JP2016072260A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016072260A5
JP2016072260A5 JP2014196414A JP2014196414A JP2016072260A5 JP 2016072260 A5 JP2016072260 A5 JP 2016072260A5 JP 2014196414 A JP2014196414 A JP 2014196414A JP 2014196414 A JP2014196414 A JP 2014196414A JP 2016072260 A5 JP2016072260 A5 JP 2016072260A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
discharge chamber
processing
processing gas
chamber
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014196414A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6415215B2 (ja
JP2016072260A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014196414A priority Critical patent/JP6415215B2/ja
Priority claimed from JP2014196414A external-priority patent/JP6415215B2/ja
Priority to KR1020150124041A priority patent/KR20160037077A/ko
Priority to US14/844,784 priority patent/US20160093476A1/en
Publication of JP2016072260A publication Critical patent/JP2016072260A/ja
Publication of JP2016072260A5 publication Critical patent/JP2016072260A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6415215B2 publication Critical patent/JP6415215B2/ja
Priority to US18/608,204 priority patent/US20240222086A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2014196414A 2014-09-26 2014-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム Active JP6415215B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014196414A JP6415215B2 (ja) 2014-09-26 2014-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
KR1020150124041A KR20160037077A (ko) 2014-09-26 2015-09-02 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
US14/844,784 US20160093476A1 (en) 2014-09-26 2015-09-03 Substrate Processing Apparatus, Method of Manufacturing Semiconductor Device and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium
US18/608,204 US20240222086A1 (en) 2014-09-26 2024-03-18 Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014196414A JP6415215B2 (ja) 2014-09-26 2014-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016072260A JP2016072260A (ja) 2016-05-09
JP2016072260A5 true JP2016072260A5 (enExample) 2017-06-22
JP6415215B2 JP6415215B2 (ja) 2018-10-31

Family

ID=55585230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014196414A Active JP6415215B2 (ja) 2014-09-26 2014-09-26 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20160093476A1 (enExample)
JP (1) JP6415215B2 (enExample)
KR (1) KR20160037077A (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6830878B2 (ja) * 2017-09-28 2021-02-17 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム
JP7254620B2 (ja) 2018-06-26 2023-04-10 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム
US11535931B2 (en) 2018-06-26 2022-12-27 Kokusai Electric Corporation Method of manufacturing semiconductor device, method of managing parts, and recording medium
KR20210119489A (ko) * 2019-03-15 2021-10-05 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US11527380B2 (en) * 2020-04-01 2022-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ion implanter toxic gas delivery system
JP7203070B2 (ja) * 2020-09-23 2023-01-12 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7284139B2 (ja) 2020-11-27 2023-05-30 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124910A (ja) * 1992-08-26 1994-05-06 Fujitsu Ltd 膜の形成方法及び薄膜トランジスタの作成方法及び液晶装置の作成方法及び太陽電池の作成方法
JP2942138B2 (ja) * 1994-03-22 1999-08-30 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH10312899A (ja) * 1997-05-15 1998-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
AR041013A1 (es) * 2002-12-04 2005-04-27 Yt Ingenieria Ltda Aparato dosificador de gas y metodo para dosificar cantidades predeterminadas de gas
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
JP4516969B2 (ja) * 2004-10-07 2010-08-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
US8453600B2 (en) * 2004-12-28 2013-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
US8202367B2 (en) * 2006-03-30 2012-06-19 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Atomic layer growing apparatus
JP4978355B2 (ja) * 2007-07-19 2012-07-18 富士通セミコンダクター株式会社 成膜装置及びそのコーティング方法
JP4977636B2 (ja) * 2008-02-06 2012-07-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5616591B2 (ja) * 2008-06-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2010027702A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び薄膜生成方法
JP2010129666A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8557687B2 (en) * 2009-07-23 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8486192B2 (en) * 2010-09-30 2013-07-16 Soitec Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods
TWI562204B (en) * 2010-10-26 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer-readable recording medium
JP5886531B2 (ja) * 2011-02-24 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP5946643B2 (ja) * 2012-01-13 2016-07-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
JP5547763B2 (ja) * 2012-03-16 2014-07-16 三井造船株式会社 プラズマ生成方法、この方法を用いた薄膜形成方法及びプラズマ生成装置
JP6245643B2 (ja) * 2013-03-28 2017-12-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6011420B2 (ja) * 2013-03-29 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置の運転方法、縦型熱処理装置及び記憶媒体

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016072260A5 (enExample)
PH12020551224A1 (en) Aerosol generation method and apparatus
WO2015157674A3 (en) Underbody support mattress
AR112051A1 (es) Unidad de calentamiento para un dispositivo generador de aerosol
TW201613016A (en) Substrate treatment apparatus, and substrate treatment method
SG10201806180VA (en) Imaging a body
RU2016146735A (ru) Образующее аэрозоль устройство с индикацией состояния батареи
JP2020017565A5 (enExample)
HK1244188A1 (zh) 气溶胶生成材料
EA201491450A1 (ru) Способы и устройства для выполнения сушки электронных устройств
JP2015204833A5 (enExample)
WO2015130598A3 (en) Control body for an electronic smoking article
JP2019514479A5 (enExample)
MX355982B (es) Método y sistema para el control de pre-encendido.
WO2016011294A3 (en) Additive manufacturing with laser and gas flow
WO2016107764A3 (en) Apparatus for heating smokable material
MX2016009504A (es) Plasma no termico.
MX2016005435A (es) Dispositivo para limpiar una aguja de una sonda de medición.
JP2016503712A5 (enExample)
MY178987A (en) Information processing device, information processing method, and program
NZ735178A (en) Treatment of wood
EP4356769A3 (en) Device for apparatus for heating smokable material
PL3817517T3 (pl) Urządzenie do obróbki plazmą, sposób obróbki plazmą, program oraz nośnik pamięci
JP2014005151A5 (enExample)
TW201615029A (en) Acoustic interface assembly with porous material