JP2016009186A - 有機発光ディスプレイ装置及びその薄膜トランジスタ - Google Patents
有機発光ディスプレイ装置及びその薄膜トランジスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016009186A JP2016009186A JP2015098904A JP2015098904A JP2016009186A JP 2016009186 A JP2016009186 A JP 2016009186A JP 2015098904 A JP2015098904 A JP 2015098904A JP 2015098904 A JP2015098904 A JP 2015098904A JP 2016009186 A JP2016009186 A JP 2016009186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal material
- organic light
- display device
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 25
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 64
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 227
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
Abstract
【解決手段】基板200上に形成されたゲート電極配線及びデータ配線と、ゲート電極配線とデータ配線により形成された画素部分と、画素部分に設けられる画素とを有し、ゲート電極配線とデータ配線の中の少なくとも一方は、第1のクラッド層202及び第2のクラッド層204を有する金属クラッド層により形成され、第2のクラッド層は、第1のクラッド層の基板から遠い側に形成され、第1のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第1の金属材料と第2の金属材料を有する勾配層により形成され、第2のクラッド層は少なくとも2つの二重層を含み、二重層は、一層の第1の金属材料層と一層の第2の金属材料層が交互に積み重なって形成される有機発光ディスプレイ装置。
【選択図】図2
Description
好ましくは、前記濃度勾配は非線形に変化する。
好ましくは、前記第2の金属材料は、前記基板に密着するバリア層として用いられる。
好ましくは、前記基板はガラス基板である。
好ましくは、前記濃度勾配は非線形に変化する。
好ましくは、前記第2の金属材料は、前記基板に密着するバリア層の材料として用いられる。
好ましくは、前記基板はガラス基板である。
本実施例において、第1の金属材料として銅(Cu)を選択し、第2の金属としてチタン(Ti)を選択した。そして、以下のようなエッチング速度比とエッチング選択比などのパラメータに基づいてエッチングを行った。
本実施例において、第1の金属材料として銅(Cu)を選択し、第2の金属としてモリブデン(Mo)を選択した。そして、以下のようなエッチング速度比とエッチング選択比などのパラメータに基づいてエッチングを行った。
以上、本発明の例示的な実施形態を具体的に示して説明した。しかし、本発明は、開示された実施形態のみに限定されるものではなく、添付される特許請求の範囲の趣旨と範囲を逸脱しない限り、種々の変更及び均等な改善を行うことが可能である、と理解すべきである。
120・・・データ線
130・・・電源線
140・・・単位画素
155・・・開口
150・・・画素電極
157・・・スルーホール
160・・・薄膜トランジスタ
161・・・半導体層
163・・・ゲート電極
165・・・ソース電極
167・・・ドレイン電極
164、166、168・・・コンタクトホール
180・・・薄膜トランジスタ
181・・・半導体層
183・・・ゲート電極
185・・・ソース電極
187・・・ドレイン電極
184、186・・・コンタクトホール
170・・・コンデンサー
171・・・下電極
173・・・上電極
200・・・基板
210・・・バッファー層
230・・・ゲート絶縁層
250・・・層間絶縁層
270・・・パッシベ−ション層
247・・・ゲート線
267・・・データ線
283・・・有機薄膜層
290・・・画素限定層
201・・・薄膜トランジスタ
221・・・ソース領域
223・・・ドレイン領域
241・・・ゲート電極
261・・・ソース電極
263・・・ドレイン電極
251、253・・・コンタクトホール
203・・・コンデンサー
245・・・下電極
265・・・上電極
205・・・有機発光ダイオード
281・・・下電極
285・・・上電極
275・・・スルーホール
295・・・開口
202・・・第1のクラッド層
204・・・第2のクラッド層
310・・・基板
301・・・第1のクラッド層
302・・・第2のクラッド層
303・・・第1の金属材料
304・・・第2の金属材料
305・・・二重層
Claims (10)
- 基板上に形成されたゲート電極配線及びデータ配線と、
前記ゲート電極配線と前記データ配線により形成された画素部分と、
前記画素部分に設けられる画素と
を有し、
前記ゲート電極配線と前記データ配線の中の少なくとも一方は、第1のクラッド層及び第2のクラッド層を有する金属クラッド層により形成され、前記第2のクラッド層は、前記第1のクラッド層の前記基板から遠い側に形成され、
前記第1のクラッド層は、層厚方向に沿って濃度勾配が変化する第1の金属材料と第2の金属材料を有する勾配層により形成され、
前記第2のクラッド層は少なくとも2つの二重層を含み、前記二重層は、一層の前記第1の金属材料層と一層の前記第2の金属材料層が交互に積み重なって形成され、前記二重層それぞれの前記第1の金属材料層の厚さは同一であり、前記二重層それぞれの前記第2の金属材料層の厚さも同一であり、
前記画素は、トランジスタ、コンデンサー、有機発光素子を含み、前記データ配線は、前記トランジスタのソース電極と前記トランジスタのドレイン電極の中の少なくとも一方を含み、前記ゲート電極配線は、前記トランジスタのゲート電極を含む
ことを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第1の金属材料の含有量は、前記基板から離れるほど増加し、
前記第2の金属材料の含有量は、前記基板に向かうほど増加する
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記濃度勾配は線形に変化する
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記濃度勾配は非線形に変化する
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第1の金属材料は、少なくとも1つの電極の導線材料として用いられる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第1の金属材料は銅である
ことを特徴とする請求項5に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第2の金属材料は、前記基板に密着するバリア層の材料として用いられる
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第2の金属材料は、モリブデン、チタン、アルミニウム、ニッケルまたは酸化インジウムスズの中の一つまたは複数である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記第1のクラッド層の厚さは、前記金属クラッド層全体の厚さの三分の一から二分の一までの範囲を占める
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。 - 前記二重層それぞれの厚さは50Åから200Åまでの範囲内である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機発光ディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410284140.6 | 2014-06-23 | ||
CN201410284140.6A CN104051542B (zh) | 2014-06-23 | 2014-06-23 | 有机发光显示装置及其薄膜晶体管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016009186A true JP2016009186A (ja) | 2016-01-18 |
JP6505499B2 JP6505499B2 (ja) | 2019-04-24 |
Family
ID=51504157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015098904A Active JP6505499B2 (ja) | 2014-06-23 | 2015-05-14 | 有機発光ディスプレイ装置及びその薄膜トランジスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6505499B2 (ja) |
KR (1) | KR101602793B1 (ja) |
CN (1) | CN104051542B (ja) |
TW (1) | TWI562339B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111490022A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 株式会社村田制作所 | 半导体元件 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102421577B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2022-07-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0736052A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | Al合金層を配線層として備える基板とその製造方法 |
JPH0826889A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-01-30 | Fujitsu Ltd | 金属膜の形成方法および配線用金属膜 |
JP2008191542A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | 熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法 |
JP2009198634A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
WO2009128372A1 (ja) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | 株式会社アルバック | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
CN102931211A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
JP2013214701A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Samsung Display Co Ltd | 半導体装置、薄膜トランジスタアレイパネル及びこれを含む表示装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001142092A (ja) | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP2003258094A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 配線構造、その製造方法、および表示装置 |
KR100527195B1 (ko) * | 2003-07-25 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
US7615495B2 (en) * | 2005-11-17 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
US7633164B2 (en) * | 2007-04-10 | 2009-12-15 | Tohoku University | Liquid crystal display device and manufacturing method therefor |
KR101627518B1 (ko) * | 2009-12-17 | 2016-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
WO2011148409A1 (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-01 | パナソニック株式会社 | 薄膜半導体装置、表示装置及び薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2012027159A (ja) * | 2010-07-21 | 2012-02-09 | Kobe Steel Ltd | 表示装置 |
CN103189991B (zh) * | 2010-10-01 | 2016-02-17 | 应用材料公司 | 用在薄膜晶体管应用中的砷化镓基材料 |
KR101298612B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2013-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
KR20130007053A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
-
2014
- 2014-06-23 CN CN201410284140.6A patent/CN104051542B/zh active Active
- 2014-08-01 TW TW103126339A patent/TWI562339B/zh active
- 2014-12-29 KR KR1020140191712A patent/KR101602793B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-05-14 JP JP2015098904A patent/JP6505499B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0736052A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-02-07 | Hitachi Ltd | Al合金層を配線層として備える基板とその製造方法 |
JPH0826889A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-01-30 | Fujitsu Ltd | 金属膜の形成方法および配線用金属膜 |
JP2008191542A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Mitsubishi Materials Corp | 熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法 |
JP2009198634A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
WO2009128372A1 (ja) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | 株式会社アルバック | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
CN102931211A (zh) * | 2011-08-10 | 2013-02-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
JP2013214701A (ja) * | 2012-04-02 | 2013-10-17 | Samsung Display Co Ltd | 半導体装置、薄膜トランジスタアレイパネル及びこれを含む表示装置、並びに薄膜トランジスタの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111490022A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 株式会社村田制作所 | 半导体元件 |
CN111490022B (zh) * | 2019-01-28 | 2023-09-22 | 株式会社村田制作所 | 半导体元件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6505499B2 (ja) | 2019-04-24 |
TWI562339B (en) | 2016-12-11 |
KR101602793B1 (ko) | 2016-03-11 |
TW201601294A (zh) | 2016-01-01 |
KR20150146370A (ko) | 2015-12-31 |
CN104051542A (zh) | 2014-09-17 |
CN104051542B (zh) | 2016-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8653515B2 (en) | Thin film transistor and thin film transistor array panel | |
US20190081129A1 (en) | Display device | |
US9391212B2 (en) | Thin film transistor array panel and organic light emitting diode display including the same | |
WO2016176886A1 (zh) | 柔性oled及其制作方法 | |
US9520454B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
US10276723B2 (en) | Flexible display | |
CN104733471A (zh) | 一种有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法 | |
US9171891B2 (en) | AMOLED display panel and AMOLED display device | |
WO2019100478A1 (zh) | 触控显示面板及其制造方法 | |
WO2019097823A1 (ja) | 表示装置 | |
US20200227498A1 (en) | Array substrate, display panel, and display device | |
US10020324B2 (en) | Display device | |
US20150021591A1 (en) | Thin film transistor and thin film transistor array panel including the same | |
KR20120061511A (ko) | 반사 전극을 구비한 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
CN109638050B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
JP6505499B2 (ja) | 有機発光ディスプレイ装置及びその薄膜トランジスタ | |
CN110571245B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
EP3220422A1 (en) | Tft array substrate structure based on oled | |
KR102305675B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20140044598A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
US9257360B2 (en) | Backplane for display device, and display device including the same | |
KR100743940B1 (ko) | 유기 발광 소자 패널 | |
KR100749420B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
KR20210004356A (ko) | 산화물 반도체 패턴을 포함하는 디스플레이 장치 | |
TWI356652B (en) | Organic light emitting diode pixel structure, manu |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6505499 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |