JP2016085287A5 - - Google Patents

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前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に画素電極のパターンを形成する方法であって、基板上の画素電極層の上面に、前記パターンの第１のスペース部となる部分にレジストを形成し、その後前記レジストが形成された画素電極層上に犠牲膜を形成し、その後前記レジストの側部の残置犠牲膜を残して、前記犠牲膜を除去し、画素電極層の上面に前記パターンの第２のスペース部を形成し、その後前記レジストを除去して、前記パターンの第１のスペース部を形成し、その後前記第１のスペース部、第２のスペース部の側方に、コンタクト部のレジストを形成し、その後前記第１のスペース部、第２のスペース部の画素電極層を除去することを特徴としている。

Claims (1)

  1. 基板上に画素電極のパターンを形成する方法であって、
    基板上の画素電極層の上面に、前記パターンの第１のスペース部となる部分にレジストを形成し、
    その後前記レジストが形成された画素電極層上に犠牲膜を形成し、
    その後前記レジストの側部の残置犠牲膜を残して、前記犠牲膜を除去し、画素電極層の上面に前記パターンの第２のスペース部を形成し、
    その後前記レジストを除去して、前記パターンの第１のスペース部を形成し、
    その後前記第１のスペース部、第２のスペース部の側方に、コンタクト部のレジストを形成し、
    その後前記第１のスペース部、第２のスペース部の画素電極層を除去することを特徴とする、画素電極のパターン形成方法。
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