JP2016072260A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6830878B2 (ja) * 2017-09-28 2021-02-17 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム
CN110648910A (zh) 2018-06-26 2020-01-03 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、零件的管理方法、基板处理装置及记录介质
JP7254620B2 (ja) 2018-06-26 2023-04-10 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、部品の管理方法、基板処理装置及び基板処理プログラム
WO2020188654A1 (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11527380B2 (en) * 2020-04-01 2022-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Ion implanter toxic gas delivery system
JP7203070B2 (ja) * 2020-09-23 2023-01-12 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7284139B2 (ja) 2020-11-27 2023-05-30 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラム、基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06124910A (ja) * 1992-08-26 1994-05-06 Fujitsu Ltd 膜の形成方法及び薄膜トランジスタの作成方法及び液晶装置の作成方法及び太陽電池の作成方法
JP2942138B2 (ja) * 1994-03-22 1999-08-30 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH10312899A (ja) * 1997-05-15 1998-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
AR041013A1 (es) * 2002-12-04 2005-04-27 Yt Ingenieria Ltda Aparato dosificador de gas y metodo para dosificar cantidades predeterminadas de gas
US7628860B2 (en) * 2004-04-12 2009-12-08 Mks Instruments, Inc. Pulsed mass flow delivery system and method
KR100860437B1 (ko) * 2004-10-07 2008-09-25 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법
US8453600B2 (en) * 2004-12-28 2013-06-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
KR101161020B1 (ko) * 2006-03-30 2012-07-02 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 원자층 성장 장치
JP4978355B2 (ja) * 2007-07-19 2012-07-18 富士通セミコンダクター株式会社 成膜装置及びそのコーティング方法
JP4977636B2 (ja) * 2008-02-06 2012-07-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5616591B2 (ja) * 2008-06-20 2014-10-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP2010027702A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び薄膜生成方法
JP2010129666A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8557687B2 (en) * 2009-07-23 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming microcrystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor
JP5520552B2 (ja) * 2009-09-11 2014-06-11 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8486192B2 (en) * 2010-09-30 2013-07-16 Soitec Thermalizing gas injectors for generating increased precursor gas, material deposition systems including such injectors, and related methods
TWI562204B (en) * 2010-10-26 2016-12-11 Hitachi Int Electric Inc Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer-readable recording medium
JP5886531B2 (ja) * 2011-02-24 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置
JP5946643B2 (ja) * 2012-01-13 2016-07-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
JP5824372B2 (ja) * 2012-01-25 2015-11-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びプロセス状態の確認方法
JP5547763B2 (ja) * 2012-03-16 2014-07-16 三井造船株式会社 プラズマ生成方法、この方法を用いた薄膜形成方法及びプラズマ生成装置
JP6245643B2 (ja) * 2013-03-28 2017-12-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6011420B2 (ja) * 2013-03-29 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置の運転方法、縦型熱処理装置及び記憶媒体

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