JP2016068270A - サーマルヘッド - Google Patents

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Abstract

【課題】サーマルヘッドの印画品質を向上させる
【解決手段】サーマルヘッド10は、保温層22bの上面に形成され、主走査方向dmに間隔をおいて複数配列された発熱抵抗体23aと、隣り合う一対の発熱抵抗体23aの第1端を接続する折返電極28cと、一対の発熱抵抗体23aの第2端の一方に形成された個別電極28bと、発熱抵抗体23aの第2端の他方に形成された共通電極子線34と接続し個別電極28bよりも回路基板40に近接する位置に主走査方向dmに沿って形成され主走査方向の端部に電源が供給される共通電極28aの共通電極母線32と、共通電極28aの共通電極母線32の上面に主走査方向dmに沿って形成され、電流路の抵抗値を下げる補強バンプ群70と、共通電極28aの共通電極母線32の主走査方向dmの端部に配され電源を供給される共通電極ボンディングパッド27とを設ける。
【選択図】図1

Description

本発明は、サーマルプリンタなどに用いられるサーマルヘッドに関する。
サーマルヘッドは、感熱記録紙などの被印刷体が搬送される方向に直交する方向(主走査方向)に配列された複数の発熱抵抗体の発熱部を発熱させ、その熱により被印刷体に文字や図形などの画像を形成する出力用デバイスである。このサーマルヘッドは、バーコードプリンタ、デジタル製版機、ビデオプリンタ、イメージャ、シールプリンタなどの記録機器に広く利用されている。
一般的なサーマルヘッドは、放熱板と、放熱板に取り付けられた発熱体板と、発熱体板と同じ側で放熱板に取り付けられた回路基板とを備えている。この発熱体板の放熱板と相対する表面の反対側の表面の帯状に延びる発熱領域には、発熱抵抗体が所定の間隔で直線状に配列されている。また、発熱抵抗体を駆動する駆動回路の一部となる駆動IC(Integrated Circuit)は、たとえば回路基板に搭載されている(たとえば特許文献1参照)。
特開2012−66476号公報
このようなサーマルヘッドにおいては、発熱領域の主走査方向の一端から他端までに亘って印画濃度を均一化させ、印画品質を向上することが望まれている。
そこで、本発明は、サーマルヘッドの印画品質を向上させることを目的とする。
上述の課題を解決するため、本発明は、サーマルヘッドにおいて、放熱板と、前記放熱板の上面に載置された回路基板と、前記回路基板に隣接して前記放熱板の上面に載置された絶縁基板であって、前記絶縁基板の上面に形成された保温層と、前記保温層の上面に形成され、主走査方向に間隔をおいて複数配列された発熱抵抗体と、隣り合う一対の前記発熱抵抗体の第1端を接続する折返電極と、前記一対の発熱抵抗体の第2端の一方に形成された個別電極と、前記発熱抵抗体の第2端の他方に形成された共通電極子線と接続し前記個別電極よりも前記回路基板に近接する位置に主走査方向に沿って形成された共通電極母線とを有する絶縁基板と、前記共通電極母線の上面に主走査方向に沿って形成され、電流路の抵抗値を下げる補強バンプ群と、前記共通電極母線の主走査方向の端部に配され電源を供給される電源端子と、前記保温層の上方に形成された保護層と、前記回路基板に搭載され前記発熱抵抗体を駆動する駆動ICと、前記個別電極と前記駆動ICとを接続するボンディングワイヤと、を具備することを特徴とする。
本発明によれば、サーマルヘッドの印画品質を向上させることができる。
本発明に係るサーマルヘッドの一実施の形態における一部切欠き上面図である。 本発明に係るサーマルヘッドの一実施の形態を説明するための図であって、図1のY−Y'矢視断面図である。 本発明に係るサーマルヘッドの部分上面図である。 本発明に係るサーマルヘッドの一実施の形態を説明するための図であって、図3のX−X'矢視断面図である。 従来のサーマルヘッドを説明するための図であって、(a)は部分上面図、(b)はそのX−X'矢視断面図である。
本発明に係るサーマルヘッドの実施の形態を、図面を参照して説明する。この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれに限定されない。
なお、図1乃至図5では、矢印dsの方向が、被印刷体を搬送する方向(副走査方向)を表し、矢印dmの方向が、被印刷体を搬送する方向に直交し発熱抵抗体23aが間隔をおいて複数配列され発熱領域24が延びる方向(主走査方向)を表している。
図1、図2、図3および図4に示すように、本実施の形態のサーマルヘッド10は、たとえば発熱体板20、回路基板40および放熱板30を有している。発熱体板20は、回路基板40に対し、被印刷体が搬送される方向における搬送方向下流側に隣接して放熱板30に載置されている。放熱板30は、たとえばアルミニウムなどの金属で形成された板である。
発熱体板20には帯状に延びる発熱領域24が形成されている。発熱領域24に所定の発熱パターンを形成するための制御信号や駆動電力は、回路基板40に入力され、さらにボンディングワイヤ44を介して、回路基板40と電気的に接続された発熱体板20に入力される。
発熱体板20は、支持基板22と、発熱抵抗体層23と、電極28と、補強バンプ群70と、保護層29とを有している。
支持基板22は、たとえばアルミナ(Al)などのセラミックの絶縁板22aと、この絶縁板22aの上面に層状に形成されたグレーズ層と称される保温層22bとを有している。保温層22bは、たとえば酸化珪素(SiO)で形成される。
発熱抵抗体層23は、保温層22bの上面の一部に層状に、たとえばTaSiOなどのサーメットで形成される。発熱抵抗体層23は、発熱抵抗体23aが主走査方向dmに間隔をおいて複数配列される。
電極28は、たとえばアルミニウム(Al)で形成された共通電極28a、個別電極28bおよび折返電極28cにより構成される。電極28と発熱抵抗体層23とは、たとえば酸窒化珪素(SiON)で形成された保護層29で覆われる。
共通電極28aの共通電極子線34と個別電極28bとは、発熱抵抗体23aの上面に層状に、主走査方向dmに交互に形成される。共通電極28aの複数の共通電極子線34は、発熱体板20における回路基板40に近接する端部付近において、発熱体板20の主走査方向dmの一端側から他端側に亘って延びる共通電極母線32と互いに接続している。この共通電極母線32は、副走査方向ds方向の幅である共通部幅W1が約300μmに、厚さは約0.8μmに形成されている。
折返電極28cはU字型の形状であり、発熱抵抗体層23の上面に層状に、発熱体板20における回路基板40から離隔する端部付近に形成されている。
共通電極28aの共通電極子線34の搬送方向下流側における端部(発熱抵抗体23aの第2端の他方)と、折返電極28cの搬送方向上流側における一端(発熱抵抗体23aの第1端の他方)とは、発熱抵抗体長となる所定長さの間隙を副走査方向dsから挟むよう対向して配置される。
同様に折返電極28cの搬送方向上流側における他端(発熱抵抗体23aの第1端の一方)と、個別電極28bの搬送方向下流側における端部(発熱抵抗体23aの第2端の一方)とは、所定長さの間隙を副走査方向dsから挟むよう対向して配置される。これにより折返電極28cは、主走査方向dmに隣り合う一対の発熱抵抗体23aを導通接続している。
共通電極28aを流れてきた電流は、共通電極28aの共通電極子線34と折返電極28cとの間隙部分に位置する発熱抵抗体23aと、個別電極28bと折返電極28cとの間隙部分に位置する発熱抵抗体23aとを通ることになるため、サーマルヘッド10が被印刷体に印画する際に発熱する発熱部23bとなる。この発熱部23bは、主走査方向dmに間隔をおいて配列されて、主走査方向dmに延びる発熱領域24を形成する。
個別電極28bのボンディングパッドである個別電極ボンディングパッド26には、たとえば金(Au)で形成された直径20〜30μmのボンディングワイヤ44の一端が接続され、その他端は回路基板40上の駆動IC42と接続される。共通電極28aは、共通電極母線32の主走査方向dmの一端および他端に設けられた共通電極ボンディングパッド27に接続されたボンディングワイヤを介して、回路基板40に設けられた図示しない電源供給部から駆動電力が供給される。共通電極ボンディングパッド27に接続されたボンディングワイヤは、個別電極28bの個別電極ボンディングパッド26に接続されたボンディングワイヤ44と接触しないように電源供給部と接続される。駆動IC42およびボンディングワイヤ44は、樹脂48で封止される。
共通電極28aの共通電極母線32には、共通電極母線32の電気抵抗値を下げるように補強する補強突起群としての補強バンプ群70が形成されている。補強バンプ群70は、複数の補強バンプ72がライン状に並んだ補強バンプ列74が、副走査方向dsに所定の間隔を空けて2列配列されることにより構成されている。補強バンプ列74は、補強バンプ72が互いに根本部分を接触させつつ主走査方向dmに沿って共通電極母線32の主走査方向dmの一端から他端までに亘って直線状にたとえば約120個並設されている。また補強バンプ列74は、ほぼ同一の大きさの複数の補強バンプ72が、隣り合う補強バンプ72の中心同士の間隔が主走査方向dmに沿って一定となるよう、規則的に配置されている。この補強バンプ群70の上面は、樹脂48で覆われるものの、保護層29では覆われていない。
この補強バンプ72は、ボンディングワイヤ44と同様に金で形成された直径(バンプ径A1)が約70μmの略円錐台形状のバンプであり、共通電極母線32の上面に対する補強バンプ72の上端部の高さであるバンプ高さH1は、約35μmとなっている。ここで、副走査方向dsに隣り合う補強バンプ列74同士の間の距離である副走査方向バンプ間隔D1は、約100μmとなっている。
共通電極ボンディングパッド27から共通電極母線32の主走査方向dmの中央に向かって電流が流れると、電流は共通電極母線32と補強バンプ列74とに一旦分流し、その後合流する。このように補強バンプ群70は、共通電極ボンディングパッド27から主走査方向dmの中央に向かって流れる電流をジャンピングさせる。このためサーマルヘッド10は、共通電極ボンディングパッド27から主走査方向dmの中央に向かって電流が流れる際の電流路の抵抗値を下げることができ、電流の減衰を抑止できる。また補強バンプ72は、主走査方向dmに沿って規則的にボンディングされて延在しているため、サーマルヘッド10は、主走査方向dmに沿って共通電極母線32における電圧をほぼ均等にすることができる。
ここで、本実施の形態におけるサーマルヘッド10の製造方法について説明する。
本実施の形態におけるサーマルヘッド10の製造方法では、まず、アルミナなどから成る絶縁板22aの上面に酸化珪素などから成る保温層22bを固着させる。
次に保温層22bの上面にTaSiOなどのサーメットでなる発熱抵抗体層23をスパッタリングなどにより固着させる。その後、アルミニウムなどの導電性材料をスパッタリングなどにより全面に固着させる。
次に、発熱抵抗体23aが電極28の下面に配列されるように、エッチングにより発熱抵抗体層23および導電性材料をパターニングする。
その後、電極28、発熱部23bおよび保温層22bを覆いつつ、共通電極28aの共通電極ボンディングパッド27部分と、補強バンプ群70と、個別電極28bの個別電極ボンディングパッド26部分とを除くように、酸窒化珪素などの保護層29をスパッタリングなどにより全面に固着させる。
次に、共通電極28aの共通電極母線32の上面に複数の補強バンプ72を超音波ボンディングで接着することにより、補強バンプ群70を形成する。この超音波ボンディングは、具体的には、金ワイヤの先端を超音波振動により共通電極母線32に接着した後に当該金ワイヤを切断して導電性の突起であるバンプを形成する工程である。
このようにして形成された発熱体板20を、回路基板40とともに放熱板30に載置する。また、発熱体板20と回路基板40とをボンディングワイヤ44で結線し、さらにボンディングワイヤ44による結線部を樹脂48で封止することなどにより、サーマルヘッド10が製造される。
ところで、サーマルヘッド10のように、発熱体板20ではなく回路基板40上に駆動IC42が載置され、発熱体板20において主走査方向dmに延びるよう形成された共通電極28aを用いる場合、駆動IC42が発熱体板20に載置されていないため、発熱体板20に駆動IC42が載置されている場合と比較して当該発熱体板20の副走査方向dsの幅を短縮できるものの、図5に示す発熱体板120のように、ボンディングワイヤ44が存在するために共通電極28aの主走査方向dmの両端部における共通電極ボンディングパッド(図示せず)にしかボンディングワイヤを介して駆動電力を供給できなかった。
このため従来のサーマルヘッドにおいては、共通電極ボンディングパッドに印加された電圧が、共通電極28aの共通電極母線32の主走査方向dmの中央部に向かうに連れて共通電極母線32の抵抗により降下してしまい、発熱抵抗体に流れる電流が少なくなってしまう。よって従来のサーマルヘッドにおいては、主走査方向dmの中央部の方が両端部よりも印画濃度が薄くなってしまい、印画濃度が均一にならない可能性があった。
このように従来のサーマルヘッドにおいては、主走査方向dmに沿って電圧降下が生じ、印画濃度が均一にならないため、発熱領域24の主走査方向dmの一端から他端までに亘って印画濃度を均一化させることが困難であった。
これに対しサーマルヘッド10は、共通電極28aにおける共通電極母線32において、主走査方向dmに並設する補強バンプ72でなる補強バンプ列74が副走査方向dsに沿って所定の間隔を空けて配列された補強バンプ群70を設けるようにした。
このためサーマルヘッド10は、共通電極ボンディングパッド27から主走査方向dmの中央に向かって流れる電流を補強バンプ群70でジャンピングさせて並列に分流させ、電源を補強して主走査方向dmに沿った電圧降下を防ぐことにより、共通電極28aの共通電極母線32の主走査方向dmに亘って一端から他端まで電位を安定化でき、全ての発熱抵抗体23aに流れる電流をほぼ均一にすることができる。
これによりサーマルヘッド10は、発熱領域24の主走査方向dmの一端から他端までに亘って印画濃度を均一化させ、印画品質を向上できる。
またサーマルヘッド10は、アルミニウムよりも導電率が高い材質である金で形成された補強バンプ72を共通電極母線32に接続するようにしたため、共通電極母線32と同じアルミニウムで補強バンプ72を形成する場合と比べて、共通電極ボンディングパッド27から主走査方向dmの中央部に向かってより電流を流し易くすることができる。
さらにサーマルヘッド10は、主走査方向dmに沿って延在する補強バンプ列74を、副走査方向dsに副走査方向バンプ間隔D1を空けて2列配列するようにしたため、1列だけ補強バンプ列74を形成する場合と比べて、より電流を流し易くすることができる。
さらにサーマルヘッド10は、共通電極母線32の主走査方向dmの一端から他端までに亘って補強バンプ列74を延在させるようにしたため、共通電極母線32の主走査方向dmに亘って一端から他端まで電位を安定化できる。
また共通電極母線32は、共通部幅W1が約300μmに形成されているため、非常に幅が狭いが、補強バンプ72は、バンプ径A1が約70μmのバンプであるため、そのように幅が狭い共通電極母線32であっても上面に補強バンプ列74を2列配列させることができる。
さらにサーマルヘッド10は、個別電極ボンディングバッド26と回路基板40とに挟まり、上方をボンディングワイヤ44が通過するため、絶縁板22aの上面に設置する副走査方向dsの幅に制約がある。このためサーマルヘッド10は、個別電極28bよりも回路基板40に近接する位置に共通電極母線32を設ける構成であるために共通部幅W1が約300μmと狭く、さらに共通電極母線32の厚さが約0.8μmと薄く形成されているため、当該共通電極母線32は電流路の抵抗値が高くなっている。このような構成のサーマルヘッド10において、共通電極母線32の上面に導電性の層を追加することにより電流路の抵抗値を下げることは、製造上困難である。本実施の形態のサーマルヘッド10は、そのような場合であっても共通電極母線32の電流路の抵抗値を下げることができ、有用である。
ところで、共通電極母線32の主走査方向dmに亘って一端から他端まで電位を安定化させる構成としては、一端が共通電極母線32と超音波ボンディングで接続され主走査方向dmに沿って共通電極母線32から上方へ浮いて延び、他端が共通電極母線32と超音波ボンディングで再び接続される補強ボンディングワイヤを用いる場合も考えられる。しかしながらそのようなサーマルヘッドの場合、共通電極母線32に対する補強ボンディングワイヤの上端部の高さが最大で50μm程度必要となるため、補強ボンディングワイヤとボンディングワイヤ44とが接触する可能性がある。補強ボンディングワイヤとボンディングワイヤ44とが接触してしまうと、共通電極母線32と個別電極28bとが短絡してしまう。
これに対し本実施の形態のサーマルヘッド10においては、ワイヤではなく、バンプである補強バンプ72を用いているため、バンプ高さH1を35μm程度に抑えることができ、補強バンプ72とボンディングワイヤ44とが接触する可能性を低くすることができる。
また補強ボンディングワイヤの場合、ワイヤの一端および他端が超音波ボンディングで共通電極母線32に接続されるため、一端から他端までは主走査方向dmに沿ってある程度の距離を要する。これに対し本実施の形態のサーマルヘッド10においては、ワイヤではなくバンプである補強バンプ72を用いているため、当該補強バンプ72を互いに接触させつつ主走査方向dmに沿って細かく配置できる。
このように本実施の形態のサーマルヘッド10においては、放熱板30の上面に載置された回路基板40と、回路基板40に対し、副走査方向dsに隣接して放熱板30の上面に載置された絶縁板22aと、絶縁板22aの上面に形成された保温層22bと、保温層22bの上面に形成され、主走査方向dmに間隔をおいて複数配列された発熱抵抗体23aと、隣り合う一対の発熱抵抗体23aの第1端を接続する折返電極28cと、折返電極28cの一端と間隙を設け、一対の発熱抵抗体23aの第2端の一方に形成された個別電極28bと、折返電極28c他端と間隙を設け、発熱抵抗体23aの第2端の他方に形成された共通電極子線34と接続し個別電極28bよりも回路基板40に近接する位置に主走査方向dmに沿って形成され主走査方向の端部に電源が供給される共通電極28aの共通電極母線32と、共通電極28aの共通電極母線32の上面に主走査方向dmに沿って形成され、電流路の抵抗値を下げる補強バンプ群70と、共通電極28aの共通電極母線32の主走査方向dmの端部に配され電源を供給される共通電極ボンディングパッド27と、保温層22bの上面に形成された保護層29と、回路基板40に搭載され発熱抵抗体23aを駆動する駆動IC42と、個別電極28bと駆動IC42とを接続するボンディングワイヤ44とを設けるようにした。
なお、上述したサーマルヘッド10においては、補強バンプ72は金により形成されたが、これに限らず、たとえば銀(Ag)、銅(Cu)またはアルミニウムなど、たとえばアルミニウムで形成された共通電極28aの共通電極母線32にボンディングで接続可能であり導電性を有する種々の材質で構成しても良い。ただし、サーマルヘッド10においては、既にボンディングワイヤ44を使用しているため、当該ボンディングワイヤ44と同様のワイヤを補強バンプ72として流用した場合、新たなワイヤを用意する必要がない。
また、上述したサーマルヘッド10においては、補強バンプ群70は、主走査方向dmに延在する補強バンプ列74が副走査方向dsに間隔を空けて2列配列されたが、これに限らず、補強バンプ列74が副走査方向dsに間隔を空けて3列以上の列数だけ配列されても良く、または1列のみ配列されていても良い。
さらに、上述したサーマルヘッド10においては、補強バンプ列74は、主走査方向dmに沿って複数の補強バンプ72を直線状に配置したが、これに限らず、Z字状に直線が複数回折れ曲がっている、いわゆるジグザグ状など、ほぼ主走査方向dmに沿って補強バンプ72を種々の方法で配置して良い。
さらに、上述したサーマルヘッド10においては、補強バンプ列74は、主走査方向dmに沿って複数の補強バンプ72を互いの根本部分が接触するように配置したが、これに限らず、主走査方向dmに隣り合う補強バンプ72が互いに接触しないよう間隔を空けて配置しても良い。
さらに、上述したサーマルヘッド10においては、補強バンプ列74は、複数の補強バンプ72の中心同士の間隔が一定になるよう主走査方向dmに沿って補強バンプ72を配置したが、これに限らず、たとえば共通電極母線32における主走査方向dmの端部においては主走査方向dmに沿う密度を疎にし、主走査方向dmの中央部においては主走査方向dmに沿う密度を密にするなど、主走査方向dmの位置よって種々の密度で補強バンプ72を配置して良い。
また、上述したサーマルヘッド10においては、補強バンプ72を略円錐台形状としたが、これに限らず、円柱形状や球状など、種々の形状であって良い。
このように、補強バンプ群70における補強バンプ72の直径、高さ、形状や配置、補強バンプ列74の長さ、列数や配置などは、種々であって良いが、主走査方向dmに沿って印画濃度を均一にするため、規則的に並んで配置されていることが望ましい。
さらに、補強バンプ72の材質に応じて、補強バンプ群70における補強バンプ72の直径、高さ、形状や配置、補強バンプ列74の長さ、列数や配置などを設定することが望ましい。
要は補強バンプ群70は、共通電極ボンディングパッド27から主走査方向dmの中央に向かって流れる電流を共通電極母線32中において分流することができれば良い。
さらに、共通電極28aの共通電極母線32において主走査方向dmに沿って予め測定した抵抗値に応じて、想定される電圧効果を相殺するよう、共通電極母線32内での位置によって補強バンプ72それぞれの直径、高さ、形状、配置や材質を変化させたり、補強バンプ72の列数や配置を変化させたりしても良い。
さらに、上述したサーマルヘッド10においては、2列の補強バンプ列74により補強バンプ群70を形成したが、これに限らず、1列の補強バンプ列74と、上述した補強ボンディングワイヤが主走査方向dmに沿って複数個並設された1列の補強ボンディングワイヤ列とを形成しても良い。その場合、補強ボンディングワイヤ列においては、共通電極母線32の主走査方向dmの両端部には補強ボンディングワイヤを形成せず、中央部のみに補強ボンディングワイヤを形成しても良い。
さらに、上述したサーマルヘッド10においては、主走査方向dmに一列に個別電極ボンディングパッド26が並ぶ構成に本発明を適用したが、これに限らず、規則的に副走査方向dsに位置が変わりながら主走査方向dmに個別電極ボンディングパッドが並ぶ構成に本発明を適用しても良い。
10……サーマルヘッド、20,120……発熱体板、22……支持基板、22a……絶縁板、22b……保温層、23……発熱抵抗体層、23a……発熱抵抗体、23b……発熱部、24……発熱領域、26……個別電極ボンディングパッド、27……共通電極ボンディングパッド、28……電極、28a……共通電極、28b……個別電極、28c……折返電極、29……保護層、30…放熱板、32……共通電極母線、34……共通電極子線、40…回路基板、42…駆動IC、44…ボンディングワイヤ、48…樹脂、70……補強バンプ群、72……補強バンプ、74……補強バンプ列、dm……主走査方向、ds……副走査方向

Claims (7)

  1. 放熱板と、
    前記放熱板の上面に載置された回路基板と、
    前記回路基板に隣接して前記放熱板の上面に載置された絶縁基板であって、
    前記絶縁基板の上面に形成された保温層と、
    前記保温層の上面に形成され、主走査方向に間隔をおいて複数配列された発熱抵抗体と、
    隣り合う一対の前記発熱抵抗体の第1端を接続する折返電極と、
    前記一対の発熱抵抗体の第2端の一方に形成された個別電極と、
    前記発熱抵抗体の第2端の他方に形成された共通電極子線と接続し前記個別電極よりも前記回路基板に近接する位置に主走査方向に沿って形成された共通電極母線と
    を有する絶縁基板と、
    前記共通電極母線の上面に主走査方向に沿って形成され、電流路の抵抗値を下げる補強バンプ群と、
    前記共通電極母線の主走査方向の端部に配され電源を供給される電源端子と、
    前記保温層の上方に形成された保護層と、
    前記回路基板に搭載され前記発熱抵抗体を駆動する駆動ICと、
    前記個別電極と前記駆動ICとを接続するボンディングワイヤと、
    を具備することを特徴とするサーマルヘッド。
  2. 前記補強バンプ群は、導電性の突起であり前記共通電極母線に接続された補強バンプがほぼ主走査方向に沿って配置された補強バンプ列により構成されていることを特徴とする請求項1に記載のサーマルヘッド。
  3. 前記補強バンプ群は、複数の前記補強バンプが主走査方向に沿って規則的に配置されていることを特徴とする請求項2に記載のサーマルヘッド。
  4. 前記補強バンプ列は、複数の前記補強バンプがほぼ主走査方向に沿って互いに接触し配置されていることを特徴とする請求項3に記載のサーマルヘッド。
  5. 前記補強バンプ群は、前記補強バンプ列が、前記主走査方向と直交する副走査方向に所定の間隔を空けて複数配列されていることを特徴とする請求項2に記載のサーマルヘッド。
  6. 前記補強バンプは、前記ボンディングワイヤと同一のものが用いられることを特徴とする請求項2に記載のサーマルヘッド。
  7. 前記共通電極母線はアルミニウムにより構成され、前記補強バンプは、金により構成されることを特徴とする請求項2に記載のサーマルヘッド。
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