JP2016021598A - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016021598A JP2016021598A JP2015212315A JP2015212315A JP2016021598A JP 2016021598 A JP2016021598 A JP 2016021598A JP 2015212315 A JP2015212315 A JP 2015212315A JP 2015212315 A JP2015212315 A JP 2015212315A JP 2016021598 A JP2016021598 A JP 2016021598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- insulating film
- fin
- concerns
- wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】フィン状半導体層と、前記フィン状半導体層の周囲に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の周囲に形成された第1の金属膜と、前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第3の金属からなるゲート電極と、前記ゲート電極に接続されたゲート配線と、前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の周囲に形成された第2の金属膜と、を有し、前記柱状半導体層上部と前記第2の金属膜とが接続され、前記フィン状半導体層上部と前記第1の金属膜とが接続される。
【選択図】図1
Description
102.第1のレジスト
103.フィン状シリコン層
104.第4の絶縁膜
105.第1の絶縁膜
106.第1の金属膜
107.第5の絶縁膜
108.第6の絶縁膜
109.第2のレジスト
110.柱状シリコン層
111.ゲート絶縁膜
112.第3の金属
112a.ゲート電極
112b.ゲート配線
113.第3のレジスト
114.第7の絶縁膜
115.第8の絶縁膜
116.第2の絶縁膜
117.第2の金属膜
118.第9の絶縁膜
119.第4のレジスト
120.コンタクト孔
121.コンタクト孔
122.コンタクト
123.コンタクト
124.金属
125.第5のレジスト
126.第5のレジスト
127.第5のレジスト
128.金属配線
129.金属配線
130.金属配線
Claims (5)
- 基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第3の金属からなるゲート電極と、
前記ゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の周囲に形成された第2の金属膜と、
を有し、
前記柱状半導体層上部と前記第2の金属膜とが接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体層がシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の金属膜の仕事関数は、4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2の金属膜の仕事関数は、5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記柱状半導体層の幅は前記フィン状半導体層の短い方の幅と同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015212315A JP6159777B2 (ja) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015212315A JP6159777B2 (ja) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014234914A Division JP5833214B2 (ja) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016021598A true JP2016021598A (ja) | 2016-02-04 |
JP6159777B2 JP6159777B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=55266207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015212315A Active JP6159777B2 (ja) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6159777B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209407A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 垂直なフローティングゲート・トランジスタを有するメモリ |
US6891234B1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-05-10 | Acorn Technologies, Inc. | Transistor with workfunction-induced charge layer |
JP2007329480A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 埋め込みビットラインの形成方法 |
JP2013503471A (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | トンネル電界効果デバイス |
-
2015
- 2015-10-28 JP JP2015212315A patent/JP6159777B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10209407A (ja) * | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 垂直なフローティングゲート・トランジスタを有するメモリ |
US6891234B1 (en) * | 2004-01-07 | 2005-05-10 | Acorn Technologies, Inc. | Transistor with workfunction-induced charge layer |
JP2007329480A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 埋め込みビットラインの形成方法 |
JP2013503471A (ja) * | 2009-08-31 | 2013-01-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | トンネル電界効果デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6159777B2 (ja) | 2017-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5731073B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5759077B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
WO2016009473A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5752810B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5822326B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5654184B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5902868B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5833214B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5740535B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6368836B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6159777B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6114434B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2015193939A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5646116B1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6080989B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5869166B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6326437B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6211637B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6033938B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5890053B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP6285393B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP5926423B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5869079B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
JP2016146503A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2015079988A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160923 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6159777 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |