JP6159777B2 - 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 - Google Patents
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Description
102.第1のレジスト
103.フィン状シリコン層
104.第4の絶縁膜
105.第1の絶縁膜
106.第1の金属膜
107.第5の絶縁膜
108.第6の絶縁膜
109.第2のレジスト
110.柱状シリコン層
111.ゲート絶縁膜
112.第3の金属
112a.ゲート電極
112b.ゲート配線
113.第3のレジスト
114.第7の絶縁膜
115.第8の絶縁膜
116.第2の絶縁膜
117.第2の金属膜
118.第9の絶縁膜
119.第4のレジスト
120.コンタクト孔
121.コンタクト孔
122.コンタクト
123.コンタクト
124.金属
125.第5のレジスト
126.第5のレジスト
127.第5のレジスト
128.金属配線
129.金属配線
130.金属配線
Claims (5)
- 基板上に形成されたフィン状半導体層と、
前記フィン状半導体層上に形成された柱状半導体層と、
前記柱状半導体層の周囲に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の周囲に形成された第3の金属からなるゲート電極と、
前記ゲート電極に接続されたゲート配線と、
前記柱状半導体層の上部側壁の周囲に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の周囲に形成された第2の金属膜と、
前記第2の金属膜の下面に接して形成された前記第2の絶縁膜と、
を有し、
前記柱状半導体層上部と前記第2の金属膜とが接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体層がシリコンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2の金属膜の仕事関数は、4.0eVから4.2eVの間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2の金属膜の仕事関数は、5.0eVから5.2eVの間であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記柱状半導体層の幅は前記フィン状半導体層の短い方の幅と同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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