JP2016056065A - 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 - Google Patents
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016056065A JP2016056065A JP2014184377A JP2014184377A JP2016056065A JP 2016056065 A JP2016056065 A JP 2016056065A JP 2014184377 A JP2014184377 A JP 2014184377A JP 2014184377 A JP2014184377 A JP 2014184377A JP 2016056065 A JP2016056065 A JP 2016056065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- content
- sputtering
- mol
- powder
- terms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 37
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 22
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 63
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 92
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 40
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 27
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 14
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 13
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 101000892301 Phomopsis amygdali Geranylgeranyl diphosphate synthase Proteins 0.000 description 1
- JODIJOMWCAXJJX-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].[O-2].[Zn+2] Chemical compound [O-2].[Al+3].[O-2].[Zn+2] JODIJOMWCAXJJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- -1 and 0.5 Pa Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2608—Compositions containing one or more ferrites of the group comprising manganese, zinc, nickel, copper or cobalt and one or more ferrites of the group comprising rare earth metals, alkali metals, alkaline earth metals or lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
【課題】バルク抵抗が低くＤＣスパッタリングが可能であり、所望の屈折率や透過率を備えた透明導電膜を形成することができる酸化物焼結体並びに薄膜の提供。【解決手段】亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であり、バルク抵抗が低くＤＣスパッタリングが可能であり、所望の屈折率や透過率を備えた透明導電膜を形成することができる酸化物焼結体。【選択図】なし
Description
本発明は、酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法に関し、特には、ＤＣスパッタリングが可能な酸化物スパッタリングターゲット及び所望の特性を備えた薄膜に関する。
有機ＥＬ、液晶ディスプレイやタッチパネル等の各種光デバイスにおいて可視光を利用する場合、使用する材料は透明である必要があり、特に可視光領域の全域において、高い透過率をもつことが望まれる。また、各種光デバイスでは、構成される膜材料や基板との界面での屈折率差による光損失が生じることがある。このような、高透過率や光損失低減、反射防止のために光学調整層（膜）を導入するという方法がある。
光学調整層に必要とされる特性として、従来は、屈折率や消衰係数（高透過率）が主であったが、近年では、更なる高性能化のために、屈折率や消衰係数（高透過率）以外にも、導電性やエッチング性（エッチング可能）、耐水性、アモルファス膜といった、複数の特性の共存が求められている。このような複数の特性を共存させるためには、単体の酸化物膜では難しく、複数の酸化物を混合させた複合酸化物膜が必要である。特に、三元系以上の酸化物を混合させた複合酸化物膜が有効である。
一般に、透明で導電性のある材料としては、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＧＺＯ（酸化ガリウム−酸化亜鉛）、ＡＺＯ（酸化アルミニウム−酸化亜鉛）などが知られている（特許文献１〜３）。しかし、これらの材料は短波長域に吸収をもっていたり、結晶化しやすかったりと、上述した複数の特性を十分に制御することができないといった問題がある。
特許文献４には、ＩＺＯにさらに別の元素を添加することで、膜の移動度やキャリア密度を向上させることが記載されている。また、特許文献５には、ビックスバイト構造とスピネル構造を含むＩＧＺＯ（酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛）は抵抗率が低く、成膜安定性に優れていることが開示されている。しかし、いずれも主として導電性向上を企図するものであり、上述した複数の特性を同時に制御するものではない。
また、特許文献６には、製造方法を工夫することで、緻密なＡＺＯやＧＺＯを製造する技術が開示されており、特許文献７は、本発明者によるものであるが、良好な透過率と導電率を備えた透明導電膜を得るための酸化物焼結体が開示されている。しかし、いずれの技術においても、複数の特性を同時に調整することが困難という問題があった。
なお、以上の技術はいずれも透明導電膜（電極）として使用されるものであって、電極に隣接配置して、光学特性等を制御するための膜（光学調整膜、保護膜等）とは、用途も異なるものである。
なお、以上の技術はいずれも透明導電膜（電極）として使用されるものであって、電極に隣接配置して、光学特性等を制御するための膜（光学調整膜、保護膜等）とは、用途も異なるものである。
本発明は、所望の光学特性と電気的特性を備えた導電性酸化物薄膜を得ることが可能な焼結体を提供することを課題とする。この薄膜は、透過率が高く、且つ、所望の屈折率を有し、さらに、良好な導電性を有しており、有機ＥＬ、液晶ディスプレイ、タッチパネルなどの光デバイス用の薄膜、特に光学調整用薄膜として有用である。また、本発明は、バルク抵抗が低く、ＤＣスパッタが可能なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。本発明は、光デバイスの特性向上、生産コストの低減化、成膜特性を大幅に改善することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明者は鋭意研究を行った結果、下記に提示する材料系を採用することで、所望の光学特性と電気的特性を備えた薄膜を得ることが可能となり、さらにはＤＣスパッタによる安定的な成膜が可能であり、該薄膜を使用する光デバイスの特性改善、生産性向上が可能であるとの知見を得た。
本発明者はこの知見に基づき、下記の発明を提供する。
１）亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする酸化物焼結体。
２）Ｔｉに対するＩｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、Ｇｅに対するＧａの含有量が原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０、の関係式を満たすことを特徴とする上記１）記載の酸化物焼結体。
３）相対密度が９０％以上であることを特徴とする上記１）又は２）記載の酸化物焼結体。
４）バルク抵抗が１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載の酸化物焼結体。
５）上記１）〜４）のいずれか一に記載される酸化物焼結体を用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
６）亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする薄膜。
７）Ｔｉに対するＩｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、Ｇｅに対するＧａの含有量が原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０、の関係式を満たすことを特徴とする上記６）記載の薄膜。
８）波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９５〜２．１０であることを特徴とする上記６）又は７）記載の薄膜。
９）波長４０５ｎｍにおける消衰係数が０．０５以下であることを特徴とする上記６）〜８）のいずれか一に記載の薄膜。
１０）体積抵抗率が１ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする上記６）〜９）のいずれか一に記載の薄膜。
１）亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする酸化物焼結体。
２）Ｔｉに対するＩｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、Ｇｅに対するＧａの含有量が原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０、の関係式を満たすことを特徴とする上記１）記載の酸化物焼結体。
３）相対密度が９０％以上であることを特徴とする上記１）又は２）記載の酸化物焼結体。
４）バルク抵抗が１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載の酸化物焼結体。
５）上記１）〜４）のいずれか一に記載される酸化物焼結体を用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
６）亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする薄膜。
７）Ｔｉに対するＩｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、Ｇｅに対するＧａの含有量が原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０、の関係式を満たすことを特徴とする上記６）記載の薄膜。
８）波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９５〜２．１０であることを特徴とする上記６）又は７）記載の薄膜。
９）波長４０５ｎｍにおける消衰係数が０．０５以下であることを特徴とする上記６）〜８）のいずれか一に記載の薄膜。
１０）体積抵抗率が１ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする上記６）〜９）のいずれか一に記載の薄膜。
本発明によれば、上記に示す材料系を採用することにより、抵抗率と屈折率とを調整することが可能となり、良好な光学特性と導電性を確保することができると共に、良好なエッチング特性や耐水性等を確保することできる。さらに、本発明は、ＤＣスパッタによる安定的な成膜が可能であり、これより、生産性向上が可能となる。
本発明は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする。このような組成からなる酸化物焼結体スパッタリングターゲットを用いることにより、所望の光学特性（屈折率、透過率）と電気的特性が共存する導電性酸化物薄膜を形成することができる。
本発明は、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）を構成元素とするが、該材料中には、不可避的不純物も含まれる。また、焼結体中の各金属は、その一部又は全てが複合酸化物として存在している。本発明では、焼結体中の各金属の含有量を酸化物換算で規定しているが、これは、原料の配合を酸化物で調整しているためであり、その範囲と技術的意義を説明するのに都合が良いからである。なお、通常の分析装置においては、酸化物ではなく各金属元素の含有量（重量％）が特定可能である。したがって、ターゲットの各組成を特定するには、各金属元素の含有量を、各酸化物を想定して換算した量（ｍｏｌ％）で特定すればよい。
本発明において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％とする。この範囲を超えると、所望の光学特性や電気的特性が得られないため好ましくない。特に、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０ｍｏｌ％未満であると、薄膜の抵抗が高くなり導電膜としての機能を損なうため好ましくない。一方、９０ｍｏｌ％超であると、屈折率などの光学特性の制御が困難になり、さらにエッチング性や耐水性が低下するため好ましくない。
本発明において、Ｉｎ含有量は、Ｉｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％とする。この範囲を超えると所望の光学的、電気的特性が得られないため好ましくない。特に、Ｉｎ含有量が２ｍｏｌ％未満であると、導電性付与のための添加の効果が得られず（すなわち、高抵抗となるため好ましくない）、一方、１５ｍｏｌ％を超えると可視光の短波長領域における光の吸収が大きくなるため好ましくない。また、Ｉｎは３価の金属元素であるが、他の同価数金属（例えば、ＡｌやＢなど）への置き換えは、抵抗が上昇したり、耐水性を低下させたりするため好ましくない。
本発明において、Ｔｉ含有量は、ＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％とする。この範囲を超えると所望の光学的、電気的特性が得られないため好ましくない。特に、Ｔｉ含有量が１ｍｏｌ％未満であると、光学調整のための添加の効果が得られず、一方、１０ｍｏｌ％超であると薄膜の抵抗が高くなり導電膜としての機能を損なうため好ましくない。また、Ｔｉ酸化物は高屈折率材として知られているが、他の同様の効能を備えた金属（例えば、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｃｏなど）への置き換えは、可視光短波長域での吸収が生じてしまうため好ましくない。
本発明において、Ｇａ含有量は、Ｇａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％とする。この範囲を超えると所望の光学的や電気的特性が得られないため好ましくない。特にＧａ含有量が０．５ｍｏｌ％未満であると、光学調整や導電性付与のための添加の効果が得られず、一方、１０ｍｏｌ％を超えると、焼結体や膜の抵抗が高くなるため好ましくない。また、Ｇａは３価の金属元素であるが、他の同価数金属（例えば、ＡｌやＢなど）への置き換えは、抵抗が上昇したり、耐水性を低下させたりするため好ましくない。
本発明において、Ｇｅ含有量は、ＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％とする。この範囲を超えると所望の光学的、電気的特性が得られないため好ましくない。特にＧｅ含有量が０．５ｍｏｌ％未満であると、光学調整のための添加の効果が得られず、一方、１０ｍｏｌ％を超えると、焼結体や膜の抵抗が高くなるため好ましくない。また、Ｇｅは低屈折率且つガラス形成酸化物を構成する金属元素であるが、他のガラス形成酸化物を構成する金属（例えば、ＳｉやＢなど）への置き換えは、抵抗が上昇したり、耐水性を低下させたりするため好ましくない。
本発明において、Ｔｉに対するＩｎの含有量を原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、且つ、Ｇｅに対するＧａの含有量を原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、の関係式を満たすようにするのが好ましい。この範囲を超えると、所望の光学特性と電気的特性の共存が困難となる。さらに、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量を原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０の関係式を満たすようにするのが好ましい。この範囲を超えると、所望の光学特性と電気的特性の共存が困難となるとともに、５．０を超えると、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅの添加効果が得られず、耐水性、エッチング性を損なうことがある。また、２．０未満では、所望の導電性が得られず、導電膜としての機能を損なうことがある。
本発明の焼結体は、スパッタリングターゲットとして使用する場合、相対密度９０％以上とすることが好ましい。密度の向上は、スパッタ膜の均一性を高め、またスパッタ時のパーティクルの発生を抑制することができるという効果を有する。相対密度９０％以上は、後述する本発明の焼結体の製造方法により、実現することができる。
また、本発明の焼結体は、スパッタリングターゲットとして使用する場合、バルク抵抗１０Ω・ｃｍ以下とすることが好ましい。バルク抵抗の低下により、ＤＣスパッタによる成膜が可能となる。ＤＣスパッタはＲＦスパッタに比べて、成膜速度が速く、スパッタリング効率が優れており、スループットを向上できる。なお、製造条件によっては、ＲＦスパッタを行う場合もあるが、その場合でも、成膜速度の向上がある。
また、本発明の焼結体は、スパッタリングターゲットとして使用する場合、バルク抵抗１０Ω・ｃｍ以下とすることが好ましい。バルク抵抗の低下により、ＤＣスパッタによる成膜が可能となる。ＤＣスパッタはＲＦスパッタに比べて、成膜速度が速く、スパッタリング効率が優れており、スループットを向上できる。なお、製造条件によっては、ＲＦスパッタを行う場合もあるが、その場合でも、成膜速度の向上がある。
一般に、反射防止や光損失低減のために、特定の屈折率を持つ材料が必要とされるが、必要な屈折率はデバイス構造（光学調整膜の周辺層の屈折率）によって異なる。本発明では、薄膜の波長５５０ｎｍにおける屈折率ｎを１．９５≦ｎ≦２．１０の範囲に制御することが可能となる。また、光学調整膜自体、高い透過率（消衰係数が小さい）ことが好ましく、本発明では、波長４０５ｎｍにおける消衰係数が０．０５以下と可視光の短波長域において吸収がほとんどない膜を得ることができる。さらに、光学調整層は、隣接する電極層の補助のため適度な導電性が必要とされることがあり、本発明では、薄膜の体積抵抗率を１ｋΩ・ｃｍ以下に制御することが可能となる。さらに、本発明の薄膜は、良好なエッチング特性と優れた高温高湿耐性を備えることを特徴とする。
本発明の焼結体は、各構成金属の酸化物粉末からなる原料粉末を秤量、混合した後、この混合粉末を不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気の下、加圧焼結（ホットプレス）するか、又は、原料粉末をプレス成形した後、この成形体を常圧焼結することによって、製造することができる。このとき、焼結温度は、９００℃以上１５００℃以下とすることが好ましい。９００℃未満とすると高密度の焼結体が得られず、一方、１５００℃超とすると、材料の蒸発による組成ズレや密度の低下が生じるため、好ましくない。また、プレス圧力は、１５０〜５００ｋｇｆ／ｃｍ２とするのが好ましい。
さらに密度を向上させるためには、原料粉末を秤量、混合した後、この混合粉末を仮焼（合成）し、その後、これを微粉砕したものを焼結用粉末として用いることが有効である。このように予め合成と微粉砕を行うことで均一微細な原料粉末を得ることができ、緻密な焼結体を作製することができる。微粉砕後の粒径については、平均粒径５μｍ以下、好ましくは、平均粒径２μｍ以下とする。また、仮焼温度は、好ましくは８００℃以上１２００℃以下とする。このような範囲とすることで、焼結性が良好となり、さらなる高密度化が可能となる。
さらに密度を向上させるためには、原料粉末を秤量、混合した後、この混合粉末を仮焼（合成）し、その後、これを微粉砕したものを焼結用粉末として用いることが有効である。このように予め合成と微粉砕を行うことで均一微細な原料粉末を得ることができ、緻密な焼結体を作製することができる。微粉砕後の粒径については、平均粒径５μｍ以下、好ましくは、平均粒径２μｍ以下とする。また、仮焼温度は、好ましくは８００℃以上１２００℃以下とする。このような範囲とすることで、焼結性が良好となり、さらなる高密度化が可能となる。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
実施例、比較例における評価方法等は、以下の通りである。
（成分組成について）
装置：ＳＩＩ社製ＳＰＳ３５００ＤＤ
方法：ＩＣＰ-ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
（密度測定について）
寸法測定（ノギス）、重量測定
（相対密度について）
下記、理論密度を用いて算出する。
相対密度（％）＝寸法密度／理論密度×１００
理論密度は、各金属元素の酸化物換算配合比から計算する。
ＺｎのＺｎＯ換算重量をａ（ｗｔ％）、ＩｎのＩｎ２Ｏ３換算重量をｂ（ｗｔ％）、
ＴｉのＴｉＯ２換算重量をｃ（ｗｔ％）、ＧａのＧａ２Ｏ３換算重量をｄ（ｗｔ％）、ＧｅのＧｅＯ２換算重量をｅ（ｗｔ％）としたとき、
理論密度＝１００／（ａ／５．６１＋ｂ／７．１８＋ｃ／４．２６＋ｄ／５．９５
＋ｅ／４．７０）
また、各金属元素の酸化物換算密度は下記値を使用。
ＺｎＯ：５．６１ｇ／ｃｍ３、Ｉｎ２Ｏ３：７．１８ｇ／ｃｍ３、
ＴｉＯ２：４．２６ｇ／ｃｍ３、Ｇａ２Ｏ３：５．９５ｇ／ｃｍ３、
ＧｅＯ２：４．７０ｇ／ｃｍ３
（バルク抵抗、体積抵抗率について）
装置：ＮＰＳ社製 抵抗率測定器 Σ−５＋
方法：直流４探針法
（成膜方法、条件について）
装置：ＡＮＥＬＶＡ ＳＰＬ−５００
基板：φ４ｉｎｃｈ
基板温度：室温
（屈折率、消衰係数について）
装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製 分光光度計 ＵＶ−２４５０
方法：透過率、表裏面反射率から算出
（成分組成について）
装置：ＳＩＩ社製ＳＰＳ３５００ＤＤ
方法：ＩＣＰ-ＯＥＳ（高周波誘導結合プラズマ発光分析法）
（密度測定について）
寸法測定（ノギス）、重量測定
（相対密度について）
下記、理論密度を用いて算出する。
相対密度（％）＝寸法密度／理論密度×１００
理論密度は、各金属元素の酸化物換算配合比から計算する。
ＺｎのＺｎＯ換算重量をａ（ｗｔ％）、ＩｎのＩｎ２Ｏ３換算重量をｂ（ｗｔ％）、
ＴｉのＴｉＯ２換算重量をｃ（ｗｔ％）、ＧａのＧａ２Ｏ３換算重量をｄ（ｗｔ％）、ＧｅのＧｅＯ２換算重量をｅ（ｗｔ％）としたとき、
理論密度＝１００／（ａ／５．６１＋ｂ／７．１８＋ｃ／４．２６＋ｄ／５．９５
＋ｅ／４．７０）
また、各金属元素の酸化物換算密度は下記値を使用。
ＺｎＯ：５．６１ｇ／ｃｍ３、Ｉｎ２Ｏ３：７．１８ｇ／ｃｍ３、
ＴｉＯ２：４．２６ｇ／ｃｍ３、Ｇａ２Ｏ３：５．９５ｇ／ｃｍ３、
ＧｅＯ２：４．７０ｇ／ｃｍ３
（バルク抵抗、体積抵抗率について）
装置：ＮＰＳ社製 抵抗率測定器 Σ−５＋
方法：直流４探針法
（成膜方法、条件について）
装置：ＡＮＥＬＶＡ ＳＰＬ−５００
基板：φ４ｉｎｃｈ
基板温度：室温
（屈折率、消衰係数について）
装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製 分光光度計 ＵＶ−２４５０
方法：透過率、表裏面反射率から算出
（実施例１）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を真空中、温度１１００℃、圧力２５０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．４％に達し、バルク抵抗は０．０４Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。また、スパッタリングターゲットの成分組成を分析した結果、原料粉末の配合比と同等になることを確認した。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を真空中、温度１１００℃、圧力２５０ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．４％に達し、バルク抵抗は０．０４Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。また、スパッタリングターゲットの成分組成を分析した結果、原料粉末の配合比と同等になることを確認した。
上記仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、ＤＣスパッタ、スパッタパワー５００Ｗ、酸素を０．８ｖｏｌ％含有するＡｒガス圧０．５Ｐａとし、膜厚５０００〜７０００Åに成膜した。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した。表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が１．９７、消衰係数が０．０１未満、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（実施例２）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．０％に達し、バルク抵抗は０．０３Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０５、消衰係数が０．０３、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．０％に達し、バルク抵抗は０．０３Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０５、消衰係数が０．０３、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（実施例３）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．０％に達し、バルク抵抗は０．０３Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０５、消衰係数が０．０３、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．０％に達し、バルク抵抗は０．０３Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０５、消衰係数が０．０３、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（実施例４）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．５％に達し、バルク抵抗は０．０１Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０４、消衰係数が０．０４、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．５％に達し、バルク抵抗は０．０１Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０４、消衰係数が０．０４、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（実施例５）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．４％に達し、バルク抵抗は０．０２Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が１．９９、消衰係数が０．０１、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９８．４％に達し、バルク抵抗は０．０２Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が１．９９、消衰係数が０．０１、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（実施例６）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を真空中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９７．７％に達し、バルク抵抗は０．０６Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が１．９６、消衰係数が０．０１、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を真空中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９７．７％に達し、バルク抵抗は０．０６Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が１．９６、消衰係数が０．０１、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（実施例７）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を真空中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９９．２％に達し、バルク抵抗は０．０１Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０２、消衰係数が０．０２、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。次に、この混合粉末を真空中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗と相対密度を測定した結果、表１に示す通り、相対密度は９９．２％に達し、バルク抵抗は０．０１Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタが可能であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、屈折率が２．０２、消衰係数が０．０２、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以下と、所望の光学特性と導電性が得られた。
（比較例１）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、Ｉｎ２Ｏ３量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、消衰係数（波長４０５ｎｍ）などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、消衰係数が０．０５超となり、低波長域において光の吸収が生じ、所望の透過率が得られなかった。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、Ｉｎ２Ｏ３量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、消衰係数（波長４０５ｎｍ）などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、消衰係数が０．０５超となり、低波長域において光の吸収が生じ、所望の透過率が得られなかった。
（比較例２）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、ＴｉＯ２量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗などを測定した結果、表１に示す通り、バルク抵抗は１５Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタは困難であった。。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、体積抵抗率などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以上となり、所望の導電性が得られなかった。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、ＴｉＯ２量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗などを測定した結果、表１に示す通り、バルク抵抗は１５Ω・ｃｍとなり、安定したＤＣスパッタは困難であった。。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、体積抵抗率などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以上となり、所望の導電性が得られなかった。
（比較例３）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、Ｇａ２Ｏ３量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗などを測定した結果、表１に示す通り、バルク抵抗は５００ｋΩ・ｃｍ超となり、ＤＣスパッタは困難であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、ＲＦスパッタ、スパッタパワー５００Ｗ、酸素を０．８ｖｏｌ％含有するＡｒガス圧０．５Ｐａとし、膜厚５０００〜７０００Åに成膜した。成膜サンプルの、体積抵抗率などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以上となり、所望の導電性が得られなかった。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、Ｇａ２Ｏ３量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗などを測定した結果、表１に示す通り、バルク抵抗は５００ｋΩ・ｃｍ超となり、ＤＣスパッタは困難であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、ＲＦスパッタ、スパッタパワー５００Ｗ、酸素を０．８ｖｏｌ％含有するＡｒガス圧０．５Ｐａとし、膜厚５０００〜７０００Åに成膜した。成膜サンプルの、体積抵抗率などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以上となり、所望の導電性が得られなかった。
（比較例４）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、ＧｅＯ量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗などを測定した結果、表１に示す通り、バルク抵抗は５００ｋΩ・ｃｍ超となり、ＤＣスパッタは困難であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、比較例３と同様とした。成膜サンプルの、体積抵抗率などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以上となり、所望の導電性が得られなかった。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、ＧｅＯ量を規定量より多くして、ＺｎＯの量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。得られたターゲットのバルク抵抗などを測定した結果、表１に示す通り、バルク抵抗は５００ｋΩ・ｃｍ超となり、ＤＣスパッタは困難であった。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、比較例３と同様とした。成膜サンプルの、体積抵抗率などを測定した結果、表１に示す通り、スパッタにより形成した薄膜は、体積抵抗率が１×１０３Ω・ｃｍ以上となり、所望の導電性が得られなかった。
（比較例５）
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、ＺｎＯ量を規定量より多くして、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２の量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、所望の光学特性と導電性が得られた。その後、この成膜サンプルについて、エッチング耐性試験（各種酸によりエッチング可能なものを〇、エッチングできない若しくは溶解し過ぎるものを×、と判断する）及び高温高湿耐性試験（温度８０℃、湿度８０％条件下にて４８時間保管後、光学定数及び抵抗測定を実施し、高温高湿試験前後において、特性差が１０％未満の場合には〇、１０％以上の場合には×、と判断する）を行った結果、ＺｎＯが多い組成の場合には、エッチング特性に劣り（溶解し過ぎる）、また、高温高湿特性が劣り、所望の特性を有する膜が得られなかった。
ＺｎＯ粉、Ｉｎ２Ｏ３粉、ＴｉＯ２粉、Ｇａ２Ｏ３粉、ＧｅＯ２粉を準備し、これらの粉末を表１に記載される配合比に調合し、これを混合した。このとき、ＺｎＯ量を規定量より多くして、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｇａ２Ｏ３、ＧｅＯ２の量を規定量より少なくした。次に、この混合粉末を大気中、温度１０５０℃で仮焼した後、湿式微粉砕（ＺｒＯ２ビーズ使用）にて平均粒径２μｍ以下に粉砕し、乾燥後、目開き１５０μｍの篩で篩別を行った。その後、この微粉砕粉を実施例１と同様の条件でホットプレス焼結した。その後、この焼結体を機械加工でスパッタリングターゲット形状に仕上げた。
次に、仕上げ加工したターゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、実施例１と同様とした。成膜サンプルの、屈折率（波長５５０ｎｍ）、消衰係数（波長４０５ｎｍ）、体積抵抗率、を測定した結果、表１に示す通り、所望の光学特性と導電性が得られた。その後、この成膜サンプルについて、エッチング耐性試験（各種酸によりエッチング可能なものを〇、エッチングできない若しくは溶解し過ぎるものを×、と判断する）及び高温高湿耐性試験（温度８０℃、湿度８０％条件下にて４８時間保管後、光学定数及び抵抗測定を実施し、高温高湿試験前後において、特性差が１０％未満の場合には〇、１０％以上の場合には×、と判断する）を行った結果、ＺｎＯが多い組成の場合には、エッチング特性に劣り（溶解し過ぎる）、また、高温高湿特性が劣り、所望の特性を有する膜が得られなかった。
本発明の焼結体は、スパッタリングターゲットとすることができ、スパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、各種ディスプレイにおける透明導電膜や光ディスクの保護膜、光学調整用の膜として、透過率、屈折率、導電性において、極めて優れた特性を有するという効果がある。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、バルク抵抗値が低く、相対密度が９０％以上と高密度であることから、安定したＤＣスパッタを可能とする。そして、このＤＣスパッタリングの特徴であるスパッタの制御性を容易にし、成膜速度を上げ、スパッタリング効率を向上させることができるという著しい効果がある。必要に応じてＲＦスパッタを実施するが、その場合でも成膜速度の向上が見られる。また、成膜の際にスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。
Claims (10)
- 亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする酸化物焼結体。
- Ｔｉに対するＩｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、Ｇｅに対するＧａの含有量が原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０、の関係式を満たすことを特徴とする請求項１記載の酸化物焼結体。
- 相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の酸化物焼結体。
- バルク抵抗が１０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の酸化物焼結体。
- 請求項１〜４のいずれか一項に記載される酸化物焼結体を用いることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、及び、酸素（Ｏ）からなり、Ｚｎ含有量がＺｎＯ換算で７０〜９０ｍｏｌ％、Ｉｎ含有量がＩｎ２Ｏ３換算で２〜１５ｍｏｌ％、Ｔｉ含有量がＴｉＯ２換算で１〜１０ｍｏｌ％、Ｇａ含有量がＧａ２Ｏ３換算で０．５〜１０ｍｏｌ％、Ｇｅ含有量がＧｅＯ２換算で０．５〜１０ｍｏｌ％であることを特徴とする薄膜。
- Ｔｉに対するＩｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｉｎ／Ｔｉ≦４．０、Ｇｅに対するＧａの含有量が原子数比で１．５≦Ｇａ／Ｇｅ≦２．５、ＩｎとＴｉとＧａとＧｅに対するＺｎの含有量が原子数比で２．０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｔｉ＋Ｇａ＋Ｇｅ）≦５．０、の関係式を満たすことを特徴とする請求項６記載の薄膜。
- 波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．９５〜２．１０であることを特徴とする請求項６６又は７記載の薄膜。
- 波長４０５ｎｍにおける消衰係数が０．０５以下であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載の薄膜。
- 体積抵抗率が１ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載の薄膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014184377A JP5688179B1 (ja) | 2014-09-10 | 2014-09-10 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 |
| TW103141770A TWI525060B (zh) | 2014-09-10 | 2014-12-02 | An oxide sintered body, a sputtering target, a thin film, and an oxide sintered body |
| KR1020150002059A KR101738742B1 (ko) | 2014-09-10 | 2015-01-07 | 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 박막 그리고 산화물 소결체의 제조 방법 |
| CN201510043312.5A CN105986230B (zh) | 2014-09-10 | 2015-01-28 | 氧化物烧结体、溅射靶和薄膜以及氧化物烧结体的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014184377A JP5688179B1 (ja) | 2014-09-10 | 2014-09-10 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5688179B1 JP5688179B1 (ja) | 2015-03-25 |
| JP2016056065A true JP2016056065A (ja) | 2016-04-21 |
Family
ID=52823264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014184377A Active JP5688179B1 (ja) | 2014-09-10 | 2014-09-10 | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5688179B1 (ja) |
| KR (1) | KR101738742B1 (ja) |
| CN (1) | CN105986230B (ja) |
| TW (1) | TWI525060B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016098394A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
| JP2016098396A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
| JP2016098395A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
| JP2016134320A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
| JP2018087360A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI777013B (zh) * | 2017-12-28 | 2022-09-11 | 日商三井金屬鑛業股份有限公司 | 氧化物燒結體、濺鍍靶及氧化物薄膜 |
| CN110770191B (zh) * | 2018-04-18 | 2022-05-13 | 三井金属矿业株式会社 | 氧化物烧结体、溅射靶和氧化物薄膜的制造方法 |
| KR20200033762A (ko) | 2018-09-20 | 2020-03-30 | 주식회사 엘지화학 | 고굴절 조성물, 고굴절 필름 및 고굴절 필름의 제조방법 |
| WO2020060257A1 (ko) | 2018-09-20 | 2020-03-26 | 주식회사 엘지화학 | 고굴절 조성물, 고굴절 필름 및 고굴절 필름의 제조방법 |
| KR102543067B1 (ko) | 2018-09-20 | 2023-06-14 | 주식회사 엘지화학 | 고굴절 조성물, 고굴절 필름 및 고굴절 필름의 제조방법 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3644647B2 (ja) * | 1995-04-25 | 2005-05-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
| JPH1040740A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明導電膜および透明導電材料 |
| JPH10306367A (ja) * | 1997-05-06 | 1998-11-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体およびその製造方法 |
| JPH11256320A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ＺｎＯ系焼結体 |
| JP2000195101A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Japan Energy Corp | 光ディスク保護膜及び同保護膜形成用スパッタリングタ―ゲット |
| KR101002504B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2010-12-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟, 투명 전도막 및 이들의 제조방법 |
| JP2006002202A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP5682112B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2015-03-11 | 日立金属株式会社 | 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、このスパッタリングターゲットを用いて形成された電極 |
| JP5723262B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2015-05-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット |
| US9057126B2 (en) * | 2011-11-29 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device |
| TWI631579B (zh) * | 2012-07-03 | 2018-08-01 | Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司 | Sintered body and amorphous film |
| JP5550768B1 (ja) * | 2012-07-03 | 2014-07-16 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 焼結体及びアモルファス膜 |
| TW201422835A (zh) * | 2012-12-03 | 2014-06-16 | Solar Applied Mat Tech Corp | 濺鍍靶材及導電金屬氧化物薄膜 |
-
2014
- 2014-09-10 JP JP2014184377A patent/JP5688179B1/ja active Active
- 2014-12-02 TW TW103141770A patent/TWI525060B/zh active
-
2015
- 2015-01-07 KR KR1020150002059A patent/KR101738742B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-28 CN CN201510043312.5A patent/CN105986230B/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016098394A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
| JP2016098396A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
| JP2016098395A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
| JP2016134320A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | Tdk株式会社 | 透明導電体及びタッチパネル |
| JP2018087360A (ja) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160030432A (ko) | 2016-03-18 |
| JP5688179B1 (ja) | 2015-03-25 |
| CN105986230B (zh) | 2018-11-02 |
| TW201609603A (zh) | 2016-03-16 |
| KR101738742B1 (ko) | 2017-05-22 |
| CN105986230A (zh) | 2016-10-05 |
| TWI525060B (zh) | 2016-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5688179B1 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 | |
| JP5735190B1 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 | |
| JP2012052227A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット | |
| JP6023920B1 (ja) | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物薄膜 | |
| JP2011074479A (ja) | 透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜 | |
| JP5876172B1 (ja) | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 | |
| JP5913523B2 (ja) | 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法 | |
| JP6155919B2 (ja) | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 | |
| JP6134368B2 (ja) | 焼結体及び該焼結体からなるスパッタリングターゲット並びに該スパッタリングターゲットを用いて形成した薄膜 | |
| JPWO2019187269A1 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 | |
| JP5999049B2 (ja) | 蒸着用タブレット及びその製造方法、並びに酸化物膜の製造方法 | |
| KR20240013218A (ko) | 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20141222 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150113 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150123 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5688179 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |