JP2016071921A - 磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
純スピン流の、通常電流ゼロ状態での電圧検出を行う場合には、一般的に、内部抵抗無限大の電圧計を用いる。しかし、現行のHDDにおいてプリアンプにより信号電圧を増幅する場合、プリアンプの内部抵抗を最適化して、サスペンション部の抵抗とのマッチングを良好することにより、信号電圧を有効にプリアンプに伝達することが可能になる。内部抵抗が無限大の抵抗計では有効な増幅が困難となる問題が発生する。
図10に、第1実施形態による磁気ヘッド(ハードディスクヘッド)を示す。この第1実施形態の磁気ヘッドは、3端子非局所スピンバルブ素子を備えている。この3端子非局所スピンバルブ素子1は、非磁性ベース層(非磁性ベース電極)10と、この非磁性ベース層10の延在する方向に沿って、非磁性ベース層10上にそれぞれが離間して設けられ、それぞれが磁性層を含む、スピン注入端子12、共通端子14、およびスピン検出端子16と、を備えている。本実施形態においては、共通端子14は、スピン注入端子12とスピン検出端子16との間に位置する。また、スピン注入端子12、共通端子14、およびスピン検出端子16は、非磁性ベース層10に対して同じ側の面上に設けられる。なお、スピン注入端子12および共通端子14は、非磁性ベース層10のスピン緩和長λnに比べて十分短い距離に配置される。非磁性ベース層10と各磁性端子層との界面にはそれぞれ、高抵抗の界面層352、354、356が挿入される。
図16に、ABS面から見た図10に示す3端子非局所スピンバルブ素子1を示す。3端子非局所スピンバルブ素子1は、シールド22、24間に配置され、シールド22、24間には、下地層362、キャップ層364に加えて非磁性ベース層10とフリー層となるスピン検出端子16が存在する。ピン層となるスピン注入端子12および共通端子14はABS側には存在しないので、狭シールド間ギャップが可能となり、高分解能再生に適する。
更に、下部シールド22と素子間の電流リークを除くために、下地層362には、MgO酸化物等の電気的絶縁層を含む。上部シールド24の上面には、IrMn層375が積層される。このIrMn層375を設けたことおよび磁化バイアス層370a、370bをフリー層16のCT側面に配置することにより、フリー層16のCT方向に磁化方向を固定する。その結果、隣接トラックからのノイズ信号除去に加えて、フリー層16の磁化方向をCT方向に安定化して配置することが可能となる。フリー層16の磁化がCT方向に安定化できると、磁気記録媒体の磁界による良好な線形応答電圧変化が得られて、高SN比での再生が可能となる。
この3端子非局所スピンバルブ素子1を用いた磁気ヘッドにおいては、サスペンションを通じてプリアンプに接続するための3つの導線ラインを有する。この3つの導線ラインは、グランドに落とすことなくプリアンプ300に接続される。グランドから切り離すことにより、各導線ラインに発生する外乱ノイズを除去する差動検出がプリアンプ300により可能となる。
従来のスピン蓄積素子とは異なり、本実施形態および後述する他の実施形態ならびに各実施例においては、電圧を検出するプリアンプ300の抵抗31にも副電流を、端子12および端子14間の主電流から分配する。副電流は主電流に比べて小さい。この分流比率は、共通端子14のライン抵抗と電圧検出ラインの抵抗31の値により調整可能である。具体的には、端子14と端子16の界面の面積抵抗RAの比率、あるいは端子14と端子16の界面の接合面積の比率により調整できる。3つのRAを変えることはプロセス的に困難であり、面積調整が容易である。
図17に、端子14と端子16の接合面積比率と規格化出力の関係をシミュレーションにより調べた結果を示す。規格化出力は、電流分流が無い場合の理想スピン蓄積素子(分流無)の出力(理想出力)を1としてときの実際の出力を意味する。なお、端子12の非磁性ベース層10との接合面積は端子14のそれと同一とした。RAは全ての端子で同一であり、0.1Ωμm2とした。端子16の面積を25×25nm2と固定して、端子14,12の接合面積を増大した。端子16の接合面積の4倍以上の接合面積を有する端子14が有していれば、すなわち25%以下の電流を端子16に分流すれば、出力が理想出力の90%程度にまで維持できることを見出した。この計算条件では、概ね現行のHDDに使用されるプリアンプ電流の範囲、例えば0.1mA〜0.3mAの範囲となる。
なお、上記端子12、14、16と非磁性ベース電極10との間には、MgO(厚さが1nm前後)、Al−O、またはSiO等の高抵抗の界面層352、354、356を挿入することが望ましい。
図18にフリー層16の高抵抗の界面層356のRAおよびフリー層16のCT幅と、フリー層16の接合界面の面積抵抗RAとの関係を示す。なお、本実施形態では、現行の磁気ヘッドで困難なCT幅30nm以下を目標とする。メタル系のRAが0.01Ωμm2未満の界面では、抵抗が小さすぎて、プリアンプまでの導体ライン抵抗(例えば25Ω〜50Ω)の抵抗が主となり、フリー層16側への電流分流比率の低減が困難となる。
また、RAが500Ωμm2を超えると、電気ノイズが増大して高SN比が困難となる。適切なフリー層16の界面抵抗(例えば50Ω〜500Ω)を実現するには、RA=0.025μm2〜0.3Ωμm2の範囲の高抵抗の界面層を用いることが望ましい。なお、図18において、磁気ヘッドに用いるのに不適な範囲を斜線で示している。
(製造方法)
次に、本実施形態に係る非磁性ベース層10、スピン注入端子12、共通14、およびスピン検出端子16に関する製造方法について図19(a)乃至19(d)を参照して説明する。
まず、非磁性ベース層10、界面層350、磁性層380を、真空成膜装置内で、順次成膜する(図19(a))。その結果、良質な結晶性が界面近傍で容易に得られる。
続いて、非磁性ベース層10の平面形状を通常のパターニング工程により画定する。このとき、非磁性ベース層10上の磁性層380も同様の形状に画定される(図19(b))。
次に、磁性層380をパターニングし、3つの磁性端子、すなわちスピン注入端子12,共通端子14、およびスピン検出端子16を形成する。このとき、界面層350がエッチングストッパとなる。その結果、図19(d)に示す構造を実現することができる。
このような製造方法を用いることにより、良好結晶性に加えて、磁性端子12、14、16間の間隔の位置合わせ問題を回避することが可能となり、微細間隔を有する磁性端子を形成することができる。磁性端子間を狭めると、非磁性ベース層における分極スピン拡散のロスを抑制することが可能になるので、高出力化することができる。
更に、この磁気ヘッドは、現在使用されているプリアンプ系を大きく変更すること無く再生可能で、且つ、小型化が可能でかつ差動検出より外部ノイズの影響を受けにくい利点を有する。
第2実施形態によるハードディスクヘッドを図21に示す。この第2実施形態のハードディスクヘッドは、第1実施形態の非局所スピンバルブ素子1を磁気センサーとして用いている。第2実施形態のハードディスクヘッドは、第1実施形態の非局所スピンバルブ素子1と、下磁気シールド22と、上磁気シールド24とを備えている。この非局所スピンバルブ素子1は、非磁性ベース電極10と、この非磁性ベース電極10上に離間して設けられた、スピン注入端子12、共通端子14、およびスピン検出端子16とを備えている。この第2実施形態においては、スピン注入端子12および共通端子14は、非磁性ベース電極10に対して同じ側に設けられ、スピン検出端子16は、非磁性ベース電極10の一方の端子近傍に設けられるとともに非磁性ベース電極10に対してスピン注入端子12および共通端子14と反対側に設けられる。なお、図21に示す第2実施形態においては、スピン注入端子12、共通端子14、およびスピン検出端子16のそれぞれと、非磁性ベース電極10との間に高抵抗の界面層が設けられていないが、図10に示す第1実施形態と同様に、界面層352、354、356を設けることが好ましい。
第2実施形態の変形例によるハードディスクヘッドを図22に示す。この変形例によるハードディスクヘッドは、図21に示すハードディスクヘッドにおいて、スピン注入端子12とスピン検出端子16の位置を入れ替えるとともに、スピン検出端子16および共通端子14のそれぞれの磁性層16a、14aを磁化固着層として、スピン注入端子12の磁性層をフリー層として用いた構成となっている。この場合、スピン検出端子16および共通端子14のそれぞれの磁性層16a、14aの磁化方向は互いに平行に固着する。そして、プリアンプ300の電流源30は、下磁気シールド22の外部リード端子P3および上磁気シールド24の外部リード端子P2に接続され、プリアンプ300の抵抗31は外部リード端子P1と外部リード端子P2に接続される。なお、図22に示す変形例においては、スピン注入端子12、共通端子14、およびスピン検出端子16のそれぞれと、非磁性ベース電極10との間に高抵抗の界面層が設けられていないが、図10に示す第1実施形態と同様に、界面層352、354、356を設けることが好ましい。
実施例1によるハードディスクヘッドを図23に示す。この実施例1のハードディスクヘッドは、第2実施形態のハードディスクヘッドであって、以下のように作製される。
実施例2によるハードディスクヘッドを図24に示す。この実施例2のハードディスクヘッドは、第2実施形態のハードディスクヘッドであって、スピン注入端子12、共通端子14、およびスピン検出端子16を構成する材料が異なる以外は、実施例1のハードディスクヘッドと同じ構成となっており、各要素のサイズも実施例の各要素と同じサイズとする。この実施例2において、スピン検出端子16は、厚さが5nmのCoFeB層161と、このCoFeB層161上に形成された厚さが1nmのMgOからなる界面層162との積層構造を有する。
実施例3によるハードディスクヘッドを図25に示す。この実施例3のハードディスクヘッドは、図22に示す第2実施形態の変形例によるハードディスクヘッドであって、各要素のサイズは、実施例1の要素のサイズと同じになっている。すなわち、共通端子14およびスピン検出端子16のそれぞれの磁性層は磁化固着層である。
実施例4によるハードディスクヘッドを図26に示す。この実施例4のハードディスクヘッドにおいては、スピン注入端子12は下磁気シールド22と、Cuからなる非磁性ベース電極10との間に設けられるとともにCuからなるリード端子17aを介して下磁気シールド22に接続する。このスピン注入端子12は、リード端子17a上に、厚さが10nmのPtMnからなる反強磁性層12bと、厚さが4nmのCoFeB層12a4と、厚さが1nmのRu層12a3と、厚さが1nmのCoFeB層12a2と、厚さが5nmのCFGG層12a1とがこの順序で積層された積層構造を有している。CoFeB層12a4、Ru層12a3、CoFeB層12a2、およびCFGG層12a1はシンセティック構造の磁性層12aを形成する。CFGG層12a1が非磁性ベース電極10の下側の面に接続する。なお、スピン注入端子12のサイズは幅が12nm、長さが10nmである。また、Cuからなる非磁性ベース電極10のサイズは、長さが50nm、幅が12nm、厚さが10nmである。なお、長さは、非磁性ベース電極10の延在する方向における寸法を意味する。また、厚さは、上面と下面との間の寸法を意味し、幅は、長さ方向と厚さ方向に直交する方向の寸法を意味する。
実施例1の変形例として、図23に示す実施例1ハードディスクヘッドにおいて、スピン注入端子12をシンセティック構造とせず、単純な磁化固着構造とした。すなわち図18において、スピン注入端子を、厚さが5nmのCFGG層、厚さが1nmのCoFeB層、および厚さが10nmのIrMnの反強磁性層がこの順序で積層された積層構造に置き換えた。それ以外は実施例1と同じ構成となっている。
実施例1に対する比較例1によるハードディスクヘッドを図27に示す。この比較例1のハードディスクヘッドは、図23に示す実施例1ハードディスクヘッドにおいて、スピン注入端子12をCu層13に置き換えた構成を有している。Cu層13以外は、実施例1と同じ構成となっている。
比較例2によるハードディスクヘッドを図28に示す。この比較例2のハードディスクヘッドは、比較例1のハードディスクヘッドにおいて、Cuからなる非磁性ベース電極10の長さを長くし、かつCu層13と共通端子14までの距離が100nmとなるように構成したものである。
比較例3による3端子非局所スピンバルブ素子を図29に示す。この比較例3の3端子非局所スピンバルブ素子は、以下のように作製される。下磁気シールド22上にCu層23を形成し、このCu層23の周囲は例えばアルミナからなる絶縁層(図示せず)で取り囲む。その後、Cu層23に接続するように、上記絶縁層上にCuからなる非磁性ベース電極10を、スパッタ法を用いて形成する。この非磁性ベース電極10のサイズは、厚さが5nm、幅が12nm、長さが100nmである。そして、非磁性ベース電極10に接するようにスピン注入端子12、スピン検出端子16をスパッタ法で成膜する。このとき、スピン注入端子12は、Ruからなるスペーサを用いたシンセティック構造の磁性層12aと、この磁性層12a上に形成された反強磁性層12bとを備えている。磁性層12aは、厚さが4nmのCFGG層、厚さが1nmのCoFe層、厚さが1nmのRu層、および厚が5nmのCoFe層がこの順序で積層された積層構造を有している。反強磁性層12bとしては、厚さが10nmのPtMnが用いられる。
比較例4によるハードディスクヘッドを図30に示す。この比較例4のハードディスクヘッドは、比較例3のハードディスクヘッドにおいて、Cuからなる非磁性ベース電極10の長さを長くし、かつCu層13と共通端子14までの距離が100nmとなるように構成したものである。
以上説明したように、第2実施形態およびその変形例ならびに各実施例によれば、プリアンプ系にて再生可能で、且つ、小型化が可能でかつ外部の影響を受けにくい磁気ヘッドを提供することができる。
第3実施形態による磁気記録再生装置について説明する。
の外部リード端子P1、P2、P3が設けられている。また、スライダ400のABSには記録用の外部リード端子Q1、Q2が設けられるとともに、スライダの浮上量を調節するための外部リード端子R1、R2が設けられている。
10 非磁性ベース層(非磁性ベース電極)
12 スピン注入端子
12a 磁性層
12b 反強磁性層
14 共通端子
14a 磁性層
14b 反強磁性層
16 スピン検出端子
16a 磁性層
16b 反強磁性層
17a リード端子
17b リード端子
17c リード端子
30 電流源
31 抵抗
32 電圧計
300 プリアンプ
Claims (13)
- 非磁性ベース層と、前記非磁性ベース層が延在する方向における前記非磁性ベース層の対向する一対の端面のうち一方の端面の近傍に接合し、磁化の方向が可変な第1磁性層を含む第1端子と、前記非磁性ベース層が延在する前記方向に沿って前記第1端子から離れて設けられ前記非磁性ベース層に接合し、磁化の方向が固着された第2磁性層を含む第2端子と、前記非磁性ベース層が延在する前記方向に沿って前記第1端子から離れるとともに前記第2端子と離間して設けられ、前記非磁性ベース層に接合し、磁化の方向が前記第2磁性層の磁化方向と反平行に固着された第3磁性層を含む第3端子と、を備えた3端子非局所スピンバルブ素子と、
前記第1端子に接続する第1外部リード端子、前記第2端子に接続する第2外部端子、および前記第3端子に接続する第3外部端子を有するスライダと、
を備え、
動作時に前記第2外部リード端子から前記第2端子および前記非磁性ベース層を介して、前記第3端子に第1電流が通電されるとともに前記第1端子に前記第1電流よりも小さい第2電流が通電される磁気ヘッド。 - 前記第2端子の第2磁性層と前記非磁性ベース層との接合面積は、前記第1端子の第1磁性層と前記非磁性ベース層との接合面積の4倍以上である請求項1記載の磁気ヘッド。
- 前記第1乃至第3端子のそれぞれと、前記非磁性ベース層との間に非金属系高抵抗材料からなる界面層が更に設けられている請求項1または2記載の磁気ヘッド。
- 前記第1乃至第3端子は、前記非磁性ベース層の一方の面上に設けられた請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記第2および第3端子は、前記非磁性ベース層の一方の面上に設けられ、前記第1端子は、前記非磁性ベース層の他方の面上に設けられている請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記第1および第2端子は、前記非磁性ベース層の一方の面上に設けられ、前記第3端子は、前記第2端子に対向して前記非磁性ベース層の他方の面上に設けられている請求項1乃至3のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 前記第1端子および前記非磁性ベース層を間に挟むように設けられた第1および第2磁気シールドを更に備え、前記第1磁気シールドは前記第1端子に電気的に接続し、前記第2磁気シールドは前記第2および第3端子のうちのいずれか一方に電気的に接続する請求項1乃至6のいずれかに記載の磁気ヘッド。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の磁気ヘッドと、
前記第1外部リード端子と、前記第2外部リード端子および前記第3外部リード端子の内の一方の外部リード端子との間の電圧を検出するプリアンプと、
を備えた磁気記録再生装置。 - 前記プリアンプは、差動方式により電圧を検出する請求項8記載の磁気記録再生装置。
- 磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体と前記磁気ヘッドとが浮上または接触の状態で対峙しながら相対的に移動するように制御する移動制御部と、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体の所定記録位置に位置するように制御する位置制御部と、
前記磁気ヘッドを用いて前記磁気記録媒体への書き込み信号および前記磁気記録媒体からの読み出し信号を処理する信号処理部と、
を更に備え、前記信号処理部は前記プリアンプを備えている請求項8または9記載の磁気記録再生装置。 - 非磁性ベース層、絶縁性の界面層、および磁性層からなる積層膜を順次形成する工程と、
前記積層膜をパターニングし、第1部分および前記第1部分に接続する第2部分を形成する工程であって、前記第1部分は膜面に平行な第1方向の幅が前記第2部分の前記第1方向の幅よりも狭い、工程と、
前記第1および第2部分の前記磁性層をパターニングし、前記第1部分の前記界面層上にフリー層となる第1磁性層を形成するとともに、前記第2部分の前記界面層上に分離されたピン層となる第2および第3磁性層を形成する工程と、
を備えた磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第2および第3磁性層は、前記第1方向に並列して配置される請求項11記載の磁気ヘッドの製造方法。
- 前記第2および第3磁性層は、前記第1方向に直交する方向に並列して配置される請求項11記載の磁気ヘッドの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9437223B2 (en) | 2014-10-01 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element, method of manufacturing magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic recording and reading apparatus |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11282538B1 (en) | 2021-01-11 | 2022-03-22 | Seagate Technology Llc | Non-local spin valve sensor for high linear density |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008171945A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Hitachi Ltd | 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置 |
JP2009146512A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
JP2013020672A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2002050924A1 (ja) * | 2000-12-21 | 2004-04-22 | 富士通株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及びこれを用いる磁気再生装置 |
US7035059B2 (en) * | 2003-07-18 | 2006-04-25 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherland B.V. | Head with self-pinned structure having pinned layer extending beyond track edges of the free layer |
US7474094B2 (en) * | 2004-08-31 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Reorientation of magnetic layers and structures having reoriented magnetic layers |
KR101598542B1 (ko) * | 2009-01-13 | 2016-02-29 | 삼성전자주식회사 | 스핀 전계효과 트랜지스터를 이용한 논리소자 |
US8760817B2 (en) * | 2009-05-22 | 2014-06-24 | HGST Netherlands B.V. | Three-terminal design for spin accumulation magnetic sensor |
JP2012234602A (ja) | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
EP2610913A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-03 | Hitachi Ltd. | Spin-based device |
US20150001601A1 (en) * | 2012-02-14 | 2015-01-01 | Tdk Corporation | Spin injection electrode structure and spin transport element having the same |
US8711528B1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-04-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing |
US8717715B1 (en) | 2012-12-13 | 2014-05-06 | HGST Netherlands B.V. | Spin accumulation magnetic read sensor |
KR20140103771A (ko) * | 2013-02-19 | 2014-08-27 | 삼성전자주식회사 | 자기저항구조와 이를 포함하는 메모리소자 및 이들의 제조방법 |
JP6263344B2 (ja) | 2013-07-26 | 2018-01-17 | 株式会社東芝 | 磁気センサー装置、ハードディスクヘッド、および磁気記録再生装置 |
JP6226779B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-11-08 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ、磁気メモリ装置、及び磁気メモリの動作方法 |
JP5860105B1 (ja) * | 2014-08-01 | 2016-02-16 | 株式会社東芝 | スピンバルブ素子、ハードディスクヘッド、ハードディスクヘッドアセンブリ、および磁気記録再生装置 |
-
2014
- 2014-10-01 JP JP2014203327A patent/JP6437265B2/ja active Active
-
2015
- 2015-09-29 US US14/869,087 patent/US9653103B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008171945A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Hitachi Ltd | 磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置 |
JP2009146512A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 |
JP2013020672A (ja) * | 2011-07-11 | 2013-01-31 | Hitachi Ltd | 磁気記録再生装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9437223B2 (en) | 2014-10-01 | 2016-09-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive element, method of manufacturing magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic recording and reading apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160099015A1 (en) | 2016-04-07 |
US9653103B2 (en) | 2017-05-16 |
JP6437265B2 (ja) | 2018-12-12 |
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