JP2016015426A - シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記の空孔や点欠陥の過不足が少ないN領域から成るウェーハであっても、そのN領域には、Vaが優勢なNv領域とI−Siが優勢なNi領域が存在する。ここで、Nv領域はNi領域と比較して酸素析出核が多いので、径方向の全面がNv領域からなるシリコン単結晶ウェーハを、非酸化性雰囲気下で急速熱処理すると、径方向の全面がNi領域からなるシリコン単結晶ウェーハを同様に熱処理した場合に比べ酸素析出促進効果が大きくなる。同様に、径方向の全面にOSF(Oxidation induced Stacking Faults:酸化誘起積層欠陥)領域とNv領域が混在しているシリコン単結晶ウェーハを、非酸化性雰囲気下で急速熱処理すると、径方向の全面がNi領域からなるシリコン単結晶ウェーハに比べ酸素析出促進効果が大きくなる。
上記のように、従来、二段階の急速熱処理を施す熱処理方法が行われてきたが、酸素析出熱処理等を行うと、特に、ウェーハ面内に酸素析出しやすいNv領域やOSF領域と、酸素析出し難いNi領域が混在している場合に、酸素析出物の密度のばらつきが生じ易くなり、その結果、優れたTDDB特性が得られないという問題があった。
径方向の全面がN領域、又は径方向の全面がOSF領域とN領域が混在したシリコン単結晶ウェーハの準備でチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げるにあたっては、例えば図2のような単結晶引き上げ装置を使用することができる。
図2に示すように、この単結晶引き上げ装置1には、引き上げ室2内に、シリコン単結晶インゴット10の原料となるシリコン融液11を収容するルツボ3が設けられている。そして、このルツボ3にはルツボ保持軸5及びその回転機構(図示せず)が備えられており、単結晶の育成中にルツボ3を回転できるようになっている。さらに、このルツボ3の周囲には、加熱のためのヒータ4が配設されており、さらにヒータ4の外側周囲には断熱材9が配置されている。そして、ルツボ3内のシリコン融液11の上方には、シリコンの種結晶6を保持するシードチャック7、シードチャック7を引上げるワイヤ8、ワイヤ8を回転又は巻き取る巻取機構(図示せず)が備えられている。このような装置1により、シリコン単結晶インゴット10は、原料のシリコン融液11から、引き上げ速度等を調整してワイヤ8によって引上げられる。このように、本発明の熱処理方法では従来と同様の単結晶引き上げ装置を用いて製造したシリコン単結晶インゴット10から切り出したシリコン単結晶ウェーハを用いることができる。
図3に示す急速熱処理装置12は、石英からなるチャンバー13を有し、このチャンバー13内でシリコン単結晶ウェーハWを急速熱処理できるようになっている。加熱は、チャンバー13を上下左右から囲繞するように配置される加熱ランプ14(例えばハロゲンランプ)によって行う。この加熱ランプ14はそれぞれ独立に供給される電力を制御できるようになっている。
そして、シリコン単結晶ウェーハWは石英トレイ16に形成された3点支持部17の上に配置される。トレイ16のガス導入口側には、石英製のバッファ18が設けられており、酸化性ガスや窒化性ガス、Arガス等の導入ガスがシリコン単結晶ウェーハWに直接当たるのを防ぐことができる。
また、チャンバー13には不図示の温度測定用特殊窓が設けられており、チャンバー13の外部に設置されたパイロメータ19により、その特殊窓を通してシリコン単結晶ウェーハWの温度を測定することができる。
急速熱処理装置12もまた、従来と同様のものを用いることができる。
(シリコン単結晶ウェーハの準備)
この工程では、後に二段階の急速熱処理(酸化性雰囲気下の急速熱処理(初段のRTO(Rapid Thermal Oxidation)処理)、非酸化性雰囲気下の急速熱処理(二段目のRTA(Rapid Thermal Annealing)処理))を施す、径方向の全面がN領域、又は径方向の全面がOSF領域とN領域が混在したシリコン単結晶ウェーハWを準備する。
このようにしてシリコン単結晶インゴット10を引き上げた後、例えばワイヤソー等のインゴットの切断装置を用いてウェーハ状に切り出し、径方向の全面がN領域、又は径方向の全面がOSF領域とN領域が混在したシリコン単結晶ウェーハWを得る。
次に、準備したシリコン単結晶ウェーハWに対し、図3の急速熱処理装置12を用いて、酸化性雰囲気下で急速熱処理(RTO)を施す。なお、この酸化性雰囲気下の急速熱処理によって、シリコン単結晶ウェーハWの表面には熱酸化膜が形成される。
酸化性雰囲気として、酸素を含む雰囲気を使用すれば、効率よくシリコン単結晶ウェーハWの表面に酸化膜を形成することができる。
ここでは、前工程のRTOにて形成した酸化膜を除去することなく、連続して、図3の急速熱処理装置12を用い、非酸化性雰囲気下での急速熱処理(RTA)をシリコン単結晶ウェーハWに施す。このとき、RTOの熱処理温度以上の温度で10−30秒間熱処理することにより、シリコン単結晶ウェーハの表面に形成された酸化膜を介して、シリコン単結晶ウェーハWの内部に空孔を注入する。また、このときのチャンバー13内の雰囲気は、窒化性雰囲気、Ar雰囲気、またはこれらの混合雰囲気とすることができる。窒化性雰囲気としては、例えばNH3、N2等の雰囲気が挙げられる。
更に、本発明はRTOによる酸化膜を除去しないので、熱処理工程をより簡略化することができ、効率の面でも好ましい熱処理方法となる。
まず、直径が200mm、酸素濃度が12ppma(JEIDA:日本電子工業振興協会による換算係数を使用)、欠陥領域として最外周部にOSF領域を含むCOPフリーのシリコン単結晶ウェーハを実施例1用に準備した。すなわち、最外周部にOSF領域を有するN領域ウェーハである。
その後、この酸化膜をつけたまま、ArとNH3の混合雰囲気下で1225℃、10秒の急速熱処理(二段目のRTA処理)を施した。このように、二段目の熱処理であるRTAの熱処理温度は、一段目の熱処理であるRTOの熱処理温度と同じとした。
尚、BMD評価は、シリコン単結晶ウェーハを劈開面に沿って分割し、その断面をエッチングした後に、観察することでBMDの単位体積当たりの密度を測定した。
図5に示すように、上記のような本発明の熱処理方法に従って、熱処理を施すことで、特に、ウェーハ表面から深さ100μmの位置で、体積密度が7.0×108/cm3となり、BMDを十分に形成することができ、後述する比較例1、2よりも効率よく十分なBMDを形成することができた。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、図4に示すように、その良品率は後述する比較例よりも良好な97.8%となった。本発明によって、シリコン単結晶ウェーハ内部にBMDを均一に形成でき、大きな酸素析出物が形成されるのを防ぎ、優れたTDDB特性が得られたものと考えられる。
RTO及びRTAの熱処理温度をいずれも1250℃に設定したこと以外は、実施例1と同様な条件で熱処理し、実施例1と同様な方法でTDDB及びBMDを評価した。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、図4に示すように、その良品率は後述する比較例よりも良好な98.0%となり、このことから、シリコン単結晶ウェーハ内部にBMDを均一に形成できたと考えられる。
RTOの熱処理温度を1225℃、RTAの熱処理温度を1250℃、即ち、RTAの熱処理温度をRTOの熱処理温度より25℃高くしたこと以外は、実施例1と同様な条件で熱処理し、実施例1と同様な方法でTDDB及びBMDを評価した。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、図4に示すように、その良品率は100%となり、このことから、RTAにおける熱処理温度を、RTOの熱処理温度より25℃以上高い温度とすることで、シリコン単結晶ウェーハ内部にBMDをより均一に形成できたと考えられる。
RTOの熱処理温度を1250℃、RTAの熱処理温度を1275℃、即ち、RTAの熱処理温度をRTOの熱処理温度より25℃高くしたこと以外は、実施例1と同様な条件で熱処理し、実施例1と同様な方法でTDDB及びBMDを評価した。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、図4に示すように、その良品率は100%となり、このことから、RTAにおける熱処理温度を、RTOの熱処理温度より25℃以上高い温度とすることで、シリコン単結晶ウェーハ内部にBMDをより均一に形成できたと考えられる。
RTOを熱処理温度980℃、熱処理時間20秒とし、RTA熱処理温度1175℃、熱処理時間10秒としたこと以外は、実施例1と同様な条件で熱処理し、実施例1と同様な方法でTDDB及びBMDを評価した。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、その良品率は65.2%と前述の実施例1−4に大幅に劣っていた。これは、RTOにおける熱処理温度を1000℃未満としたことで、シリコン単結晶ウェーハのNi領域化が促進されず、面内でBMDの密度にばらつきが生じたためと考えられる。
RTOの熱処理温度を1225℃、RTAの熱処理温度を1200℃としたこと、即ち、RTAの熱処理温度をRTOの熱処理温度未満としたこと以外は、実施例1と同様な条件で熱処理し、実施例1と同様な方法でTDDB及びBMDを評価した。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、その良品率は88.6%と実施例1−4に大幅に劣っていた。これは、RTOで残存した大きいサイズの酸素析出物が、その後のRTAにおいて、周りの酸素を吸収し、大きなBMDに成長したことが原因と考えられる。
RTO後に酸化膜を除去してから、RTAを行ったこと以外は、実施例1と同様な条件で熱処理し、実施例1と同様な方法でTDDB及びBMDを評価した。
また、TDDBのCモード(真性故障)の評価を行ったところ、良品率は80.9%と実施例1−4に大幅に劣っていた。これは、前述の実施例1−4のように酸化膜を介して空孔を注入していないため、面内でBMDの密度にばらつきが生じたことが原因と考えられる。
5…ルツボ保持軸、 6…種結晶、 7…シードチャック、
8…ワイヤ、 9…断熱材、 10…シリコン単結晶インゴット、
11…シリコン融液、 12…急速熱処理装置、 13…チャンバー、
14…加熱ランプ 15…オートシャッター、 16…石英トレイ、
17…3点支持部、 18…バッファ、 19…パイロメータ、
20…ガス排気口、 W…シリコン単結晶ウェーハ。
Claims (5)
- シリコン単結晶ウェーハの熱処理方法であって、
チョクラルスキー法により作製した、径方向の全面がN領域、又は径方向の全面がOSF領域とN領域が混在したシリコン単結晶ウェーハを、1000−1275℃で10−30秒間、酸化性雰囲気下で急速熱処理する酸化性熱処理を実施し、
更に、該酸化性熱処理に連続して、当該酸化性熱処理で形成された酸化膜が付いたままのシリコン単結晶ウェーハを、前記酸化性熱処理における熱処理温度以上の温度で10−30秒間、非酸化性雰囲気下で急速熱処理する非酸化性熱処理を実施することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。 - 前記非酸化性熱処理における熱処理温度を、前記酸化性熱処理の熱処理温度より25℃以上高い温度とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
- 前記酸化性熱処理における熱処理温度を1025℃以上とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
- 前記酸化性熱処理における酸化性雰囲気を、酸素を含む雰囲気とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
- 前記非酸化性熱処理における非酸化性雰囲気を、窒化性雰囲気、Ar雰囲気、またはこれらの混合雰囲気とすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のシリコン単結晶ウェーハの熱処理方法。
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