JP2016000800A - 近赤外線遮蔽膜、近赤外線遮蔽膜の製造方法および近赤外線遮蔽組成物 - Google Patents
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
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-
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-
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-
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Abstract
Description
上述した各組別に得られた完成品について行なわれた光学性質テストの結果を表2に示す。
2 タングステン含有酸化物ナノ粒子
d 厚さ
Claims (30)
- 重量百分率で80〜99.99重量%のテレフタル酸ポリエチレン(1)と0.01〜20重量%のタングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を含む近赤外線遮蔽組成物。
- 上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)は酸化タングステンナノ粒子とタングステンブロンズ複合物ナノ粒子によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項1に記載の近赤外線遮蔽組成物。
- 上記酸化タングステンナノ粒子の化学式はWOxで、Wはタングステンで、Oは酸素で、2.2≦x≦3であることを特徴とする請求項2に記載の近赤外線遮蔽組成物。
- タングステンブロンズナノ粒子の化学式はAyWOzで、Aは少なくとも一個の主族元素からなり、Wはタングステンで、Oは酸素で、0.01≦y≦1、2.2≦z≦3であることを特徴とする請求項2に記載の近赤外線遮蔽組成物。
- 上記酸化タングステンナノ粒子の化学式はWO2.72であることを特徴とする請求項2に記載の近赤外線遮蔽組成物。
- 上記Aはリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、炭素(C)、シリコーン(Si)、錫(Sn)、アンチモン(Sb)、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)およびヨウ素(I)によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項4に記載の近赤外線遮蔽組成物。
- 上記タングステンブロンズ複合物ナノ粒子の化学式はCs0.33WO3であることを特徴とする請求項2に記載の近赤外線遮蔽組成物。
- 上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)の粒径の大きさは1〜800nmであることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の近赤外線遮蔽組成物。
- 一個のテレフタル酸ポリエチレン(1)膜および複数個のタングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を含む近赤外線遮蔽膜であって、上記テレフタル酸ポリエチレン膜はテレフタル酸ポリエチレン(1)を含み、上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)は上記テレフタル酸ポリエチレン膜に散布し固定され、上記近赤外線遮蔽膜は重量百分率で80〜99.99%のテレフタル酸ポリエチレン(1)と0.01〜20%のタングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を含む近赤外線遮蔽膜。
- 重量が0.01〜10グラムのタングステン含有酸化物が1平方メートル毎のテレフタル酸ポリエチレン膜の中に散布されて固定されることを特徴とする請求項9に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記近赤外線遮蔽膜の厚さ(d)は1〜1000μmであることを特徴とする請求項9に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)は酸化タングステンナノ粒子とタングステンブロンズ複合物ナノ粒子によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項9に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記酸化タングステンナノ粒子の化学式はWOxで、Wはタングステンで、Oは酸素で、2.2≦x≦3であることを特徴とする請求項12に記載の近赤外線遮蔽膜。
- タングステンブロンズナノ粒子の化学式はAyWOzで、Aは少なくとも一個の主族元素からなり、Wはタングステンで、Oは酸素で、0.01≦y≦1、2.2≦z≦3であることを特徴とする請求項12に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記酸化タングステンナノ粒子の化学式はWO2.72であることを特徴とする請求項12に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記Aはリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、炭素(C)、シリコーン(Si)、錫(Sn)、アンチモン(Sb)、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)およびヨウ素(I)によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項14に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記タングステンブロンズ複合物ナノ粒子の化学式為Cs0.33WO3であることを特徴とする請求項12に記載の近赤外線遮蔽膜。
- 上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)の粒径の大きさは1〜800nmであることを特徴とする請求項9〜17の何れかに記載の近赤外線遮蔽膜。
- テレフタル酸ポリエチレン(1)の原料を提供する段階と、タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を提供する段階と、180〜360℃で上記テレフタル酸ポリエチレン(1)の原料と上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を混合することにより、ポリエステル混合物を獲得し、上記ポリエステル混合物は重量百分率が80〜99.99%のテレフタル酸ポリエチレン(1)の原料と0.01〜20%のタングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を含む段階と、上記ポリエステル混合物を圧延または加熱圧延することにより、ポリエステル薄板を形成する段階と、60〜300℃で1〜100m/minの延伸スピードで上記ポリエステル薄板に対して双軸の延伸または単軸の延伸を行なう段階とを含む近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記テレフタル酸ポリエチレン(1)の原料と上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を混合する前に、さらに添加剤をテレフタル酸ポリエチレン(1)の原料に添加し、当該添加剤は抗紫外線剤、光安定剤、耐候性改良剤、耐加水分解性改良剤、耐熱性改良剤、滑性改良剤および結晶性改良剤によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項19に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)は酸化タングステンナノ粒子とタングステンブロンズ複合物ナノ粒子によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項19に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記酸化タングステンナノ粒子の化学式はWOxで、Wはタングステンで、Oは酸素で、2.2≦x≦3であることを特徴とする請求項21に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- タングステンブロンズナノ粒子の化学式はAyWOzで、Aは少なくとも一個の主族元素からなり、Wはタングステンで、Oは酸素で、0.01≦y≦1、2.2≦z≦3であることを特徴とする請求項21に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記酸化タングステンナノ粒子の化学式はWO2.72であることを特徴とする請求項21に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記Aはリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、炭素(C)、シリコーン(Si)、錫(Sn)、アンチモン(Sb)、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)およびヨウ素(I)によって組成されるグループから選択することを特徴とする請求項23に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記タングステンブロンズ複合物ナノ粒子の化学式為Cs0.33WO3であることを特徴とする請求項21に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 上記タングステン含有酸化物ナノ粒子(2)の粒径の大きさは1〜800nmであることを特徴とする請求項19〜26の何れかに記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 単軸スクリュー混練押出機または双軸スクリュー混練押出機を使用して200〜320℃の温度で100〜900rpmのスクリュー回転速度で、テレフタル酸ポリエチレン(1)の原料とタングステン含有酸化物ナノ粒子(2)を均一に混合することを特徴とする請求項19に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 金型ホイールをもって30〜100℃の温度で上記ポリエステル混合物を圧延し、または180〜350℃で上記ポリエステル混合物を熱圧することを特徴とする請求項19に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
- 単軸の延伸または双軸の延伸を行なう温度は80〜240℃であることを特徴とする請求項19に記載の近赤外線遮蔽膜の製造方法。
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