JP2016025213A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、保護膜で被覆される半導体発光素子の製造工程を簡略化する製造方法が、例えば、特許文献3で提案されている。特許文献3によれば、透光性電極(全面電極)上を含む半導体発光素子の表面全体を保護膜で被覆した後に、パッド電極を形成する領域に開口部を有するレジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成し、当該レジストパターンの開口部内の保護膜をエッチングにより除去することでパターニングされた保護膜が形成される。次に、パッド電極となる金属膜を形成し、その後に前記したレジストパターンを除去することで金属膜がパターニングされる。これによって、パッド電極が形成される。この方法によれば、保護膜を形成するためのレジストパターンと、金属膜を形成するためのレジストパターンとを共用できるため、製造工程を簡略化することができる。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
[半導体発光素子の構成]
図1〜図7を参照して、本発明の実施形態に係る半導体発光素子の構成について説明する。なお、図5〜図7において、ハッチングは特定の部材の平面視での配置領域を示すものであり、断面を示すものではない。
本実施形態に係る半導体発光素子1(以下、適宜に「発光素子」と呼ぶ)は、図1に示すように、平面視で横長の矩形状に形成され、成長基板11と、半導体積層体12と、n側電極13と、透光性電極14と、p側電極15と、絶縁膜16と、光反射膜17n,17pと、保護膜18とを備えて構成されている。また、本実施形態に係る発光素子1は、成長基板11上に、LED(発光ダイオード)構造を有する半導体積層体12と、半導体積層体12の一方の面側にn側電極13、透光性電極14及びp側電極15とを備え、フェイスアップ型の実装に適した構造を有している。
なお、第1露出部12b及び第2露出部12cは、完成した発光素子1においては、保護膜18又はn側電極13によって被覆されているが、便宜的に「露出部」と呼ぶ。
また、図7(b)にハッチングを施して示すように、発光素子1のパッド電極であるn側電極13及びp側電極15の表面を除き、半導体積層体12及び透光性電極14の表面は、透光性及び絶縁性を有する保護膜18で被覆されている。
また、発光素子1が発光する光の一部を、蛍光体層を設けて、異なる波長の光に変換する場合には、発光波長の短い青色や紫色に発光する半導体積層体12が好適である。
また、透光性電極14は、図2〜図4に示すように、絶縁膜16が配置された領域上であって、p側電極15の外部接続部15aが配置された領域の直下領域の略全体と、延伸部15bが配置された領域の直下領域及びその近傍領域とに、開口部14aが設けられている。また、延伸部15bの直下領域及びその近傍領域において、開口部14aは、延伸部15bの延伸方向に断続的に設けられている。
なかでも、ITOは、可視光(可視領域)において高い透光性を有し、導電率の高い材料であることから、p型半導体層12p上の上面の略全面を覆うのに好適な材料である。
なお、p側電極15は、外部接続部15a及び延伸部15bが、ともに同じ材料で構成されている。
絶縁膜16としては、例えば、SiO2、TiO2、Al2O3などの酸化物、SiNなどの窒化物、MgFなどのフッ化物を好適に用いることができる。これらの中で、屈折率が低いSiO2をより好適に用いることができる。
光反射膜17nは、n型半導体層12n内をn側電極13に向かって上方に伝播する光線を、n側電極13で反射させるよりも効率的に反射させるための膜である。このため、光反射膜17nは、平面視で、n側電極13が配置される領域を包含するように設けられている。また、光反射膜17nは、n側電極13から供給される電流を、n型半導体層12nに伝達するために、導電性を有する材料で構成される。
また、光反射膜17p及び光反射膜17nは、同じ材料を用いて、同じ製造工程で形成することができる。
保護膜18としては、前記した絶縁膜16と同様の材料を用いることができ、例えば、SiO2を好適に用いることができる。
次に、図1を参照して、実施形態に係る発光素子1の動作について説明する。
発光素子1は、実装基板やボンディング用のワイヤを介して外部接続部13a及び外部接続部15a間に外部電源が接続されると、n型半導体層12n及びp型半導体層12p間に電流が供給されて活性層12aが発光する。
発光素子1の活性層12aが発した光は、半導体積層体12内を伝播して、主として発光素子1の上面から外部に取り出される。
図8に示すように、半導体積層体12内を伝播して、延伸部15bの直下領域の透光性電極14に向かう光線(L1)は、一部はp型半導体層12pと絶縁膜16の界面で反射され(L2)、一部は絶縁膜16と透光性電極14の界面で反射され(L3)、一部はp側電極15の延伸部15bの下面で反射される(L4)。これらの光線は、絶縁膜16、透光性電極14及び延伸部15bによって一部が吸収されて光量が低下する。
次に、図9を参照して、図1に示した発光素子1の製造方法について説明する。
図9に示すように、発光素子1の製造方法は、半導体積層工程S101と、n型半導体層露出工程S102と、絶縁膜形成工程S103と、透光性電極形成工程S104と、第1レジストパターン形成工程S105と、透光性電極エッチング工程S106と、第1レジストパターン除去工程S107と、第2レジストパターン形成工程S108と、第1金属膜形成工程S109と、第2レジストパターン除去工程S110と、保護膜形成工程S111と、第3レジストパターン形成工程S112と、保護膜エッチング工程S113と、第2金属膜形成工程S114と、第3レジストパターン除去工程S115と、個片化工程S116と、を含み、この順で各工程が行われる。
また、その他の各部材についても、形状、サイズ、位置関係を適宜に簡略化したり、誇張したりしている場合がある。
まず、半導体積層体準備工程において、第1露出部12b及び第2露出部12cを有する半導体積層体12を準備する。この工程には、サブ工程として、半導体積層工程S101とn型半導体層露出工程S102とが含まれる。
なお、この工程から、第3レジストパターン除去工程S115までの工程は、1枚の成長基板11のウエハ上に、複数の発光素子1が形成されるウエハレベルプロセスで行われる。すなわち、成長基板11上に複数の発光素子1が2次元配列するように形成される。従って、図10〜図24の各図において上段に示した断面図(図10(a)、図11(a)など)は、1個の発光素子領域についてのみ示しているが、左右方向にも同形状の発光素子1が連続して形成される。
第1露出部12b及び第2露出部12cは、フォトリソグラフィ法により、第1露出部12b及び第2露出部12cを形成する領域に開口部を有するレジストパターンを形成した後、当該レジストパターンをエッチングマスクとして、半導体積層体12を上面側からn型半導体層12nが露出するまでエッチングすることで形成される。
次に、絶縁膜形成工程S103において、図12に示すように、p型半導体層12p上の、p側電極15が配置される領域及びその近傍領域に、絶縁膜16を形成する。この工程は、特許文献1などに記載された方法と同様に行うことができる。
すなわち、絶縁膜形成工程S103において、まず、半導体積層体12の表面全体に、SiO2などの絶縁性及び透光性を有する材料を用いて、スパッタリング法などにより絶縁膜16を形成する。次に、フォトリソグラフィ法により、完成時に絶縁膜16が配置される領域を被覆するようにレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンをエッチングマスクとして、絶縁膜16をエッチングすることで、所定形状にパターニングする。その後に、レジストパターンを除去する。
次に、透光性電極を形成する工程において、p型半導体層12p上及び絶縁膜16上の略全面を被覆するように透光性電極14を形成する。この工程には、サブ工程として、透光性電極形成工程S104、第1レジストパターン形成工程S105、透光性電極エッチング工程S106及び第1レジストパターン除去工程S107が含まれる。
次に、光反射膜形成工程において、透光性電極14の開口部14a内に、光反射膜17pを形成する。この工程では、光反射膜17pと同時に、第1露出部12bの底面に、光反射膜17nを形成する。この工程には、サブ工程として、第2レジストパターン形成工程S108、第1金属膜形成工程S109及び第2レジストパターン除去工程S110が含まれる。
この工程では、まず、ネガ型フォトレジストを、ウエハ表面全体に塗布する。次に、露光パターンが形成されたフォトマスクを用いて、フォトレジストを除去しない箇所を露光する。このとき、フォトレジストによって光が吸収されるため、フォトレジストの下層部ほど露光量が少なくなる。また、露光される光線は、フォトレジストの表面に垂直な方向に伝播するだけでなく、横方向にも若干の広がりを有する。このため、フォトマスクの開口部の直下領域であって、当該開口部の端部近傍の下層部では、フォトマスクの遮光領域(非開口部)に照射される光線の広がり成分がないため、フォトマスクの開口部の中央付近の下層部と比較して露光量が不足する。
ここで、図18(b)に示すように、光反射膜17pは、延伸部15b(図2参照)の延伸方向について、開口部14a(図17(b)参照)内に露出した絶縁膜16の全長に加え、両端が透光性電極14の上面の一部にまで延在するように形成される。
また、図18(c)に示すように、光反射膜17pは、平面視で延伸部15b(図3参照)の延伸方向と直交する方向(幅方向)について、開口部14a(図17(c)参照)内に露出した絶縁膜16の全幅よりも狭い領域に形成される。
なお、幅方向について、光反射膜17pが、透光性電極14の開口部14aの全幅に及ぶように形成してもよいし、更に、延伸方向と同様に、透光性電極14の上面にまで延在するように形成してもよい。
次に、保護膜を形成する工程において、ウエハ表面の略全体を被覆するように、保護膜18を形成する。保護膜18は、図1に示すように、n側電極13が配置される領域に開口部18nを有し、p側電極15が配置される領域に開口部18pを有する。この工程には、サブ工程として、保護膜形成工程S111、第3レジストパターン形成工程S112及び保護膜エッチング工程S113が含まれる。
ここで、図21(c)に示すように、p側電極15の延伸部15b(図3参照)の配置領域に対応する開口部22aは、延伸部15bの延伸方向と平面視で直交する方向について、光反射膜17pの直上領域の範囲内に形成される。開口部22aをこのように形成することで、延伸部15bの延伸方向と直交する方向について、透光性電極14と光反射膜17pとの隙間を被覆する保護膜18が第3レジストパターン22で被覆されるため、次工程で当該隙間から絶縁膜16へのエッチング液の浸透が防止される。
次に、パッド電極形成工程において、保護膜18の開口部18n,18p内に、発光素子1のパッド電極であるn側電極13及びp側電極15を形成する。この工程には、サブ工程として、第2金属膜形成工程S114及び第3レジストパターン除去工程S115が含まれる。また、この工程では、前工程である保護膜形成工程で形成した第3レジストパターン22を用いて、リフトオフ法により、パッド電極であるn側電極13及びp側電極15を形成する。
次に、個片化工程S116において、第2露出部12c(図24(a)参照)上に設定された境界線に沿って、ダイシング法やスクライビング法などにより切断することで、発光素子1を個片化する。
なお、ウエハを切断する前に、成長基板11の裏面を研磨して薄肉化するようにしてもよい。
以上の工程により、発光素子1が形成される。
11 成長基板(基板)
12 半導体積層体
12n n型半導体層
12a 活性層
12p p型半導体層
12b 第1露出部
12c 第2露出部
13 n側電極
13a 外部接続部
13b 延伸部
14 透光性電極
14a 開口部
15 p側電極(パッド電極)
15a 外部接続部
15b 延伸部
16 絶縁膜
17n 光反射膜
17p 光反射膜
18 保護膜
18n,18p 開口部
20 第1レジストパターン
20a 開口部
21 第2レジストパターン
21a 開口部
22 第3レジストパターン
22a 開口部
31 第1金属膜
32 第2金属膜
Claims (7)
- 基板の主面に、半導体積層体と、前記半導体積層体上に設けられる透光性電極と、前記透光性電極と電気的に接続され、外部と電気的に接続するための外部接続部及び当該外部接続部から延伸するように設けられる延伸部を有するパッド電極と、前記半導体積層体及び前記透光性電極を被覆する保護膜と、を備える半導体発光素子の製造方法であって、
前記半導体積層体を準備する半導体積層体準備工程と、
前記半導体積層体上の一部の領域であって、平面視で前記パッド電極が形成される領域の少なくとも一部が重複する領域に、透光性材料からなる絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記半導体積層体の上面及び前記絶縁膜の上面を被覆し、前記絶縁膜上であって平面視で前記延伸部が配置される領域と少なくとも一部が重複する領域に、前記延伸部の延伸方向に断続的に開口部を有するように、前記透光性電極を形成する透光性電極形成工程と、
前記透光性電極の開口部、及び当該開口部から前記延伸方向にある前記透光性電極の両端上に延在するように、金属材料からなる光反射膜を形成する光反射膜形成工程と、
前記基板の主面側に、透光性材料からなる前記保護膜を形成する保護膜形成工程と、
平面視で、前記延伸方向と直交する方向における前記光反射膜の両端部上を覆うように、前記パッド電極が形成される領域上以外の前記保護膜の上面にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクから露出した前記保護膜をウェットエッチングにより除去して、前記保護膜に開口部を形成する保護膜エッチング工程と、
前記保護膜の開口部に、前記パッド電極を形成するパッド電極形成工程と、を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜は、前記半導体積層体が発する光に対する屈折率が、前記透光性電極よりも低い材料で形成され、
前記光反射膜の下面は、前記半導体積層体が発する光に対する反射率が、前記パッド電極の下面よりも高い材料で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記絶縁膜と前記保護膜とは、同じ材料を用いて形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記絶縁膜及び前記保護膜は、SiO2、TiO2又はAl2O3から選択される酸化物からなることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記光反射膜は、Al、Ru、Ag、Ti、Niから選択される金属又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記透光性電極は、ITO(インジウム・スズ酸化物)、In2O3、SnO2又はZnOから選択される金属酸化物を含有してなることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記光反射膜形成工程は、サブ工程として、
前記光反射膜が設けられる領域に開口部を有するようにレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターン上及び当該レジストパターンの開口部上に、前記光反射膜となる金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記レジストパターン上に形成された前記金属膜とともに除去するレジストパターン除去工程と、をこの順で含み、
前記レジストパターンは、ネガ型フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法によって形成され、前記レジストパターンの開口部の側面が上方ほど平面視で当該開口部の開口面積が小さくなるように傾斜して形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
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