JP2016045257A - 凹凸パターン及び光学素子並びに凹凸パターンの形成方法及び光学素子の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エッチング技術によってシリコン層1に溝を形成してシリコン凸条パターン3とシリコン凹条パターン5を形成する。シリコン凸条パターン3は、シリコン凸条パターン3の長さ方向において切断された切断部3aと、長さ方向での両側面の対向する位置にそれぞれ形成されたシリコンシリコン突起部3bを有している。シリコン層1に対して熱酸化処理を施して二酸化ケイ素凸条パターン7と二酸化ケイ素凹条パターン9を形成する。二酸化ケイ素凹条パターン9において、長さ方向で隣り合うシリコン凸条パターン同士に対応する二酸化ケイ素凸条パターン同士が連結されている。二酸化ケイ素凸条パターン9におけるシリコン突起部3bに対応する二酸化ケイ素突起部7bは隣の二酸化ケイ素凸条パターン9とは接触していない。
【選択図】図1
Description
nTM={n1 -2×f + n2 -2×(1−f)}-1/2 ・・・(2)
δ=(nTE−nTM)×d ・・・(3)
次に、本発明の光学素子の形成方法によって形成され得る偏光解消素子の例について説明する。
偏光解消素子15に複数のサブ波長構造領域17が配置されている。サブ波長構造領域17は、例えば互いに隙間のない状態に配置されている。各サブ波長構造領域17において、サブ波長構造は、サブ波長構造領域17の境界(ここでは4辺)とは例えば数百nmの間隔をもって形成されている。ただし、サブ波長構造はサブ波長構造領域17の境界に接して形成されていてもよい。また、サブ波長構造領域17は互いに間隔をもって配置されていてもよい。
また、本発明の光学素子の形成方法によって形成され得る光学素子は、サブ波長構造を有するものに限定されない。
3 シリコン凸条パターン
3a 切断部
3b シリコン突起部
5 シリコン凹条パターン
7 二酸化ケイ素凸条パターン
7b 二酸化ケイ素突起部
9 二酸化ケイ素凹条パターン
15,19 偏光解消素子
17 サブ波長構造領域
21 サブ波長構造
Claims (10)
- エッチング技術によってシリコン層に溝を形成してシリコン凸条パターンとシリコン凹条パターンを形成するエッチング工程と、
前記シリコン層に対して熱酸化処理を施して前記シリコン凸条パターンと前記シリコン凹条パターンから二酸化ケイ素凸条パターンと二酸化ケイ素凹条パターンを形成する熱酸化工程と、を含み、
前記エッチング工程において、前記シリコン凸条パターンとして前記シリコン凸条パターンの長さ方向において切断された切断部を有し、かつ前記長さ方向での両側面の対向する位置にそれぞれ形成されたシリコン突起部を有するものが形成され、
前記熱酸化工程において、前記熱酸化処理によって前記シリコン凸条パターンの長さ方向で隣り合う前記シリコン凸条パターン同士に対応する前記二酸化ケイ素凸条パターン同士が連結され、前記二酸化ケイ素凸条パターンにおける前記シリコン突起部に対応する二酸化ケイ素突起部は隣の前記二酸化ケイ素凸条パターンとは接触されないことを特徴とする凹凸パターンの形成方法。 - 前記シリコン突起部は、前記切断部によって分割された前記シリコン凸条パターンの前記長さ方向での中央部分に配置される、請求項1に記載の凹凸パターンの形成方法。
- 請求項1又は2に記載された凹凸パターンの形成方法を用い、
前記二酸化ケイ素凸条パターンと前記二酸化ケイ素凹条パターンが交互に繰り返して配置された光学素子を形成することを特徴とする光学素子の形成方法。 - 前記エッチング工程において、複数の前記切断部が不規則な配置で形成される請求項3に記載の光学素子の形成方法。
- 前記二酸化ケイ素凸条パターンと前記二酸化ケイ素凹条パターンを使用する光の波長よりも短い凹凸周期で配置してサブ波長構造を形成する請求項3又は4に記載の光学素子の形成方法。
- 前記サブ波長構造の凹凸繰返し方向が互いに異なっている複数のサブ波長構造領域を形成して前記光学素子として偏光解消素子を形成する請求項5に記載の光学素子の形成方法。
- 前記熱酸化工程において、全ての前記切断部のうちの少なくとも一部の前記切断部に対応する位置で、前記シリコン凸条パターンの長さ方向で隣り合う前記シリコン凸条パターン同士に対応する前記二酸化ケイ素凸条パターン同士が前記使用する光の波長よりも短い間隔で配置されるように、前記エッチング工程において前記シリコン凸条パターンに前記切断部が形成される請求項5又は6に記載の光学素子の形成方法。
- 請求項1又は2に記載された凹凸パターンの形成方法によって形成された前記二酸化ケイ素凸条パターンと前記二酸化ケイ素凹条パターンからなる凹凸パターンであって、
前記二酸化ケイ素凸条パターンの側面に前記二酸化ケイ素突起部が形成されていることを特徴とする凹凸パターン。 - 請求項3から7のいずれか一項に記載された光学素子の形成方法によって形成された光学素子であって、
前記二酸化ケイ素凸条パターンの側面に前記二酸化ケイ素突起部が形成されていることを特徴とする光学素子。 - 請求項7に記載された光学素子の形成方法によって形成され、
長さ方向で隣り合う前記二酸化ケイ素凸条パターン同士が前記使用する光の波長よりも短い間隔で配置されている部分が含まれている請求項9に記載の光学素子。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004341453A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Minolta Co Ltd | 偏光解消素子、その素子を用いた分光器及び光ファイバー増幅器 |
JP2005308859A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 複屈折光学素子及びその製造方法 |
US20070115553A1 (en) * | 2004-01-14 | 2007-05-24 | Chang-Hasnain Connie J | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
JP2008235422A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2014134745A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光学素子、複合光学素子及び光学素子の製造方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004341453A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Minolta Co Ltd | 偏光解消素子、その素子を用いた分光器及び光ファイバー増幅器 |
US20070115553A1 (en) * | 2004-01-14 | 2007-05-24 | Chang-Hasnain Connie J | Ultra broadband mirror using subwavelength grating |
JP2005308859A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 複屈折光学素子及びその製造方法 |
JP2008235422A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2014134745A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光学素子、複合光学素子及び光学素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018210261A1 (zh) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 昇印光电(昆山)股份有限公司 | 一种纹理结构、光学薄膜、模具及电子设备盖板 |
CN108873113A (zh) * | 2017-05-16 | 2018-11-23 | 昇印光电(昆山)股份有限公司 | 一种纹理结构、光学薄膜、模具及电子设备盖板 |
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