑等。
本發明之樹脂組成物層的最低熔融黏度並無特別限定，從抑制樹脂組成物的滲出之觀點來看，較佳為300泊以上，尤佳為500泊以上，或是700泊以上，900泊以上，或1000泊以上。樹脂組成物層之最低熔融黏度的上限，從達成良好的層合性之觀點來看，較佳為20000泊以下，尤佳為10000泊以下，更佳為8000泊以下、7000泊以下、6000泊以下，或是5000泊以下或4000泊以下。
為了配線的進一步細微化，係要求更高的埋
入性。為了提升埋入性，降低樹脂組成物層的最低熔融黏度乃為有效。然而，當更降低最低熔融黏度時，樹脂組成物的滲出量增多。樹脂組成物的滲出量愈多，因支撐體的膨脹所導致之隆起部的形成愈顯著。然而，本發明之樹脂組成物層中，當樹脂組成物層具有可謂更容易形成隆起部之相對較低的最低熔融黏度時，亦即，即使例如最低熔融黏度為4000泊以下，進一步為3400泊以下時，亦可有效地抑制隆起部的形成，而進一步提升埋入性良好之印刷電路板的良率。
此外，在已說明之「以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘」加熱條件中，於硬化而形成絕緣層時，可藉由樹脂組成物的熔融使所形成之隆起部自我整合性地平坦化，故較佳係支撐體之TD方向的膨脹率為0(%)以下時之樹脂組成物層的最低熔融黏度為10000泊以下，且支撐體之MD方向的膨脹率為0(%)以下時之樹脂組成物層的最低熔融黏度為10000泊以下，尤佳係支撐體之TD方向的膨脹率為0(%)以下時之樹脂組成物層的最低熔融黏度為8000泊以下，且支撐體之MD方向的膨脹率為0(%)以下時之樹脂組成物層的最低熔融黏度為8000泊以下，更佳係支撐體之TD方向的膨脹率為0(%)以下時之樹脂組成物層的最低熔融黏度為4000泊以下，且支撐體之MD方向的膨脹率為0(%)以下時之樹脂組成物層的最低熔融黏度為4000泊以下。
在此所謂樹脂組成物層的「最低熔融黏度」，意指樹脂組成物層的樹脂熔融時，樹脂組成物層所呈現之最低的黏度。詳細而言，當以一定的升溫速度加熱樹脂組成物層使樹脂熔融時，於初期階段中熔融黏度會隨著溫度上升而降低，當超過某溫度時，熔融黏度會隨著溫度上升而上升。所謂「最低熔融黏度」，意指該極小點之熔融黏度。樹脂組成物層的最低熔融黏度及最低熔融黏度溫度，可藉由動態黏彈性法來測定。
樹脂組成物層的厚度並無特別限定，從印刷電路板的薄型化之觀點來看，較佳為5μm~100μm，尤佳為10μm~90μm，更佳為15μm~80μm。
本發明中，支撐體之未達120℃時的膨脹率並無特別限定，以不損及本發明的目的者為條件，可具有超過0%之某程度的膨脹率。此係由於即使在未達120℃下支撐體膨脹而形成隆起部，亦可藉由樹脂組成物的熔融使所形成之隆起部自我整合性地平坦化之故。惟為了得到該自我整合性平坦化效果，未達120℃時的膨脹率較佳為2%以下。
接著片，例如可調製使樹脂組成物溶解於有機溶劑之樹脂清漆，並使用壓模塗布機等將該樹脂清漆塗布於支撐體上，進行乾燥以使樹脂組成物層形成於支撐體上而製作出。
有機溶劑，例如可列舉出丙酮、丁酮及環己酮等之酮類；乙酸乙酯、乙酸丁酯、溶纖劑乙酸酯、丙二
醇單甲醚乙酸酯及卡必醇乙酸酯等之乙酸酯類；溶纖劑及丁基卡必醇等之卡必醇類；甲苯及二甲苯等之芳香族烴類；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺及N-甲基吡咯啶酮等之醯胺系溶劑等。有機溶劑可單獨使用1種或併用2種以上。
乾燥，可藉由加熱、熱風吹送等之一般所知的乾燥方法來實施。乾燥條件並無特別限定，以使樹脂組成物層中之有機溶劑的含量(殘留溶劑量)成為10質量%以下，較佳成為5質量%以下之方式進行乾燥。此外，從提升樹脂組成物層的處理性，防止在形成接著片時之熔融黏度的上升之觀點來看，殘留溶劑量較佳為0.5質量%以上，尤佳為1質量%以上。雖因樹脂清漆中之有機溶劑的沸點之不同而異，但例如在使用包含30質量%~60質量%的有機溶劑之樹脂清漆時，藉由在50℃~150℃中乾燥3分鐘~10分鐘，可形成樹脂組成物層。
接著片中，於樹脂組成物層之未與支撐體接合之表面(亦即與支撐體為相反側的面)，可進一步層合與已說明之支撐體相同之薄膜的保護薄膜。保護薄膜的厚度並無特別限定，例如為1μm~40μm。藉由層合保護薄膜，可防止雜質等附著於樹脂組成物層的表面或是造成損傷。接著片，可捲取為輥狀而保存，於製造印刷電路板時，可剝離保護薄膜來使用。
本發明之印刷電路板之製造方法，係依序包含：
步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及
步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及
步驟(C)去除前述支撐體之步驟；
前述支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
較佳係滿足下述條件(MD1)及條件(TD1)：
[條件(MD1)]於120℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0.2%，
[條件(TD1)]於120℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0.2%。
此外，上述印刷電路板之製造方法中，前述支撐體尤佳係滿足下述條件(MD2)及條件(TD2)：
[條件(MD2)]於100℃以上時之MD方向的最大膨脹率EMD(%)未達0%，
[條件(TD2)]於100℃以上時之TD方向的最大膨脹率ETD(%)未達0%。
再者，印刷電路板之製造方法，係依序包含：
步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及
步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及
步驟(C)去除前述支撐體之步驟；
前述支撐體在下述加熱條件進行加熱時：
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，
較佳係滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：
[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
再者，上述步驟(B)中，較佳係滿足：
[條件(MD4)]前述支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，
[條件(TD4)]前述支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
此外，在已說明之印刷電路板之製造方法的前述加熱條件中，前述支撐體之TD方向的膨脹率為0(%)以下時之構成前述樹脂組成物層之樹脂組成物的最低熔融黏度為10000泊以下，且前述支撐體之MD方向的膨脹率
為0(%)以下時之構成前述樹脂組成物層之樹脂組成物的最低熔融黏度為10000泊以下。
本發明中，對於步驟(A)至步驟(C)之所謂「依序包含」，意指在包含步驟(A)至步驟(C)的各步驟，且依此順序實施步驟(A)至步驟(C)的各步驟下，並不妨礙包含其他步驟者。
以下，對於步驟及處理之所謂「依序包含」者亦同。
步驟(A)中，係將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於內層基板。
步驟(A)所使用之接著片，如上述「接著片」中所說明者。該接著片，如已說明般，係包含：以上述加熱條件進行加熱時，滿足條件(MD1)及條件(TD1)、條件(MD2)及條件(TD2)或條件(MD3)及條件(TD3)，或是滿足條件(MD4)及條件(TD4)之支撐體。
步驟(A)所使用之「內層基板」，主要意指玻璃環氧基板、金屬基板、聚酯基板、聚醯亞胺基板、BT樹脂基板、熱硬化型聚苯醚基板等之基板，或是於該基板的單面或雙面形成有經圖型加工後之導體層(電路)之電路基板。此外，於製造印刷電路板時，應予形成絕緣層及/或導體層之已形成1層以上的絕緣層及/或導體層
之中間製造物之層合構造體，亦包含於本發明之「內層基板」。
接著片與內層基板之層合(接合)，例如可藉由從支撐體側將接著片加熱壓合於內層基板而進行。將接著片加熱壓合於內層基板之構件(亦稱為「加熱壓合構件」)，例如可列舉出加熱後之金屬板(不鏽鋼(SUS鏡面板等)或金屬輥(SUS輥)等。較佳並非將加熱壓合構件直接接觸於接著片進行模壓，而使以使接著片充分跟隨內層基板的表面凹凸之方式，介於由耐熱橡膠等之彈性材料所構成之薄片等進行模壓。
加熱壓合時的溫度，較佳為80℃~160℃，尤佳為90℃~140℃，更佳為100℃~120℃的範圍，加熱壓合時的壓力，較佳為0.098MPa~1.77MPa，尤佳為0.29MPa~1.47MPa的範圍，加熱壓合時的時間，較佳為20秒~400秒，尤佳為30秒~300秒的範圍。接著片與內層基板之接合，較佳係在壓力26.7hPa以下的減壓條件下實施。
接著片與內層基板之接合，可藉由市售的真空層合機來進行。市售的真空層合機，例如可列舉出名機製作所股份有限公司製的真空加壓式層合機、Nichigo Morton股份有限公司製的真空濕膜塗布機等。
於接著片與內層基板之接合後，於常壓下(大氣壓下)，例如可從支撐體側對加熱壓合構件進行模壓，藉此進行層合後之接著片的平滑化處理。平滑化處理
的模壓條件，可設為與上述層合的加熱壓合條件相同之條件。平滑化處理可藉由市售的層合機來進行。層合與平滑化處理，可使用上述市售的真空層合機連續地進行。
步驟(B)中，係使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層。
熱硬化的條件，係考量到所選擇之支撐體的特性以及樹脂組成物層的特性來決定，可適用形成印刷電路板的絕緣層時通常所採用之條件。
例如，樹脂組成物層的熱硬化條件，因樹脂組成物層之組成的不同而不同，硬化溫度設為120℃~240℃或150℃~240℃的範圍(較佳為155℃~230℃，尤佳為160℃~220℃，更佳為170℃~210℃，特佳為180℃~200℃)。硬化時間可設為5分鐘~100分鐘的範圍(較佳為10分鐘~80分鐘，尤佳為10分鐘~50分鐘)。此外，硬化條件亦可考量到樹脂組成物層因熔融而自我整合性地平坦化之條件來決定。熱硬化可在減壓下、常壓下、加壓下的任一項中實施。
步驟(B)較佳係包含：以溫度T1加熱樹脂組成物層後，以較溫度T1更高之溫度T2進行熱硬化之步驟。
較佳的一實施形態中，步驟(B)包含：
i)以溫度T1(惟50℃≦T1<150℃)加熱樹脂組成
物層之步驟，以及
ii)以溫度T2(惟150℃≦T2<240℃)使前述加熱步驟後之樹脂組成物層熱硬化之步驟。
於上述i)的步驟中，溫度T1，因樹脂組成物層的組成而異，但較佳係滿足60℃≦T1≦130℃，尤佳為70℃≦T1≦120℃，更佳為80℃≦T1≦110℃，特佳為80℃≦T1≦100℃。
於溫度T1所保持之時間，因溫度T1之值而異，較佳為10分鐘~150分鐘，尤佳為15分鐘~120分鐘，更佳為20分鐘~120分鐘。
上述i)的加熱，可在常壓下實施或減壓下實施或加壓下實施，較佳係在0.075mmHg~3751mmHg(0.1hPa~5000hPa)的範圍，尤佳係在1mmHg~1875mmHg(1.3hPa~2500hPa)的範圍之壓力下實施。
上述ii)的熱硬化中，溫度T2，因樹脂組成物層的組成而異，但較佳係滿足155℃≦T2≦230℃，尤佳為160℃≦T2≦220℃，更佳為170℃≦T2≦210℃，特佳為180℃≦T2≦200℃。
溫度T1與溫度T2，較佳係滿足20℃≦T2-T1≦150℃，尤佳為30℃≦T2-T1≦140℃，更佳為40℃≦T2-T1≦130℃，特佳為50℃≦T2-T1≦120℃的關係。
於溫度T2中進行熱硬化之時間，因溫度T2之值而異。較佳為5分鐘~100分鐘，尤佳為10分鐘~80分鐘，更佳為10分鐘~50分鐘。
上述ii)的熱硬化，可在常壓下實施或減壓下實施或加壓下實施，較佳係在與加熱步驟相同之壓力下實施。
上述i)的加熱後，可在先使樹脂組成物層散熱後，實施上述ii)的熱硬化。或者是在上述i)的加熱後，不使樹脂組成物層散熱，而實施上述ii)的熱硬化。較佳的一實施形態中，步驟(B)，於上述i)的加熱與上述ii)的熱硬化之間，進一步包含從溫度T1升溫之溫度T2之步驟。該實施形態中，從溫度T1至溫度T2之升溫速度，較佳為1.5℃/分~30℃/分，尤佳為2℃/分~30℃/分，更佳為4℃/分~20℃/分，特佳為4℃/分~10℃/分。亦可於該升溫的中途，開始進行樹脂組成物層的熱硬化。
步驟(C)中，係去除支撐體。
支撐體的去除，可藉由以往所知之任意適當的方法來剝離去除，或是藉由自動剝離裝置機械地剝離去除。藉由該步驟(C)的實施，使所形成之絕緣層的表面暴露出。
於製造印刷電路板時，可進一步實施：步驟(D)將絕緣層開孔之步驟，步驟(E)對絕緣層進行粗化處理之步驟，步驟(F)於絕緣層表面形成導體層之步驟。此等步驟(D)至步驟(F)，可依循於印刷電路板的製造時所使用之該業者一般所知的各種方法來實施。
步驟(D)為將絕緣層開孔之步驟，藉此可於絕緣層形成導通孔、貫通孔。開孔步驟，例如可使用鑽孔機、雷射(碳酸氣體雷射、YAG雷射等)、電漿等來實施。步驟(D)可於步驟(B)與步驟(C)之間實施，或是在步驟(C)後實施。
步驟(E)為對絕緣層進行粗化處理之步驟。該粗化處理的步驟、條件並無特別限定，可採用於形成印刷電路板的絕緣層時通常所使用之一般所知的步驟、條件。步驟(E)，例如可依序實施依據膨潤液之膨潤處理、依據氧化劑之粗化處理、依據中和液之中和處理，來構成對絕緣層進行粗化處理之步驟。膨潤液並無特別限定，可列舉出鹼溶液、界面活性劑溶液等，較佳為鹼溶液，該鹼溶液尤佳為氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液。市售之膨潤液，例如可列舉出Atotech Japan股份有限公司製的「Swelling Dip Securiganth P」、「Swelling Dip securiganth SBU」等。依據膨潤液之膨潤處理並無特別限定，例如可藉由將絕緣層浸漬在30℃~90℃的膨潤液1分鐘~20分鐘來進行。氧化劑並無特別限定，例如可列舉出使過錳酸鉀或過錳酸鈉溶解於氫氧化鈉的水溶液之鹼性過錳酸溶液。依據鹼性過錳酸溶液等之氧化劑之粗化處理，可藉由將絕緣層浸漬在加熱至60℃~80℃的氧化劑溶液10分鐘~30分鐘來進行。此外，鹼性過錳酸溶液中之過錳酸鹽的濃度，較佳為5質量%~10質量%。市售之氧化劑，例如可列舉出Atotech Japan股份有限公司製的
「Concentrate Compact CP」、「Dosing Solution Securiganth P」等之鹼性過錳酸溶液。此外，中和液較佳為酸性水溶液，市售品例如可列舉出Atotech Japan股份有限公司製的「Reduction Solution Securiganth P」。依據中和液之處理，可藉由將經依據氧化劑溶液之粗化處理後的處理面，浸漬在30℃~80℃的中和液5分鐘~30分鐘來進行。
步驟(F)為於絕緣層表面形成導體層之步驟。
導體層所使用之導體材料並無特別限定。較佳的實施形態中，導體層包含選自由金、鉑、鈀、銀、銅、鋁、鈷、鉻、鋅、鎳、鈦、鎢、鐵、錫及銦所組成之群組之1種以上的金屬。導體層可為單金屬層或是合金層，合金層，例如可列舉出由選自上述群組之2種以上的金屬之合金(例如鎳鉻合金、銅鎳合金及銅鈦合金)所形成之層。當中，從導體層的形成容易性、成本、圖型加工的容易性等觀點來看，較佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或是鎳鉻合金、銅鎳合金、銅鈦合金之合金層，尤佳為鉻、鎳、鈦、鋁、鋅、金、鈀、銀或銅之單金屬層，或是鎳鉻合金之合金層，更佳為銅之單金屬層。
導體層可為單層構造，或是層合有2層以上之由不同種類的金屬或合金所構成之單金屬層或合金層之複層構造。當導體層為複層構造時，與絕緣層接觸之層，
較佳為鉻、鋅或鈦之單金屬層，或是鎳鉻合金之合金層。
導體層的厚度，因期望之印刷電路板之設計的不同而異，一般為3μm~35μm，較佳為5μm~30μm。
導體層可藉由電鍍來形成。例如可藉由半加成法、全加成法等之以往所知的技術對絕緣層的表面進行電鍍，而形成具有期望的配線圖型之導體層。以下係顯示藉由半加成法形成導體層之例子。
首先藉由無電解電鍍，於絕緣層的表面形成電鍍遮蔽層。接著於所形成之電鍍遮蔽層上，對應於期望的配線圖型而形成使電鍍遮蔽層的一部分暴露出之遮罩圖型。藉由電解電鍍於暴露出之電鍍遮蔽層上形成金屬層後，去除遮罩圖型。然後藉由蝕刻等去除不必要的電鍍遮蔽層，而形成具有期望的配線圖型之導體層。
使用藉由本發明之製造方法所得之印刷電路板，可製造包含該印刷電路板之半導體裝置。
半導體裝置的例子，可列舉出提供至電氣製品(例如電腦、行動電話、數位相機及電視等)以及交通工具(例如機車、汽車、電車、船舶及飛機等)之各種半導體裝置。
本發明之層合構造體，係包含：內層基板、與設置在
該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體之層合構造體，以絕緣層之中央部的厚度為t(μm)時，該中央部外之包含該絕緣層的隆起部之厚度為2.5t(μm)以下。在此，t較佳係滿足t≦40(μm)。
此外，層合體係包含：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體；從絕緣層與內層基板之界面至絕緣層與支撐體所接合之界面為止的高度之絕緣層的高度為最低之最低點，與絕緣層的高度為最高之頂點之高度差，較佳為60μm以下。
此外，本發明之層合構造體，係包含：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體之層合構造體；支撐體所接合之絕緣層的隆起部之頂點，存在於較支撐體表面的高度更低之位置。在此，所謂「支撐體的表面」，意指和絕緣層與支撐體所接合之面為相反之面。
參考第4圖及第5圖，說明本發明之層合構造體的構成例。
第4圖為層合構造體之概略俯視圖。第5圖為在第4圖中的III-III單點虛線的位置上切斷層合構造體之端面之概略圖。
如第4圖及第5圖所示，層合構造體10具有：內層基板30、與設置在該內層基板30之絕緣層24、與接合於該絕緣層24之支撐體22。
該層合構造體10中，形成於內層基板30之
絕緣層24，意指藉由已說明之接著片所新形成之絕緣層。層合構造體10中的絕緣層24，並不僅限定於1層，亦可包含於內層基板30之一方的表面側層合2層以上的絕緣層24之樣態。此外，當層合構造體10具有2層以上的絕緣層時，2層以上的絕緣層中之至少1層，在將具備具有已說明特性之支撐體22之接著片層合於內層基板30後，只需藉由使樹脂組成物層熱硬化後剝離支撐體22之步驟來形成即可。
層合構造體10中，以層合構造體10的中央部10A中之絕緣層24的厚度為t(μm)時，該中央部10A外之包含該絕緣層24的隆起部10C之厚度為2.5t(μm)以下。在此，t較佳係滿足t≦40(μm)。
在此所謂「中央部10A」，意指從厚度方向觀看層合構造體10時，絕緣層24與支撐體22重疊(已重疊)之絕緣層24的厚度幾乎成一致之區域，且為扣除位於TD方向的兩側之「端部10B」所包含的區域之區域。
此外，所謂「端部10B」，意指從厚度方向觀看層合構造體10時，絕緣層24與支撐體22重疊(已重疊)之區域，且為支撐體22與從支撐體22暴露出之TD方向的絕緣層24之交界，亦即包含：從支撐體22之TD方向的端緣部22a朝向支撐體22側約為50mm寬的線狀區域，以及位於較支撐體22之TD方向的端緣部22a更外側且可形成後述隆起部10C之端緣部22a附近的區域
之區域。
絕緣層24之中央部10A的厚度t，為從絕緣層24的表面(與支撐體22的接合面之界面)至與絕緣層24所接合之界面為止之距離(高度)，當內層基板30設置有導體層時，尤其當導體層上之絕緣層24的厚度較未存在導體層之內層基板30的表面上之絕緣層24的厚度充分小時，可為從絕緣層24的表面至未存在導體層之內層基板30的表面為止之距離，此外，當導體層上之絕緣層24的厚度與未存在導體層之內層基板30的表面上之絕緣層24的厚度之差小至可忽視的程度時，可為從絕緣層24的表面至與導體層之界面為止之距離。
絕緣層24之中央部10A的厚度t，可因應設計構成為任意適當的厚度。絕緣層24之中央部10A的厚度t，從使印刷電路板進一步達到薄型化之觀點來看，較佳為40μm以下，尤佳為10μm以上30μm以下。
以往之絕緣層的端部上，於支撐體之TD方向的端緣部附近及MD方向的端緣部附近，有時因熱硬化步驟中之支撐體的膨脹被支撐體所按壓，而越過支撐體上，或甚至形成超過支撐體的厚度而隆起之隆起部。
本發明之層合構造體10中，於支撐體之TD方向的端部10B上，不存在隆起部10C，或是隆起部10C的頂點HP未超過支撐體22之表面22b的高度，換言之，絕緣層24之隆起部10C的頂點HP存在於較支撐體22之表面22b的高度更低之位置。
因此，絕緣層24之端部10B上的厚度，亦即包含隆起部10C之絕緣層24的厚度t0，即使形成隆起部10C且較中央部10A的厚度t更厚，只要隆起部10C的頂點HP存在於較支撐體22之表面22b的高度更低之位置即可。
支撐體22的厚度ts，絕緣層24的厚度，亦即絕緣層24之中央部10A的厚度為t(μm)時，考量到絕緣層24的平坦性，絕緣層24之端部10B上之最厚部分(隆起部10C)的厚度t0為2.5t(μm)以下，較佳為最大100μm，尤佳為最大70μm。換言之，可說是較佳為t+ts>t0。此外，以從絕緣層24與所接合之構件(例如內層基板)之界面至絕緣層24的表面(與支撐體所接合之面(界面))為止之高度為基準時，絕緣層24的高度為最低之最低點LP(中央部10A)，與前述絕緣層的高度為最高之頂點HP(端部10B)之高度差，較佳為最大60μm，亦即60μm以下，尤佳為最大50μrm，亦即50μm以下，更佳為最大30μm，亦即30μm以下。
絕緣層24的厚度t及t0，可藉由對步驟(C)所得之絕緣層24之厚度方向的剖面進行SEM觀察而求得。可使用在SEM觀察之集束離子束/掃描離子顯微鏡，例如可列舉出Hitachi Hi-Technologies股份有限公司製「S-4800」、SII Nano Technology股份有限公司製「SMI3050SE」。
以下係藉由實施例來具體說明本發明。本發明並不限定於此等實施例。以下，「份」及「%」，在未特別言明時，分別意指「質量份」及「質量%」。
首先說明各種測定方法及評估方法。
首先製備玻璃基材環氧樹脂之雙面覆銅層合板(銅層的厚度18μm、基板的厚度0.8mm、Panasonic Electric Works股份有限公司製「R1515A」)作為內層基板。藉由將內層基板的雙面浸漬在Mec股份有限公司製「CZ8100」以進行銅層的表面粗化處理。
使用分批式真空加壓層合機(名機製作所股份有限公司製「MVLP-500」)，以使樹脂組成物層與內層基板接合之方式，進行將下述實施例及比較例中所製作之接著片層合於內層基板的雙面之層合處理。層合處理，在減壓30秒使氣壓降低至13hPa以下後，於100℃、壓力0.74MPa壓合30秒而進行。接著片，係剝離保護薄膜後使用。
於接著片的層合後，在附有支撐體之狀態下，於100℃(溫度T1)加熱30分鐘，接著於180℃(溫度T2)加熱30分鐘之條件下，使樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層。所得之絕緣層之銅層正上方的厚度為40μm。將所得之構造體稱為評估基板A。
從上述(3)所得之評估基板A剝離支撐體後，將與硬化後的絕緣層相同大小之接著片，與上述(2)及(3)同樣地重複進行，而形成第2層的絕緣層。銅層正上方之第1層的絕緣層與第2層的絕緣層之厚度的合計為80μm。將所得之構造體稱為評估基板B。
以使下述實施例及比較例中所製作之支撐體的TD方向成為沿著長邊之方向之方式，裁切出尺寸20mm(短邊)×4mm(長邊)之長方形狀的試驗片。對於該試驗片，使用熱機械分析裝置(Seiko Instruments股份有限公司製「TMA-SS6100」)，以拉伸試驗模式，於大氣環境下、拉伸荷重9.8mmN、下述加熱條件下，對加熱處理的全部過程測定膨脹率，並求取100℃以上時的最大膨脹率ETD、120℃以上時的最大膨脹率ETD、未達120℃時的最大膨脹率ETD、膨脹率從正值轉為負值時之溫度，換言
之，膨脹率成為0(%)時之溫度TTD。
[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃(溫度T1)，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃(溫度T2)，於180℃加熱30分鐘
以使下述實施例及比較例中所製作之支撐體的MD方向成為沿著長邊之方向之方式，裁切出尺寸20mm×4mm之長方形狀的試驗片。對於該試驗片，與上述「支撐體之TD方向的膨脹率之測定」相同，求取100℃以上時的最大膨脹率EMD、120℃以上時的最大膨脹率EMD、未達120℃時的最大膨脹率EMD、膨脹率從正值轉為負值時之溫度，換言之，膨脹率成為0(%)時之溫度TMD。
對於下述實施例及比較例中所製作之接著片的樹脂組成物層，使用動態黏彈性測定裝置(UBM股份有限公司製「Rheosol-G3000」)來測定熔融黏度。以樹脂組成物1g為試樣，使用直徑18mm的平行板，以升溫速度5℃/分從起始溫度60℃升溫至200℃，在測定溫度間隔2.5℃、振動1Hz、應變1deg的測定條件下測定動態黏彈性率，並確認最低熔融黏度(泊)。此外，並確認較TTD、TMD高之溫度中之樹脂組成物層的最低熔融黏度(泊)。
絕緣層之端部形狀的觀察，係依循下述步驟進行。對於在支撐體之TD方向的端部附近及MD方向的端部附近隆起之絕緣層，以SEM來觀察沿著TD方向及MD方向之方向切斷絕緣層後之剖面，並算出從絕緣層的最下部，亦即從內層基板的表面至位於絕緣層的表面且隆起之部分的頂點為止之距離(高度)。SEM觀察，係使用Hitachi Hi-Technologies股份有限公司製「S-4800」來進行。對於評估基板A及B，測定隆起部之頂點的高度。
支撐體的端部附近之絕緣層的觀察，與上述SEM觀察相同，以目視來進行。對於在支撐體之TD方向的端緣部附近及MD方向的端緣部附近隆起之絕緣層，將於各端緣部附近隆起之部分(隆起部)的頂點未超過支撐體之表面的高度者，判定為「良：○」，將隆起之部分的頂點未超過支撐體之表面的高度，或頂點位於較支撐體的表面更上側者，判定為「不可：×」。
以目視來進行支撐體之皺褶及浮起的觀察。評估基準如下所述。
於絕緣層形成後之支撐體的端部未產生皺褶及浮起：○(良)
於絕緣層形成後之支撐體的端部產生皺褶及浮起：×(不可)
從支撐體之端部附近的絕緣層所產生之樹脂端附著的觀察，係在剝離支撐體後，對支撐體進行SEM觀察而進行。
於絕緣層形成後之支撐體之端部附近的表面無高度5μm以上的樹脂端附著：○(良)
於絕緣層形成後之支撐體之端部附近的表面有高度5μm以上的樹脂端附著：×(不可)
於下述實施例及比較例中，製作支撐體時所採用之預熱條件如下述第1表所示。第1表中所謂「張力」，意指施加於支撐體的TD方向之張力。
將附有醇酸樹脂系脫模層之PET薄膜(Lintec股份有限公司製「AL5」、厚度38μm、以下稱為「脫模PET薄膜」)，以使PET薄膜的TD方向成為沿著垂直方向之方向之方式，固定TD方向之一方側的端緣，並在以對PET薄膜全體施加均一張力之方式懸掛後，以對PET薄膜全體施加均一張力之方式，將金屬板作為砝碼而設置在TD方向之另一方側的端緣。此時，調整金屬板的重量以施加20gf/cm2的張力。於大氣環境中，於常壓下以前述第1表之預熱條件1的加熱溫度及加熱時間一邊施加張力一邊進行加熱，藉由此預熱處理而得到支撐體。
將聯苯型環氧樹脂(環氧當量約290、日本化藥股份有限公司製「NC3000H」)30份、萘型4官能環氧樹脂(環氧當量162、DIC股份有限公司製「HP-4700」)5份、液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧當量180、三菱化學股份有限公司製「jER828EL」)15份、及苯氧樹脂(重量
平均分子量35000、三菱化學股份有限公司製「YX7553BH30」、非揮發成分30質量%之丁酮(MEK)溶液)2份，一邊攪拌一邊加熱溶解於MEK8份及環己酮8份之混合溶劑。將含三嗪骨架之酚-酚醛系硬化劑(酚性羥基當量約124、DIC股份有限公司製「LA-7054」、非揮發成分60質量%之MEK溶液)32份、磷系硬化促進劑(北興化學工業股份有限公司製「TBP-DA」、四丁基鏻鹽癸酸鹽)0.2份、以胺基矽烷系偶合劑(信越化學工業股份有限公司製「KBM573」)進行表面處理之球狀二氧化矽(Admatechs公司製「SOC2」、平均粒徑0.5μm)160份、聚乙烯縮醛樹脂溶液(重量平均分子量27000、玻璃轉移溫度105℃、積水化學工業股份有限公司製「KS-1」、非揮發成分15質量%之乙醇與甲苯之質量比為1：1的混合溶液)2份混合於此，藉由高速旋轉混合機均一地分散，而調製出樹脂清漆A。以樹脂清漆A中之非揮發成分的合計質量為100質量%時，無機填充材(球狀二氧化矽)的含量為69.4質量%。
藉由壓模塗布機，將上述(2)所調製之樹脂清漆A均一地塗布於上述(1)所製作之支撐體的脫模層上，於80℃~200℃(平均100℃)乾燥60分鐘，而形成接合於支撐體之樹脂組成物層。所得之樹脂組成物層的厚度為40μm，殘留溶劑量約2質量%。接著，一邊將聚丙烯薄
膜(厚度15μm)貼合於樹脂組成物層作為保護薄膜，一邊捲取為輥狀。將所得之輥狀的接著片裁切為寬507mm的條狀，而得到尺寸為507mm×336mm之接著片。
除了以下述方式調製出樹脂清漆B之外，其他與前述實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
將液狀雙酚A型環氧樹脂(環氧當量180、三菱化學股份有限公司製「jER828EL」)28份、及萘型4官能環氧樹脂(環氧當量163、DIC股份有限公司製「HP-4700」)28份，一邊攪拌一邊加熱溶解於丁酮(MEK)15份及環己酮15份之混合溶劑。將具有酚醛結構之萘酚系硬化劑(酚性羥基當量125、新日鐵住金化學股份有限公司製「SN-485」、非揮發成分50質量%之MEK溶液)110份、硬化促進劑(四國化學工業股份有限公司製「2E4MZ」)0.1份、球形二氧化矽(Admatechs公司製「SOC2」、平均粒徑0.5μm)70份、聚乙烯縮醛樹脂溶液(積水化學工業股份有限公司製「KS-1」、玻璃轉移溫度105℃、非揮發成分15質量%之乙醇與甲苯之質量比為1：1的混合溶液)35份，混合於此，藉由高速旋轉混合機均一地分散，而調製出樹脂清漆B。樹脂清漆B中之無機填充材的含量，以樹脂清漆B中之非揮發成分的合計質
量為100質量%時，為38質量%。此外，[環氧樹脂之環氧基的合計數]：[硬化劑之反應基的合計數]=1：0.78。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件2的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件2的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例2相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件3的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件3的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例2相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件5的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件5的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例2相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件6的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件6的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例2相同而製作出支撐體、接著片。
除了不對脫模PET薄膜進行預熱而直接使用作為支撐體之外，其他與實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
除了不對脫模PET薄膜進行預熱而直接使用作為支撐體之外，其他與實施例2相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件4的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例1相同而製作出支撐體、接著片。
除了對脫模PET薄膜進行以前述第1表之預熱條件4的條件施加張力並加熱之預熱之外，其他與實施例2相同而製作出支撐體、接著片。
前述實施例之支撐體的膨脹率、與膨脹率相關之溫度、樹脂組成物層的最低熔融黏度，係如第2表所示。此外，隆起部的頂點之高度的測定及支撐體的端部附近之絕緣層的評估，如第3表及第5表所示。再者，支撐體之皺褶及浮起的評估及樹脂端附著的評估，如第3表及第5表所示。
前述比較例之支撐體的膨脹率、與膨脹率相關之溫度、樹脂組成物層(樹脂組成物)的最低熔融黏度，係如第4表所示。此外，隆起部的頂點之高度的測定及支撐體的端部附近之絕緣層的評估，如第5表所示。第4表中，記號「-」意指無法測定最低熔融黏度，或是膨脹率未成為負值。
從以上結果中，可得知於實施例1~10中，與比較例1~4相比，TD方向的端部側之隆起部之頂點的高度降低，可防止絕緣層越過支撐體。亦即，實施例1~10中，可進一步提升絕緣層的平坦性。
Claims (10)
- 一種支撐體，其係在下述加熱條件進行加熱時：[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
- 一種支撐體，其係滿足下述條件(MD4)及條件(TD4)：[條件(MD4)]支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，[條件(TD4)]支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
- 一種接著片，其係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，該支撐體在下述加熱條件進行加熱時：[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未 達120℃，[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
- 一種接著片，其係包含：支撐體、以及與該支撐體接合之樹脂組成物層，該支撐體滿足下述條件(MD4)及條件(TD4)：[條件(MD4)]支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，[條件(TD4)]支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
- 一種印刷電路板之製造方法，其係依序包含：步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及步驟(C)去除前述支撐體之步驟；前述支撐體在下述加熱條件進行加熱時：[加熱條件]以升溫速度8℃/分從20℃升溫至100℃，於100℃加熱30分鐘後，以升溫速度8℃/分升溫至180℃，於180℃加熱30分鐘，滿足下述條件(MD3)及條件(TD3)：[條件(MD3)]MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，[條件(TD3)]TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
- 一種印刷電路板之製造方法，其係依序包含：步驟(A)將包含支撐體以及與該支撐體接合之樹脂組成物層之接著片，以使該樹脂組成物層與內層基板接合之方式層合於該內層基板之步驟，以及步驟(B)使前述樹脂組成物層熱硬化而形成絕緣層之步驟，以及步驟(C)去除前述支撐體之步驟；前述步驟(B)中，滿足：[條件(MD4)]前述支撐體之MD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃，[條件(TD4)]前述支撐體之TD方向的膨脹率成為最大之溫度未達120℃。
- 一種層合構造體，其係具有：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體之層合構造體，以前述絕緣層之中央部的厚度為t(μm)時，該中央部外之包含該絕緣層的隆起部之厚度為2.5t(μm)以下。
- 如請求項7之層合構造體，其中前述t滿足t≦40。
- 一種層合構造體，其係包含：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體；前述支撐體所接合之前述絕緣層的隆起部之頂點，存在於較前述支撐體表面的高度更低之位置。
- 一種層合構造體，其係包含：內層基板、與設置在該內層基板之絕緣層、與接合於該絕緣層之支撐體；從前述絕緣層與前述內層基板之界面至前述絕緣層與前述支撐體所接合之界面為止的高度之前述絕緣層的高度為最低之最低點，與前述絕緣層的高度為最高之頂點之高度差，為60μm以下。
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