JP2016063018A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】AMB基板1と、前記AMB基板1に電気的に接続された半導体チップ11と、前記半導体チップ11と電気的に接続された外部端13子と、前記AMB基板1、前記半導体チップ11、前記外部端子13の一部を着色剤と酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有する赤色樹脂組成物15aで封止する。この赤色樹脂組成物15aを封止樹脂15に用いることで退色を防止することができる。
【選択図】 図1
Description
上記のように、従来の半導体装置500は、製品に特長を出すため封止樹脂30の色をさまざまに変える要望がある。
導体装置およびその製造方法を提供することである。
着色剤と酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有した粉体状の樹脂組成物で前記モジュール構造体を封止している樹脂組成物上に粉体塗装する。粉体状の樹脂組成物に酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有させることで、退色防止を図ることができる。
前記モジュール構造体を収納し液状の樹脂組成物を注型する金型の内面に酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有した離型剤を塗布し、液状の樹脂組成物が硬化するときに酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を硬化した樹脂組成物に浸透させ前記硬化した樹脂組成物の表面に浸透層を形成する。浸透層に酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有させることで、退色防止を図ることができる。
(実施例1)
図1は、この発明に係る第1実施例の半導体装置100の要部断面図である。半導体装置100は、樹脂封止構造(樹脂モールド)を有するパワー半導体モジュールである。
(実施例2)
図2は、この発明に係る第2実施例の半導体装置200の要部断面図である。図1との違いは、封止樹脂15がナチュラル樹脂組成物15dの表面を赤色着色剤とポリフェノール化合物とモノスルフィド化合物が添加した赤色樹脂組成物15bで粉体塗装した行った点である。封止樹脂15の表面層のみが着色される。200℃、100hのバーンイン試験前後で半導体装置200の外観色の変化は認められなかった。つまり、半導体装置200は退色を防止することができる。尚、ナチュラル樹脂組成物15は着色剤を添加しない樹脂組成物のことである。
(実施例3)
図3は、この発明に係る第3実施例の半導体装置300の要部断面図である。図1との違いは、封止樹脂15は、赤色着色剤を含有した赤色樹脂組成物15eと、その表面がポリフェノール化合物とモノスルフィド化合物を浸透させた浸透層15cで構成されている点である。ポリフェノール化合物とモノスルフィド化合物を浸透させた浸透層15cで赤色樹脂組成物15eが被覆されているので、200℃、100hのバーンイン試験前後で半導体装置300の外観色の変化は認められなかった。つまり、半導体装置300は退色を防止することができる。
(比較例)
図10は、半導体装置100〜300との比較例を示す半導体装置400の要部断面図である。図1との違いは、封止樹脂15に退色防止剤を添加しない赤色樹脂組成物15aを用いた点である。200℃、100hのバーンイン後で半導体装置400の外観色は、バーンイン前に比べて黒褐色化した。
(実施例4)
図4〜図6は、この発明に係る第4実施例の半導体装置100の製造方法であり、工程順に示した要部製造工程断面図である。
(実施例5)
図8は、この発明に係る第5実施例の半導体装置200の製造方法であり、(a)〜(c)は工程順に示した要部製造工程図である。
(実施例6)
図9は、この発明に係る第6実施例の半導体装置300の要部製造工程断面図である。図7との違いは、予め金型23にポリフェノール化合物とモノスルフィド化合物を添加した離型剤26を塗布した点である。
2 セラミック板
3,4 厚銅板
5 絶縁回路基板
6 絶縁板
7,8 銅板
9 銅ピン
10,12,14 はんだ
11 半導体チップ
13 外部端子
15,30 封止樹脂
15a,15b,15e 赤色樹脂組成物
15c 浸透層
15d ナチュラル樹脂組成物
20 モジュール構造体
21 容器
22 液状の赤色樹脂組成物
23 金型
24 硬化した赤色樹脂組成物
25 粉体状の赤色樹脂組成物
26 離型剤
100,200,300,400,500 半導体装置
Claims (11)
- AMB基板と、
前記AMB基板に電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップと電気的に接続された外部端子と、
前記AMB基板、前記半導体チップ、前記外部端子の一部を封止し、着色剤、酸化阻害物質およびメイラード反応阻害物質を含有する樹脂組成物と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - AMB基板と、
前記AMB基板に電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップと電気的に接続された外部端子と、
前記AMB基板、前記半導体チップ、前記外部端子の一部を封止し、表面層に着色剤と酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有する樹脂組成物と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - AMB基板と、
前記AMB基板に電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップと電気的に接続された外部端子と、
前記AMB基板、前記半導体チップ、前記外部端子の一部を封止し、表面層に酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有する浸透層を有する樹脂組成物と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記樹脂組成物が、エポキシ樹脂、マレイミド変性エポキシ樹脂、マレイミド変性フェノール樹脂、マレイミド樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記着色剤が、アゾ染料もしくはアゾ顔料であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記酸化阻害物質が、ポリフェノールであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記メイラード反応阻害物質が、モノスルフィドであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記ポリフェノールが、レスベラトロールであることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
無添加の液状の樹脂組成物に着色剤と酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有させる工程と
添加後の液状の樹脂組成物で、前記AMB基板、前記半導体チップ、前記外部端子を備えるモジュール構造体を被覆し、硬化させて樹脂組成物で封止された半導体装置を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
着色剤と酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を含有した粉体状の樹脂組成物で前記モジュール構造体を封止している樹脂組成物上に粉体塗装することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記モジュール構造体を収納し液状の樹脂組成物を注型する金型の内面に酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質とを含有した離型剤を塗布し、液状の樹脂組成物が硬化するときに酸化阻害物質とメイラード反応阻害物質を硬化した樹脂組成物に浸透させ前記硬化した樹脂組成物の表面に浸透層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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