JP2016075626A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リアルタイムでバイパスコンデンサの故障を検出する半導体装置を提供する。【解決手段】ＩＣチップ１は、ＣＰＵなどを含んで構成される内部回路２、抵抗３、パルス発生部２ａおよびスイッチ４からなる負荷電流増加回路５、リップル下限値検出回路６を備えている。電源端子ＶＤに、直流電源７およびバイパスコンデンサ８が接続されている。内部回路２は、パルス発生部２ａからパルスを出力してスイッチ４をオンさせる。電源端子ＶＤから抵抗３を介して電流が流れて負荷電流が増加する。バイパスコンデンサ８に故障があると電圧が閾値以下に低下し、検出信号を内部回路２に出力する。これにより、内部回路２がリセットする電圧に低下させることなく故障診断を行える。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関する。

半導体装置の電源端子間に設けられるいわゆるバイパスコンデンサ等のコンデンサの故障診断を行うものがある。一般的には、外部電源と半導体装置内のマイクロコントローラ内部のＰＯＲ（power on reset）回路を使用して行う診断方法がある。この方法では、まず、マイクロコントローラの内部回路を停止させ、外部電源の電圧を一瞬立ち下げる。このとき、バイパスコンデンサが正常に機能している場合には、バイパスコンデンサに電荷が蓄えられているので、電源電圧が一瞬停止してもマイコンの内部電圧は下限電圧を下回ることはない。

一方、バイパスコンデンサに異常が発生している場合には、バイパスコンデンサに電荷が蓄えられていない状態であるから、マイコンの内部電圧が下限電圧を下回ることがある。マイコンの内部電圧が下限電圧を下回るとマイクロコントローラ内部のＰＯＲ回路が動作してリセット信号を発生させ、内部回路をリセット状態にする。これにより、外部電源の制御と半導体装置内のＰＯＲ回路とによりバイパスコンデンサの故障診断を実施することができる。

しかしながら、上記した従来技術は、内部回路に対するリセット信号の有無にて故障診断を実施する為、マイクロコントローラが停止した状態でしか故障診断を実行できないという問題が生じている。近年、機能安全の要求から電源、クロックなどシステムに致命的な影響を与える故障はリアルタイムで検出することを求められている。これらの従来技術は、マイクロコントローラを停止する必要がありリアルタイムでバイパスコンデンサの故障を検出することができていない。

特開２０１０−２５９１７８号公報 特開平１０−７１９２６号公報

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、マイクロコントローラを停止することなくリアルタイムでバイパスコンデンサの故障を検出することができる半導体装置を提供することにある。

請求項１に記載の半導体装置は、電源端子にバイパスコンデンサが接続された状態で直流電源から内部回路に給電されて動作する半導体装置であって、前記電源端子から供給する電流を所定の動作期間だけ変化させる負荷電流制御部と、前記電源端子の電圧を検出し、閾値上限が設定されるときにはその閾値上限を上回る場合、閾値下限が設定されるときにはその閾値下限を下回る場合に検出信号を出力する検出部とを備えている。

上記構成を採用することにより、負荷電流制御部により、電源端子から供給する電流を所定の動作期間だけ変化させると、検出部により、電源端子の電圧を検出し、閾値上限が設定されるときにはその閾値上限を上回る場合、閾値下限が設定されるときにはその閾値下限を下回る場合に検出信号を出力することができる。

バイパスコンデンサが機能している場合には、負荷電流の増加あるいは減少により生ずる電圧変動がある場合でもこれを充電されている電荷で吸収することができる。これにより、電源端子の電圧が閾値上限を上回ったり、あるいは閾値下限を下回ることがなくなる。一方、バイパスコンデンサが故障している場合には、負荷電流の増加あるいは減少により生ずる電圧変動が吸収できず、検出部により、電源端子の電圧が閾値上限を上回ったり、あるいは閾値下限を下回る状態が検出される。これにより、内部回路が動作している状態でバイパスコンデンサの故障の有無を診断することができる。

第１実施形態を示す電気的構成図 各部の電位変化を示すタイムチャート 制御回路の処理プログラムのフローチャート 第２実施形態を示す電気的構成図 各部の電位変化を示すタイムチャート 制御回路の処理プログラムのフローチャート 第３実施形態を示す電気的構成図 制御装置の処理プログラムのフローチャート

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。回路構成を示す図１において。半導体装置としてのＩＣチップ１は、内部に内部回路２としてマイクロコントローラなどの回路を備えている。内部回路２は、マイクロコントローラとしてのＣＰＵなどの演算処理装置やメモリなどの記憶装置、タイマ機能、通信機能を持つ周辺機能から構成されおり、さらに、この実施形態においては、パルス発生部２ａを備えている。内部回路２は、ＩＣチップ１の電源端子ＶＤから給電される。電源端子ＶＤはインピーダンス素子としての抵抗３およびスイッチ素子としてのスイッチ４を直列に介してグランドに接続されている。スイッチ４は、内部回路２のパルス発生部２ａからオンオフの制御信号が与えられる。抵抗３およびスイッチ４により負荷電流増加回路５を構成する。スイッチ４は、例えばＭＯＳＦＥＴなどを用いることができる。なお、負荷電流増加回路５は、負荷電流制御部に相当する構成である。

パルス発生部２ａは、例えば内部回路２内のタイマ機能が使用されている。パルス発生部２ａは、一定周期でハイレベルおよびローレベルを切り換えてこれを繰り返すパルス信号を出力している。このパルス信号の周期やハイレベル信号のデューティ比はパルス発生部２ａの設定により制御することができる。スイッチ４は、パルス信号がハイレベルのときにオン状態となり、電源端子ＶＤを抵抗３を介してグランドに接続させて電流を流す。また、スイッチ４は、パルス信号がローレベルのときにオフ状態となり、抵抗３を介してグランドに流れる電流を停止させる。

また、電源端子ＶＤには、電源電圧を検出しているリップル下限値検出回路６が接続されている。リップル下限値検出回路６は、検出部として機能するもので、内部に閾値下限となる電圧レベルが記憶されており、検出する電源端子ＶＤの電圧が閾値下限を下回るとハイレベルの検出信号Ｓ１を内部回路２に出力するように設けられている。この場合、閾値下限となる電圧レベルは、内部回路２の動作が不能となるパワーオンリセットが動作する電圧レベルよりも大きい電圧に設定される。

ＩＣチップ１の電源端子ＶＤには、外部から直流電源７が接続され、内部回路２に給電する。また、電源端子ＶＤとグランドとの間には、バイパスコンデンサ８が接続されている。バイパスコンデンサ８は、直流電源７の供給電圧を安定させたり、あるいは高周波ノイズを取り除く機能を持つ。

次に、上記構成の作用について、図２および図３も参照して説明する。上記構成では、ＩＣチップ１は、直流電源７から電源端子ＶＤを介して給電されていて、内部回路２およびその他の図示しない回路に給電されている。この状態では、直流電源７の電圧が変動したり、何らかの原因で瞬時的に電圧が変動する場合でも、バイパスコンデンサ８がその変動を吸収して内部回路２に閾値下限電圧以上の所定の電圧を与えるている。

しかし、バイパスコンデンサ８が断線したり故障するなどしてコンデンサとしての機能が果たせない状態となると、上記のように電圧が変動するとこれに追随して内部回路２への給電する電圧も変動し、動作異常をきたす事態が生じ得る。このように内部回路２においては、給電される電圧が所定レベルを下回ると、パワーオンリセット機能が働いてしまい、内部回路２の内部動作を停止させ、電源が復帰して所定レベル以上の電圧が与えられるようになるまで停止状態が継続する。

本実施形態においては、上記のような事態が動作中に発生して内部回路２の動作が停止するのを極力抑制する。内部回路２は、あらかじめ図３に示すフローチャートの内容を実行する診断プログラムを適宜のタイミングで実施して、バイパスコンデンサ８の故障が発生していないかどうかを判断している。なお、図２のタイムチャートに示すように、例えば期間Ｔ１では通常の動作を行っており、期間Ｔ２になると診断プログラムが実行され、通常状態の期間Ｔ３を経て、再び期間Ｔ４になると診断プログラムが実行され、その後、期間Ｔ５では通常の動作状態である。また、バイパスコンデンサ８の状態は正常な状態で期間Ｔ３の途中までくると、故障が発生して正常に動作しない（オープン）状態になることを想定している。

内部回路２は、図３の診断プログラムを開始すると、まず診断タイミングであるか否かを判断する（Ａ１）。内部回路２は、あらかじめ設定された所定の診断タイミングをクロックなどのカウントで判定していて、診断タイミングになっている場合にはＹＥＳと判断して診断処理を開始する（Ａ２）。診断処理では、内部回路２は、パルス発生部２ａにパルスを発生させる（Ａ３）。これにより、パルス発生部２ａからスイッチ４にハイレベルの信号が出力され、スイッチ４はオン状態に移行する。

スイッチ４がオン状態に移行すると、電源端子ＶＤから内部回路２に給電していた状態が、抵抗３およびスイッチ４を介して負荷電流が一時的に増大する。このとき、通常であれば、バイパスコンデンサ８が機能して充電されている電荷により負荷電流の増大に対応し、電流供給能力の低下を補う。これにより電源端子ＶＤの電圧が大きく低下するのを抑制できる。この後、直流電源７が増加した負荷電流を供給可能な状態になると、内部回路２への電源電圧が確保され、給電状態は安定した状態に戻る。この結果、リップル下限値検出回路６は閾値下限を下回る電圧を検出することはないので、ハイレベルの故障検出信号を出力することはない。したがって、内部回路２は、ステップＡ４でＮＯと判断してプログラムを終了する。

一方、期間Ｔ３でバイパスコンデンサ８がオープンなどの故障をした場合には、負荷電流が一時的に増加したときに電源端子ＶＤの電圧が低下し、バイパスコンデンサ８による電荷が供給できないことから、電圧の低下が回復されないまま内部回路２にかかることになる。この場合、リップル下限値検出回路６は、検出している電源端子ＶＤの端子電圧が閾値下限電圧を下回ると、ローレベルの故障検出信号を内部回路２に出力する。なお、閾値下限を設定している電圧レベルは、内部回路２がリセット状態となる電圧よりも高い電圧値であるから、内部回路２がリセット状態に移行して停止状態になることはない。

内部回路２は、ステップＡ４において、ハイレベルの故障検出信号を受信していることから、ここでＹＥＳと判断してバイパスコンデンサ８の異常を示すアラームを出力して（Ａ５）、診断プログラムを終了する。これにより、使用者に対して音あるいは表示など何らかの報知手段により、バイパスコンデンサ８に故障が発生していることを報知し、システムを安全状態に遷移させることができる。

上記構成によれば、負荷電流増加回路５を設け、内部回路２により、診断プログラムを実行することで、内部回路２を通常の動作を行う状態のままで、パワーオンリセットなどの停止状態に移行することなく、バイパスコンデンサ８の故障状態の診断を行うことができる。

なお、上記した診断プログラムは、内部回路２が通常の処理を実施している状態で、定期的に割り込み処理をかけて実行するものとして示したが、これに限らず、独立して診断プログラムを実行する構成とし、一連のフローの終了後に診断プログラムを終了することなく、ステップＡ１に戻って繰り返し実行するようにしても良い。

（第２実施形態）
図４から図６は第２実施形態を示すもので、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態では、負荷電流を一時的に減少させることでバイパスコンデンサ８の故障を検出する方式のＩＣチップ１１を採用している。例えば、直流電源７の駆動能力が高く、第１実施形態の方式では電圧降下があまり見込めない場合に使用することができる。また、この実施形態では、負荷電流を一時的に減少させる方式を採用することから、内部回路２がスタンバイ状態であるときに診断プログラムを実施するようにしている。

図４はＩＣチップ１１の構成を示している。ＩＣチップ１１は、リップル下限値検出回路６に代えて、検出部としてリップル上限値検出回路１２を備えると共に、故障検出信号を記憶するメモリ１３を備える。リップル上限値検出回路１２は、内部に閾値上限となる電圧レベルが記憶されており、検出する電源端子ＶＤの電圧が閾値上限を上回るとハイレベルの検出信号を内部回路２に出力するように設けられている。閾値上限となる電圧レベルは、例えば内部回路２が動作が不安定になるような過大な電圧よりも低い電圧に設定されている。なお、この実施形態では、負荷電流制御部としての負荷電流増加回路５は、診断時に負荷電流を減少させるように動作させるので、負荷電流減少回路として機能する。

本実施形態においては、内部回路２は、あらかじめ図６に示すフローチャートの内容を実行する診断プログラムを適宜のタイミングで実施して、スタンバイ状態に入った状態でバイパスコンデンサ８の故障が発生していないかどうかを判断している。なお、図５のタイムチャートに示すように、例えば期間Ｑ１では通常の動作を行っており、期間Ｑ２になるとスタンバイ状態にはいって診断処理が実行され、通常状態の期間Ｑ３を経て、再び期間Ｑ４になるとスタンバイ状態に移行して診断処理が実行され、その後、期間Ｑ５では通常の動作状態である。また、バイパスコンデンサ８の状態は正常な状態で期間Ｑ３の途中までくると、故障が発生して正常に動作しない（オープン）状態になることを想定している。

次に、上記構成の作用について図５および図６も参照して説明する。まず、通常の期間であるＱ１においては、内部回路２は通常の処理を行っており、パルス発生部２ａからハイレベルの信号を出力させて負荷電流増加回路５により負荷電流を増加させている状態となっている。この期間Ｑ１の状態では、直流電源７の電圧および電源端子ＶＤの電圧は、内部回路２の動作をうけて若干の電圧変動が起こっているが、前述したように直流電源７の駆動能力が高いことや、バイパスコンデンサ８が正常に動作してことにより、電圧変動の幅であるリップル幅は小さくなっている。

次に、上記した通常の期間Ｑ１において、内部回路２は、図６の診断プログラムを開始すると、まずスタンバイタイミングであるか否かを判断する（Ｂ１）。内部回路２は、ここでＹＥＳの場合にスタンバイ状態に移行させるため、パルス発生部２ａによりローレベルの信号を出力させてスイッチ４をオフさせる（Ｂ２）。この後、内部回路２は、スタンバイ処理を行ってスタンバイ状態に移行する（Ｂ３）。この状態は、内部回路２がスタンバイ状態となるスタンバイ期間Ｑ２である。

スタンバイ期間Ｑ２においては、内部回路２によりスイッチ４がオフ状態に移行されたことで、負荷電流が急激に減少する。負荷電流の減少に伴って、直流電源７および電源端子ＶＤにおいては、電圧の持ち上がりが発生する。しかし、期間Ｑ２では、バイパスコンデンサ８が正常に機能しているため、リップル上限値検出回路１２が検出する電圧は閾値上限を上回ることが無く、故障検出信号は正常値を示すローレベルの信号を出力し続けている。

上記のようにしてスタンバイ状態で故障検出信号がローレベルの信号である場合には、メモリ１３においてハイレベルの故障検出信号は記憶されていない。したがって、この後内部回路２が診断プログラムを実行してスタンバイタイミングを脱している場合には（Ｂ１でＮＯ）、通常処理を実施する（Ｂ４）。内部回路２は、このとき、メモリ１２の内容を読み出し（Ｂ５）、ハイレベルの故障検出信号が無い場合にはステップＢ６でＮＯと判断してプログラムを終了する。

次に、通常状態である期間Ｑ３において、途中でバイパスコンデンサ８に断線による故障が発生した場合を想定する。この状態で、内部回路２は、診断プログラムを実行してスタンバイタイミングになると（Ｂ１でＹＥＳ）、再びパルス発生部２ａによりローレベルの信号を出力させてスイッチ４をオフさせる（Ｂ２）。この後、内部回路２は、スタンバイ処理を行ってスタンバイ状態に移行する（Ｂ３）。

これにより、ＩＣチップ１１においては、スイッチ４がオフすることで、負荷電流が急激に減少する。この変化で、前述同様にして直流電源７および電源端子ＶＤは、電圧の持ち上がりが発生する。このときバイパスコンデンサ８による電圧平滑機能が動作しないため、リップル電圧がリップル上限値検出回路１２の閾値上限を上回り、故障検出信号は故障状態を示すハイレベルの信号を出力する。この故障状態を示すハイレベルの信号は、故障検出信号としてメモリ１３に記憶される。

この後内部回路２が診断プログラムを実行してスタンバイタイミングを脱している場合には（Ｂ１でＮＯ）、通常処理を実施する（Ｂ４）。内部回路２は、このとき、メモリ１２の内容を読み出し（Ｂ５）、故障検出信号が有ることでステップＢ６でＹＥＳと判断し、バイパスコンデンサ８の異常を示すアラームを表示し（Ｂ７）システムを安全状態に遷移させることができる。

上記構成によれば、負荷電流増加回路５を設け、内部回路２により、診断プログラムを実行してスタンバイ状態を利用してバイパスコンデンサ８の故障状態の診断を行うことができる。

なお、上記実施形態においては、通常時にスイッチ４を常にオン状態に制御しておくのではなく、検出したい直前に電流を増加させておくことで負荷電流の急激な減少状態を設けるようにしても良い。

（第３実施形態）
図７および図８は第３実施形態を示すもので、以下、第２実施形態と異なる部分について説明する。この実施形態においては、ＩＣチップ２１は診断プログラムを実行するのではなく、外部に設けられた制御装置２２によりＩＣチップ２１に接続されるバイパスコンデンサ８の故障状態を診断するように構成したものである。また、この実施形態では、第２実施形態と同様にしてスタンバイ状態での診断処理を前提としている。

図７に示すように、ＩＣチップ２１は、内部回路２を備えているが、内部回路２は診断プログラムを実行するものではない。負荷電流を急激に減少させる動作を行わせてバイパスコンデンサ８の故障状態を検出するため、スイッチ４は通常状態でオンとなるように制御され、スタンバイ時にオフ制御される構成である。スタンバイ時の負荷電流変化に応じて変動する電源端子ＶＤの電圧をリップル上限値検出回路１２により検出している。

このＩＣチップ２１の診断処理を行う制御装置２２は、ＩＣチップ２１の外部に別途設けられるマイコンなどを有するＩＣチップなどから構成される。制御装置２２は、リップル上限値検出回路１２から故障検出信号を受信するように接続されると共に、内部回路２のパルス発生部２ａに接続されてスイッチ４のオンオフ制御を行えるように設けられている。制御装置２２には、図８に示す診断プログラムが内部に記憶され、後述するように診断処理を実行する。

次に、上記構成の作用について図８も参照して説明する。まず、通常期間においては、内部回路２は通常の処理を行っており、パルス発生部２ａからハイレベルの信号を出力させて負荷電流増加回路５により負荷電流を増加させている状態となっている。この通常状態では、直流電源７の電圧および電源端子ＶＤの電圧は、内部回路２の動作を受けて若干の電圧変動が起こっているが、前述したように直流電源７の駆動能力が高いことや、バイパスコンデンサ８が正常に動作してことにより、電圧変動の幅であるリップル幅は小さくなっている。

次に、診断処理を実施する場合について説明する。制御装置２２は、図８の診断プログラムを開始すると、まずスタンバイタイミングであるか否かを判断する（Ｃ１）。内部回路２がスタンバイタイミングである場合には（Ｃ１でＹＥＳ）、内部回路２をスタンバイ状態に移行させる。制御装置２２は、このとき、内部回路２に制御信号を送信してパルス発生部２ａにローレベルの信号を出力させてスイッチ４をオフさせる（Ｃ２）。この状態では、内部回路２は、スタンバイ処理を行ってスタンバイ状態に移行し、スタンバイ期間となる。

スタンバイ期間Ｑ２においては、第２実施形態と同様にして、内部回路２によりスイッチ４がオフ状態に移行されたことで、負荷電流が急激に減少する。負荷電流の減少に伴って、直流電源７および電源端子ＶＤにおいては、電圧の持ち上がりが発生する。バイパスコンデンサ８が正常に機能している場合には、リップル上限値検出回路１２が検出する電圧は閾値上限を上回ることが無く、故障検出信号は正常値を示すローレベルの信号を出力し続けている。したがって、制御装置２２は、リップル上限値検出回路１２から故障検出信号を受信していなことから、ステップＣ３でＮＯと判断して診断処理を終了する。

一方、バイパスコンデンサ８が故障している場合には、スイッチ４のオフで負荷電流が急激に減少して直流電源７および電源端子ＶＤの電圧持ち上がりが発生したときに、電圧平滑機能が動作しない。このため、リップル電圧がリップル上限値検出回路１２の閾値上限を上回り、故障状態を示すハイレベルの信号を出力する。制御装置２２は、この故障検出信号をリップル上限値検出回路１２から受信すると、ステップＣ３でＹＥＳと判断し、バイパスコンデンサ８の異常を示すアラームを表示し（Ｃ４）システムを安全状態に遷移させることができる。また、この故障検出信号は、内部回路２が通常状態になったときに制御装置２２から送信される。

上記構成によれば、内部回路２により診断プログラムを実行しない構成の場合でも、外部に設けた制御装置２２により、診断プログラムを実行して内部回路２のスタンバイ状態を利用してバイパスコンデンサ８の故障状態の診断を行うことができる。

なお、上記実施形態においては、通常時にスイッチ４を常にオン状態に制御しておくのではなく、検出したい直前に電流を増加させておくことで負荷電流の急激な減少状態を設けるようにしても良い。

（他の実施形態）
なお、本発明は、上述した一実施形態のみに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能であり、例えば、以下のように変形または拡張することができる。

負荷電流制御部は、負荷電流増加回路５として、スイッチ４およびこれをオンオフさせるパルス発生部２ａにより構成したが、負荷電流を増加あるいは減少させるための手段として、内部回路２内において、動作クロックを速くしたり遅くしたりして負荷電流の増減を図ることもできる。

また、同様に、負荷電流を増加あるいは減少させるための手段として、内部回路２の動作率を増加あるいは減少させることで負荷電流の増減を図ることもできる。
負荷電流制御部により、診断時に負荷電流を増加させたり減少させる場合に、その増加あるいは減少を発生させている期間（パルス幅などに相当）を、バイパスコンデンサの故障を診断できる程度の短い期間に設定することができる。これにより、診断時に電源電圧が過剰に低下したり、上昇するのを抑制して内部回路が動作停止あるいは不安定に至るのを防止することができる。

負荷電流制御部として、抵抗３を通電経路とする負荷電流増加回路５の電流経路を設定したが、抵抗３に代えて、ゲート−ドレイン間を短絡したＭＯＳＦＥＴを設けても良い。
また、スイッチ４が抵抗成分を有していて、インピーダンス素子としての機能を持つ場合には、抵抗３を省略することもできる。

スイッチ素子は、ＭＯＳＦＥＴなどを用いたスイッチ４以外に、バイポーラトランジスタや、ＩＧＢＴなどの半導体素子を用いることができる。
直流電源７は、外部電源そのものでも良いし、いったん外部から給電を受けてＩＣチップに必要な電源を供給する電源回路として設けられる構成の場合でも良い。

図面中、１、１１、２１はＩＣチップ（半導体装置）、２は内部回路、２ａはパルス発生部、３は抵抗（インピーダンス素子）、４はスイッチ（スイッチ素子）、５は負荷電流増加回路（負荷電流制御部）、６はリップル下限値検出回路（検出部）、７は直流電源、８はバイパスコンデンサ、１２はリップル上限値検出回路（検出部）、１３はメモリ（記憶回路）、２２は制御装置である。

Claims (7)

1. 電源端子（ＶＤ）にバイパスコンデンサ（８）が接続された状態で直流電源（７）から内部回路（２）に給電されて動作する半導体装置（１、１１、２１）であって、
   前記電源端子から供給する電流を所定の動作期間だけ変化させる負荷電流制御部（５）と、
   前記電源端子の電圧を検出し、閾値上限が設定されるときにはその閾値上限を上回る場合、閾値下限が設定されるときにはその閾値下限を下回る場合に検出信号を出力する検出部（６、１２）と
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置（１）において、
   前記負荷電流制御部（５）は、前記負荷電流を増加させることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の半導体装置（１）において、
   前記負荷電流制御部（５）は、前記電源端子から前記内部回路への給電経路に電流を側路するように設けられたスイッチ素子（４）およびインピーダンス素子（３）の直列回路を備え、前記動作期間中に前記スイッチ素子をオン状態にすることで前記負荷電流を増加させるように構成されることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１に記載の半導体装置（１１、２１）において、
   前記負荷電流制御部（５）は、前記負荷電流を減少させることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４に記載の半導体装置（１１、２１）において、
   前記負荷電流制御部（５）は、前記電源端子から前記内部回路への給電経路に電流を側路するように設けられたスイッチ素子（４）およびインピーダンス素子（３）の直列回路を備え、前記動作期間中に前記スイッチ素子をオフ状態にすることで前記負荷電流を減少させるように構成されることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置（１、１１、２１）において、
   前記検出部（６、１２）は、前記閾値上限もしくは閾値下限として、前記内部回路が動作不能とならない電圧に設定されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置（１１）において、
   前記検出部（１２）が出力する前記検出信号を記憶する記憶回路（１３）を備えたことを特徴とする半導体装置。

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