JP2016045873A - 電源電圧検知回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度特性を有する素子を有していても、温度の影響を低減することが可能な電源電圧検知回路を提供する。【解決手段】電源電圧検知回路は、直流電源の電源電圧を検知し、電源電圧が第1の閾値未満の場合にはスイッチ回路をオフし、一方、電源電圧が第1の閾値以上の場合にはスイッチ回路をオンする第1の電圧検知回路を備える。電源電圧検知回路は、スイッチ回路に接続され、スイッチ回路の出力電圧を検知し、出力電圧と閾値とに基づいて負荷回路の動作を制御する信号を出力する電圧検知回路であって、出力電圧が第1の閾値よりも高い第2の閾値未満である場合には、負荷回路を停止する信号を出力し、一方、出力電圧が第2の閾値以上である場合には、負荷回路を起動させる信号を出力する第2の電圧検知回路を備える。【選択図】図1
Description
実施形態は、電源電圧検知回路に関する。
従来、複数の回路ブロックを1チップで形成した集積回路には、外部から供給される電源電圧を検知して、負荷回路の動作を開始させる電圧検知回路を備えるものがある。この電圧検知回路は、2つの抵抗を用いて電源電圧を分圧した電圧と、抵抗とダイオードとを用いて分圧した電圧との大小関係に基づいて、電源電圧が閾値以上か否かを検出する。そして、電圧検知回路は、電源電圧がある閾値を超えたら、電源スイッチをオフからオンに切替えるとともに、負荷回路を起動させる。
ここで、上記電圧検知回路において、ダイオードの温度特性に応じて、抵抗とダイオードとを用いて分圧した分圧電圧は、変化する。そして、電源電圧を分圧した分圧電圧は、電源電圧に対し正の傾きを持つ。これらの分圧電圧の大小関係に基づいて決まる負荷回路を起動させる既述の閾値は、温度偏差を有することとなる。
ここで、上記電圧検知回路において、ダイオードの温度特性に応じて、抵抗とダイオードとを用いて分圧した分圧電圧は、変化する。そして、電源電圧を分圧した分圧電圧は、電源電圧に対し正の傾きを持つ。これらの分圧電圧の大小関係に基づいて決まる負荷回路を起動させる既述の閾値は、温度偏差を有することとなる。
このように、負荷回路を起動させる電源電圧の閾値に対する温度の影響がある。
温度特性を有する素子を有していても、温度の影響を低減することができる電源電圧検知回路を提供する。
実施例に従った電源電圧検知回路は、直流電源に接続される入力部と、負荷回路に接続される出力部とを有するスイッチ回路を備える。電源電圧検知回路は、前記直流電源の電源電圧を検知し、前記電源電圧が第1の閾値未満の場合には前記スイッチ回路をオフし、一方、前記電源電圧が第1の閾値以上の場合には前記スイッチ回路をオンする第1の電圧検知回路を備える。電源電圧検知回路は、前記スイッチ回路に接続され、前記スイッチ回路の出力電圧を検知し、前記出力電圧と閾値とに基づいて前記負荷回路の動作を制御する信号を出力する電圧検知回路であって、前記出力電圧が前記第1の閾値よりも高い第2の閾値未満である場合には、前記負荷回路を停止する信号を出力し、一方、前記出力電圧が前記第2の閾値以上である場合には、前記負荷回路を起動させる信号を出力する第2の電圧検知回路を備える。
以下、各実施例について図面に基づいて説明する。
図1は、第1の実施形態に係る電源電圧検知回路Xを備えた半導体集積回路100の回路構成の一例を示す回路図である。また、図2は、図1に示す半導体集積回路100の第1の電圧検知回路DC1の回路構成の一例を示す回路図である。また、図3は、図2に示す第1の電圧検知回路DC1における、電源電圧Vddに対する、分圧電圧Vxbおよび第1の検知電圧Vxの特性の一例を示す波形図である。また、図4は、図1に示す半導体集積回路100の第2の電圧検知回路DC2の回路構成の一例を示す回路図である。また、図5は、図4に示す第2の電圧検知回路DC2のバンドギャップリファレンス回路BGの回路構成の一例を示す回路図である。
図1に示すように、半導体集積回路100は、電源電圧検知回路Xと、負荷回路Yと、を備える。なお、直流電源Bは、半導体集積回路100の外部に設けられている。
図1に示すように、半導体集積回路100は、電源電圧検知回路Xと、負荷回路Yと、を備える。なお、直流電源Bは、半導体集積回路100の外部に設けられている。
電源電圧検知回路Xは、直流電源Bが第1の電源ノードNV1に供給した電圧(電源電圧Vdd)を、負荷回路Yに供給する又は供給しないを決定する。
また、負荷回路Yは、電源電圧検知回路Xから電源電圧Vddが供給されて動作する。この負荷回路Yは、例えば、ROM(Read Only Memory)回路Y1と、このROM回路の読み出し動作を制御する制御回路Y2と、を備える。なお、この負荷回路Yは、ROM回路以外のメモリ回路や論理回路等の回路構成であってもよい。
ここで、電源電圧検知回路Xは、例えば、図1に示すように、スイッチ回路SWと、第1の電圧検知回路DC1と、第2の電圧検知回路DC2と、を備える。
スイッチ回路SWは、入力部が第1の電源ノードNV1に接続され、出力部が第2の電源ノードNV2に接続されている。すなわち、スイッチ回路SWは、直流電源Bに接続される入力部と、負荷回路Yに接続される出力部とを有する。このスイッチ回路SWは、例えば、一端(ソース)が第1の電源ノードNV1に接続され、他端(ドレイン)が第2の電源ノードNV2に接続され、ゲート電圧が第1の電圧検知回路DC1が出力する制御信号S1で制御されるMOSトランジスタ(pMOSトランジスタ)である。
このスイッチ回路SWは、オンすることで第1の電源ノードNV1と第2の電源ノードNV2とを導通する。一方、スイッチ回路SWは、オフすることで第1の電源ノードNV1と第2の電源ノードNV2とを遮断する。
また、第1の電圧検知回路DC1は、第1の電源ノードNV1の電源電圧Vddを検知する。この第1の電圧検知回路DC1は、検知した電源電圧Vddに基づいて、制御信号S1を出力して、スイッチ回路SWを制御する。
例えば、第1の電圧検知回路DC1は、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1未満の場合には、制御信号S1としてスイッチ回路SWをオフする信号を出力してスイッチ回路SWをオフする。
一方、第1の電圧検知回路DC1は、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上の場合には、制御信号S1を用いてスイッチ回路SWをオンする。
この第1の電圧検知回路DC1は、例えば、図2に示すように、第1の検知抵抗Rxと、第1の検知ダイオードDxと、第1の分圧回路Bxと、比較回路CONxと、を備える。
第1の検知抵抗Rxは、一端が第1の電源ノードNV1に接続され、他端が第1の検知ノードNxに接続されている。なお、この第1の検知抵抗Rxは、例えば、ポリシリコン抵抗である。
第1の検知ダイオードDxは、アノードが第1の検知ノードNxに接続され、カソードが接地されている。なお、この第1の検知ダイオードDxは、例えば、PN接合ダイオード、又は、ショットキーバリアダイオードである。
また、第1の分圧回路Bxは、電源電圧Vddを抵抗Rx1および抵抗Rx2を用いて分圧した分圧電圧Vxbを、分圧ノードNxbから出力する。
また、比較回路CONxは、分圧電圧Vxbと、第1の検知ノードNxの第1の検知電圧Vxとを比較し、この比較結果に基づいて、スイッチ回路SWを制御する制御信号S1を出力する。ここで、図3に示すように、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1未満の場合は分圧電圧Vxbが分圧電圧Vxより低くなり、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上の場合は、分圧電圧Vxbが分圧電圧Vx以上になるように設定される。
この比較回路CONxは、分圧電圧Vxbが第1の検知電圧Vx未満(電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1未満)の場合には、スイッチ回路SWをオフさせる制御信号S1を出力する。
一方、比較回路CONxは、分圧電圧Vxbが第1の検知電圧Vx以上(電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上)の場合には、スイッチ回路SWをオンさせる制御信号S1を出力する。
また、図1に示す第2の電圧検知回路DC2は、スイッチ回路SWがオンすることでスイッチ回路SWを介して電圧VC(電源電圧Vdd)が供給されて動作する。
この第2の電圧検知回路DC2は、第2の電源ノードNV2(スイッチ回路SWの出力部)の電圧VCを検知する。そして、第2の電圧検知回路DC2は、検知した電圧VCと第2の閾値Vdet2とに基づいて、制御信号S2を出力して、負荷回路Yの起動(動作)を制御する。
例えば、第2の電圧検知回路DC2は、第2の電源ノードNV2の電圧VCが第2の閾値Vdet2(ただしVdet2>Vdet1)未満である場合には、負荷回路Yの起動を禁止するよう制御信号S2を出力する。
一方、第2の電圧検知回路DC2は、第2の電源ノードNV2の電圧VCが第2の閾値Vdet2以上である場合には、制御信号S2を出力して、負荷回路Yを起動させる(負荷回路Yの起動を許可する)。
この第2の電圧検知回路DC2は、例えば、図4に示すように、第2の検知ダイオードDyと、第2の検知抵抗Ryと、バンドギャップリファレンス回路(基準電圧回路)BGと、第1の比較回路CON1と、を備える。
バンドギャップリファレンス回路BGは、第2の電源ノードNV2の電圧VCが供給されて起動し、基準ノードNBGに基準電圧VBGRを出力する。
なお、この第2の電源ノードNV2の電圧VCは、スイッチ回路SWがオンしているとき(すなわち、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上のとき)、電源電圧Vddとほぼ等しくなるようにスイッチ回路SWのオン抵抗が決定される。
第2の検知ダイオードDyは、アノードが第2の電源ノードNV2に接続され、カソードが第2の検知ノードNyに接続されている。この第2の検知ダイオードDyは、例えば、PN接合ダイオード、又は、ショットキーバリアダイオードである。
第2の検知抵抗Ryは、一端が第2の検知ノードNyに接続され、他端が接地に接続されている。この第2の検知抵抗Ryは、例えば、ポリシリコン抵抗である。
また、第1の比較回路CON1は、基準電圧VBGRと、第2の検知ノードNyの第2の検知電圧Vbとを比較し、この比較結果に基づいて、負荷回路Yの起動を制御する制御信号S2を出力する。
例えば、第1の比較回路CON1は、第2の検知電圧Vbが基準電圧VBGR未満である場合には、負荷回路Yの起動を禁止するよう制御信号S2を出力する。
一方、第1の比較回路CON1は、第2の検知電圧Vbが基準電圧VBGR以上である場合には、制御信号S2を出力して、負荷回路Yを起動させる(負荷回路Yの起動を許可する)。
ここで、既述のバンドギャップリファレンス回路BGは、例えば、図5に示すように、駆動MOSトランジスタTdと、第1のダイオードDd1と、第2のダイオードDd2と、第1の抵抗Rd1と、第2の抵抗Rd2と、第3の抵抗Rd3と、第2の比較回路CON2と、を備える。
駆動MOSトランジスタTdは、一端(ソース)が第2の電源ノードNV2に接続され、他端(ドレイン)が基準ノードNBGに接続されている。この駆動MOSトランジスタTdは、ここでは、pMOSトランジスタである。
第1の抵抗Rd1は、一端が基準ノードNBGに接続され、他端が第1のノードNd1に接続されている。
第1のダイオードDd1は、アノードが第1のノードNd1に接続され、カソードが接地に接続されている。
第2の抵抗Rd2は、一端が基準ノードNBGに接続され、他端が第2のノードNd2に接続されている。
なお、第1の抵抗Rd1の抵抗値は、例えば、第2の抵抗Rd2の抵抗値と等しくなるように設定されている。
第2のダイオードDd2は、アノードが第2のノードNd2に接続されている。
第3の抵抗Rd3は、一端が第2のダイオードDd2のカソードに接続され、他端が接地に接続されている。
また、第2の比較回路CON2は、第1のノードNd1の第1の分圧電圧と第2の分圧ノードNd2の第2の分圧電圧とが等しくなるように、駆動MOSトランジスタTdのゲート電圧を制御する。
この第2の比較回路CON2は、例えば、図5に示すように、第1のpMOSトランジスタTP1と、第2のpMOSトランジスタTP2と、第3のpMOSトランジスタTP3と、第1のnMOSトランジスタTN1と、第2のnMOSトランジスタTN2と、第1の電流源I1と、第2の電流源I2と、を備える。
第1のpMOSトランジスタTP1は、一端(ソース)が第2の電源ノードNV2に接続され、ダイオード接続されている。
第1のnMOSトランジスタTN1は、一端(ドレイン)が第1のpMOSトランジスタTP1の他端(ドレイン)に接続され、ゲートが第1のノードNd1に接続されている。
第1の電流源I1は、第1のnMOSトランジスタTN1の他端(ソース)と接地との間に接続されている。この第1の電流源I1は、所定の電流を出力する。
第2のpMOSトランジスタTP2は、一端(ソース)が第2の電源ノードNV2に接続され、ゲートが第1のpMOSトランジスタTP1のゲートに接続されている。
第2のnMOSトランジスタTN2は、一端(ドレイン)が第2のpMOSトランジスタTP2の他端(ドレイン)に接続され、他端(ソース)が第1のnMOSトランジスタTN1の他端(ソース)に接続され、ゲートが第2のノードNd2に接続されている。
第3のpMOSトランジスタTP3は、一端(ソース)が第2の電源ノードNV2に接続され、他端(ドレイン)が駆動MOSトランジスタTdのゲートに接続されている。
第2の電流源I2は、第3のpMOSトランジスタTP3の他端と接地との間に接続されている。この第2の電流源I2は、所定の電流を出力する。
また、起動回路B1は、電源電圧Vddが第2の閾値Vdet2未満の期間中に、駆動MOSトランジスタTdがオンするように、駆動MOSトランジスタTdのゲート電圧を制御する。
この起動回路B1は、例えば、図5に示すように、第4の抵抗Rd4と、第5の抵抗Rd5と、第3のnMOSトランジスタTN3と、第4のnMOSトランジスタTN4と、第5のnMOSトランジスタTN5と、を備える。
第4の抵抗Rd4は、一端が第2の電源ノードNV2に接続され、他端が第3のノードNd3に接続されている。
第5の抵抗Rd5は、一端が第3のノードNd3に接続されている。
第3のnMOSトランジスタTN3は、一端(ドレイン)が第5の抵抗Rd5の他端に接続され、他端(ソース)が接地に接続され、ゲートが第3のノードNd3に接続されている。
第4のnMOSトランジスタTN4は、一端(ドレイン)が第5の抵抗Rd5の他端に接続され、他端(ソース)が接地に接続され、ダイオード接続されている。
第5のnMOSトランジスタTN5は、一端(ドレイン)が駆動MOSトランジスタTdのゲートに接続され、他端(ソース)が接地に接続され、ゲートが第4のnMOSトランジスタTN4のゲートに接続されている。
なお、第1ないし第2のダイオードDd1、Dd2は、例えば、PN接合ダイオードである。
また、第1ないし第5の抵抗Rd1〜Rd5は、例えば、ポリシリコン抵抗である。
ここで、図5に示すバンドギャップリファレンス回路BGの動作の一例について説明する。
以下では、第3ないし第5のnMOSトランジスタTN3〜TN5の閾値電圧をVthn、駆動MOSトランジスタ(pMOSトランジスタ)Tdの閾値電圧をVthpとし、第3ないし第5のnMOSトランジスタTN3〜TN5のオン抵抗を、それぞれ、Ron3、Ron4、Ron5とする。
例えば、バンドギャップリファレンス回路BGにおいて、一旦、駆動MOSトランジスタTdがオンすれば、第1、第2の抵抗Rd1、Rd2に電流Ix、Iyが流れる。これにより、第2の比較回路CON2の動作点が決まって、帰還ループが形成され、第2の比較回路CON2の動作が継続される。なお、この第2の比較回路CON2の動作を継続するためには、少なくとも電圧VCが第1、第2のダイオードDd1、Dd2のオン電圧以上である必要がある。
次に、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上に上昇した場合に、起動回路B1が駆動MOSトランジスタTdをオンさせる動作について説明する。
電源電圧Vddが0Vから第1の閾値Vdet1以上に上昇して、スイッチ回路SWがオンすることで、第2の電源ノードNV2の電圧VCが上昇する。
そして、電圧VCが閾値電圧Vthn未満のときは、第3ないし第5のnMOSトランジスタTN3〜TN5は、全てオフである。
したがって、第3のnMOSトランジスタTN3のゲート電圧Vg2と第4、第5のnMOSトランジスタTN4、TN5のゲート電圧Vg1は、電圧VCと等しくなる。さらに、第5のnMOSトランジスタTN5のドレインが高インピーダンス状態にあるため、駆動MOSトランジスタTdのゲート電圧Vgdは不定に近い状態にある。
その後、第2の電源ノードNV2の電圧VCが閾値電圧Vthnを超えると、ゲート電圧Vg1、Vg2も電圧VCと同様に閾値電圧Vthnを超える。これにより、第3ないし第5のnMOSトランジスタTN3〜TN5は、全てオンする。
このとき、第5のnMOSトランジスタTN5がオンすることで、駆動MOSトランジスタTdのゲート電圧Vgdが低下し始める。
そして、電圧VCからゲート電圧Vgdを引いた値が駆動MOSトランジスタTdの閾値電圧Vthpの絶対値を超えると、駆動MOSトランジスタTdがオンする。
そして、駆動MOSトランジスタTdがオンすると、既述のように、第2の比較回路CON2が起動することとなる。
そして、駆動MOSトランジスタTdがオンすると、既述のように、第2の比較回路CON2が起動することとなる。
その一方で、第3、第4のnMOSトランジスタTN3、TN4がオンしたことで、第4、第5の抵抗Rd4、Rd5に電流が流れる。これにより、式(1)、(2)に示すように、第4、第5の抵抗Rd4、Rd5による電圧降下が発生する。なお、式(1)、(2)において、Ron3//Ron4は、並列に接続された第3、第4のnMOSトランジスタTN3、TN4のオン抵抗の合成抵抗を表す。
Vg1=VC×(Ron3//Ron4)/(Rd4+Rd5+Ron3//Ron4) ・・・(1)
Vg2=VC×(Rd5+Ron3//Ron4)/(Rd4+Rd5+Ron3//Ron4) ・・・(2)
ここで、Rd4>>Ron3//Ron4、Rd5>>Ron3//Ron4となるように設定する。これにより、第3、第4のnMOSトランジスタTN3、TN4がオンした場合、Vg1≒0V(接地電圧)、Vg2≒VC×Rd5/(Rd4+Rd5)に近似できる。
そして、Vg1≒0V<Vthnであるので、第4、第5のnMOSトランジスタTN4、TN5がオフになる。そして、第5のnMOSトランジスタTN5がオフになったことで、駆動MOSトランジスタTdがオン状態を維持するので、第2の比較回路CON2は、起動回路B1の影響を受けずに、動作を継続する。
このとき、Vg2>Vthnになるように、第4の抵抗Rd4と第5の抵抗Rd5の比率を設定することで、第3のnMOSトランジスタTN3はオン状態を維持する。これにより、ゲート電圧Vg1、Vg2の電位は一定状態を継続し、第4、第5のnMOSトランジスタTN、TN5がオフ状態を維持する。
以上により、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上に上昇した場合に、起動回路B1が駆動MOSトランジスタTdがより確実にオンして、バンドギャップリファレンス回路BGが起動して、一定の基準電圧VREFを出力することができる。
そして、このバンドギャップリファレンス回路BGにおいて、接合面積の異なる2つのPN接合ダイオード(第1、第2のダイオードDd1、Dd2)の順方向電圧の差分の温度特性と、順方向電圧の温度特性とが、互いに相殺する。これにより、温度に対して一定の基準電圧VBGRを出力する。また、この基準電圧VBGRは、電源電圧Vddに対しても、電源電圧Vddがある電圧以上であれば、基準電圧VBGRは一定になる。なお、ここでの「ある電圧」は回路素子定数の選び方により若干変わる。
次に、以上のような構成を有する電源電圧検知回路Xの動作の例について説明する。
既述のように、第1の電圧検知回路DC1は、電源電圧Vddが0Vから上昇して第1の閾値Vdet1になったら、スイッチ回路SWをオンする。
これにより、第2の電圧検知回路DC2の電源ライン(第2の電源ノードNV2)に電源電圧Vddが伝わり、第2の電圧検知回路DC2が動作を開始する。
その後、第2の電圧検知回路DC2は、電圧VC(電源電圧Vdd)が第2の閾値Vdet2になったら、負荷回路Yの起動を許可する。
これにより、負荷回路Yは、第2の閾値Vdet2以上の電圧VCが供給された状態で、起動し、正常な動作が可能となる。
ここで、図6は、図5に示すバンドギャップリファレンス回路BGを有する第2の電圧検知回路DC2における、電源電圧Vddに対する基準電圧VBGRおよび第2の検知電圧Vbの特性の一例を示す波形図である。なお。この図6は、電源電圧Vddを第2の電圧検知回路DC2の電源ノードNV2に直接供給した場合における回路シミュレーション結果を示すものである。
図6に示すように、電源電圧Vddが上昇すると、基準電圧VBGRと第2の検知電圧Vbは1点(第2の閾値Vdet2)のみで交差する。基準電圧VBGRと第2の検知電圧Vbとを比較することで、電源電圧Vddが第2の閾値Vdet2と等しくなるタイミングを検知できる。
さらに、基準電圧VBGRは、電源電圧Vddと温度には依存しないので、第2の閾値Vdet2の偏差は、第2の検知電圧Vbの精度のみで決まる。
したがって、第2の閾値Vdet2の偏差は、PN接合ダイオード(第2の検知ダイオードDy)のオン電圧の温度偏差および抵抗Ryの温度偏差によって決まる。PN接合ダイオードの温度係数は負であるから、抵抗の温度係数が負になる材料を選べば、Dyの温度偏差と抵抗Ryの温度偏差が打ち消しあうので、結果的にNyの温度偏差は小さくなり、第2の電圧検知回路DC2は、精度のよい電圧検知ができる。
一方、バンドギャップリファレンス回路BGにおいて、電源電圧Vddが、0V(接地電圧)からPN接合ダイオードのオン電圧の間は、基準電圧VBGRが0Vである。
このため、本実施形態では、既述のように、電源電圧Vddが0Vから第1の閾値Vdet1のときは、第1の電圧検知回路DC1で電源電圧Vddを監視する。そして、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1以上第2の閾値Vdet2未満のときに、第2の電圧検知回路DC2で電源電圧Vdd(電圧VC)を監視する。
なお、第2の電圧検出回路DC2は、スイッチ回路SWがオンしているときだけ、電源電圧Vddが供給されて動作する。したがって、電源電圧Vddが第1の閾値Vdet1未満の場合は、第2の電圧検知回路DC2は停止しており、電力を消費しない。
以上のように、電源電圧VddがPN接合のオン電圧または閾値電圧Vthnのどちらか高い方の電圧以上になると、バンドギャップリファレンス回路BGが起動する。したがって、電源電圧Vddが第2の閾値Vdet2未満でかつバンドギャップリファレンス回路BGが起動する電圧以上である場合において、基準電圧VBGRと第2の検知電圧Vbの差異を大きく取ることができ(図6)、電源電圧Vddのノイズに対する耐性に優れている。
すなわち、第1の実施形態に係る電源電圧検知回路によれば、温度特性を有する素子を有していても、温度の影響を低減することができる。
図7は、図1に示す半導体集積回路100の第2の電圧検知回路DC2の回路構成の他の例を示す回路図である。なお、図7において、図4の符号と同じ符号は、第1の実施形態と同様の構成を示す。
図7に示すように、第2の電圧検知回路DC2は、第2の検知ダイオードDyと、第2の検知抵抗Ryと、バンドギャップリファレンス回路(基準電圧回路)BGと、第1の比較回路CON1と、分圧回路BCと、を備える。
すなわち、本第2の実施形態において、第2の電圧検知回路DC2は、図3に示す構成と比較して、分圧回路BCをさらに備える。
ここで、分圧回路BCは、基準電圧VBGRを分圧した分圧基準電圧VBGAを出力する。この分圧回路BCは、例えば、図7に示すように、一端が基準ノードNBGに接続され、他端がノードNdに接続された抵抗Raと、一端がノードNdに接続され、他端が接地された抵抗Rbと、を備える。
この分圧回路BCは、基準電圧VBGRを抵抗Ra、Rbを用いて分圧した分圧基準電圧VBGAを出力する。
そして、本第2の実施形態においては、第1の比較回路CON1は、この分圧基準電圧VBGAと、第2の検知ノードNyの第2の検知電圧Vbとを比較し、この比較結果に基づいて、前記負荷回路Yの起動を制御する制御信号S2を出力する。
例えば、第1の比較回路CON1は、第2の検知電圧Vbが分圧基準電圧VBGA未満である場合には、制御信号S2の出力を停止して、負荷回路Yの起動を禁止する。
一方、第1の比較回路CON1は、第2の検知電圧Vbが分圧基準電圧VBGA以上である場合には、制御信号S2を出力して負荷回路Yの起動を許可する。
ここで、基準電圧VBGRおよび第2の検知電圧Vbは、半導体の性質からその値が決まってしまうものである。一方、分圧基準電圧VBGAは、基準電圧VBGR未満であれば任意の値を選択可能である。
したがって、本第2の実施形態に係る第2の電圧検知回路DC2において、分圧基準電圧VBGAを用いることで、第2の閾値Vdet2の設定範囲をよりも広げることができる。
この第2の実施形態に係る電源電圧検知回路のその他の構成は、第1の実施形態と同様である。さらに、この第2の実施形態に係る電源電圧検知回路の動作も、第1の実施形態と同様である。
すなわち、この第2の実施形態に係る電源電圧検知回路によれば、第1の実施形態と同様に、温度特性を有する素子を有していても、温度の影響を低減することができる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
100 半導体集積回路
X 電源電圧検知回路
Y 負荷回路
B 直流電源
SW スイッチ回路
DC1 第1の電圧検知回路
DC2 第2の電圧検知回路
X 電源電圧検知回路
Y 負荷回路
B 直流電源
SW スイッチ回路
DC1 第1の電圧検知回路
DC2 第2の電圧検知回路
Claims (8)
- 直流電源に接続される入力部と、負荷回路に接続される出力部とを有するスイッチ回路と、
前記直流電源の電源電圧を検知し、前記電源電圧が第1の閾値未満の場合には前記スイッチ回路をオフし、一方、前記電源電圧が第1の閾値以上の場合には前記スイッチ回路をオンする第1の電圧検知回路と、
前記スイッチ回路に接続され、前記スイッチ回路の出力電圧を検知し、前記出力電圧と閾値とに基づいて前記負荷回路の動作を制御する信号を出力する電圧検知回路であって、前記出力電圧が前記第1の閾値よりも高い第2の閾値未満である場合には、前記負荷回路を停止する信号を出力し、一方、前記出力電圧が前記第2の閾値以上である場合には、前記負荷回路を起動させる信号を出力する第2の電圧検知回路と、を備えることを特徴とする電源電圧検知回路。 - 前記第1の電圧検知回路は、
一端が前記直流電源に接続される第1の検知抵抗と、
アノードが前記第1の検知抵抗の他端に接続され、カソードが接地された第1の検知ダイオードと、
前記電源電圧を分圧した分圧電圧を出力する第1の分圧回路と、
前記分圧電圧と、前記第1の検知抵抗の他端の第1の検知電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記スイッチ回路を制御する制御信号を出力する比較回路と、を備えることを特徴とする請求項1に記載の電源電圧検知回路。 - 前記第2の電圧検知回路は、
前記スイッチ回路の他端の電圧が供給されて起動し、基準電圧を出力する基準電圧回路と、
アノードが前記スイッチ回路の他端に接続された第2の検知ダイオードと、
一端が前記第2の検知ダイオードのカソードに接続され、他端が接地された第2の検知抵抗と、
前記基準電圧と、前記第2の検知ダイオードのカソードの第2の検知電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記負荷回路の起動を制御する制御信号を出力する第1の比較回路と、を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の電源電圧検知回路。 - 前記第1の比較回路は、前記第2の検知電圧が前記基準電圧以上である場合には、前記負荷回路を起動させる制御信号を出力することを特徴とする請求項3に記載の電源電圧検知回路。
- 前記第2の電圧検知回路は、
前記スイッチ回路の他端の電圧が供給されて駆動し、基準電圧を出力する基準電圧回路と、
アノードが前記スイッチ回路の他端に接続された第2の検知ダイオードと、
一端が前記第2の検知ダイオードのカソードに接続され、他端が接地された第2の検知抵抗と、
前記基準電圧を分圧した分圧基準電圧を出力する第2の分圧回路と、
前記分圧基準電圧と、前記第2の検知ダイオードのカソードの第2の検知電圧とを比較し、この比較結果に基づいて、前記負荷回路の起動を制御する制御信号を出力する第1の比較回路と、を備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の電源電圧検知回路。 - 前記第1の比較回路は、前記第2の検知電圧が前記分圧基準電圧以上である場合には、前記負荷回路を起動させる制御信号を出力することを特徴とする請求項5に記載の電源電圧検知回路。
- 前記基準電圧回路は、
一端が前記スイッチ回路の他端に接続され、他端が前記基準電圧回路の出力に接続された駆動MOSトランジスタと、
一端が前記駆動MOSトランジスタの他端に接続された第1の抵抗と、
アノードが前記第1の抵抗の他端に接続され、カソードが接地された第1のダイオードと、
一端が前記駆動MOSトランジスタの他端に接続された第2の抵抗と、
アノードが前記第2の抵抗の他端に接続された第2のダイオードと、
一端が前記第2のダイオードのカソードに接続され、他端が接地された第3の抵抗と、
前記第1の抵抗の他端の第1の分圧電圧と前記第2の抵抗の他端の第2の分圧電圧とが等しくなるように、前記駆動MOSトランジスタのゲート電圧を制御する第2の比較回路と、
前記電源電圧が前記第2の閾値以下の期間中に、前記駆動MOSトランジスタがオンするように、前記駆動MOSトランジスタのゲート電圧を制御する起動回路と、を備えることを特徴とする請求項3又は5に記載の電源電圧検知回路。 - 前記第1の抵抗の抵抗値は、前記第2の抵抗の抵抗値と等しいことを特徴とする請求項7に記載の電源電圧検知回路。
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