JP2016076583A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 量子井戸構造の活性層を用いながらも、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 井戸層と障壁層とで構成される量子井戸活性層を有する半導体発光素子において、前記半導体発光素子の発光波長が585nm以上、605nm以下であり、前記井戸層が、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0<x≦0.06、0<y<1)の化合物半導体からなり、前記障壁層が、組成式(AlmGa1−m)nIn1−nP(0≦m≦1、0<n<1)の化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光素子。【選択図】 図1
Description
本発明は、化合物半導体材料を用いた半導体発光素子に関する。
AlGaInP系材料は、窒化物を除くIII−V族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型バンドギャップを有し、500〜600nm帯の発光素子材料として用いられている。特に、GaAs基板と格子整合するAlGaInPからなる発光部を持つ発光素子は、従来のGaPやGaAsP等の間接遷移型の材料を用いたものに比べ、高輝度な発光が可能である。
しかしながら、このようなAlGaInPからなる発光部を持つ発光素子であっても、短波長領域(黄色発光)での発光効率は必ずしも十分とは言えなかった。
短波長領域における発光効率が低下する要因としては、(1)活性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差が小さくなるため、キャリアの閉じ込めが不十分になる、(2)活性層のAl組成が高くなるために、活性層中の非発光中心が増加する、(3)エネルギーバンド構造が直接遷移型から間接遷移型に近くなる、等が考えられる。
これらの問題点を解決するために、特許文献1では、活性層を80〜200層の量子井戸構造とし、障壁層におけるAl組成を0.5より大きくする(すなわち、組成式が(AlxGa1−x)1−yInyP(0.5<x≦1)の化合物半導体を用いる)ことでキャリアのオーバーフローを抑制し、高い発光効率を得る方法が開示されている。
また、特許文献2では、活性層に格子歪を導入した量子井戸構造(すなわち、引張り歪又は圧縮歪を持つ井戸層と、井戸層と反対の歪を持つ歪緩和障壁層とからなる量子井戸構造)とすることで、活性層中のAl組成を減らし高い発光効率を得る方法が開示されている。
また、特許文献2では、活性層に格子歪を導入した量子井戸構造(すなわち、引張り歪又は圧縮歪を持つ井戸層と、井戸層と反対の歪を持つ歪緩和障壁層とからなる量子井戸構造)とすることで、活性層中のAl組成を減らし高い発光効率を得る方法が開示されている。
上述のように短波長領域における発光効率の低下を抑制するために、特許文献1や特許文献2に開示された方法が提案されている。
しかしながら、特許文献1に開示された方法では、キャリアのオーバーフローは抑制できるが、活性層中のAl組成が高くなるために、発光効率が低下してしまうという問題点があった。
また、特許文献2に開示された方法では、歪緩和層を用いたとしても歪に起因する結晶中の格子欠陥の増加を招くため、必ずしも高い発光効率を得ることができないという問題点があった。
しかしながら、特許文献1に開示された方法では、キャリアのオーバーフローは抑制できるが、活性層中のAl組成が高くなるために、発光効率が低下してしまうという問題点があった。
また、特許文献2に開示された方法では、歪緩和層を用いたとしても歪に起因する結晶中の格子欠陥の増加を招くため、必ずしも高い発光効率を得ることができないという問題点があった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、量子井戸構造の活性層を用いながらも、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができる半導体発光素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、井戸層と障壁層とで構成される量子井戸活性層を有する半導体発光素子において、前記半導体発光素子の発光波長が585nm以上、605nm以下であり、前記井戸層が、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0<x≦0.06、0<y<1)の化合物半導体からなり、前記障壁層が、組成式(AlmGa1−m)nIn1−nP(0≦m≦1、0<n<1)の化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光素子を提供する。
このように、量子井戸活性層を構成するAlGaInP系化合物半導体からなる井戸層のAl組成が0.06以下である構成とすることによって、量子井戸活性層の平均Al組成を小さくすることができ、それによって、量子井戸活性層中の非発光中心を減少させることができ、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができる。
このとき、前記量子井戸活性層のトータル膜厚が200nm以上、300nm以下であることが好ましい。
量子井戸活性層のトータル膜厚が200nm以上であれば、キャリアのオーバーフローによる発光効率の低下を抑制することができる。また、量子井戸活性層のトータル膜厚が300nm以下であれば、製造時間や材料費が増加して製造コストが高くなることを防止できる。
量子井戸活性層のトータル膜厚が200nm以上であれば、キャリアのオーバーフローによる発光効率の低下を抑制することができる。また、量子井戸活性層のトータル膜厚が300nm以下であれば、製造時間や材料費が増加して製造コストが高くなることを防止できる。
以上のように、本発明の半導体発光素子によれば、量子井戸構造の活性層を用いながらも、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができる。
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
前述のように半導体発光素子の短波長領域における発光効率の低下を抑制するために、量子井戸構造の活性層を用いる方法が複数提案されているが、いずれの方法においても、短波長領域(黄色発光)において高い発光効率を得るという点で改善の余地があった。
前述のように半導体発光素子の短波長領域における発光効率の低下を抑制するために、量子井戸構造の活性層を用いる方法が複数提案されているが、いずれの方法においても、短波長領域(黄色発光)において高い発光効率を得るという点で改善の余地があった。
そこで、本発明者らは、量子井戸構造の活性層を用いながらも、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができる半導体発光素子について鋭意検討を重ねた。
その結果、量子井戸活性層を構成するAlGaInP系の化合物半導体からなる井戸層のAl組成が0.06以下である構成とすることによって、量子井戸活性層の平均Al組成を小さくすることができ、それによって、量子井戸活性層中の非発光中心を減少させることができ、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができることを見出し、本発明をなすに至った。
その結果、量子井戸活性層を構成するAlGaInP系の化合物半導体からなる井戸層のAl組成が0.06以下である構成とすることによって、量子井戸活性層の平均Al組成を小さくすることができ、それによって、量子井戸活性層中の非発光中心を減少させることができ、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができることを見出し、本発明をなすに至った。
まず、図1を参照しながら、本発明の半導体発光素子の実施態様の一例を説明する。
図1に示す本発明の半導体発光素子10は、量子井戸活性層14を有する発光部19を有している。量子井戸活性層14は、井戸層16と、障壁層15とが交互に積層されたものである。井戸層16は組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0<x≦0.06、0<y<1)のi−AlGaInPからなり、障壁層15は組成式(AlmGa1−m)nIn1−nP(0≦m≦1、0<n<1)のi−AlGaInPからなる。半導体発光素子10の発光波長は585nm以上、605nm以下であり、例えば、量子井戸活性層14の井戸層16の膜厚を変更することによって、上記の範囲内の所望の波長とすることができる。
図1に示す本発明の半導体発光素子10は、量子井戸活性層14を有する発光部19を有している。量子井戸活性層14は、井戸層16と、障壁層15とが交互に積層されたものである。井戸層16は組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0<x≦0.06、0<y<1)のi−AlGaInPからなり、障壁層15は組成式(AlmGa1−m)nIn1−nP(0≦m≦1、0<n<1)のi−AlGaInPからなる。半導体発光素子10の発光波長は585nm以上、605nm以下であり、例えば、量子井戸活性層14の井戸層16の膜厚を変更することによって、上記の範囲内の所望の波長とすることができる。
発光部19は、例えば、第1導電型電流拡散層12、第1導電型クラッド層13、量子井戸活性層14、第2導電型クラッド層17、第2導電型電流拡散層18からなる半導体層である。第1導電型電流拡散層12、第1導電型クラッド層13、第2導電型クラッド層17、第2導電型電流拡散層18はそれぞれ、例えば、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1、0<y<1)のp−AlGaInP層、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1、0<y<1)のp−AlGaInP層、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0≦x≦1、0<y<1)のn−AlGaInP層、n−GaP層である。
発光部19上には、例えば、p型側の第1オーミック細線電極11及びパッド電極(不図示)が設けられている。
半導体発光素子10は、例えば、さらに、導電性支持基板24、導電性支持基板24上に設けられた接合金属層23、接合金属層23上に設けられた反射金属層22、反射金属層22上に設けられた透明酸化膜層21、透明酸化膜層21内に設けられたn型側の第2オーミック細線電極20を有し、導電性支持基板24の下面には導電性オーミック電極25が設けられ、透明酸化膜層21上には上述の発光部19が設けられている。また、第1オーミック細線電極11と第2オーミック細線電極20は、例えば、上面から見て互いに重ならない位置に配置されている。
半導体発光素子10は、例えば、さらに、導電性支持基板24、導電性支持基板24上に設けられた接合金属層23、接合金属層23上に設けられた反射金属層22、反射金属層22上に設けられた透明酸化膜層21、透明酸化膜層21内に設けられたn型側の第2オーミック細線電極20を有し、導電性支持基板24の下面には導電性オーミック電極25が設けられ、透明酸化膜層21上には上述の発光部19が設けられている。また、第1オーミック細線電極11と第2オーミック細線電極20は、例えば、上面から見て互いに重ならない位置に配置されている。
量子井戸活性層14のトータル膜厚は、200nm以上、300nm以下であることが好ましい。これは、図3に示すように、発光波長が585nmのときの半導体発光素子10の発光効率は、量子井戸活性層14のトータル膜厚が200nm以上、300nm以下の範囲でピークとなるからである。ここで、図3の発光効率は、量子井戸活性層14のトータル膜厚が250nmのときの発光効率を“1”としたときの比率で表わされている。
なお、図3に示すような特性になるのは、量子井戸活性層14のトータル膜厚が200nmより薄い場合はキャリアのオーバーフローにより発光効率が低下し、量子井戸活性層14のトータル膜厚が300nmより厚い場合はキャリアのオーバーフローを抑制できるが井戸層16による自己吸収が大きくなり発光効率の向上が見られなくなるためである。
量子井戸活性層14のトータル膜厚が200nm以上であれば、キャリアのオーバーフローによる発光効率の低下を抑制することができ、量子井戸活性層14のトータル膜厚が300nm以下であれば、製造時間や材料費が増加して製造コストが高くなることを防止できる。
量子井戸活性層14は、例えば、半導体発光素子10の発光波長が所望の値になるように井戸層16の膜厚を設定するとともに、トータル膜厚が上記の範囲内の所望の値となるようにペア数(井戸層n(nは正の整数)層、障壁層n+1層のときのペア数をnとする)の調整を行うことができる。
量子井戸活性層14のトータル膜厚は、例えば、250nm程度とすることができる。
なお、図3に示すような特性になるのは、量子井戸活性層14のトータル膜厚が200nmより薄い場合はキャリアのオーバーフローにより発光効率が低下し、量子井戸活性層14のトータル膜厚が300nmより厚い場合はキャリアのオーバーフローを抑制できるが井戸層16による自己吸収が大きくなり発光効率の向上が見られなくなるためである。
量子井戸活性層14のトータル膜厚が200nm以上であれば、キャリアのオーバーフローによる発光効率の低下を抑制することができ、量子井戸活性層14のトータル膜厚が300nm以下であれば、製造時間や材料費が増加して製造コストが高くなることを防止できる。
量子井戸活性層14は、例えば、半導体発光素子10の発光波長が所望の値になるように井戸層16の膜厚を設定するとともに、トータル膜厚が上記の範囲内の所望の値となるようにペア数(井戸層n(nは正の整数)層、障壁層n+1層のときのペア数をnとする)の調整を行うことができる。
量子井戸活性層14のトータル膜厚は、例えば、250nm程度とすることができる。
図1を用いて上記で説明した本発明の半導体発光素子は、量子井戸活性層14を構成するAlGaInP系の化合物半導体からなる井戸層16のAl組成が0.06以下となっているので、量子井戸活性層14の平均Al組成を小さくすることができ、それによって、量子井戸活性層14中の非発光中心を減少させることができ、短波長領域(黄色発光)での高い発光効率を得ることができる。
次に、図2を参照しながら、本発明の半導体発光素子を製造する製造方法の一例を説明する。以下、発光波長585nmの半導体発光素子を製造する場合を例にして説明する。
まず、図2(a)に示すように、GaAs基板26上に複数のAlGaInP系材料の半導体積層構造を形成する。具体的には、n−GaAs基板26上に、例えばp−Ga0.5In0.5Pのエッチングストップ層27とp−GaAsのコンタクト層28、p−(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5Pのp型電流拡散層12、p−Al0.5In0.5Pのp型クラッド層13、アンドープの(Al0.06Ga0.94)0.5In0.5Pの井戸層16(膜厚2.7nm)とアンドープの(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pの障壁層15(膜厚7.7nm)からなる量子井戸活性層14、n−Al0.5In0.5Pのn型クラッド層17、n−GaPのn型電流拡散層18をMOVPE法(有機金属気相成長法)により順次堆積させる。MOVPE法において用いる原料は、トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)等の有機金属化合物、及びアルシン(AsH3)、フォスフィン(PH3)等の水素化物ガスを用いることができる。更に、n型ドーパントの原料は、モノシラン(SiH4)、p型ドーパントの原料はビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることができる。また、n型ドーパントの原料として、セレン化水素(H2Se)、ジシラン(Si2H6)、ジエチルテルル(DETe)、又はジメチルテルル(DMTe)を用いることもできる。そして、p型ドーパントの原料としてジメチルジンク(DMZn)又は、ジエチルジンク(DEZn)を用いることもできる。
まず、図2(a)に示すように、GaAs基板26上に複数のAlGaInP系材料の半導体積層構造を形成する。具体的には、n−GaAs基板26上に、例えばp−Ga0.5In0.5Pのエッチングストップ層27とp−GaAsのコンタクト層28、p−(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5Pのp型電流拡散層12、p−Al0.5In0.5Pのp型クラッド層13、アンドープの(Al0.06Ga0.94)0.5In0.5Pの井戸層16(膜厚2.7nm)とアンドープの(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pの障壁層15(膜厚7.7nm)からなる量子井戸活性層14、n−Al0.5In0.5Pのn型クラッド層17、n−GaPのn型電流拡散層18をMOVPE法(有機金属気相成長法)により順次堆積させる。MOVPE法において用いる原料は、トリメチルガリウム(TMGa)、トリエチルガリウム(TEGa)、トリメチルアルミニウム(TMAl)、トリメチルインジウム(TMIn)等の有機金属化合物、及びアルシン(AsH3)、フォスフィン(PH3)等の水素化物ガスを用いることができる。更に、n型ドーパントの原料は、モノシラン(SiH4)、p型ドーパントの原料はビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることができる。また、n型ドーパントの原料として、セレン化水素(H2Se)、ジシラン(Si2H6)、ジエチルテルル(DETe)、又はジメチルテルル(DMTe)を用いることもできる。そして、p型ドーパントの原料としてジメチルジンク(DMZn)又は、ジエチルジンク(DEZn)を用いることもできる。
次に、図2(b)に示すように、形成した半導体積層構造体のn型電流拡散層18の表面に、透明酸化膜層21、及び、n型側の第2オーミック細線電極20を形成する。具体的には、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて、透明酸化膜層21としてSiO2膜を形成後、フォトリソグラフィー法、及びエッチング法を用いて開口部を設ける。更に詳しくは、エッチング液としてフッ酸系のエッチャントを用いて、レジストパターンが形成されていない領域の透明酸化膜層21を除去することにより開口部を設ける。続いて真空蒸着法を用いて、開口部にn型側の第2オーミック細線電極20を構成する材料であるAuSi合金を形成する。
次に、図2(c)に示すように、透明酸化膜層21及び第2オーミック細線電極20上に、真空蒸着法又はスパッタ法を用いて、反射層としてのAl層と、バリア層としてのTi層と、接合層としてのAu層とを順次形成する。これにより、反射金属層22が形成される。なお、反射金属層22は、量子井戸活性層14が発する光の波長に応じて、当該光の波長に対する反射率が高い材料を選択する。
以上のようにして、積層体29が作製される。
以上のようにして、積層体29が作製される。
次に、図2(d)に示すように、導電性支持基板(例えば、Si基板)24上に、導電性オーミックの接合金属層23として、コンタクト電極としてのTiと、バリア層としてのNiと、接合層としてのAuとを真空蒸着法を用いて形成した支持基板30を準備し、この支持基板30を積層体29と貼り合せることで、支持基板30と積層体29とが機械的、電気的に接続した接合構造体31が作製される。ウェーハの貼り合せは、貼り合せ装置内を所定圧力にした後、重なりあった積層体29と支持基板30とを冶具を介して圧力を加えると共に、所定の温度まで加熱する。具体的な貼り合せ条件は、圧力7000N/m2及び温度350℃で30分間である。
次に、図2(e)に示すように、GaAsエッチング用のエッチャントを用いて、接合構造体31よりn−GaAs基板26を選択的に完全に除去して、p−Ga0.5In0.5Pからなるエッチングストップ層27を露出させる。GaAsエッチング用のエッチャントとしては、例えば、アンモニア水と過酸化水素水との混合液が挙げられる。次にn−GaAs基板26を除去した接合構造体31より、エッチングストップ層27を所定のエッチャントを用いてエッチングにより除去する(コンタクト層28が露出する。)。エッチングストップ層27がAlGaInP系材料の化合物半導体から形成される場合、所定のエッチャントとしては、塩酸を含むエッチャントを用いることができる。
次に、図2(f)に示すように、フォトリソグラフィー法及び真空蒸着法を用いて、所定の位置にp型側のオーミック電極を形成する。p型側のオーミック電極は円電極(不図示)と第1オーミック細線電極11で形成され、例えば、Ti、AuBe、Auをこの順に蒸着することにより形成される。この場合、例えば、第1オーミック細線電極11は、第2オーミック細線電極20と重なり合わない位置に形成される。次にp型側のオーミック電極をマスクとして、p−GaAsからなるコンタクト層28をエッチングして除去する。また、コンタクト層28をマスクとしてp型電流拡散層12を粗面化処理することもできる。また、コンタクト層28を除去した後、所定のエッチャントを用いてp型電流拡散層12を粗面化処理することもできる。
次に、図2(g)に示すように、導電性支持基板24の裏面の略全面に導電性オーミック電極25を真空蒸着法により形成する。裏面の導電性オーミック電極25は、例えば、TiとAuとをこの順に支持基板24の底面に蒸着することにより形成することができる。その後、各オーミック電極に、電気的接合を形成する合金化工程であるアロイ工程を施す。アロイ工程の一例として、不活性雰囲気としての窒素雰囲気下で400℃、5分間の熱処理を施すことができる。これにより接合構造体32が作製される。
そして、ダイシングブレードを有するダイシング装置を用いて、接合構造体32を各素子に個片化する。これにより、図1に示すような半導体発光素子10が複数作製される。
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
図1の半導体発光素子10を、図2で説明した製造方法を用いて作製した。
ここで、半導体発光素子10の各層は、以下のとおりである。
p型電流拡散層12…p−(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P
p型クラッド層13…p−Al0.5In0.5P
障壁層15…i−(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P
井戸層16…i−(Al0.06Ga0.94)0.5In0.5P
n型クラッド層17…n−Al0.5In0.5P、
n電流拡散層18…n−GaP、
GaAs基板26…n−GaAs
エッチングストップ層27…p−Ga0.5In0.5P、
コンタクト層28…p−GaAs
ただし、表1に示すように、井戸層16のAl組成は0.06に固定して、井戸層16の膜厚を変化させ、さらに、量子井戸活性層14のトータル膜厚が250nm程度となるように井戸層16と障壁層15のペア数を調整することで、半導体発光素子10の発光波長を585〜605nmの範囲で変化させた。
図1の半導体発光素子10を、図2で説明した製造方法を用いて作製した。
ここで、半導体発光素子10の各層は、以下のとおりである。
p型電流拡散層12…p−(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P
p型クラッド層13…p−Al0.5In0.5P
障壁層15…i−(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P
井戸層16…i−(Al0.06Ga0.94)0.5In0.5P
n型クラッド層17…n−Al0.5In0.5P、
n電流拡散層18…n−GaP、
GaAs基板26…n−GaAs
エッチングストップ層27…p−Ga0.5In0.5P、
コンタクト層28…p−GaAs
ただし、表1に示すように、井戸層16のAl組成は0.06に固定して、井戸層16の膜厚を変化させ、さらに、量子井戸活性層14のトータル膜厚が250nm程度となるように井戸層16と障壁層15のペア数を調整することで、半導体発光素子10の発光波長を585〜605nmの範囲で変化させた。
上記のようにして作製した半導体発光素子について、発光効率を測定した。
各発光波長における量子井戸活性層構造と発光効率を表1に示す。なお、表1には、発光波長が615nmのときの発光効率も参考のために示されている。ここで発光効率は、発光効率(%)=出力(mW)/投入電力(mW)で算出され、発光波長615nmの発光効率を“1”としたときの比率で表している。
また、発光波長と発光効率との関係を図4に示す。
各発光波長における量子井戸活性層構造と発光効率を表1に示す。なお、表1には、発光波長が615nmのときの発光効率も参考のために示されている。ここで発光効率は、発光効率(%)=出力(mW)/投入電力(mW)で算出され、発光波長615nmの発光効率を“1”としたときの比率で表している。
また、発光波長と発光効率との関係を図4に示す。
(比較例)
実施例と同様にして半導体発光素子を作製した。ただし、井戸層16のAl組成及び膜厚を表2のように変化させて、発光波長を585〜605nmの範囲で変化させた。
上記のようにして作製した半導体発光素子について、実施例と同様にして発光効率を測定した。
各発光波長における量子井戸活性層構造と発光効率を表2に示す。なお、表2にも、発光波長が615nmのときの発光効率が参考のために示されている。
また、発光波長と発光効率との関係を図4に示す。
実施例と同様にして半導体発光素子を作製した。ただし、井戸層16のAl組成及び膜厚を表2のように変化させて、発光波長を585〜605nmの範囲で変化させた。
上記のようにして作製した半導体発光素子について、実施例と同様にして発光効率を測定した。
各発光波長における量子井戸活性層構造と発光効率を表2に示す。なお、表2にも、発光波長が615nmのときの発光効率が参考のために示されている。
また、発光波長と発光効率との関係を図4に示す。
図4からわかるように、発光波長が585nm以上、605nm以下の範囲において、実施例では、比較例と比べて発光効率が高くなっている。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
10…半導体発光素子、 11…第1オーミック細線電極、
12…第1導電型電流拡散層(p型電流拡散層)、
13…第1導電型クラッド層(p型クラッド層)、
14…量子井戸活性層、 15…障壁層、 16…井戸層、
17…第2導電型クラッド層(n型クラッド層)、
18…第2導電型電流拡散層(n型電流拡散層)、 19…発光部、
20…第2オーミック細線電極、 21…透明酸化膜層、 22…反射金属層、
23…接合金属層、 24…導電性支持基板、 25…導電性オーミック電極、
26…GaAs基板(n−GaAs基板)、 27…エッチングストップ層、
28…コンタクト層、 29…積層体、 30…支持基板、 31…接合構造体、
32…接合構造体。
12…第1導電型電流拡散層(p型電流拡散層)、
13…第1導電型クラッド層(p型クラッド層)、
14…量子井戸活性層、 15…障壁層、 16…井戸層、
17…第2導電型クラッド層(n型クラッド層)、
18…第2導電型電流拡散層(n型電流拡散層)、 19…発光部、
20…第2オーミック細線電極、 21…透明酸化膜層、 22…反射金属層、
23…接合金属層、 24…導電性支持基板、 25…導電性オーミック電極、
26…GaAs基板(n−GaAs基板)、 27…エッチングストップ層、
28…コンタクト層、 29…積層体、 30…支持基板、 31…接合構造体、
32…接合構造体。
Claims (2)
- 井戸層と障壁層とで構成される量子井戸活性層を有する半導体発光素子において、
前記半導体発光素子の発光波長が585nm以上、605nm以下であり、
前記井戸層が、組成式(AlxGa1−x)yIn1−yP(0<x≦0.06、0<y<1)の化合物半導体からなり、
前記障壁層が、組成式(AlmGa1−m)nIn1−nP(0≦m≦1、0<n<1)の化合物半導体からなることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記量子井戸活性層のトータル膜厚が200nm以上、300nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
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