JP2016058737A - セラミック配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ａｕめっき層におけるめっき液の染み出し及びそれに伴うＡｕめっき層の変色を抑制でき、電子部品の実装性に優れたセラミック配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミック配線基板１の製造方法は、セラミックからなり、表面１１１及び裏面１１２を有する基板本体１１と、基板本体１１の表面１１１に配置されるメタライズ層１２と、を同時焼成により形成する同時焼成工程と、メタライズ層１２上にＮｉめっき層１３を形成するＮｉめっき処理工程と、Ｎｉめっき層１３上にＰｄめっき層１４を形成するＰｄめっき処理工程と、Ｐｄめっき層１４上にＡｕめっき層１５を形成するＡｕめっき処理工程と、を順に行う。Ｎｉめっき処理工程には、Ｎｉめっき層１３に含まれ、厚みが５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層１３１を形成するＮｉ−Ｐめっき処理工程が含まれる。Ｐｄめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１上にＰｄめっき層１４を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、セラミック配線基板の製造方法に関する。

従来、半導体チップ等の電子部品が実装されるセラミック配線基板が知られている。セラミック配線基板としては、例えば、セラミックからなる基板本体上にメタライズ層を設け、さらにメタライズ層上にＮｉめっき層（Ｎｉ−Ｐめっき層等）、Ａｕめっき層を順に設けたものがある。なお、「Ｎｉ」はニッケル、「Ｐ」はリン、「Ａｕ」は金である。

前記構成のセラミック配線基板は、メタライズ層上に設けためっき層（具体的にはＡｕめっき層）に電子部品が実装される。ところが、ワイヤボンディング法、フリップチップ法等の実装方法では、熱処理が必要となる。この場合、熱処理の際に、Ｎｉめっき層のＮｉ成分がＡｕめっき層中に熱拡散し、Ａｕめっき層の表面が変色すると共に電子部品の実装性が低下することがある。

そこで、特許文献１には、基板本体上に設けたメタライズ層上に、Ｎｉめっき層（下地Ｎｉめっき層、層状Ｎｉ−Ｐめっき層）、拡散防止めっき層（柱状Ｎｉ−Ｐめっき層、Ｐｄ−Ｐめっき層、Ｐｄめっき層等）、Ａｕめっき層を順に設けたセラミック配線基板が開示されている。このセラミック配線基板は、Ｎｉめっき層とＡｕめっき層との間に拡散防止めっき層を設けることにより、Ｎｉめっき層のＮｉ成分がＡｕめっき層中に熱拡散することを抑制しようとするものである。なお、「Ｐｄ」はパラジウムである。

特開２００８−３１１３１６号公報

しかしながら、前記特許文献１のセラミック配線基板では、次のような問題がある。例えば、基板本体とメタライズ層とを同時焼成（コファイア法）により形成した場合、メタライズ層の表面は、微細な凹凸を有する粗面となる。そのため、メタライズ層の表面にめっき処理（例えばＮｉめっき処理等）を行うと、そのめっき液がメタライズ層の表面に残留することがある。これにより、Ａｕめっき処理後、メタライズ層の表面に残留しためっき液がＮｉめっき層及び拡散防止めっき層を通り抜け、Ａｕめっき層の内部から表面に染み出し、Ａｕめっき層の表面が変色すると共に電子部品の実装性が低下する場合がある。

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、Ａｕめっき層におけるめっき液の染み出し及びそれに伴うＡｕめっき層の変色を抑制でき、電子部品の実装性に優れたセラミック配線基板の製造方法を提供しようとするものである。

本発明の一の態様におけるセラミック配線基板の製造方法は、セラミックからなり、表面及び裏面を有する基板本体と、基板本体の表面及び裏面の少なくとも一方に配置されるメタライズ層と、を同時焼成により形成する同時焼成工程と、メタライズ層上にＮｉめっき層を形成するＮｉめっき処理工程と、Ｎｉめっき層上にＰｄめっき層を形成するＰｄめっき処理工程と、Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成するＡｕめっき処理工程と、を順に行い、Ｎｉめっき処理工程には、Ｎｉめっき層に含まれ、厚みが５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層を形成するＮｉ−Ｐめっき処理工程が含まれ、Ｐｄめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｐめっき層上にＰｄめっき層を形成する。

上記セラミック配線基板の製造方法によれば、同時焼成工程において、基板本体とメタライズ層とを同時焼成により形成する。そして、Ｎｉめっき処理工程（Ｎｉ−Ｐめっき処理工程を含む）において、メタライズ層上に、厚み５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層を含むＮｉめっき層を形成する。そのため、Ａｕめっき処理工程後、メタライズ層の表面に残留しためっき液がＡｕめっき層の表面に染み出すことをＮｉ−Ｐめっき層によって抑制できる。これにより、めっき液の染み出しによるＡｕめっき層の変色を抑制でき、電子部品の実装性を高めることができる。

また、Ｎｉめっき処理工程、Ｐｄめっき処理工程、Ａｕめっき処理工程を順に行うことにより、Ｎｉめっき層とＡｕめっき層との間に、Ｐｄめっき層が形成されることになる。そのため、例えば、電子部品を実装する際に（具体的には熱処理の際に）、Ｎｉめっき層のＮｉ成分がＡｕめっき層中に熱拡散することをＰｄめっき層によって抑制できる。さらに、Ｐｄめっき層を形成することによって耐熱性を高めることができる。これにより、電子部品の実装性を向上させることができる。

このように、本発明によれば、Ａｕめっき層におけるめっき液の染み出し及びそれに伴うＡｕめっき層の変色を抑制でき、電子部品の実装性に優れたセラミック配線基板の製造方法を提供することができる。

また、上記セラミック配線基板の製造方法において、上述のとおり、Ｎｉ−Ｐめっき層の厚みは、５μｍ以上である。Ｎｉ−Ｐめっき層の厚みが５μｍ未満の場合には、Ａｕめっき層におけるめっき液の染み出し及びそれに伴うＡｕめっき層の変色を十分に抑制できない。一方、Ｎｉ−Ｐめっき層の厚みが厚くなりすぎると、Ｎｉ−Ｐめっき層（Ｎｉ−Ｐめっき皮膜）の内部応力によってメタライズ層に損傷を与えるおそれがあるため、このような問題が生じない厚みとすることが好ましい。

また、Ｐｄめっき層は、純Ｐｄめっき層であってもよい。ここで、純Ｐｄめっき層とは、純Ｐｄ（例えば純度が９９．９質量％以上）からなるめっき層であり、Ｐｄ合金からなるＰｄ合金めっき層ではない。この場合には、めっき浴の経時安定性が高く、Ｐｄめっき層の品質向上を図ることができる。また、めっき液の長期間の使用が可能となり、コスト低減を図ることができる。

また、Ｎｉめっき処理工程には、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程の前において、メタライズ層上に、Ｎｉめっき層に含まれるＮｉ−Ｂめっき層を形成するＮｉ−Ｂめっき処理工程がさらに含まれ、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｂめっき層上にＮｉ−Ｐめっき層を形成するようにしてもよい。この場合には、基板本体とメタライズ層とを例えば高温で同時焼成し、メタライズ層上にＮｉ−Ｂめっき層を形成することにより、メタライズ層に対するＮｉめっき層の密着性を高めることができる。なお、「Ｂ」はホウ素である。

また、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程とＮｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行い、熱処理は、Ｎｉ−Ｂめっき層に対して行うようにしてもよい。すなわち、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程後に、Ｎｉ−Ｂめっき層に対して熱処理を施してもよい。Ｎｉ−Ｂめっき層の組成は、純Ｎｉに近いため、融点が高く、高温の熱処理を施すことが可能である。よって、メタライズ層に対するＮｉめっき層の密着性をより十分に高めることができる。

また、上述したように、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程とＮｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行うようにしてもよい。すなわち、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程後に熱処理を施さないようにしてもよい。例えば、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程後に熱処理を施し、メタライズ層の表面に残留しているめっき液を除去する工程を行うと、Ｎｉ−Ｐめっき層上に設けたＰｄめっき層及びＡｕめっき層の外観にムラが生じる。したがって、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程後に熱処理を施さないことにより、上述の問題が発生しないようにすることができる。

ここで、「Ｎｉ−Ｂめっき処理工程とＮｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行う」とは、セラミック配線基板を製造する過程において、「Ｎｉ−Ｂめっき処理工程とＮｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行う」ことをいい、例えば、セラミック配線基板を製造した後、セラミック配線基板に電子部品を実装するための熱処理等は含まれない。

また、基板本体を構成するセラミック材料としては、例えば、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等を用いることができる。また、ホウケイ酸系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス等のガラス成分にアルミナ等のセラミックフィラーを添加したガラスセラミック等のＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）を用いることもできる。

また、メタライズ層を構成する金属材料としては、基板本体が高温焼成セラミックのアルミナ等の場合、例えば、高融点金属であるタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、これらの合金等を用いることができる。また、基板本体がガラスセラミック等のＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）の場合、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、これらの合金等を用いることができる。

また、Ｎｉめっき層は、Ｎｉ成分を含むめっき層（Ｎｉ−Ｐめっき層、Ｎｉ−Ｂめっき層等）を有する。Ｎｉめっき処理工程において、Ｎｉめっき層（Ｎｉ−Ｐめっき層、Ｎｉ−Ｂめっき層等）は、電解めっき法により形成してもよいし、無電解めっき法により形成してもよい。Ｎｉ−Ｂめっき層の厚みは、メタライズ層との密着性等の観点から、例えば、０．６〜２．５μｍとすることができる。

また、Ｐｄめっき層は、上述の純Ｐｄめっき層であってもよいし、Ｐｄ合金を主成分とするＰｄ合金めっき層であってもよい。また、Ｐｄめっき層は、電解めっき法により形成してもよいし、無電解めっき法により形成してもよい。Ｐｄめっき層の厚みは、電子部品の実装条件（例えば実装時の熱処理条件等）に応じて、例えば、０．０５〜１μｍとすることができる。

また、Ａｕめっき処理工程において、Ａｕめっき層は、電解めっき法により形成してもよいし、無電解めっき法により形成してもよい。Ａｕめっき層の厚みは、電子部品の実装条件（例えば実装時の熱処理条件等）に応じて、例えば、０．０５〜１μｍとすることができる。Ａｕめっき層を設けることにより、Ｐｄめっき層の酸化抑制、Ａｕめっき層へのＮｉ成分やＰｄ成分の拡散抑制等の効果が得られる。

また、上述のＮｉ−Ｐめっき層、Ｎｉ−Ｂめっき層、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層等の各層は、単層（１層）で形成されていてもよいし、多層（複数層）で形成されていてもよい。

実施形態１における、セラミック配線基板の構成を示す説明図である。 実施形態１における、セラミック配線基板の製造工程を示す説明図である。 実施形態１における、メタライズ層の表面を示すＳＥＭ写真である。 実施形態２における、セラミック配線基板の構成を示す説明図である。

以下、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（実施形態１）
図１、図２に示すように、本実施形態のセラミック配線基板１の製造方法は、セラミックからなり、表面１１１及び裏面１１２を有する基板本体１１と、基板本体１１の表面１１１に配置されるメタライズ層１２と、を同時焼成により形成する同時焼成工程と、メタライズ層１２上にＮｉめっき層１３を形成するＮｉめっき処理工程と、Ｎｉめっき層１３上にＰｄめっき層１４を形成するＰｄめっき処理工程と、Ｐｄめっき層１４上にＡｕめっき層１５を形成するＡｕめっき処理工程と、を順に行う。

Ｎｉめっき処理工程には、Ｎｉめっき層１３に含まれ、厚みが５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層１３１を形成するＮｉ−Ｐめっき処理工程が含まれる。Ｐｄめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１上にＰｄめっき層１４を形成する。以下、このセラミック配線基板１の製造方法について詳細に説明する。

まず、セラミック配線基板１について説明する。
図１に示すように、セラミック配線基板１は、アルミナ焼結体からなる基板本体１１及び電極パッド１０を備えている。基板本体１１は、板状に形成されており、表面１１１及び裏面１１２を有している。ここで、基板本体１１の表面１１１とは、基板本体１１の厚み方向の一方側の面のことであり、裏面１１２とは、基板本体１１の厚み方向の他方側の面のことである。基板本体１１の厚みは、１ｍｍである。基板本体１１の表面１１１には、電極パッド１０が設けられている。電極パッド１０は、メタライズ層１２、Ｎｉめっき層１３、Ｐｄめっき層１４及びＡｕめっき層１５を有する。

電極パッド１０において、メタライズ層１２は、高融点金属のタングステン（Ｗ）からなる。メタライズ層１２は、基板本体１１の表面１１１に設けられている。メタライズ層１２は、基板本体１１と共に同時焼成により形成されている。メタライズ層１２の厚みは、１０〜２０μｍである。メタライズ層１２を構成する高融点金属としては、タングステン（Ｗ）以外にも、モリブデン（Ｍｏ）、Ｗ−Ｍｏ合金等がある。

メタライズ層１２の表面には、Ｎｉめっき層１３が設けられている。Ｎｉめっき層１３は、Ｎｉ−Ｂめっき皮膜からなるＮｉ−Ｂめっき層１３２とＮｉ−Ｐめっき皮膜からなるＮｉ−Ｐめっき層１３１とを有している。Ｎｉ−Ｂめっき層１３２は、メタライズ層１２の表面に設けられている。Ｎｉ−Ｐめっき層１３１は、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２の表面に設けられている。すなわち、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２は、メタライズ層１２とＮｉ−Ｐめっき層１３１との間に設けられている。

Ｎｉめっき層１３において、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２は、Ｎｉ−Ｂめっき処理後に熱処理が施されている。Ｎｉ−Ｂめっき層１３２の厚みは、１．５μｍである。一方、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１は、Ｎｉ−Ｐめっき処理後に熱処理が施されていない。Ｎｉ−Ｐめっき層１３１の厚みは、５μｍである。

Ｎｉ−Ｐめっき層１３１の表面には、Ｐｄめっき皮膜からなるＰｄめっき層１４が設けられている。本実施形態のＰｄめっき層１４は、純Ｐｄからなる純Ｐｄめっき層である。Ｐｄめっき層１４の厚みは、０．３μｍである。Ｐｄめっき層１４の表面には、Ａｕめっき皮膜からなるＡｕめっき層１５が設けられている。Ａｕめっき層１５の厚みは、０．５μｍである。

なお、Ｎｉめっき層１３（Ｎｉ−Ｂめっき層１３２、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１）、Ｐｄめっき層１４、Ａｕめっき層１５の各めっき層の厚みは、断面における中心（中央）部分の厚みである。各めっき層の厚みは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等による断面写真から測定して求めることができる。各めっき層の境界が明確でない場合には、蛍光Ｘ線分析等による組成分析の結果を考慮し、断面写真に仮想の境界線を引いて、各めっき層を特定する。

セラミック配線基板１には、ワイヤボンディング法により半導体チップ等の電子部品（図示略）が実装される。具体的には、電子部品の外部電極（電極パッド）にＡｕワイヤの一端を接合する。そして、Ａｕワイヤの他端とセラミック配線基板１の電極パッド１０のＡｕめっき層１５とを超音波接合する。超音波接合の際には、ＡｕワイヤとＡｕめっき層１５との接合部に超音波が印加されると共に、所定の圧力及び熱が加えられる。

次に、セラミック配線基板１の製造方法について説明する。
まず、同時焼成工程では、基板本体１１及びメタライズ層１２を同時焼成により形成する（図２のＳ２０１）。具体的には、アルミナを材料とする複数のセラミックグリーンシートを作製する。そして、複数のセラミックグリーンシートを積層した積層体を作製する。

次いで、積層体の表面に、タングステンを材料とする金属ペーストをスクリーン印刷等の方法で塗布する。そして、積層体（複数のセラミックグリーンシート）及び金属ペーストを焼成温度１２５０〜１４００℃で同時焼成する。これにより、基板本体１１及びメタライズ層１２を形成する。

次いで、Ｎｉめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程を順に行う。Ｎｉ−Ｂめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｂめっき処理を行う（図２のＳ２０２）。具体的には、メタライズ層１２の表面に、無電解めっき法により、Ｎｉ−Ｂめっき皮膜からなるＮｉ−Ｂめっき層１３２を形成する。その後、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２に対して、８００℃以上で熱処理を行う（図２のＳ２０３）。

次いで、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｐめっき処理を行う（図２のＳ２０４）。具体的には、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２の表面に、無電解めっき法により、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜からなるＮｉ−Ｐめっき層１３１を形成する。なお、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１に対しては、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２とは異なり、Ｎｉ−Ｐめっき処理後に熱処理を行わない。これにより、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２及びＮｉ−Ｐめっき層１３１からなるＮｉめっき層１３を形成する。

次いで、Ｐｄめっき処理工程では、Ｐｄめっき処理を行う（図２のＳ２０５）。具体的には、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１の表面に、無電解めっき法により、Ｐｄめっき皮膜からなるＰｄめっき層１４を形成する。そして、Ａｕめっき処理工程では、Ａｕめっき処理を行う（図２のＳ２０６）。具体的には、Ｐｄめっき層１４の表面に、無電解めっき法により、Ａｕめっき皮膜からなるＡｕめっき層１５を形成する。以上により、セラミック配線基板１（図１）を製造する。

次に、本実施形態のセラミック配線基板１の製造方法における作用効果を説明する。
本実施形態のセラミック配線基板１の製造方法によれば、同時焼成工程において、基板本体１１とメタライズ層１２とを同時焼成により形成する。そして、Ｎｉめっき処理工程（Ｎｉ−Ｐめっき処理工程を含む）において、メタライズ層１２上に、厚み５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層１３１を含むＮｉめっき層１３を形成する。これにより、Ａｕめっき層１５におけるめっき液の染み出し及びそれに伴うＡｕめっき層１５の変色を抑制できる。

すなわち、基板本体１１とメタライズ層１２とを同時焼成により形成した場合、図３に示すように、メタライズ層１２の表面は、微細な凹凸を有する粗面となる。ここで、図３は、メタライズ層１２の表面を示すＳＥＭ写真である。メタライズ層１２の表面には、所々に凹部１２１が形成されている。そのため、メタライズ層１２にめっき処理（例えばＮｉ−Ｂめっき処理）を行うと、メタライズ層１２の表面に形成された凹部１２１内にめっき液が残留する。

ところが、本実施形態では、Ｎｉめっき処理工程（Ｎｉ−Ｐめっき処理工程を含む）において、メタライズ層１２上に、厚み５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層１３１を含むＮｉめっき層１３を形成する。そのため、Ａｕめっき処理後、メタライズ層１２の表面に残留しためっき液がＡｕめっき層１５の表面に染み出すことをＮｉ−Ｐめっき層１３１によって抑制できる。これにより、めっき液の染み出しによるＡｕめっき層１５の変色を抑制でき、電子部品の実装性（本実施形態では、Ａｕめっき層１５とＡｕワイヤとの接合性等）を高めることができる。

また、Ｎｉめっき処理工程、Ｐｄめっき処理工程、Ａｕめっき処理工程を順に行うことにより、Ｎｉめっき層１３とＡｕめっき層１５との間に、Ｐｄめっき層１４が形成されることになる。そのため、電子部品を実装する際に（本実施形態では、ワイヤボンディングにて熱を加える際に）、Ｎｉめっき層１３のＮｉ成分がＡｕめっき層１５中に熱拡散することをＰｄめっき層１４によって抑制できる。さらに、Ｐｄめっき層１４を形成することによって耐熱性を高めることができる。これにより、電子部品の実装性を向上させることができる。

また、本実施形態において、Ｐｄめっき層１４は、純Ｐｄめっき層である。そのため、めっき浴の経時安定性が高く、Ｐｄめっき層１４の品質向上を図ることができる。また、めっき液の長期間の使用が可能となり、コスト低減を図ることができる。

また、Ｎｉめっき処理工程には、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程の前において、メタライズ層１２上に、Ｎｉめっき層１３に含まれるＮｉ−Ｂめっき層１３２を形成するＮｉ−Ｂめっき処理工程がさらに含まれ、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程では、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２上にＮｉ−Ｐめっき層１３１を形成する。すなわち、メタライズ層１２上にＮｉ−Ｂめっき層１３２が形成されるため、メタライズ層１２に対するＮｉめっき層１３の密着性を高めることができる。

また、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程とＮｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行い、熱処理は、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２に対して行う。すなわち、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程後に、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２に対して熱処理を施す。Ｎｉ−Ｂめっき層１３２の組成は、純Ｎｉに近いため、融点が高く、高温の熱処理を施すことが可能である。よって、メタライズ層１２に対するＮｉめっき層１３の密着性をより十分に高めることができる。

また、上述したように、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程とＮｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行う。すなわち、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程後に熱処理を施さない。例えば、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程後に熱処理を施し、メタライズ層１２の表面に残留しているめっき液を除去する工程を行うと、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１上に設けたＰｄめっき層１４及びＡｕめっき層１５の外観にムラが生じる。したがって、Ｎｉ−Ｐめっき処理工程後に熱処理を施さないことにより、上述の問題が発生しないようにすることができる。

このように、本実施形態によれば、Ａｕめっき層１５におけるめっき液の染み出し及びそれに伴うＡｕめっき層１５の変色を抑制でき、電子部品の実装性に優れたセラミック配線基板１の製造方法を提供することができる。

（実施形態２）
本実施形態は、図４に示すように、セラミック配線基板１の基板本体１１を構成するセラミック材料として、ＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）であるガラスセラミックを用いた例である。

同図に示すように、セラミック配線基板１において、基板本体１１は、ガラス成分としてのホウケイ酸系ガラスにセラミックフィラーとしてのアルミナを添加したガラスセラミックからなる。電極パッド１０において、メタライズ層１２は、銅（Ｃｕ）からなる。

メタライズ層１２の表面には、Ｎｉめっき層１３が設けられている。Ｎｉめっき層１３は、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１のみで構成されている。すなわち、Ｎｉめっき層１３は、実施形態１のようにＮｉ−Ｂめっき層１３２を含んでいない。Ｎｉ−Ｐめっき層１３１は、メタライズ層１２の表面に設けられている。その他の基本的な構成は、実施形態１と同様である。

また、セラミック配線基板１の製造方法では、同時焼成工程において、基板本体１１及びメタライズ層１２を焼成温度７５０〜９５０℃で同時焼成により形成する。また、Ｎｉ−Ｂめっき処理工程（図２のＳ２０２）、Ｎｉ−Ｂめっき層１３２に対する熱処理（図２のＳ２０３）は行わない。その他の基本的な製造方法は、実施形態１と同様である。

本実施形態の場合には、上述の実施形態１のように、メタライズ層１２との密着性を向上させるためのＮｉ−Ｂめっき層１３２を設けなくても、メタライズ層１２とＮｉめっき層１３（具体的にはＮｉ−Ｐめっき層１３１）との密着性を十分に確保できる。その他の基本的な作用効果は、実施形態１と同様である。

（その他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態等に何ら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。

（１）上述の実施形態では、メタライズ層１２が基板本体１１の表面１１１に設けられているが、基板本体１１の裏面１１２に設けられていてもよいし、基板本体１１の表面１１１及び裏面１１２の両方に設けられていてもよい。

（２）上述の実施形態では、Ｎｉめっき層１３に、Ｎｉ−Ｐめっき層１３１やＮｉ−Ｂめっき層１３２が含まれているが、これら以外のＮｉ成分を含むめっき層が含まれていてもよい。

（３）上述の実施形態では、電子部品の実装方法としてワイヤボンディング法を用いたが、フリップチップ法等の他の方法を用いてもよい。例えば、フリップチップ法を用いて電子部品を実装する場合には、電子部品に設けられたＡｕバンプとセラミック配線基板１の電極パッド１０のＡｕめっき層１５とを超音波接合する。超音波接合の際には、ＡｕバンプとＡｕめっき層１５との接合部に超音波が印加されると共に、所定の圧力及び熱が加えられる。

１…セラミック配線基板
１１…基板本体
１１１…表面（基板本体の表面）
１１２…裏面（基板本体の裏面）
１２…メタライズ層
１３…Ｎｉめっき層
１３１…Ｎｉ−Ｐめっき層
１４…Ｐｄめっき層
１５…Ａｕめっき層

Claims (4)

1. セラミックからなり、表面及び裏面を有する基板本体と、該基板本体の前記表面及び前記裏面の少なくとも一方に配置されるメタライズ層と、を同時焼成により形成する同時焼成工程と、
   前記メタライズ層上にＮｉめっき層を形成するＮｉめっき処理工程と、
   前記Ｎｉめっき層上にＰｄめっき層を形成するＰｄめっき処理工程と、
   前記Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成するＡｕめっき処理工程と、を順に行い、
   前記Ｎｉめっき処理工程には、前記Ｎｉめっき層に含まれ、厚みが５μｍ以上のＮｉ−Ｐめっき層を形成するＮｉ−Ｐめっき処理工程が含まれ、
   前記Ｐｄめっき処理工程では、前記Ｎｉ−Ｐめっき層上に前記Ｐｄめっき層を形成することを特徴とするセラミック配線基板の製造方法。
2. 前記Ｐｄめっき層は、純Ｐｄめっき層であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板の製造方法。
3. 前記Ｎｉめっき処理工程には、前記Ｎｉ−Ｐめっき処理工程の前において、前記メタライズ層上に、前記Ｎｉめっき層に含まれるＮｉ−Ｂめっき層を形成するＮｉ−Ｂめっき処理工程がさらに含まれ、前記Ｎｉ−Ｐめっき処理工程では、前記Ｎｉ−Ｂめっき層上に前記Ｎｉ−Ｐめっき層を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミック配線基板の製造方法。
4. 前記Ｎｉ−Ｂめっき処理工程と前記Ｎｉ−Ｐめっき処理工程との間でのみ、熱処理を行い、該熱処理は、前記Ｎｉ−Ｂめっき層に対して行うことを特徴とする請求項３に記載のセラミック配線基板の製造方法。