JP2016027553A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims 6
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 claims 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XCCANNJCMHMXBZ-UHFFFAOYSA-N hydroxyiminosilicon Chemical compound ON=[Si] XCCANNJCMHMXBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
Claims (3)
- 第1の基板と、第2の基板と、素子層と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第1の接着層と、第2の接着層と、を有し、
前記第1の基板は、可撓性を有し、
前記第2の基板は、可撓性を有し、
前記素子層は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に設けられ、
前記素子層は、発光素子を有し、
前記第1の絶縁層は、前記第1の基板と前記素子層との間に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第2の基板と前記素子層との間に設けられ、
前記第1の接着層は、前記第1の基板と前記第1の絶縁層との間に設けられ、
前記第2の接着層は、前記第2の基板と前記第2の絶縁層との間に設けられ、
前記第1の絶縁層又は前記第2の絶縁層の少なくとも一方は圧縮応力が生じており、
前記第1の接着層又は前記第2の接着層の少なくとも一方のガラス転移温度は、60℃以上であり、
前記第1の基板又は前記第2の基板の少なくとも一方の線膨張係数は、60ppm/K以下であることを特徴とする発光装置。 - 請求項1において、
前記第1の絶縁層又は前記第2の絶縁層の少なくとも一方は、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を有し、
前記酸化窒化シリコン膜及び前記窒化シリコン膜は互いに接することを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2に記載の発光装置と、
アンテナ、バッテリ、筐体、スピーカ、マイク、又は操作ボタンと、を有することを特徴とする電子機器。
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