JP2016011250A - Euvリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランク及びその製造方法 - Google Patents
Euvリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランク及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016011250A JP2016011250A JP2015127572A JP2015127572A JP2016011250A JP 2016011250 A JP2016011250 A JP 2016011250A JP 2015127572 A JP2015127572 A JP 2015127572A JP 2015127572 A JP2015127572 A JP 2015127572A JP 2016011250 A JP2016011250 A JP 2016011250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dcte
- distribution profile
- blank
- glass
- profile
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 212
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 79
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- IYLGZMTXKJYONK-ACLXAEORSA-N (12s,15r)-15-hydroxy-11,16-dioxo-15,20-dihydrosenecionan-12-yl acetate Chemical compound O1C(=O)[C@](CC)(O)C[C@@H](C)[C@](C)(OC(C)=O)C(=O)OCC2=CCN3[C@H]2[C@H]1CC3 IYLGZMTXKJYONK-ACLXAEORSA-N 0.000 claims description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- IYLGZMTXKJYONK-UHFFFAOYSA-N ruwenine Natural products O1C(=O)C(CC)(O)CC(C)C(C)(OC(C)=O)C(=O)OCC2=CCN3C2C1CC3 IYLGZMTXKJYONK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 18
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 claims description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 27
- 238000013461 design Methods 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 11
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 2
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 description 1
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004836 empirical method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N thiram Chemical compound CN(C)C(=S)SSC(=S)N(C)C KUAZQDVKQLNFPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/04—Re-forming tubes or rods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/06—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction
- C03B19/066—Other methods of shaping glass by sintering, e.g. by cold isostatic pressing of powders and subsequent sintering, by hot pressing of powders, by sintering slurries or dispersions not undergoing a liquid phase reaction for the production of quartz or fused silica articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1469—Means for changing or stabilising the shape or form of the shaped article or deposit
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/07—Impurity concentration specified
- C03B2201/075—Hydroxyl ion (OH)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/40—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
- C03B2201/42—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn doped with titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/30—Doped silica-based glasses containing metals
- C03C2201/40—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn
- C03C2201/42—Doped silica-based glasses containing metals containing transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn containing titanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/10—Melting processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/50—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
a) このブランクは、TiO2 0.05%未満のTiO2分布の局所的変動により引き起こされる微細な不均一性を含む、
b) このブランクは、0.4ppb/(K・cm)以下の、使用可能範囲CAにわたる熱膨張係数の半径方向の変動を示す、
c) このブランクの、光学的使用範囲CAの熱膨張係数中の絶対的最大不均一性dCTEmax(このブランクの厚さに関する平均)は5ppb/K未満である、
d) この場合、CAにわたるdCTE推移は、実質的に次のゼルニケ項により記載することができる:
R=CAの半径;C3;C8=この項の適合パラメータ。
この設計原理の1つの側面は、回転対称ではなく、伸びた楕円形であるdCTE分布プロフィールの幾何学形状的構成に関し、かつ他の側面は伸長された楕円形のdCTE分布プロフィールと、非円形のアウトラインを有する光学的露出領域CAとの間の協調に関する。
本発明による非回転対称のdCTE分布プロフィールは、非回転対称の形状を有し、この形状内で、山頂を中心とした等高線と同じように、CA平面の表面法線を中心として閉じた等値線が延在し、かつこれがCTE不均一性の同じレベルを表すことにより特徴付けられる。
本発明によるブランクの第2の好ましい実施態様の場合に、このCAの非円形領域が非円形のアウトラインによって定義されていて、このアウトラインに沿ってdCTE分布プロフィールのdCTE最大値及びdCTE最小値が位置し、この最大値と最小値との間の差PVCAは、0.5×dCTEmax以下であることが予定されている。
a) 回転対称のdCTE分布プロフィールを有する、Tiをドープしたシリカガラスのガラス円柱体を準備する工程、及び
b) 前記ガラス円柱体を軟化し、かつこのガラス円柱体の縦軸方向に対して垂直方向に作用する力成分を有する成形力を作用させながら前記ガラス円柱体を形成して、それにより、この回転対称のプロフィールを少なくとも1つの方向へ伸長させて、非円形断面を有しかつ非回転対称のdCTE分布プロフィールを有する円柱形のブランクが得られるように、前記ガラス円柱体を成形する工程。
(1) 長さが標準化されかつこのCA領域の重心を通過する全ての直線状のプロフィール交線が、0.5×dCTEmax未満、好ましくは0.3×dCTEmax未満の最大帯域幅を有する曲線帯域を形成するdCTE曲線群を生じる、
(2) 及び、好ましくは、縦軸を中心として閉じた、0.5×dCTEmaxのCTE不均一性のレベルを有する等値線は、完全にCA内に延在するか又はその長さの少なくとも80%がCA内に延在する、
(3) 及び/又は、好ましくは、CAのアウトラインに沿った、最大値と最小値との間の差PVCAが、0.5×dCTEmax以下である、
を示す。
aa) ケイ素及びチタンを有する出発物質の火炎加水分解により、SiO2及びTiO2の多孔性スート体を製造する工程、
bb) 前記スート体を乾燥及び焼結して、Tiをドープしたシリカガラスの、引き延ばされたガラス前製品を形成する工程、
cc) 前記ガラス前製品を、1500℃より高い温度に加熱し、軟化させかつガラス円柱体に成形する均質化プロセスで、前記ガラス前製品を均質化する工程
を有する方法工程(a)によるガラスシリンダを準備する変法は、特に有用であることが判明した。
本発明を、ここで実施態様及び図面を参考にして詳細に説明する。
TiO2 約8質量%でドープされたスート体を、SiO2−TiO2粒子を形成するための出発物質として、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)及びチタンイソプロポキシド[Ti(OiPR)4]の火炎加水分解によるOVD法によって製造する。
直径200mm及び厚さ195mmのTiO2−SiO2ガラスの出発プレート1を炉中での横方向の成形により、図4に図示されているように、5つの角を有する五角形プレート4に成形する。このために、この出発プレート1を、五角形の内部横断面を有する黒鉛製の溶融型(後に三角形の横断面を有するプレートへの成形について更に詳しく説明されているのと同様に)の中央に入れる。この溶融型を排気し、1350℃に加熱し、引き続き9℃/minの勾配で1700℃に加熱し、その後で2℃/minの勾配で1780℃の温度に加熱する。この温度で石英ガラス材料は軟化し、この軟化した石英ガラスは、自重によって及び促進のために更にその上に置かれた黒鉛プレートの重量によって変形し、横方向へ流動し、それにより、溶融型の底部を完全に満たす。
(a) 交線の帯域幅
図1の補足として、五角形の形状及び丸められた角部を有する光学的使用領域CAのアウトラインL(CA)が図3にはプロットされている。CA内には、中心2を通過して延びる複数の交線S1〜S6がプロットされている。この中心2は、同時にCAの領域の重心である。
図7のグラフは、図3と4とのブランクにおける、それぞれ時計回りに廻って位置P0(位置P0は、図3及び4で示されている)で始まりかつそこで終わる、CAアウトラインL(CA)に沿ったdCTE分布プロフィールの推移の比較を示す。y軸には、dCTE値がppb/Kで、アウトラインL(CA)のそれぞれの長さについて標準化された位置P(相対単位で)(アウトラインL(CA)の長さはこの場合では同じ)に対してプロットされている。
0.5×dCTEmaxのdCTE値についての等値線H1は、図4中に図式的に示されている。全体の等値線長さを有する等値線H1が光学的使用領域CAのアウトラインL(CA)内で延びていることが認識できる。これは、図4のミラー支持体ブランク4中のdCTE不均一性プロフィールの形状が、このCAアウトラインL(CA)がこの分布プロフィールのできる限り少ない数の等値線と交差するようにこのアウトラインL(CA)に適合していることを意味する。
本発明の他の実施例の場合に、直径200mm及び厚さ195mmのTiO2−SiO2ガラスの出発プレート1を炉中での横方向の成形により、図9に図示されているように、楕円形の横断面を有するプレート9に成形する。このために、この出発プレート1を、楕円形の内部横断面を有する黒鉛製の溶融型の中心に置く。その他は、この横方向の変形を軟化及び溶融型中での流出によって、既に実施例1で説明したように行う。図1の出発プレートと比較して、楕円の長半軸91対短軸92の比の値は1.45である。
(a) 交線の帯域幅
比較のために、図8は、円形プレート3を再び示す(図3で説明したのと同様)。光学的使用領域CAのアウトラインL(CA)が、この中に図式的にプロットされていて、このアウトラインは「楕円形」ということができる。CA内には、中心2を通過して延びる複数の交線S1〜S5がプロットされている。この中心2は、同時にCAの領域の重心を形成する。
図12のグラフは、図8と9とのブランクにおける、それぞれ時計回りに廻って位置P0で始まりかつそこで終わる、CAアウトラインL(CA)に沿ったdCTE分布プロフィールの推移の比較を示す。y軸には、dCTE値(ppb/K)が、アウトラインL(CA)のそれぞれの長さが標準化された位置P(アウトラインL(CA)の長さはこの場合では同じ)に対してプロットされている。
0.5×dCTEmaxのdCTE値についての等値線H1は、図9中に図式的にプロットされいる。ほぼ全体の等値線長さ(この長さの80%を越える)を有する等値線H1が光学的使用領域CAのアウトラインL(CA)内で延びていることが認識できる。これは、図9のミラー支持体ブランク9中のdCTE不均一性プロフィールの形状が、このCAアウトラインL(CA)がこの分布プロフィールのできる限り少ない数の等値線と交差するようにこのアウトラインL(CA)に適合していることを意味する。
TiO2 約8質量%でドープされたスート体を、SiO2−TiO2粒子を形成するための出発物質として、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)及びチタンイソプロポキシド[Ti(OiPR)4]の火炎加水分解によるOVD法によって製造する。上述の第1の製造と比べて、スート体の表面温度を、全体の堆積プロセスの間に僅かに高く維持する。この僅かな差異が、TiO2濃度の異なる分布を引き起こす。
直径200mm及び厚さ195mmのTiO2−SiO2ガラスの出発プレートを、炉中での横方向の成形により、横方向の寸法400mm×250mm及び厚さ60mmの長方形プレートに変形する。このために、この出発プレートを、短辺b=250mm及び長辺a=400mmの長方形の内部横断面を有する黒鉛製の溶融型の中心に置く。その他は、この横方向の変形を軟化及び溶融型中での流出によって、既に実施例1で説明したように行う。
(a) 交線の帯域幅
図13には、長方形の形状を有しかつ丸められた角部を有する光学的使用領域CAのアウトラインL(CA)が図式的にプロットされている。CA内には、中心2を通過して延びる3本の交線S1、S2及びS3がプロットされている。S1は、この長方形の形状の短軸に沿って延び、S2は長軸に沿って延び、S3は対角線に沿って延びる。
等値線H1、H2、H3は、図14中に図式的にプロットされていて;これらは、同じ水準のdCTE値を示す。この場合、
・ 等値線H3は、−1.2×dCTEmaxのdCTE値を表し、
・ 等値線H2は、0.8×dCTEmaxのdCTE値を表し、かつ
・ 等値線H1は、0.5×dCTEmaxのdCTE値を表す。
TiO2 約8質量%でドープされたスート体を、SiO2−TiO2粒子を形成するための出発物質として、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)及びチタンイソプロポキシド[Ti(OiPR)4]の火炎加水分解によるOVD法によって製造する。
直径200mm及び厚さ195mmのTiO2−SiO2ガラスの出発プレートを炉中での横方向の成形により、図18に図示されているように、楕円形のプレート18に成形する。このために、この出発プレートを、実施例1で既に説明したのと同様に、楕円形の内部横断面を有する黒鉛製の溶融型の中心に置く。この横方向の変形を軟化及び溶融型中での流出によって、実施例1で説明したように行う。図17に図示された同じ出発プレートの円形プレート17と比較して、楕円形の長軸181の方向での伸び率は約1.5であり;短軸182の方向での伸び率は実際に1と等しい。
(a) 交線の帯域幅
図17において、光学的使用領域CAのアウトラインL(CA)が、この中に図式的にプロットされていて、このアウトラインは「楕円形」ということができる。CA内に、中心2を通過して延びる複数の交線がプロットされていて、この特別に特徴付けられる交線は、符号S1〜S4により示されている。この中心2はCAの領域の重心を同時に形成する。
図18のdCTE分布プロフィールは、レベル0.5×dCTEmaxで2つの等値線を有し;それらは他の内側に延在する等値線H2、及びその内側の等値線を完全に取り囲む外側の等値線である。このようなプロフィールの場合、CAのアウトラインに最も近くに延在する等値線が、非回転対称CAへの適合の品質にとって重要である。図18のプロフィールの場合、これは内側の等値線H2である。レベル0.5×dCTEmaxを有する等値線がCAの付近に延在するか明確には確認できないか又はこのような等値線が存在しないような他の場合には、CAへのdCTE分布プロフィールの適合品質の調節及び評価するためにこの基準は適用できない。
光学的使用領域CAが主に、異なる長さ(a>b)を有しかつ互いに直交する2つの軸a,bにより定義されている本発明のミラー支持体ブランクの特別な場合は、図9及び14によって説明されている。このような特別な場合には、CTE不均一性の推移dCTEa又はdCTEbは、それぞれ、前記2つの軸の方向に向かって、冒頭の記載したDE 10 2004 024 808 A1に従って次の式(2)及び(3)によって一般に記載することができる:
a=長軸、b=短半軸及び
x=軸aに沿った距離、
y=軸bに沿った距離、
C0、C1、C2、C3=球形ゼルニケ項の適合パラメータ。
Claims (15)
- 反射皮膜が施された表面部分を有しかつ光学的使用領域CAを有する、EUVリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランクであって、前記光学的使用領域CAにわたる熱膨張率CTEが、前記ブランクの厚さに関して平均した2次元のdCTE分布プロフィールを有し、前記dCTE分布プロフィールは、CTE最大値とCTE最小値との間の差として定義される、5ppb/K未満の最大不均一性dCTEmaxを有する、チタンをドープしたシリカガラス製のブランクにおいて、前記dCTEmaxは少なくとも0.5ppb/Kであり、かつ前記CAは前記領域の重心を有する非円形領域を形成し、前記dCTE分布プロフィールは回転対称ではなく、かつCAにわたって、前記領域の重心を通過して延び、かつ単位長さに対して標準化された直線状のプロフィール交線が、0.5×dCTEmax未満の帯域幅を有する曲線帯域を形成するdCTE曲線群を生じるように定義されていることを特徴とする、EUVリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランク。
- 前記帯域幅が0.3×dCTEmax未満であることを特徴とする、請求項1に記載のブランク。
- 前記dCTE分布プロフィールが、0.5×dCTEmaxのdCTE値を有する閉じた等値線を有し、前記等値線の全長の少なくとも80%の部分長さが前記光学的使用領域CA内に延在していることを特徴とする、請求項1又は2に記載のブランク。
- 前記等値線は、完全にCA内に延在していることを特徴とする、請求項3に記載のブランク。
- 前記CAの非円形領域が非円形のアウトラインによって定義されていて、前記アウトラインに沿って前記dCTE分布プロフィールのdCTE最大値及びdCTE最小値が存在し、前記最大値と前記最小値との間の差PVCAは、0.5×dCTEmax以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のブランク。
- 前記差PVCAは、0.3×dCTEmax以下であることを特徴とする、請求項5に記載のブランク。
- 前記dCTE分布プロフィールは、回転対称の分布プロフィールを少なくとも1つの空間方向に伸長することによって数学的に一義的に記載可能であり、この伸長率は少なくとも1.2であることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項に記載のブランク。
- 前記dCTE分布プロフィールは、前記円形形状が複数の空間方向に伸長することにより数学的に一義的に記載可能であり、前記空間方向は、前記光学的使用領域CAと平行に広がる1つの共通の変形平面上に延在することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項に記載のブランク。
- 前記dCTE分布プロフィールは、前記円形形状を同一の変形平面上に延在しかつ120°の角度をなす3つの方向へ伸長することによって記載することができることを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項に記載のブランク。
- 請求項1から9までのいずれか1項に記載のEUVリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランクの製造方法において、前記方法は、次の工程:
(a) 回転対称のdCTE分布プロフィールを有する、Tiをドープしたシリカガラスのガラス円柱体を準備する工程、及び
(b) 前記ガラス円柱体を軟化し、かつ前記ガラス円柱体の縦軸方向に対して垂直方向に作用する力成分を有する成形力を作用させながら前記ガラス円柱体を成形し、それにより、前記回転対称のプロフィールを少なくとも1つの方向へ伸長させて、非円形横断面を有しかつ非回転対称のdCTE分布プロフィールを有する円柱形のブランクとなるように、前記ガラス円柱体を成形する工程
を有することを特徴とする製造方法。 - 方法工程(b)による成形が、前記ガラス円柱体を、前記ガラス円柱体の縦軸を垂直方向に向けて、非回転対称の内部幾何学形状を有する溶融型中に配置し、かつ前記型内で少なくとも1200℃の温度に加熱し、かつ軟化させて、前記ガラス円柱体を、前記溶融型中へ重力の作用下で、好ましくは圧縮力により支援して、横方向へ流出させる成形工程を有することを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 前記溶融型の内部幾何学形状が、前記ガラス円柱体の縦軸に対して垂直方向の横断面で見て、長軸と、前記長軸と比べてより短い軸を有する溶融型を使用することを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 横断面が楕円形の内部幾何学形状又は横断面が長方形の内部幾何学形状を有する溶融型を使用することを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 方法工程b)による成形は、1つの成形工程の後に得られたガラス体を、更に引き続く成形工程で変形する複数の成形工程を有することを特徴とする、請求項10から13までのいずれか1項に記載の方法。
- 方法工程(a)によるガラス円柱体の準備が、
aa) ケイ素及びチタンを有する出発物質の火炎加水分解により、SiO2及びTiO2の多孔性スート体を製造する工程
bb) 前記スート体を乾燥及び焼結して、Tiをドープしたシリカガラスの、伸びたガラス前製品を形成する工程、
cc) 前記ガラス前製品を、1500℃より高い温度に加熱し、軟化させかつガラス円柱体に成形する均質化プロセスで、前記ガラス前製品を均質化する工程
を有することを特徴とする、請求項10から14までのいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14174699.0 | 2014-06-27 | ||
EP14174699.0A EP2960219B1 (de) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | Rohling aus Titan-dotiertem Kieselglas für ein Spiegelsubstrat für den Einsatz in der EUV-Lithographie und Verfahren für seine Herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016011250A true JP2016011250A (ja) | 2016-01-21 |
JP2016011250A5 JP2016011250A5 (ja) | 2016-10-20 |
JP6109244B2 JP6109244B2 (ja) | 2017-04-05 |
Family
ID=50982842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015127572A Active JP6109244B2 (ja) | 2014-06-27 | 2015-06-25 | Euvリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランク及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9540271B2 (ja) |
EP (1) | EP2960219B1 (ja) |
JP (1) | JP6109244B2 (ja) |
KR (1) | KR101715481B1 (ja) |
CN (1) | CN105278006B (ja) |
TW (1) | TWI583640B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021068912A (ja) * | 2021-01-06 | 2021-04-30 | Agc株式会社 | ガラス基板 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013219808A1 (de) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Spiegelblank für EUV Lithographie ohne Ausdehnung unter EUV-Bestrahlung |
WO2024120705A1 (en) * | 2022-12-07 | 2024-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Improved reticle and reticle blank |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008505827A (ja) * | 2004-05-17 | 2008-02-28 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 石英ガラスブランクおよびその製造方法 |
JP2010013335A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | チタニアドープ石英ガラス部材及びその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4204406C2 (de) * | 1992-02-14 | 1995-04-06 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung eines homogenen, schlierenfreien Körpers aus Quarzglas oder aus einem hochkieselsäurehaltigen Glas durch Umformen eines stabförmigen Ausgangskörpers |
JP3194667B2 (ja) | 1994-03-26 | 2001-07-30 | 信越石英株式会社 | 光学用合成石英ガラス成形体及びその製造方法 |
US8137469B2 (en) * | 2005-12-14 | 2012-03-20 | Corning Incorporated | Method and apparatus for making fused silica |
US20070137252A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Maxon John E | Reduced striae low expansion glass and elements, and a method for making same |
DE102009043680A1 (de) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Rohling aus Titan-dotiertem, hochkieselsäurehaltigem Glas für ein Spiegelsubstrat für den Einsatz in der EUV-Lithographie und Verfahren für seine Herstellung |
JP5510308B2 (ja) | 2009-12-25 | 2014-06-04 | 旭硝子株式会社 | Euvl光学部材用基材 |
DE102010009589B4 (de) * | 2010-02-26 | 2011-12-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Rohlings aus Titan-dotiertem, hochkieselsäurehaltigem Glas für ein Spiegelsubstrat für den Einsatz in der EUV-Lithographie |
DE102013101328B3 (de) | 2013-02-11 | 2014-02-13 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Rohling aus TiO2-SiO2-Glas für ein Spiegelsubstrat für den Einsatz in der EUV-Lithographie sowie Verfahren für dessen Herstellung |
-
2014
- 2014-06-27 EP EP14174699.0A patent/EP2960219B1/de active Active
-
2015
- 2015-06-18 TW TW104119887A patent/TWI583640B/zh active
- 2015-06-24 US US14/748,344 patent/US9540271B2/en active Active
- 2015-06-25 JP JP2015127572A patent/JP6109244B2/ja active Active
- 2015-06-26 KR KR1020150091230A patent/KR101715481B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-26 CN CN201510360232.2A patent/CN105278006B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008505827A (ja) * | 2004-05-17 | 2008-02-28 | ヘレウス クワルツグラス ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー | 石英ガラスブランクおよびその製造方法 |
JP2010013335A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | チタニアドープ石英ガラス部材及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021068912A (ja) * | 2021-01-06 | 2021-04-30 | Agc株式会社 | ガラス基板 |
JP7120338B2 (ja) | 2021-01-06 | 2022-08-17 | Agc株式会社 | ガラス基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101715481B1 (ko) | 2017-03-22 |
KR20160001696A (ko) | 2016-01-06 |
EP2960219B1 (de) | 2019-01-16 |
US20150376048A1 (en) | 2015-12-31 |
CN105278006A (zh) | 2016-01-27 |
JP6109244B2 (ja) | 2017-04-05 |
US9540271B2 (en) | 2017-01-10 |
CN105278006B (zh) | 2017-09-29 |
TWI583640B (zh) | 2017-05-21 |
TW201602022A (zh) | 2016-01-16 |
EP2960219A1 (de) | 2015-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5202959B2 (ja) | 高屈折率均一性溶融シリカガラスおよびその製造方法 | |
CN104995557B (zh) | 用于EUV-光刻中的镜面基材的由TiO2-SiO2玻璃构成的坯料及其制造方法 | |
US5790315A (en) | Synthetic silica glass formed article for optical use | |
JP6109244B2 (ja) | Euvリソグラフィーで使用するためのミラー支持体用のチタンをドープしたシリカガラス製のブランク及びその製造方法 | |
JP5661778B2 (ja) | Euvリソグラフィに使用されるミラー基板用の高シリカ含有量を有するチタンドープガラスのブランク及びその製造方法 | |
JP2008505827A5 (ja) | ||
CN215250411U (zh) | 玻璃容器 | |
JP2016011250A5 (ja) | ||
US7854147B2 (en) | Method for producing a semifinished product for an optical component of high homogeneity | |
CN105911619B (zh) | 一种梯度折射率石英玻璃透镜 | |
JP7421301B2 (ja) | ガラスを均質化する方法 | |
JP4646314B2 (ja) | 均質なシリカ・チタニアガラスの製造方法 | |
JP3201708B2 (ja) | 高均質な光学用石英ガラス成形体の製造方法 | |
JP6655008B2 (ja) | Euv照射下で膨張しないeuvリソグラフィ用ミラーブランク | |
JP2022541776A (ja) | 中空コアファイバの製造方法および中空コアファイバ用プリフォームの製造方法 | |
JP4568219B2 (ja) | 均質なシリカ・チタニアガラスの製造方法 | |
JP2024014777A (ja) | 固体基板前駆体の特性プロファイルを最適化する方法 | |
JP2012532829A5 (ja) | 合成石英ガラスからなるメニスカスレンズおよびその製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160418 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160705 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20160901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6109244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |