JP2016031997A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
1a,1b 基板の主面
3,6b p型半導体層
4 Si化合物半導体層
5,6a n型半導体層
5a,5b p型不純物領域
7 GaN層
8 窒化物半導体層
9 AlGaN層
10 デバイス形成層
11 ソース電極
12 絶縁層
13 ゲート電極
15 ドレイン電極
17 裏面電極
22 SiO2層
23 SOI層
GND 接地電位
TE 二次元電子ガス
VD,VG 電圧
VL 空乏層
Claims (9)
- 一方の主面と、前記一方の主面と反対側にある他方の主面とを有するSi基板またはSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記Si基板またはSOI基板の前記一方の主面に形成され、ワイドギャップ半導体であるSi化合物よりなるSi化合物半導体層とを備え、
前記Si化合物半導体層は、pn接合を構成するp型半導体層とn型半導体層とを含む、半導体装置。 - 前記Si化合物半導体層の表面に形成された第1および第2の電極をさらに備え、
前記pn接合は、前記Si基板またはSOI基板の前記他方の主面と、前記第1および第2の電極のうち少なくともいずれか一方の電極との間に電圧が印加されている場合に逆バイアス状態となる、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1および第2の電極のうち低い電位が与えられる方の電極と電気的に接続された裏面電極をさらに備え、
前記n型半導体層は、前記p型半導体層よりも前記Si基板またはSOI基板から離れた位置に形成される、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1および第2の電極のうち高い電位が与えられる方の電極と電気的に接続された裏面電極をさらに備え、
前記p型半導体層は、前記n型半導体層よりも前記Si基板またはSOI基板から離れた位置に形成される、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記Si化合物半導体層上に形成され、GaNを含む窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層にショットキー接触する第3の電極とをさらに備え、
前記第1および第2の電極は、前記窒化物半導体層にオーミック接触し、
前記窒化物半導体層は、第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の表面に形成され、前記第1の窒化物半導体層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する第2の窒化物半導体層とを含む、請求項2〜4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記Si化合物半導体層の表面に形成され、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電流を制御するための第3の電極とをさらに備えた、請求項2〜4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記Si化合物半導体層は、前記n型半導体層とともに前記p型半導体層を挟み、かつ前記p型半導体層とpn接合を構成する他のn型半導体層をさらに含む、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記Si化合物半導体層は、前記p型半導体層とともに前記n型半導体層を挟み、かつ前記n型半導体層とpn接合を構成する他のp型半導体層をさらに含む、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記Si化合物は、2eV以上3.26eV以下のバンドギャップを有する、請求項1〜8のいずれかに記載の半導体装置。
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