JP2016046288A - 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ及び半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化ケイ素半導体基板1とドレイン電極9との間をショットキー接合として、逆方向電圧が印可されてもトランジスタ内のpnダイオードに電流が流れない構造とした。
【選択図】図1
Description
(2)前記単結晶炭化ケイ素からなる導電性半導体基板が4H型結晶構造であって、かつ、窒素をドープしたn型極性を有することを特徴とする(1)に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
(3)(1)又は(2)に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタにおける第1電極と第2電極との間に転流ダイオードを外付けした半導体デバイス。
(転流ダイオードの内部抵抗×通電電流の瞬時値の最大値の積)≦(SiC−MOSFETのボディダイオードの閾値電圧+第3電極の逆方向耐電圧)
図1は、本発明の第1の実施例を説明するための模式図であって、縦型SiC−MOSFETの単位セル構造の断面図を示す。
図中の1は、4Hポリタイプで1×1019cm−3以上の窒素がドーピングされたn型−SiC半導体基板(導電性半導体基板)であって、厚さは350μmである。2はSiC半導体基板1の表面側に形成されたホモエピタキシャル層(導電性半導体層)であって、1×1016cm−3の窒素がドーピングされ、厚さは10μmである。3はホモエピタキシャル層2の表面側に4×1018cm−3のアルミニウムが深さ0.5μmまでドーピングされたp型層(pウェル)である。4は、同じくホモエピタキシャル層2の表面側に1×1020cm−3の窒素を深さ約0.3μmまでドーピングしたn型の層である。5は厚さ約30nmのシリコン酸化膜の金属絶縁層(絶縁体)であり、また、その上には厚さ1μmのアルミニウム金属(金属導体)を付与して電極6が形成されており、本発明に係る第1電極(ゲート電極)に相当する。8は、3のp型層の上に形成された厚さ1μmのアルミニウム金属の電極であり、第2電極(ソース電極)に相当し、隣接する6の電極とは厚さ0.5μmのシリコン酸化物7で層間絶縁されている。ゲート電極6を介して左右対称にあるソース電極8間のピッチは15μmとし、図1に示したセルの幅は30μmとした。
4Hポリタイプで1×1019cm−3以上の窒素がドーピングされたn型−SiC半導体基板1の上に、CVD装置にて、1600℃以上の温度で1×1016cm−3の窒素がドーピングされた厚さ10μmのホモエピタキシャル成長を行い、エピタキシャル層2を形成した。
図8は、本発明の第2の実施例を説明するための模式図であり、縦型SiC−MOSFETの単位セル構造の断面図を示す。図中、21は4Hポリタイプで5×1018cm−3以上の窒素がドーピングされたn型−SiC半導体基板(導電性半導体基板)であって、厚さは300μmである。22はSiC半導体基板21の表面に形成されたホモエピタキシャル層であって、5×1015cm−3の窒素がドーピングされ、厚さは30μmである。23はホモエピタキシャル層22の表面側に5×1018cm−3のアルミニウムが深さ0.7μmまでドーピングされたp型層(pウェル)であり、24は、同じくホモエピタキシャル層22の表面側に1×1020cm−3の窒素を深さ約0.3μmまでドーピングしたn型の層である。25は厚さ約50nmのSiO2の絶縁層(絶縁体)であって、その上に厚さ1μmのアルミニウム金属26を付与して、第1電極(ゲート電極)が形成されている。28は23のp型層の上に形成された厚さ1μmのアルミニウム金属の電極であり、第2電極(ソース電極)に相当し、隣接する26のゲート電極とは厚さ1μmのシリコン酸化物27で層間絶縁されている。ゲート電極26を介したソース電極間ピッチは15μmとし、図8に示したセルの幅は30μmとした。
2 SiCホモエピタキシャル層
3 p型層
4 n型層
5 SiO2膜
6 アルミニウム電極(ゲート電極)
7 層間絶縁層
8 アルミニウム電極(ソース電極)
9 ニッケル電極(ドレイン電極)
10 アルミニウム電極
11 本発明のMOSFET
12 ショットキー接合ダイオード
13 抵抗器
14 転流ダイオード
15 従来のMOSFET
a MOSFETのIV特性
a’ MOSFETのIV特性
b MOSFETのIV特性
b’ MOSFETのIV特性
16 SiO2膜
21 導電性半導体基板
22 SiCホモエピタキシャル層
23 p型層
24 n型層
25 SiO2膜
26 アルミニウム電極(ゲート電極)
27 層間絶縁層
28 アルミニウム電極(ソース電極)
29 アルミニウム電極(ドレイン電極)
Claims (3)
- 単結晶炭化ケイ素からなる導電性半導体基板の表面側にホモエピタキシャル層を有して、該ホモエピタキシャル層上に絶縁体となる酸化膜を介して金属導体を形成してなる第1電極と、前記ホモエピタキシャル層と異なる極性を有した領域上に金属導体を形成してなる第2電極と、前記導電性半導体基板の裏面側に金属導体を形成してなる第3電極とを備えた縦型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタにおいて、前記第3電極の金属導体と前記導電性半導体基板との間がショットキー接合を形成していることを特徴とする金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 前記単結晶炭化ケイ素からなる導電性半導体基板が4H型結晶構造であって、かつ、窒素をドープしたn型極性を有することを特徴とする請求項1に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ。
- 請求項1又は2に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタにおける第1電極と第2電極との間に転流ダイオードを外付けした半導体デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014167312A JP6335717B2 (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014167312A JP6335717B2 (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2016046288A true JP2016046288A (ja) | 2016-04-04 |
JP6335717B2 JP6335717B2 (ja) | 2018-05-30 |
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ID=55636611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014167312A Expired - Fee Related JP6335717B2 (ja) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 半導体デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6335717B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016116358A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体パッケージ |
JPWO2018135146A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2019-06-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009016928A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009123914A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 逆耐圧を有するスイッチング用半導体装置 |
WO2012124190A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2013172059A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2013254842A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014082361A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009016928A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Rohm Co., Ltd. | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009123914A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 逆耐圧を有するスイッチング用半導体装置 |
WO2012124190A1 (ja) * | 2011-03-14 | 2012-09-20 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
WO2013172059A1 (ja) * | 2012-05-15 | 2013-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2013254842A (ja) * | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014082361A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016116358A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体パッケージ |
JPWO2018135146A1 (ja) * | 2017-01-17 | 2019-06-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10868168B2 (en) | 2017-01-17 | 2020-12-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
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JP6335717B2 (ja) | 2018-05-30 |
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