JP2016034102A - 光電変換装置、光電変換システム、光電変換装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】動作の高速化と、光信号の信号レベルが小さい場合における信号の精度の向上とを実現する光電変換装置を提供する。【解決手段】光電変換装置１０は画素セル１０００、容量駆動部１２、垂直信号線１７、電流源１８、列信号処理部２０を有する。画素セル１０００は単位画素１０ａ、リセット部１４、画素出力部１６を有する。画素出力部１６は増幅トランジスタ１６ａと、選択トランジスタ１６ｂとを有する。光電変換部１０１ａのリフレッシュ動作を行う期間、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とする。【選択図】図１

Description

本発明は、光電変換装置、光電変換システム、光電変換装置の駆動方法に関する。

特許文献１に記載された光電変換装置の画素は、金属と絶縁膜と半導体とで構成される、いわゆるＭＩＳ型の光電変換部を有する。光電変換部は信号電荷を蓄積する。さらに画素は、光電変換部が蓄積した信号電荷に基づく信号を出力する増幅トランジスタを有する。

特許文献２に記載のＭＩＳ型の光電変換部は、第１の電極と、第１の電極に対して基板側に設けられた第２の電極と、第１の電極および第２の電極の間に配された光電変換層を有する。特許文献２には、光電変換層から蓄積した信号電荷を排出するために、第１の電極と第２の電極との電位の大小関係を、信号電荷の蓄積時とは逆にした後、再び信号電荷の蓄積時と同じとすることが記載されている。

特開２０１３−１３１９００号公報 特開平８−１１６０４４号公報

ＭＩＳ光電変換層から蓄積した信号電荷を排出する場合、第２の電極に供給する電位を第１の電位から第２の電位とする。これにより、第２の電極に電気的に接続された増幅トランジスタの入力ノードの電位も第１の電位から第２の電位に変化する。従って、増幅トランジスタが出力する信号の信号レベルが変化する。その後、第２の電極に供給する電位を、第２の電位から第１の電位とする。これにより、増幅トランジスタの入力ノードの電位が第２の電位から、光信号に基づく電位となる。光信号の信号レベルが小さい場合に、増幅トランジスタの出力する信号が、入力ノードの電位が第２の電位にある時に出力していた信号レベルから、光信号に基づく信号レベルに落ち着くまでに時間を要する。従って、この増幅トランジスタの出力する信号レベルが光信号に基づく信号レベルに落ち着くまでに要する時間が、光電変換装置の高速化の妨げになるという課題がある。

また、増幅トランジスタの出力する信号が、入力ノードの電位が第２の電位にある時に出力していた信号レベルから光信号に基づく信号レベルに落ち着く前に、増幅トランジスタの後段の回路が増幅トランジスタの出力する信号を保持することがある。この場合には、増幅トランジスタの後段の回路が保持する信号の精度が低下する課題がある。

本発明は上記の課題を鑑みて為されたものであり、その一の態様は、光電変換部と、増幅部と、信号線とを有する光電変換装置において、前記光電変換部は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に配された、信号電荷を蓄積する光電変換層と、前記光電変換層および前記第２の電極の間に配された絶縁層と、を含み、前記増幅部の入力ノードに、前記光電変換部が蓄積した前記信号電荷に基づく光信号が出力され、前記増幅部の出力ノードは前記信号線に電気的に接続され、前記第１の電極に印加される電位と前記第２の電極に印加される電位との大小関係は、前記光電変換層が前記信号電荷を蓄積する第１の期間において、第１の関係であって、前記信号電荷を前記光電変換層から排出する第２の期間において、前記第２の電極に、前記第１の期間に印加される電位とは値の異なる電位が印加されることによって、前記第１の関係とは逆の第２の関係であって、さらに前記光電変換装置は出力制御部を有し、前記出力制御部は、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記信号線の電位を所定の範囲に制限する、あるいは、前記出力制御部は、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記増幅部を非動作状態とすることを特徴とする光電変換装置である。

また、一の態様は、光電変換部と、増幅部と、信号線とを有し、前記光電変換部は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に配された、信号電荷を蓄積する光電変換層と、前記光電変換層および前記第２の電極の間に配された絶縁層と、を含む光電変換装置の駆動方法であって、前記第１の電極に印加される電位と前記第２の電極の印加される電位との大小関係を、前記光電変換層が、前記信号電荷を蓄積する第１の期間において、第１の関係とし、前記信号電荷を前記光電変換層から排出する第２の期間において、前記第２の電極に、前記第１の期間に印加される電位とは値の異なる電位が印加されることによって、第１の関係とは逆の第２の関係とし、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記信号線の電位を所定の範囲に制限する、あるいは、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記増幅部を非動作状態とすることを特徴とする光電変換装置の駆動方法である。

本発明により、光電変換装置の高速化と、光信号の信号レベルが小さい場合における、光信号に基づく信号の精度の向上とを実現することができる。

光電変換装置の構成の一例を示した図と、列信号処理部の構成の一例を示した図 光電変換部の動作の一例を示した図 光電変換装置の動作の一例を示した図 光電変換装置の構成の一例を示した図 光電変換装置の一例を示した図 光電変換装置の一例を示した図 光電変換装置の動作の一例を示した図と、容量素子の構成の一例を示した図 光電変換装置の一例を示した図 光電変換システムの構成の一例を示した図 光電変換装置の動作の一例を示した図

以下、図面を参照しながら、各実施例の光電変換装置を説明する。

（実施例１）
図１（ａ）に示した光電変換装置１０は、画素セル１０００、容量駆動部１２、垂直信号線１７、電流源１８、列信号処理部２０を有する。また、光電変換装置１０は、電源部３０ａを有する。

画素セル１０００は、単位画素１０ａ、リセット部１４、画素出力部１６を有する。

図１（ａ）では１つの画素セル１０００を示しているが、複数行および複数列に渡って配された複数の画素セル１０００のうちの１つを示したものである。また、図１（ａ）では、垂直信号線１７、電流源１８、列信号処理部２０を１つずつ示した。これは、複数の画素セル１０００が配された各列に対応して設けられた複数列の垂直信号線１７、複数列の電流源１８、複数列の列信号処理部２０のそれぞれを１つずつ示したものである。

単位画素１０ａは、光電変換部１０１ａを有する。光電変換部１０１ａは、第１の電極２０１、ブロッキング層２０３、光電変換層２０５、絶縁層２０７、第２の電極２０９を有する。ブロッキング層２０３は第１の電極２０１と光電変換層２０５との間に設けられており、光電変換層２０５はブロッキング層２０３と絶縁層２０７との間に設けられている。また、絶縁層２０７は、光電変換層２０５と第２の電極２０９との間に設けられている。

第１の電極２０１は、光電変換層２０５が感度を有する波長域の光の透過率の高い導電部材で構成される。例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などのインジウム、および／またはスズを含む化合物や、ＺｎＯなどの化合物が、第１の電極２０１の材料として用いられる。これにより、本実施例の光電変換層２０５は、銅などの不透明の電極を第１の電極２０１として用いる場合に比して、より多くの光を取り込むことができる。他の例として、本実施例の第１の電極２０１は、所定の量の光が透過する程度の薄さを有するポリシリコンや金属で形成されていても良い。

ブロッキング層２０３は、第１の電極２０１から光電変換層２０５へ、光電変換層２０３が蓄積する信号電荷と同じ導電型の電荷が光電変換層２０３に注入されることを低減する。光電変換層２０５は、第１の電極２０１に印加される電位Ｖｓと、第２の電極２０９の電位との電位差によって空乏化する。また第１の電極２０１に印加される電位Ｖｓと第２の電極２０９の電位との関係に応じて、光電変換層２０５のポテンシャルの傾きが反転する。このような構成により、光電変換層２０５は、信号電荷の蓄積、および、蓄積された信号電荷の排出を行うことができる。光電変換部１０１ａの動作については後述する。

尚、本実施例において、第１の電極２０１に供給される電源電圧は、電源部３０ａから供給される電位Ｖｓである。

光電変換層２０５は、真性のアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ）、低濃度のＰ型のａ−Ｓｉ、低濃度のＮ型のａ−Ｓｉなどで形成される。あるいは、光電変換層２０５は、化合物半導体で形成されてもよい。例えば、ＢＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＳｂ、ＧａＡｌＡｓＰなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＨｄＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ、ＣｕＯなどのＩＶ−ＶＩ族化合物半導体が挙げられる。あるいは、光電変換層２０５は、有機材料で形成されてもよい。例えば、フラーレン、クマリン６（Ｃ６）、ローダミン６Ｇ（Ｒ６Ｇ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）、キナクリドン、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物などを用いることができる。さらに、光電変換層２０５は、上述の化合物半導体を含んで構成された量子ドット膜を用いることができる。

光電変換層２０５が半導体で構成される場合、当該半導体の不純物濃度が低いか、あるいは、当該半導体は真性であるとよい。このような構成によれば、光電変換層２０５に空乏層を十分に広げることができるため、高感度化、ノイズ低減などの効果を得ることができる。

ブロッキング層２０３には、光電変換層２０５に用いられる半導体と同じ材料であって、光電変換層２０５に用いられる半導体よりも不純物濃度の高いＮ型あるいはＰ型の半導体を用いることができる。例えば、光電変換層２０５にａ−Ｓｉが用いられる場合、ブロッキング層２０３に不純物がドープされたＮ型のａ−Ｓｉ、あるいは、不純物がドープされたＰ型のａ−Ｓｉが用いられる。不純物濃度の違いによりフェルミ準位の位置が異なるため、ブロッキング層２０３は、電子およびホールのうち一方に対してのみ、ポテンシャルバリアとして機能する。光電変換層２０５が量子ドット膜を含む場合には、量子ドット膜に用いられる半導体と同じ材料であって、量子ドット膜の導電型とは逆の導電型のブロッキング層２０３を設ければよい。例えば、量子ドット膜がＰ型のＰｂＳである場合には、ブロッキング層２０３はＮ型のＰｂＳとすれば良い。また、量子ドット膜と同じ材料で、同じ導電型のブロッキング層２０３であっても、不純物濃度を量子ドット膜とブロッキング層２０３とで異ならせればよい。

もしくは、光電変換層２０５とは異なる材料でブロッキング層２０３を構成することができる。このような構成によれば、ヘテロ接合が形成される。材料の違いによりバンドギャップが異なるため、電子およびホールのうち一方に対してのみ、ポテンシャルバリアを形成することができる。光電変換層２０５が量子ドット膜を含む場合には、例えば量子ドット膜としてＰｂＳを用い、ブロッキング層２０３にＺｎＯを用いるようにしても良い。

光電変換層２０５と第２の電極２０９との間には、絶縁層２０７が配される。例えば絶縁層２０７の材料として、アモルファス酸化シリコン（以下、ａ−ＳｉＯ）、アモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）、有機材料が用いられる。絶縁層２０７の厚さは、トンネル効果により信号電荷が透過しない程度の厚さとするとよい。このような構成にすることで、リーク電流を低減できるため、ノイズを低減することができる。具体的には、絶縁層２０７の厚さは５０ｎｍ以上とするとよい。

ブロッキング層２０３、光電変換層２０５、および、絶縁層２０７にアモルファス膜を用いる場合は、水素化処理を行い、水素でダングリングボンドを終端してもよい。このような構成により、ノイズを低減することができる。

第２の電極２０９は金属などの導電部材で構成される。第２の電極２０９には、配線を構成する導電部材、あるいは、外部と接続するためのパッド電極を構成する導電部材と同じ材料が用いられる。このような構成によれば、本実施例の光電変換部１０１ａは、第２の電極２０９と、配線を構成する導電部材、あるいは、パッド電極とを同時に形成することができる。したがって、本実施例の光電変換部１０１ａは、第２の電極２０９を、配線を構成する導電部材あるいはパッド電極と異なる材料とした場合に比して、簡略化した製造プロセスで製造することができる。

光電変換部１０１ａの第１の電極２０１は電源部３０ａと電気的に接続されている。電源部３０ａは、第１の電極２０１に電位Ｖｓを供給する。 リセット部１４は、リセットトランジスタ１４ａを有する。リセットトランジスタ１４ａは、ソースとドレインの一方にリセット電位Ｖｒｅｓが供給され、ソースとドレインの他方がノードＦＤに電気的に接続されている。リセット電位Ｖｒｅｓは、電位Ｖｓよりも小さい電位である。本実施例では、電位Ｖｓは５Ｖ、リセット電位Ｖｒｅｓは２Ｖとする。また、リセットトランジスタ１４ａのゲートには、不図示の垂直走査回路から信号φＲＥＳが入力される。

容量駆動部１２は、バッファ回路１２ａと容量素子１２ｂとを有する。容量素子１２ｂの一方のノードである第１のノードは、第３のノードであるノードＦＤに電気的に接続されている。さらに言えば、容量素子１２ｂの第１のノードは、光電変換部１０１ａの第２の電極２０９に電気的に接続されている。容量素子１２ｂの他方のノードである第２のノードは、バッファ回路１２ａに電気的に接続されている。バッファ回路１２ａには、不図示のタイミングジェネレータから信号φＶｐが入力される。バッファ回路１２ａは、信号φＶｐの電位をバッファした電位を、容量素子１２ｂに供給する。タイミングジェネレータは、電位の異なる信号φＶｐを、バッファ回路１２ａを介して、容量素子１２ｂに供給する容量電位供給部である。

ノードＦＤには容量素子１２ｂが電気的に接続される。容量素子１２ｂは、例えば、互いに対向する２つの電極を含む。２つの電極はポリシリコンや金属などの材料で構成される。あるいは、容量素子１２ｂは、半導体領域と当該半導体領域の上に配されたゲート電極とを含んで構成される。

ノードＦＤに容量素子１２ｂが接続される構成によれば、光信号を光電変換部１０１ａから読み出すときにノイズを低減することができる。このノイズ低減の効果について説明する。

本実施例の光電変換装置では、ノードＦＤの電位の制御を行う。光電変換部１０１ａの第２の電極２０９の電位は、容量素子１２ｂと、ノードＦＤで接続された増幅トランジスタ１６ａのゲート容量と、第１の電極２０１と第２の電極２０９との間の容量成分の容量値（以下、光電変換部１０１ａの容量値とする）との合成容量との比に応じて変化する。これは、容量素子１２ｂと合成容量とを、直列に接続された２つの容量として見なすことができるからである。

本実施例の光電変換装置では、容量素子１２ｂの容量値が大きいほど、信号φＶｐを変化させた時の第２の電極２０９の電位の変化量が大きくなる。

本実施例によれば、ノードＦＤに容量素子１２ｂが電気的に接続される。容量素子１２ｂの、信号φＶｐの電位が入力されるノードと、ノードＦＤとは、電気的に分離されている。

本実施例の光電変換装置では、ノードＦＤの容量値が大きいほど、ノードＦＤの電位を変化させた時の第２の電極２０９の電位の変化量が大きくなる。

本実施例によれば、ノードＦＤに容量素子１２ｂが電気的に接続される。したがって、光電変換部１０１ａから光信号を読み出すために、第２の電極２０９の電位を制御した際に、第１の電極２０１と第２の電極２０９との間に大きな電位差を印加することができる。これにより、本実施例の光電変換装置は、光電変換層２０５を容易に空乏化することができるため、光信号に含まれるノイズを低減することができる。

画素出力部１６は、増幅トランジスタ１６ａと、選択トランジスタ１６ｂとを有する。増幅トランジスタ１６ａの入力ノードであるゲートは、ノードＦＤに電気的に接続されている。また、増幅トランジスタ１６ａのソースとドレインの一方には、電位Ｖｄｄが入力され、ソースとドレインの他方は、選択トランジスタ１６ｂのソースとドレインの一方に電気的に接続されている。選択トランジスタ１６ｂのソースとドレインの他方は、垂直信号線１７に電気的に接続されている。また、選択トランジスタ１６ｂのゲートには、不図示の垂直走査回路から信号φＳｅｌが入力される。増幅部である増幅トランジスタ１６ａは、第２の電極２０９から出力される信号を増幅した信号を出力する。また、選択トランジスタ１６ｂの垂直信号線１７に接続されたノードは、増幅部の出力ノードである。

電流源１８は、垂直信号線１７を介して、選択トランジスタ１６ｂと電気的に接続されている。選択トランジスタ１６ｂがオンすると、増幅トランジスタ１６ａと電流源１８とによってソースフォロワ回路が構成される。

増幅トランジスタ１６ａから、選択トランジスタ１６ｂを介して垂直信号線１７に出力された信号は、列信号処理部２０に入力される。列信号処理部２０は、増幅トランジスタ１６ａから垂直信号線１７に出力された信号に基づく信号を出力する。

図１（ｂ）は、列信号処理部２０の構成を示した図である。

列信号処理部２０は、列増幅部２１、ＡＤ変換部２２を有する。列増幅部２１は、容量素子Ｃ０、容量素子Ｃ１、スイッチＳＷ１、増幅器２３を有する。スイッチＳＷ１は、不図示のタイミングジェネレータから出力される信号φＣ０によって動作が制御される。増幅器２３の反転入力ノードには、容量素子Ｃ０を介して、垂直信号線１７に増幅トランジスタ１６ａから出力された信号が入力される。増幅器２３の非反転入力ノードには、参照電圧Ｖｒｅｆが入力される。増幅器２３が出力する信号Ｖａｍｐは、増幅器２３の反転入力ノードに入力された信号を反転増幅した信号である。増幅器２３の増幅率は、負の値のｋである。

ＡＤ変換部２２は、比較部２５、メモリ２７を有する。信号Ｖａｍｐは、増幅器２３から比較部２５に入力される。比較部２５は、列信号処理部２０の外部から入力されるランプ信号Ｒａｍｐの電位と、信号Ｖａｍｐとの電位とを比較する。ランプ信号Ｒａｍｐは、時間に依存して電位が単調に変化する信号である。比較部２５がメモリ２７に出力する信号は、ランプ信号Ｒａｍｐの電位と、信号Ｖａｍｐとの電位とを比較した結果を示す信号である。メモリ２７は、ランプ信号Ｒａｍｐが電位の変化を開始したタイミングから、比較結果信号の信号レベルが変化するまでの時間を計数した信号を保持する。このメモリ２７が保持する信号が、信号Ｖａｍｐに基づくデジタル信号である。

複数列の列信号処理部２０の各々のメモリ２７が保持したデジタル信号は、不図示の水平走査回路によって、列ごとに順次、光電変換装置の外部に出力される。

次に、本実施例における光電変換部１０１ａの動作について説明する。図２（ａ）〜（ｄ）のそれぞれは、光電変換部１０１ａにおけるエネルギーバンドを模式的に示している。図２（ａ）〜（ｄ）のそれぞれには、第１の電極２０１、ブロッキング層２０３、光電変換層２０５、絶縁層２０７、第２の電極２０９のエネルギーバンドが示されている。図２の縦軸は電子に対するポテンシャルを表している。図２の上に行くほど、電子に対するポテンシャルが高い。したがって、図２の下に行くほど、電位は低くなる。第１の電極２０１、および、第２の電極２０９については、フェルミ準位が示されている。ブロッキング層２０３、および、光電変換層２０５については、伝導帯のエネルギー準位と価電子帯のエネルギー準位との間のバンドギャップが示されている。

光電変換部１０１ａの動作としては、以下のステップ（１）〜（５）が繰り返し行われる。（１）増幅部の入力ノードのリセット、（２）ノイズ信号の読み出し、（３）光電変換部からの信号電荷の転送、（４）光信号の読み出し、（５）信号電荷の蓄積。以下、それぞれのステップについて説明する。

図２（ａ）は、ステップ（１）からステップ（２）における光電変換部１０１ａの状態を示している。第１の電極２０１には、電位Ｖｓが供給されている。第１の電位Ｖｓは、例えば、３Ｖである。光電変換層２０５には、露光期間中に生じた信号電荷として、白丸で示されたホールが蓄積されている。蓄積されたホールの量に応じて、光電変換層２０５の絶縁層２０７側の表面ポテンシャルは変化する。また、バッファ回路１２ａは第１の電位Ｖｄ１を容量素子１２ｂに供給している。第１の電位Ｖｄ１は、例えば、０Ｖである。

この状態でリセットトランジスタ１４ａをオンする。これにより、第２の電極２０９を含むノード、つまり、ノードＦＤの電位がリセット電位Ｖｒｅｓにリセットされる。リセット電位Ｖｒｅｓは、例えば、１Ｖである。ノードＦＤは、増幅トランジスタ１６ａの入力ノードであるゲートに接続されている。そのため、増幅部の入力ノードのリセットが行われる。

その後、リセットトランジスタ１４ａをオフする。これにより、ノードＦＤが電気的にフローティングになる。このときリセットトランジスタ１４ａによるリセットノイズ（図２のノイズｋＴＣ１）が発生しうる。このとき、信号電荷のホールは、光電変換層２０５に蓄積されたままである。

選択トランジスタ１６ｂがオンすることにより、増幅トランジスタ１６ａがリセットノイズを含むノイズ信号を出力する。

図２（ｂ）および（ｃ）は、ステップ（３）における光電変換部１０１ａの状態を示している。まず、バッファ回路１２ａは第２の電位Ｖｄ２を容量素子１２ｂに供給する。信号電荷としてホールを用いているため、第２の電位Ｖｄ２は第１の電位Ｖｄ１より高い電位である。第２の電位Ｖｄ２は、例えば、５Ｖである。

このとき、第２の電極２０９（ノードＦＤ）の電位は、バッファ回路１２ａが供給する電位の変化と同じ方向に向かって変化する。第２の電極２０９の電位の変化量ｄＶＢは、ノードＦＤに電気的に接続された容量素子１２ｂの容量値Ｃ１と、光電変換部１０１ａの容量値Ｃ２との比に応じて決まる。ｄＶＢは、
ｄＶＢ＝（Ｖｄ２−Ｖｄ１）×Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２） ・・・（１）
と表される。以下の説明では、説明を簡単にするため、容量値Ｃ１と容量値Ｃ２とが等しいとする。従って、変化量ｄＶＢは、
ｄＶＢ＝（Ｖｄ２−Ｖｄ１）×（１／２） ・・・（２）
と表される。

本実施例では、第２の電極２０９の電位の変化量ｄＶＢが、第１の電極２０９の電位Ｖｓとリセット電位Ｖｒｅｓの差（Ｖｓ−Ｖｒｅｓ）よりも十分に大きい。そのため、第２の電極２０９のポテンシャルは、第１の電極２０１のポテンシャルよりも低くなり、光電変換層２０５のポテンシャルの傾きが反転する。これにより、黒丸で示された電子が第１の電極２０９から光電変換層２０５へ注入される。また、信号電荷として光電変換層２０５に蓄積されたホールの一部または全部が、ブロッキング層２０３の方へ移動する。移動したホールは、ブロッキング層２０３の多数キャリアと再結合して消滅する。その結果、光電変換層２０５のホールが光電変換層２０５から排出される。光電変換層２０５の全体が空乏化する場合には、信号電荷として蓄積されたホールの全部が排出される。

次に、図２（ｃ）に示される状態において、バッファ回路１２ａは、第１の電位Ｖｄ１を容量素子１２ｂに供給する。これにより、光電変換層２０５のポテンシャルの傾きが再び反転する。そのため、図２（ｂ）の状態の時に光電変換層２０５に注入されていた電子は、光電変換層２０５から排出される。一方、ブロッキング層２０３によって、第１の電極２０１から光電変換層２０５へのホールの注入が低減されている。したがって、ノードＦＤの電位は、リセットされた状態から、消滅したホールの量に応じた電位Ｖｓｉｇだけ変化する。つまり、信号電荷として蓄積されたホールの量に応じた電位ＶｓｉｇがノードＦＤに現れる。蓄積されたホールの量に応じた電位Ｖｓｉｇを、光信号成分と呼ぶ。

ここで、図２（ｃ）に示される状態の時に、選択トランジスタ１６ｂがオンする。これにより、増幅トランジスタ１６ａが光信号を出力する。ステップ（２）で読み出されたノイズ信号と、ステップ（４）で読み出された光信号との差分が、蓄積された信号電荷に応じた電位Ｖｓｉｇに基づく信号である。

図２（ｄ）は、ステップ（５）における光電変換部１０１ａの状態を示している。第１の電極２０１に電位Ｖｓが供給され、ノードＦＤにリセット電位Ｖｒｅｓが供給される。リセット電位Ｖｒｅｓは第１の電極２０１の電位Ｖｓより低いため、光電変換層２０５の電子は第１の電極２０１に排出される。一方、光電変換層２０５のホールは、光電変換層２０５と絶縁層２０７との界面に向かって移動する。しかし、ホールは絶縁層２０７に移動できないため、光電変換層２０５に蓄積される。また、前述の通り、ブロッキング層２０３が、ホールが光電変換層２０５に注入されることを低減する。したがって、この状態で光電変換層２０５に光が入射すると、光電変換によって生じた電子ホール対のうち、ホールのみが信号電荷として光電変換層２０５に蓄積される。電位Ｖｃｈは、光電変換層２０５において蓄積されたホールに基づいて、第２の電極２０９の変化する電位である。

信号電荷が電子の場合、第２の電位Ｖｄ２は第１の電位Ｖｄ１より低い電位とすればよい。また、ブロッキング層２０３の導電型を、本実施例のブロッキング層２０３とは反対の導電型とすれば良い。そのため、図２（ａ）〜（ｄ）でのポテンシャルの傾きが反転する。それ以外の動作は同じである。

図３は、図１（ａ）に示した光電変換装置の動作を示した図である。

最初に、画素部１０から垂直信号線１７に信号を読み出すまでのタイミングについて説明する。

図１（ａ）に示したリセットトランジスタ１４ａ、選択トランジスタ１６ｂはそれぞれ順に、信号φＲｅｓ、信号φＳｅｌがＨｉレベル（以下、Ｈｉと表記する）の時にオンしており、Ｌｏレベル（以下、Ｌｏと表記する）の時にオフしている。

期間Ｔ１はノードＦＤのリセット期間、期間Ｔ２はノードＦＤがフローティング状態にある期間、期間Ｔ３は光電変換部１０１ａのリフレッシュ期間、期間Ｔ４はノードＦＤの信号電荷保持期間である。本実施例の光電変換装置は、増幅トランジスタ１６ａを時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、非動作とする。光電変換部１０１ａはリフレッシュ後の期間ｔ４から新たな光電変換を開始する。

図３では、ノードＦＤの電位をＶＦＤ、垂直信号線１７の電位をＶｌｉｎｅとして示している。

時刻ｔ１以前は、光電変換部１０１ａは信号電荷を蓄積している。

時刻ｔ１に、不図示の垂直走査回路が、信号φＲｅｓの信号レベルをＬｏからＨｉにする。これにより、リセットトランジスタ１４ａがオンし、第２の電極２０９とノードＦＤとがそれぞれ電位Ｖｒｅｓにリセットされる。

また、時刻ｔ１に、垂直走査回路は、信号φＳｅｌをＬｏからＨｉとする。これにより、選択スイッチ１６がオンする。これにより、電流源１８から電流が増幅トランジスタ１６ａに供給されるため、増幅トランジスタ１６ａは動作状態となる。

また、時刻ｔ１に、不図示のタイミングジェネレータは、信号φＣ０の信号レベルをＨｉとする。これにより、容量素子Ｃ１の電荷がリセットされる。

時刻ｔ２に、垂直走査回路が信号φＲｅｓの信号レベルをＬｏとする。これにより、ノードＦＤはフローティング状態になる。この時のノードＦＤのフローティング電位Ｖ２１をリセットＦＤ電位と表記する。増幅トランジスタ１６ａは、このリセットＦＤ電位に基づく信号を垂直信号線１７に出力する。この時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間Ｔ１の動作が、上述したステップ（２）に対応する動作である。

その後の時刻ｔ２１に、タイミングジェネレータは信号φＣ０の信号レベルをＬｏとする。これにより、容量素子Ｃ０には、増幅トランジスタ１６ａが垂直信号線１７に出力した、リセットＦＤ電位に基づく信号を保持する。

時刻ｔ２２の信号Ｖａｍｐは、列増幅部２１が有するオフセット成分を主とする信号である。この信号をオフセット信号と表記する。

そして、時刻ｔ２２から時刻ｔ２３の期間に、ランプ信号Ｒａｍｐが、時間に依存した電位の変化を行う。この時刻ｔ２２から時刻ｔ２３の期間が、オフセット信号を、ＡＤ変換部２２がデジタル信号に変換する期間である。この期間を、図３ではＮ−ＡＤ期間と表記している。ＡＤ変換部２２が得た、オフセット信号に基づくデジタル信号を、デジタルＮ信号と表記する。

時刻ｔ３に、垂直走査回路は信号φＳｅｌをＬｏとする。これにより、電流源１８からの増幅トランジスタ１６ａへの電流が遮断されるため、増幅トランジスタ１６ａは非動作状態となる。

時刻ｔ３１に、不図示のタイミングジェネレータは、信号φＶｐの信号レベルをＬｏから、Ｈｉの信号レベルである電位Ｖｐ１とする。本実施例では、電位Ｖｐ１は１０Ｖであり、Ｌｏの信号φＶｐの信号レベルは０Ｖである。第２の電極２０９の電位の変化量ｄＶＢは、上記の（２）式により、ｄＶＢ＝（１０−０）×（１／２）＝５（Ｖ）となる。従って、第２の電極２０９の電位は、リセット電位Ｖｒｅｓに対して５Ｖが印加された電位となる。

Ｈｉの信号レベルの信号φＶｐが入力されることにより、図２（ｂ）に示したように、光電変換層２０５のホールがリフレッシュされる。

その後、時刻ｔ３２に、タイミングジェネレータが信号φＶｐをＬｏとする。これにより、図２（ｃ）に示したように、第２の電極２０９に光信号が出力される。よって、ノードＦＤは、光信号に基づく電位となる。この動作は、上述したステップ（３）に対応する。尚、図３では、光電変換部１０１ａに対し、光が略差し込まなかった場合を示している。従って、ノードＦＤの電位は、リセットＦＤ電位のままである。

時刻ｔ４に、垂直走査回路は、信号φＳｅｌの信号レベルをＬｏからＨｉとする。これにより、再び増幅トランジスタ１６ａに、電流源１８から電流が供給される。よって、増幅トランジスタ１６ａは動作状態となる。ノードＦＤは、光信号に基づく電位となっている。よって、増幅トランジスタ１６ａは、光信号に基づく信号を、垂直信号線１７に出力する。この動作は、上述したステップ（４）に対応する。列増幅部２１の信号Ｖａｍｐは、増幅トランジスタ１６ａが出力した光信号に基づく信号を増幅した信号（以下、増幅光信号と表記する）の電位となる。

その後、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２の期間に、ランプ信号Ｒａｍｐは時間に依存した電位の変化を行う。この時刻ｔ４１から時刻ｔ４２の期間が、増幅光信号を、ＡＤ変換部２２がデジタル信号に変換する期間である。この期間を、図３ではＳ−ＡＤ期間と表記している。ＡＤ変換部２２が得た、増幅光信号に基づくデジタル信号を、デジタルＳ信号と表記する。

これにより、各列のメモリ２７は、デジタルＮ信号とデジタルＳ信号とを保持する。不図示の水平走査回路は、各列のメモリ２７からそれぞれ、デジタルＮ信号とデジタルＳ信号とのそれぞれを順次読み出して、光電変換装置の外部に出力する。

本実施例では、光電変換部１０１ａのリフレッシュ動作を行う時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間を含む、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態としている。この動作によって得られる効果を説明する。

図３の電位Ｖｌｉｎｅにおいて破線で示した波形は、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間に増幅トランジスタ１６ａを動作状態とした場合の垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅを、比較のために示したものである。時刻ｔ３１に信号φＶｐの信号レベルがＨｉとなると、ノードＦＤの電位はｄＶＢ（＝５Ｖ）上昇する。よって、増幅トランジスタ１６ａの負荷である垂直信号線１７は急速に充電され始める。

時刻ｔ３２に信号φＶｐの信号レベルがＬｏとなると、垂直信号線１７の充電は終了し、その時の電位をＶ３２とする。ノードＦＤの電位がリセット電位であるＶ２１に低下するので、垂直信号線１７の電位ＶｌｉｎｅはＶ３２からＶ２２に向かって低下する。

図３に示したように、時刻ｔ３２に信号φＶｐの信号レベルがＬｏとなってから、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが、光信号の電位に基づく信号の電位に静定するまでに時間を要する。ＡＤ変換部２２が、静定した垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅに基づく増幅光信号をＡＤ変換するためには、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅの静定を待つことが求められる。このＡＤ変換部２２の待機時間は、光電変換装置の高速化を妨げる要因となる。

一方、光電変換装置の高速化のため、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが充分に静定しないまま、ＡＤ変換部２２がＡＤ変換を開始した場合には、ＡＤ変換部２２は、精度の低い増幅光信号をＡＤ変換することになる。よって、デジタルＳ信号の信号精度が低下する。特に、光電変換部１０１ａに、光が差し込まなかった場合に、増幅光信号の信号精度が大きく低下する。これは、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが、電位Ｖ３２から電位Ｖ２２まで低下することになるため、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅの電位が静定するまでに多くの時間を要するためである。また、光電変換装置が出力する信号を用いて画像を生成する場合、光電変換部１０１ａに、光が差し込まなかった場合のデジタルＳ信号の信号精度の低下は、生成する画像の質の低下をもたらす。この信号精度の低下したデジタルＳ信号を用いて生成した画像は、黒として写るべき部分の輝度が上昇した画像となるため、画質の低下が人間の目に認識されやすい。また、複数の垂直信号線１７の垂直信号線１７ごとの時定数がばらついている場合には、垂直信号線１７ごとに放電量が異なる。これにより、生成する画像に、縦すじ状の模様が生じる。

一方、本実施例の光電変換装置は、図３で示したように、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態としている。これにより、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間においても、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅは、リセットＦＤ電位に基づく信号の電位のままとなる。これにより、時刻ｔ３２に信号φＶｐの信号レベルがＬｏとなってから、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅの電位が静定するまでの期間を短縮することができる。これにより、本実施例の光電変換装置は、光電変換装置の高速化を実現することができる。また、本実施例の光電変換装置は、光電変換部の光信号が小さい場合の、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅに基づく信号の信号精度の低下を低減することができる。

このように、本実施例に光電変換装置は、光電変換部１０１ａが蓄積した信号電荷を排出する期間である時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間に、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態としている。第１の期間である、時刻ｔ１以前から、時刻ｔ３１までの光電変換層２０５が信号電荷を蓄積している期間において、第１の電極２０１の電位Ｖｓと第２の電極２０９の電位の大小関係は、第１の関係である、第１の電極２０１＜第２の電極２０９である。第２の期間である、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの、光電変換層２０５から信号電荷を排出する期間において、第１の電極の電位Ｖｓと第２の電極２０９の電位の大小関係は、第１の関係とは逆の第２の関係である、第１の電極２０１＞第２の電極２０９である。そして、第３の期間である、時刻ｔ３２以降の光電変換層２０５が信号電荷を蓄積可能な状態の期間において、第１の電極の電位Ｖｓと第２の電極２０９の電位の大小関係は、第１の関係と同じ、第１の電極２０１＜第２の電極２０９である。本実施例の光電変換装置は、第１の電極２０１と第２の電極２０９の電位の大小関係が第２の関係である時刻ｔ３１から時刻ｔ３２の期間、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態としている。これにより、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅは所定の範囲に制限される。本実施例の、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とする出力制御部は、電流源１８から増幅トランジスタ１６ａへの電流の供給を遮断する選択トランジスタ１６ｂである。

ここで、光電変換部１０１ａに強い光が入射した場合について述べる。期間Ｔ４におけるノードＦＤの電位は、図３に一点鎖線で示したように、電位Ｖ２１に、信号電荷に基づく電位である電位ＶＳ（ＦＤ）が加わった電位となる。この電位Ｖ２１＋ＶＳの電位は、図３では理解を容易にするために、電位Ｖ３１に近い電位として、一例として記載したものである。増幅トランジスタ１６ａが出力する信号の電位は、電位Ｖ３２付近の電位Ｖ２２＋ＶＳ（ＳＦ）となる。この場合には、本実施例のように、期間ｔ３から期間ｔ４まで増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とすると、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが、電位Ｖ２２から電位Ｖ２２＋ＶＳ（ＳＦ）に達するまでに時間を要する。垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが静定する前に、ＡＤ変換部２２がＡＤ変換を開始した場合には、デジタルＳ信号の信号精度の低下が生じる。しかし、光電変換装置が出力する信号を用いて生成した画像において、高輝度の部分の輝度の低下は、先に述べた、黒として写るべき部分の輝度の上昇に比して、人間の目に認識されにくい。

本実施例の光電変換装置が出力する信号を用いることによって、人間の目に認識されやすい、黒として写るべき部分の輝度の上昇を低減した画像を提供することができる。また、画像に縦すじ状の模様を生じにくくすることができる。

尚、本実施例では、列信号処理部２０が、ＡＤ変換部２２を有する例を示した。ＡＤ変換部は、光電変換装置の外部に設けられていても良い。この場合には、列信号処理部２０は、増幅器２３が出力するオフセット信号、増幅光信号をそれぞれ保持する信号保持部を有する。不図示の水平走査回路は、各列の信号保持部を順次走査することで、各列の信号保持部からオフセット信号と増幅光信号のそれぞれが読み出される。光電変換装置はオフセット信号と増幅光信号のそれぞれ、あるいは、増幅光信号とオフセット信号との差の信号を、光電変換装置の外部に設けられたＡＤ変換部に出力する。ＡＤ変換部は、光電変換部から出力された信号をデジタル信号に変換する。

尚、本実施例では、増幅部が増幅トランジスタ１６ａである例を示した。増幅部は、他に差動増幅器、ソース接地回路のように、光信号を増幅した信号を出力する回路であれば良い。この場合においても、出力制御部が、増幅部が第２の電極の電位に基づいて信号を出力する場合よりも、垂直信号線１７に出力される信号の振幅を小さくする、あるいは、増幅部を非動作状態とすれば良い。例えば、増幅器が差動増幅器である場合には、差動増幅器が有する差動対に電流を供給する電流源をオフすることによって、差動増幅器を非動作状態とすればよい。この場合には、差動対の電流源をオフにする回路が、出力制御部である。また、増幅部がソース接地回路である場合には、出力制御部として、電源電圧の供給部とソース接地回路との間の電気的経路に、ソース接地回路に供給する電源電圧を遮断するスイッチを設ければよい。

尚、本実施例の光電変換部１０１は、ショットキー型の光電変換部であっても良い。

尚、本実施例では、画素出力部１６が、各列に設けられた垂直信号線１７に信号を出力する例を説明した。他の例として、列信号処理部２０の機能を有する処理部が、画素セル１０の中に設けられ、画素出力部１６がこの処理部に信号を出力するようにしても良い。この場合には、画素出力部１６と処理部との間の電気的経路が、出力制御部が第２の期間に電位を制御する信号線である。

本実施例の光電変換装置は、信号φＶｐがＨｉである第２の期間に、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態としていた。本実施例はこの例に限定されるものではなく、出力制御部は、第２の期間の一部で、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とすれば良い。この場合においても、第２の期間の全体に渡って、増幅トランジスタ１６ａが動作状態である場合に比して、第２の期間の一部で、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態にあることによって、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅの変動を低減することができる。

（実施例２）
本実施例の光電変換装置について、実施例１と異なる点を中心に説明する。

図４は、本実施例の光電変換装置の構成の一部を示した図である。図１に示した部材と同じ機能を有する部材は、図４においても、図１で付した符号と同じ符号が付されている。

図４は、画素セル１０００のうち、画素出力部１６を抜き出して示している。画素セル１０００の他の構成は、図１の画素セルの１０００の構成と同じである。

本実施例の光電変換装置は、電流源１８と、選択トランジスタ１６ｂとの間の電気的経路にスイッチＳＷ０を有する。スイッチＳＷ０は、不図示のタイミングジェネレータから出力される信号φＩｓｅｌの信号レベルがＨｉである時にオンしており、Ｌｏである時にオフしている。

本実施例の光電変換装置の動作は、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの信号φＳｅｌの信号レベルと、信号φＩｓｅｌを除いて、図３に示した動作と同じである。

本実施例の光電変換装置では、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間においても、信号φＳｅｌの信号レベルをＨｉのままとする。一方、本実施例の光電変換装置では、タイミングジェネレータは、信号φＩｓｅｌの信号レベルを時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、Ｌｏとして、スイッチＳＷ０をオフとする。これにより、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間、電流源１８から増幅トランジスタ１６ａへの電流の供給が遮断される。他の期間は、タイミングジェネレータは、信号φＩｓｅｌの信号レベルをＨｉとして、スイッチＳＷ０をオンとする。これにより、他の期間においては、信号φＳｅｌがＨｉの期間に、増幅トランジスタ１６ａに電流源１８から電流が供給される。

本実施例の光電変換装置においても、実施例１で述べた第２の期間に、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とすることができる。従って、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅは所定の範囲に制限される。これにより、実施例１で述べた効果と同じ効果を、本実施例の光電変換装置も得ることができる。

尚、信号φＩｓｅｌの信号レベルをＬｏとする期間は、少なくとも、信号φＶｐの信号レベルがＨｉである時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間であれば良い。

本実施例の、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とする出力制御部は、電流源１８から増幅トランジスタ１６ａへの電流の供給を遮断するスイッチＳＷ０である。

（実施例３）
本実施例の光電変換装置について、実施例１と異なる点を中心に説明する。

図５は、本実施例の光電変換装置の一部の構成を示した図である。図５に示した部材と同じ機能を有する部材は、図５においても、図１で付した符号と同じ符号が付されている。

図５は、画素セル１０００のうち、画素出力部１６を抜き出して示している。画素セル１０００の他の構成は、図１の画素セルの１０００の構成と同じである。

本実施例の光電変換装置は、垂直信号線１７に電気的に接続されたスイッチＳＷ１と、電位供給部３５とを有する。スイッチＳＷ１は、不図示のタイミングジェネレータから出力される信号φＣｓｅｌの信号レベルがＨｉである時にオンしており、Ｌｏである時にオフしている。電位供給部３５は、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが、所定の電位以上にならないように、垂直信号線１７に電位を供給する回路である。

実施例の光電変換装置の動作は、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの信号φＳｅｌの信号レベルと、信号φＣｓｅｌを除いて、図３に示した動作と同じである。

本実施例の光電変換装置では、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間においても、信号φＳｅｌの信号レベルをＨｉのままとする。一方、本実施例の光電変換装置では、タイミングジェネレータは、信号φＣｓｅｌの信号レベルを時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、Ｈｉとして、スイッチＳＷ１をオンとする。これにより、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅは、電位供給部３５が出力する電位にクリップされる。よって、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅは、増幅トランジスタ１６ａがノードＦＤの電位Ｖ３１に基づいて出力する信号よりも、振幅の小さい電位となる。

尚、タイミングジェネレータは、信号φＣｓｅｌの信号レベルを、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間以外の期間、ＬｏとしてスイッチＳＷ１をオフとしている。

これにより、本実施例の光電変換装置は、実施例１で述べた第２の期間における垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅを、増幅トランジスタ１６が出力する場合の信号の電位よりも振幅の小さい電位とすることができる。つまり、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅは所定の範囲に制限される。よって、本実施例の光電変換装置においても、実施例１の光電変換装置と同じ効果を得ることができる。

尚、信号φＣｓｅｌの信号レベルをＬｏとする期間は、少なくとも、信号φＶｐの信号レベルがＨｉである時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間であれば良い。

また、電位供給部３５が信号φＣｓｅｌの信号レベルがＨｉの時に供給する電位は、電位Ｖ２２以上であり、かつ電位Ｖ３２未満であれば良い。電位供給部３５が供給する好ましい電位は電位Ｖ２２である。

尚、本実施例では、時刻ｔ４以降の、増幅トランジスタ１６ａが光信号に基づく信号を出力する期間に、タイミングジェネレータは信号φＣｓｅｌをＬｏとしていた。他の例として、当該期間に、タイミングジェネレータは信号φＣｓｅｌをＨｉとしてもよい。この場合には、電位供給部３５は、垂直信号線１７の電位Ｖｌｉｎｅが所定の電位以上になるのを抑制するように動作すればよい。

尚、本実施例の、増幅トランジスタ１６ａが第２の電極の電位に基づいて信号を出力する場合よりも、垂直信号線１７に出力される信号の振幅を小さくする出力制御部は、電位供給部３５である。

（実施例４）
本実施例の光電変換装置について、実施例１と異なる点を中心に説明する。

図６は、本実施例の光電変換装置の構成を示した図である。図６に示した部材と同じ機能を有する部材は、図６においても、図１で付した符号と同じ符号が付されている。

単位画素１０ａは、光電変換部１０１ａと転送トランジスタ１５ａとを有する。また、単位画素１０ｂは、光電変換部１０１ｂと転送トランジスタ１５ｂとを有する。光電変換部１０１ａは、第１の電極２０１、ブロッキング層２０３、光電変換層２０５、絶縁層２０７、第２の電極２０９を有する。ブロッキング層２０３は第１の電極２０１と光電変換層２０５との間に設けられており、光電変換層２０５はブロッキング層２０３と絶縁層２０７との間に設けられている。また、絶縁層２０７は、光電変換層２０５と第２の電極２０９との間に設けられている。光電変換部１０１ｂの構成は、光電変換部１０１ａの構成と同じである。転送トランジスタ１５ａ、１５ｂの各々は、複数の光電変換部１０１ａ、１０１ｂの各々に対応して設けられている。転送トランジスタ１５ａ、１５ｂの各々は、複数の光電変換部１０１ａ、１０１ｂの各々の光信号を、増幅部である増幅トランジスタ１６ａに転送する転送部である。

転送トランジスタ１５ａは、光電変換部１０１ａの第２の電極２０９と電気的に接続されている。また、転送トランジスタ１５ｂは、光電変換部１０１ｂの第２の電極と電気的に接続されている。転送トランジスタ１５ａのゲートには、不図示の垂直走査回路から信号φＴ１が入力される。また、転送トランジスタ１５ｂのゲートには、不図示の垂直走査回路から信号φＴ２が入力される。

電源部３０ｂは、光電変換部１０１ｂの第１の電極に電位Ｖｓを供給する。

図７（ａ）は、図６に示した光電変換装置の動作を示した図である。図７（ａ）に示した動作では、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂのそれぞれの光信号が、ノードＦＤで加算される。この加算された光信号の電位となったノードＦＤの電位に基づいて、増幅トランジスタ１６ａは、垂直信号線１７に信号を出力する。

垂直走査回路は、時刻ｔ１から時刻ｔ６までの期間、信号φＴ１の信号レベルをＨｉとする。また、垂直走査回路は、信号φＴ１の信号レベルをＨｉとしている時刻ｔ１から時刻ｔ６までの期間、信号φＴ２の信号レベルをＨｉとする。

垂直走査回路は、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間に信号φＶｐの信号レベルをＨｉとする。これにより、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂのそれぞれから、光信号がノードＦＤに出力される。ノードＦＤにおいて、この２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂのそれぞれの光信号が加算される。

垂直走査回路は、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間を含む時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、信号φＳｅｌの信号レベルをＬｏとする。これにより、電流源１８からの増幅トランジスタ１６ａへの電流が遮断されるため、増幅トランジスタ１６ａは非動作状態となる。

時刻ｔ４に、垂直走査回路は、信号φＳｅｌの信号レベルをＨｉとする。これにより、再び増幅トランジスタ１６ａに、電流源１８から電流が供給される。よって、増幅トランジスタ１６ａは動作状態となる。ノードＦＤは、光信号に基づく電位となっている。よって、増幅トランジスタ１６ａは、光電変換部１０１ａ、１０１ｂのそれぞれの光信号を加算した信号の電位に基づく信号を、垂直信号線１７に出力する。

これにより、本実施例の光電変換装置においても、実施例１と同じ効果を得ることができる。

本実施例の、増幅トランジスタ１６ａを非動作状態とする出力制御部は、電流源１８から増幅トランジスタ１６ａへの電流の供給を遮断する選択トランジスタ１６ｂである。

尚、本実施例の信号φＶｐのＨｉの信号レベルである電位Ｖｐ１は、光電変換部１０１ａ、１０１ｂの容量値が同じであるなら、実施例１の電位Ｖｐ１のＨｉの信号レベルの３／２倍にすることが好ましい。

上記の（１）式で表した第２の電極２０９の電位の変化量ｄＶＢは、図７（ａ）に示した動作では、光電変換部１０１ｂの容量値をＣ３とすると、
ｄＶＢ＝（Ｖｄ２−Ｖｄ１）×Ｃ１／（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３） ・・・（３）
となる。上述の通り、Ｃ１＝Ｃ２＝Ｃ３との場合には、（３）式は、
ｄＶＢ＝（Ｖｄ２−Ｖｄ１）×（１／３） ・・・（４）
と書き換えられる。光電変換部１０１ａおよび光電変換部１０１ｂのそれぞれの第２の電極２０９の電位の変化量ｄＶＢを、図３の動作と同じく５Ｖとするためには、Ｖｄ１＝０（Ｖ）であるため、Ｖｄ２＝１５（Ｖ）となる。よって、電位Ｖｐ１を１５Ｖとしている。電位Ｖｐ１は、図３のように、光電変換部１０１ａ、光電変換部１０１ｂから個別に光信号を読み出す場合に対して、図７（ａ）のように、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂから同時に光信号を読み出す場合は、３／２倍となる。

尚、電位Ｖｐ１を、光電変換部１０１ａ、光電変換部１０１ｂから個別に光信号を読み出す場合と、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂから同時に光信号を読み出す場合とで同じにする場合について説明する。この場合には、容量素子１２ｂの容量値を、光電変換部１０１ａ、光電変換部１０１ｂから個別に光信号を読み出す場合に対し、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂから同時に光信号を読み出す場合は２倍にするのが良い。図７（ｂ）は、このように容量値が可変である容量素子１２ｂの構成を示した図である。容量素子１２ｂは、容量素子Ｃ１１、Ｃ１２、スイッチＳＷ３を有する。容量素子Ｃ１１、Ｃ１２の容量値は、互いに同じとしている。光電変換部１０１ａ、光電変換部１０１ｂから個別に光信号を読み出す場合は、タイミングジェネレータは信号φＣｓｅｌの信号レベルをＬｏとして、スイッチＳＷ３をオフとする。これにより、バッファ回路１２ａは、容量素子Ｃ１２には信号φＶｐを供給せず、容量素子Ｃ１１に信号φＶｐを供給する。一方、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂから同時に光信号を読み出す場合は、タイミングジェネレータは、信号φＣｓｅｌの信号レベルをＨｉとする。これにより、バッファ回路１２ａは、容量素子Ｃ１１、Ｃ１２の両方に、信号φＶｐを供給する。

よって、図７（ｂ）の容量素子１２の容量値は、光電変換部１０１ａ、光電変換部１０１ｂから個別に光信号を読み出す場合に対し、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂから同時に光信号を読み出す場合は２倍とすることができる。

本実施例の光電変換装置は、実施例２の光電変換装置のように、電流源１８と選択トランジスタ１６ｂとの間の電気的経路にスイッチＳＷ０を設けてもよい。

また、本実施例の光電変換装置は、実施例３の光電変換装置のように、垂直信号線１７に電位を供給する電位供給部３５と、電位供給部３５と垂直信号線１７との間の電気的経路の導通と非導通とを切り替えるスイッチＳＷ１とを設けても良い。

また、本実施例の光電変換装置は、複数の光電変換部の各々から個別に光信号を読み出す動作と、図７（ａ）に示した、複数の光電変換部の光信号同士を加算した信号を読み出す動作とを組み合わせても良い。このような動作の一例を、図１０に示す。

時刻ｔ２１から時刻ｔ２６までの期間が、ノイズ信号と、光電変換部１０１ａの光信号との読み出しに関わる動作を行う期間である。時刻ｔ２７から時刻ｔ３１までの期間が、光電変換部１０１ａと光電変換部１０１ｂの光信号同士を加算した信号の読み出しに関わる動作を行う期間である。この動作により、信号保持部は、時刻ｔ２６に、光電変換部１０１ａの光信号を、増幅トランジスタ１６ａとアンプ１９とが増幅した信号であるＡ信号を保持する。また、時刻ｔ２９に、信号保持部は、光電変換部１０１ａと光電変換部１０１ｂの光信号同士を加算した信号を、増幅トランジスタ１６ａとアンプ１９とが増幅した信号であるＡ＋Ｂ信号を保持する。光電変換装置は、このＡ信号とＡ＋Ｂ信号をそれぞれ、光電変換装置の外部に出力する。

ここで、光電変換装置と、光電変換装置が出力する信号を処理する出力信号処理部とを有する光電変換システムの一例について説明する。光電変換装置の外部に設けられた出力信号処理部は、Ａ＋Ｂ信号からＡ信号を差し引くことによって、Ｂ信号を得ることができる。この出力信号処理部が生成するＢ信号は、光電変換部１０１ｂの光信号を、増幅トランジスタ１６ａとアンプ１９とが増幅して得られる信号に相当する信号である。光電変換装置が、複数のマイクロレンズが設けられたマイクロレンズアレイをさらに有し、１つのマイクロレンズが、１つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂに対して設けられている場合がある。この場合、光電変換装置に光を導く光学系の互いに異なる射出瞳から射出された光が、複数の光電変換部１９１ａ、１０１ｂの各々に入射する。この構成の場合には、出力信号処理部が生成したＢ信号と、光電変換装置が出力したＡ信号とによって、出力信号処理部は、光電変換部１０１ａに入射した光と、光電変換部１０１ｂに入射した光との位相差を検出することができる。これにより、光電変換装置と出力信号処理部とを有する光電変換システムは、位相差検出方式による焦点検出を行うことができる。また、出力信号処理部は、光電変換装置から出力されたＡ＋Ｂ信号を用いて、画像を生成することができる。

本実施例では、２つの光電変換部１０１ａ、１０１ｂが１つの容量素子１２ｂと、１つの増幅トランジスタ１６ａとをシェアする構成を説明した。１つの容量素子１２ｂと１つの増幅トランジスタ１６ａとをシェアする光電変換部は、複数であれば良い。また、ノードＦＤに共通して電気的に接続されている複数の光電変換部１０１において、光信号をノードＦＤに同時に読み出す数が、Ｎ個（Ｎは１以上の整数）の場合に対し、Ｎ個よりも多いＭ個の場合、信号φＶｐのＨｉの信号レベルをより大きくする。これは、光電変換部１０１が出力する光信号が、光電変換部１０１が蓄積した信号電荷がホールである場合である。光電変換部１０１が蓄積した信号電荷が電子の場合には、光信号をノードＦＤに同時に読み出す数が、Ｎ個（Ｎは１以上の整数）の場合に対し、Ｎ個よりも多いＭ個の場合、信号φＶｐのＨｉの信号レベルをより小さくする。

また、ＲＧＢのカラーフィルタがベイヤー配列で設けられ、各色に対応して複数の光電変換部の各々が設けられている場合がある。この場合には、同じ色のカラーフィルタが配された複数の光電変換部で、１つの容量素子１２ｂと、１つの増幅トランジスタ１６ａとを共有するようにしても良い。

また、本実施例では、１つの増幅トランジスタ１６ａを、複数の光電変換部１０１ａ、１０１ｂでシェアする構成を説明した。他の例として、複数の光電変換部１０１ａ、１０１ｂの各々に対し、複数の増幅トランジスタ１６の各々が設けられている構成であっても良い。例えば、行列状に複数の画素セル１０００が配列された構成の場合、複数の画素セル１０００の各々が、各々の画素セル１０００が有する光電変換部の数と同じ数の増幅トランジスタ１６を有する。そして、同じ行に属する画素セル１０００で、１つの容量素子１２ａを共有する構成であっても良い。複数の容量素子１２ｂが設けられる構成では、複数のバッファ回路１２ａの各々が複数の容量素子１２ｂの各々に対応して設けられている構成が好ましい。このようにバッファ回路１２ａが容量素子１２ｂに対応して設けられていることにより、容量電位供給部に掛かる負荷を低減することができる。

（実施例５）
本実施例の光電変換装置について、実施例４と異なる点を中心に説明する。

図８は、本実施例の光電変換装置の構成を示した図である。本実施例の光電変換装置は、ノードＦＤと、増幅トランジスタ１６ａの入力ノードとの間に、トランジスタ４０を有する。トランジスタ４０は、垂直走査回路から出力される信号φＴ３の信号レベルがＨｉである時にオンであり、信号φＴ３の信号レベルがＬｏである時にオフである。つまり、トランジスタ４０は、第２の電極２０９と容量素子１２ｂとが電気的に接続された第３のノードであるノードＦＤと、増幅トランジスタ１６ａの入力ノードとの間の電気的経路の導通と非導通とを切り替える第２のスイッチである。

本実施例の光電変換装置の動作は、実施例４で述べた図７（ａ）の動作において、信号φＳｅｌと信号φＴ３を除いて同じである。本実施例の光電変換装置では、垂直走査回路は信号φＳｅｌの信号レベルを時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間においてもＨｉとする。一方、垂直走査回路は信号φＴ３の信号レベルを、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間、Ｌｏとする。また、垂直走査回路は、信号φＴ３の信号レベルを時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間以外の期間は、Ｈｉとする。

これにより、信号φＶｐの信号レベルがＨｉとなる時刻ｔ３１から時刻ｔ３２の期間、ノードＦＤと増幅トランジスタ１６ａの入力ノードとが非導通となる。よって、本実施例の光電変換装置においても、実施例４の光電変換装置と同じ効果を得ることができる。

尚、本実施例の、増幅トランジスタ１６ａが第２の電極の電位に基づいて信号を出力する場合よりも、垂直信号線１７に出力される信号の振幅を小さくする出力制御部は、トランジスタ４０である。

（実施例６）
上記の実施例１から実施例５で述べた光電変換装置は種々の光電変換システムに適用可能である。光電変換システムの一例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラなどがあげられる。図９に、光電変換システムの一例としてデジタルスチルカメラに本発明の実施例１から実施例５のいずれかの光電変換装置を適用した光電変換システムの模式図を示す。

図９に例示した光電変換システムは、光電変換装置１５４、レンズの保護のためのバリア１５１、被写体の光学像を光電変換装置１５４に結像させるレンズ１５２及びレンズ１５２を通過する光量を可変にするための絞り１５３を有する。レンズ１５２及び絞り１５３は光電変換装置１５４に光を集光する光学系である。また、図９に例示した光電変換システムは光電変換装置１５４より出力される出力信号の処理を行う出力信号処理部１５５を有する。

出力信号処理部１５５は、光電変換装置１５４が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換を行う。また、出力信号処理部１５５はその他、必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。

図９に例示した光電変換システムはさらに、画像データを一時的に記憶するためのバッファメモリ部１５６、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部（外部Ｉ／Ｆ部）１５７を有する。さらに光電変換システムは、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体１５９、記録媒体１５９に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部（記録媒体制御Ｉ／Ｆ部）１５８を有する。なお、記録媒体１５９は光電変換システムに内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。

さらに光電変換システムは、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部１５１０、光電変換装置１５４と出力信号処理部１５５に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部１５１１を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、光電変換システムは少なくとも光電変換装置１５４と、光電変換装置１５４から出力された出力信号を処理する出力信号処理部１５５とを有すればよい。以上のように、本実施例の光電変換システムは、光電変換装置１５４を適用して撮像動作を行うことが可能である。

また、出力信号処理部１５５は、実施例４で述べたように、光電変換装置１５４が出力する信号を用いて、位相差の検出を行っても良い。

なお、上記実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらの例示によって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならない。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な態様で実施することができる。また、これまで述べた各実施例を種々組み合わせて実施することができる。

１０ 単位画素
１２ 容量駆動部
１２ａ バッファ回路
１２ｂ 容量素子
１４ リセット部
１４ａ リセットトランジスタ
１５ 転送トランジスタ
１６ 画素出力部
１６ａ 増幅トランジスタ
１６ｂ 選択トランジスタ
１７ 垂直信号線
１８ 電流源
２０ 列信号処理部
３０ 電源部
１０１ 光電変換部
１０００ 画素セル

Claims (20)

1. 光電変換部と、増幅部と、信号線とを有する光電変換装置において、
   前記光電変換部は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に配された、信号電荷を蓄積する光電変換層と、前記光電変換層および前記第２の電極の間に配された絶縁層と、を含み、
   前記増幅部の入力ノードに、前記光電変換部が蓄積した前記信号電荷に基づく光信号が出力され、
   前記増幅部の出力ノードは前記信号線に電気的に接続され、
   前記第１の電極に印加される電位と前記第２の電極に印加される電位との大小関係は、
   前記光電変換層が前記信号電荷を蓄積する第１の期間において、第１の関係であって、
   前記信号電荷を前記光電変換層から排出する第２の期間において、前記第２の電極に、前記第１の期間に印加される電位とは値の異なる電位が印加されることによって、前記第１の関係とは逆の第２の関係であって、
   さらに前記光電変換装置は出力制御部を有し、
   前記出力制御部は、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記信号線の電位を所定の範囲に制限する、あるいは、前記出力制御部は、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記増幅部を非動作状態とすることを特徴とする光電変換装置。
2. 前記光電変換層が、前記信号電荷を蓄積可能な状態にある第３の期間において、前記第２の電極に、前記第２の期間に印加される電位とは値の異なる電位が印加されることによって、前記第１の関係であり、
   前記第２の期間は前記第１の期間の後の期間であり、前記第３の期間は前記第２の期間の後の期間であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記光電変換装置はさらに前記信号線に電気的に接続された電流源と、選択トランジスタとを有し、
   前記増幅部が増幅トランジスタであって、
   前記増幅トランジスタの入力ノードが、前記増幅部の入力ノードであって、
   前記選択トランジスタが導通すると、前記電流源から前記増幅トランジスタに電流が供給され、
   前記選択トランジスタが、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に、前記増幅トランジスタと前記信号線との間の電気的経路を非導通として、前記増幅トランジスタを非動作状態とさせる前記出力制御部であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
4. 前記光電変換装置はさらに前記信号線に電気的に接続された電流源と、前記電流源と前記増幅部との間の電気的経路の導通と非導通とを切り替えるスイッチとを有し、
   前記増幅部が増幅トランジスタであって、
   前記スイッチが導通すると、前記電流源から前記増幅トランジスタに電流が供給され、
   前記スイッチが、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に、前記電流源と前記増幅トランジスタとの間の電気的経路を非導通として、前記増幅トランジスタを非動作状態とさせる前記出力制御部であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
5. 前記光電変換部はさらに前記信号線に電気的に接続された電流源と、前記信号線に電位を供給する電位供給部とを有し、
   前記増幅部が増幅トランジスタであって、
   前記電位供給部は、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記信号線に電位を供給することによって、前記増幅トランジスタが前記第２の電極の電位に基づいて信号を出力する場合よりも前記信号線に出力される信号の振幅を小さくする前記出力制御部であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
6. 前記光電変換装置は、第１のノードと第２のノードとを有する容量素子をさらに有し、
   前記第１のノードは、前記第２の電極に電気的に接続され、
   前記第２のノードに、前記第１の期間に第１の電位が供給され、
   前記第２のノードに、前記第２の期間に第２の電位が供給されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換装置。
7. 前記光電変換装置は、第２のスイッチをさらに有し、
   前記第２のスイッチが、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に、前記第２の電極と前記第１のノードが電気的に接続された第３のノードと前記増幅部の入力ノードとの間の電気的経路を非導通として、前記増幅部が前記第２の電極の電位に基づいて信号を出力する場合よりも前記信号線に出力される信号の振幅を小さくする前記出力制御部であることを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
8. 前記光電変換装置は、さらに複数の光電変換部を有し、
   前記第１のノードは前記複数の光電変換部の各々に共通に電気的に接続されていることを特徴とする請求項６または７に記載の光電変換装置。
9. 前記複数の光電変換部のうちの一部の光電変換部のみと前記増幅部との間の電気的経路が共に導通していることによって、前記一部の光電変換部の前記第２の電極から前記増幅部に前記光信号が出力された後、
   前記複数の光電変換部のうちの全ての光電変換部と前記増幅部との間の電気的経路が共に導通していることによって、前記増幅部に、前記全ての前記光電変換部の各々の前記第２の電極から出力された前記光信号同士を加算した信号が出力されることを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
10. 前記複数の光電変換部に対して、１つのマイクロレンズが設けられていることを特徴とする請求項９に記載の光電変換装置。
11. 前記光電変換装置に光学系から光が入射し、
    前記光学系の互いに異なる射出瞳から射出された光が、前記複数の光電変換部の各々に入射し、
    前記複数の光電変換部のうちの一部の光電変換部のみと前記増幅部との間の電気的経路が共に導通となって、前記一部の光電変換部の前記第２の電極から前記増幅部に前記光信号が出力された後、
    前記複数の光電変換部のうちの全ての光電変換部と前記増幅部との間の電気的経路が共に導通となって、前記増幅部に、前記全ての光電変換部の各々の前記第２の電極から出力された前記光信号同士を加算した信号が出力されることを特徴とする請求項９にまたは１０に記載の光電変換装置。
12. 前記光電変換装置は、前記複数の光電変換部の各々に各々が対応して設けられた複数の転送部をさらに有し、
    前記複数の転送部の各々は、前記複数の光電変換部の各々の前記第２の電極から、前記信号電荷に基づく光信号を前記増幅部に転送し、
    前記第１のノードは、前記複数の転送部の各々を介して、前記複数の光電変換部の各々に電気的に接続されていることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の光電変換装置。
13. 前記光電変換層が、前記信号電荷を蓄積可能な状態にある期間に、前記複数の転送部のうちの一つの転送部のみがオンしている場合には、前記容量素子の容量値は第１の容量値であり、
    前記光電変換層が、前記信号電荷を蓄積可能な状態にある期間に、前記複数の転送部のうちの複数がオンしている場合には、前記容量素子の容量値は前記第１の容量値よりも大きい第２の容量値であることを特徴とする請求項１２に記載の光電変換装置。
14. 前記光電変換装置は、容量電位供給部をさらに有し、
    前記容量電位供給部は、前記第２のノードに、前記第１の電位と前記第２の電位とを供給することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載の光電変換装置。
15. 前記光電変換装置は、容量電位供給部をさらに有し、
    前記容量電位供給部は、前記第２のノードに、前記第１の電位と前記第２の電位とを供給し、
    前記光電変換層から前記信号電荷を排出する時に、前記複数の光電変換部のうちのＮ個の光電変換部と前記増幅部と間の電気的経路が共に導通している場合には、前記容量素子の前記第２のノードに前記第２の電位を供給し、
    前記光電変換層から前記信号電荷を排出する時に、前記複数の光電変換部のうちの前記Ｎ個より多い数のＭ個の光電変換部と前記増幅部との間の電気的経路が共に導通している場合には、前記容量電位供給部は、前記容量素子の前記第２のノードに第３の電位を供給し、
    前記第３の電位は前記第２の電位よりも値の大きい電位であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の光電変換装置。
16. 前記光電変換装置は、容量電位供給部をさらに有し、
    前記容量電位供給部は、前記第２のノードに、前記第１の電位と前記第２の電位とを供給し、
    前記光電変換層から前記信号電荷を排出する時に、前記複数の光電変換部のうちのＮ個の光電変換部と前記増幅部と間の電気的経路が共に導通している場合には、前記容量素子の前記第２のノードに前記第２の電位を供給し、
    前記光電変換層から前記信号電荷を排出する時に、前記複数の光電変換部のうちの前記Ｎ個より多い数のＭ個の光電変換部と前記増幅部との間の電気的経路が共に導通している場合には、前記容量電位供給部は、前記容量素子の前記第２のノードに第３の電位を供給し、
    前記第３の電位は前記第２の電位よりも値の小さい電位であることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の光電変換装置。
17. 前記光電変換層が量子ドットを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の光電変換装置。
18. 請求項１〜１７のいずれかに記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置が出力する、前記光信号に基づく信号を処理することで画像を生成する出力信号処理部と、
    を有することを特徴とする光電変換システム。
19. 請求項１０または１１に記載の光電変換装置と、出力信号処理部とを有する光電変換システムであって、
    前記光電変換装置は、
    前記複数の光電変換部のうちの一部のみの前記光電変換部から出力された前記光信号に基づく第１の信号と、
    前記複数の光電変換部のうちの全ての前記光電変換部から出力された前記光信号に基づく第２の信号とをそれぞれ前記出力信号処理部に出力し、
    前記第１の信号と前記第２の信号との差を用いて位相差を検出し、
    前記第２の信号を用いて画像を生成することを特徴とする光電変換システム。
20. 光電変換部と、増幅部と、信号線とを有し、
    前記光電変換部は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に配された、信号電荷を蓄積する光電変換層と、前記光電変換層および前記第２の電極の間に配された絶縁層と、を含む光電変換装置の駆動方法であって、
    前記第１の電極に印加される電位と前記第２の電極の印加される電位との大小関係を、
    前記光電変換層が、前記信号電荷を蓄積する第１の期間において、第１の関係とし、
    前記信号電荷を前記光電変換層から排出する第２の期間において、前記第２の電極に、前記第１の期間に印加される電位とは値の異なる電位が印加されることによって、第１の関係とは逆の第２の関係とし、
    前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記信号線の電位を所定の範囲に制限する、あるいは、前記第２の期間の少なくとも一部の期間に前記増幅部を非動作状態とすることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。

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