JP2015513219A - ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法 - Google Patents
ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015513219A JP2015513219A JP2014560402A JP2014560402A JP2015513219A JP 2015513219 A JP2015513219 A JP 2015513219A JP 2014560402 A JP2014560402 A JP 2014560402A JP 2014560402 A JP2014560402 A JP 2014560402A JP 2015513219 A JP2015513219 A JP 2015513219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck
- alignment
- target
- sensor
- position mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
- H01J2237/30438—Registration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (35)
- チャック(13)上のターゲット(23)を処理するためのターゲット処理システムを動作させる方法であって、
前記チャック(13)上に少なくとも第1のチャック位置マーク(27)と第2のチャック位置マーク(28)とを与えることと、
前記第1及び第2のチャック位置マーク(27,28)を検出するために配置され、少なくとも第1のアライメントセンサ(61)と第2のアライメントセンサ(62)とを有するアライメント感知システム(17)を与えることと、
前記アライメント感知システム(17)の少なくとも1回の測定に基づいて前記チャック(13)を第1の位置に移動させることと、
前記チャックの前記第1の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定することとを具備する方法。 - 前記第2のチャック位置マーク(28)に対する前記第1のチャック位置マーク(27)の相対位置は、前記第2のアライメントセンサ(62)に対する前記第1のアライメントセンサ(61)の相対位置とほぼ同じである請求項1の方法。
- 前記アライメント感知システム(17)は、ほぼ水平方向(x,y方向)で前記チャック位置マークを測定するために配置される請求項1又は2の方法。
- 前記ターゲット(23)上にパターニングビーム(18)を投影するために配置される最終投影システム(11)を与えることをさらに具備し、
前記第1のアライメントセンサ(61)は、第1の方向(y軸)に前記最終投影システム(11)から間隔を空けて配置され、前記第2のアライメントセンサ(62)は、第2の方向(x軸)に前記最終投影システム(11)から間隔を空けて配置される請求項1ないし3のいずれか1の方法。 - 前記ターゲット上にビームグリッド(60)を形成するために、前記ターゲット上にパターニングビーム(18)を投影することをさらに具備し、
前記第1のアライメントセンサ(61)は、前記第1の方向(y軸)で前記ビームグリッド(60)から間隔を空けた位置マークを検出するために配置され、前記第2のアライメントセンサ(62)は、前記第2の方向(x軸)で前記ビームグリッド(60)から間隔を空けた位置マーク(77)を検出するために配置される請求項1ないし4のいずれか1の方法。 - 前記ターゲット上にビームグリッド(60)を形成するために、前記ターゲット上にパターニングビーム(18)を投影することをさらに具備し、
前記アライメント感知システム(17)は、前記ビームグリッド(60)から間隔を空けた位置マークを検出するために配置される1以上のアライメントセンサ(61,62)を有し、
この方法は、前記1以上のアライメントセンサと前記ビームグリッド(60)との空間的関係を決定することをさらに具備する請求項1ないし5のいずれか1の方法。 - 前記アライメント感知システム(17)は、前記ターゲットと前記チャックとの少なくとも一方の表面上の位置マークを検出するための少なくとも1つのアライメントセンサを有し、前記アライメントセンサは、
アライメント光ビームを与えるために配置される光源と、
前記表面による前記アライメント光ビームの反射によって発生された反射アライメント光ビームの光強度を決定するために配置される光強度検出器と、
前記表面上に前記アライメント光ビームを合焦させるために、及び、前記反射アライメント光ビームを前記光強度検出器にガイドするために配置される光学系とを有する請求項1ないし6のいずれか1の方法。 - 前記チャックの前記第1の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定することは、前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントするために前記チャック(13)を移動させることと、前記チャック(13)の現在位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定することとを含む請求項1ないし7のいずれか1の方法。
- 前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントすることは、前記第1のチャック位置マーク(27)を前記第1のアライメントセンサ(61)とアライメントすることと、前記第2のチャック位置マーク(28)を前記第2のアライメントセンサ(62)とアライメントすることとを含む請求項8の方法。
- 前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントすることは、第1のアライメントセンサと第1のチャック位置マークとを、及び第2のアライメントセンサと第2のチャック位置マークとをアライメントするための最小二乗法を実行することを含む請求項9の方法。
- 前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントするために前記チャック(13)を移動させることは、前記アライメントを達成するために、必要に応じて、2つの水平軸(x,y軸)に前記チャックを移動させることと、垂直軸(Rz方向)のまわりに前記チャックを回転させることとを含む請求項9又は10の方法。
- 少なくとも2つの干渉計(15)を有するチャック位置測定システムを与えることをさらに具備し、前記チャックの前記第1の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定することは、前記干渉計の出力を測定することを含む請求項1ないし11のいずれか1の方法。
- 前記第1の位置に位置された前記チャック(13)に対して前記干渉計(15)を初期化することをさらに具備する請求項12の方法。
- 複数のレベルセンサ(57,58,59)を有するレベル感知システム(19)を与えることと、
前記チャック(13)上に基準面(26)を与えて、前記レベルセンサに対して前記基準面(26)の向きと関連付けられた少なくとも1つの値を測定することとをさらに具備する請求項1ないし13のいずれか1の方法。 - 前記ビームグリッド(60)の向きに関連付けて少なくとも1つの値を測定する前に、前記レベルセンサ(57,58,59)の前記基準面(26)をレベルセンサ平面とアライメントするために前記チャック(13)を移動させることをさらに具備する請求項14の方法。
- 前記基準面(26)を前記レベルセンサ(57,58,59)のレベルセンサ平面とアライメントするために前記チャック(13)を移動させることは、
前記第1のレベルセンサ(57)から前記基準面(26)までの距離を測定して、前記第2のレベルセンサ(58)から前記基準面(26)までの距離を測定することと、
前記基準面(26)が前記レベルセンサ平面と一致するように、必要に応じて前記チャックを移動させることとを具備する請求項15の方法。 - 前記レベル感知システム(19)は、少なくとも、第1の方向(y軸)に前記最終投影システム(11)から間隔を空けて配置される第1のレベルセンサ(57)と、第2の方向(x軸)に前記最終投影システム(11)から間隔を空けて配置される第2のレベルセンサ(58)とを有する請求項14ないし16のいずれか1の方法。
- 前記アライメントセンサの少なくとも1つは、第1の点で前記表面(12)上の位置マークを検出するために配置され、
前記レベルセンサの少なくとも1つは、前記第1の点で、又は前記第1の点の近くで、前記表面(12)への距離を測定するために配置される請求項14ないし17のいずれか1の方法。 - 前記アライメント感知システム(17)に対して前記チャック(13)に直接又は間接的に載置されたターゲットに対する公称ターゲット中心位置を測定することをさらに具備する請求項1ないし18のいずれか1の方法。
- 前記チャックの前記第1の位置と関連付けられた測定値に少なくとも部分的に基づいて第2の位置に前記チャック(13)を移動させることと、
前記チャックの前記第2の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定することとをさらに具備する請求項1ないし19のいずれか1の方法。 - 中心位置にターゲット位置マーク(81)を有する基準ターゲット(80)を与えることと、
前記中心位置を前記アライメントセンサ(61,62)の少なくとも1つとアライメントするために前記チャック(13)を移動させることと、
前記チャック(13)の現在位置を測定することとを具備する請求項1ないし20のいずれか1の方法。 - 前記アライメントセンサ(61,62)の各々に対して前記基準ターゲットの前記中心位置の相対位置を決定することをさらに具備する請求項21の方法。
- チャック(13)上のターゲット(23)を処理するためのターゲット処理システムであって、
少なくとも第1のチャック位置マーク(27)と第2のチャック位置マーク(28)とを含む移動可能なチャック(13)と、
前記第1及び第2のチャック位置マーク(27,28)を検出するために配置され、少なくとも第1のアライメントセンサ(61)と第2のアライメントセンサ(62)とを有するアライメント感知システム(17)と、
前記アライメント感知システム(17)の少なくとも1回の測定に基づいて前記チャック(13)を第1の位置に移動させるために配置されたアクチュエータシステムと、
前記チャック(13)の前記第1の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定するために配置された測定システム(10)とを具備するシステム。 - 前記第2のチャック位置マーク(28)に対する前記第1のチャック位置マーク(27)の相対位置は、前記第2のアライメントセンサ(62)に対する前記第1のアライメントセンサ(61)の相対位置とほぼ同じである請求項23のシステム。
- 前記アライメント感知システム(17)は、ほぼ水平方向(x,y方向)で前記チャック位置マークを測定するために配置されている請求項23又は24のシステム。
- 前記ターゲット(23)上にパターニングビーム(18)を投影するために配置された最終投影システム(11)をさらに具備し、
前記第1のアライメントセンサ(61)は、第1の方向(y軸)に前記最終投影システム(11)から間隔を空けて配置され、前記第2のアライメントセンサ(62)は、第2の方向(x軸)に前記最終投影システム(11)から間隔を空けて配置されている請求項23ないし25のいずれか1のシステム。 - 前記ターゲット上にビームグリッド(60)を形成するために、前記ターゲット上にパターニングビーム(18)を投影するための最終投影システム(11)をさらに具備し、
前記第1のアライメントセンサ(61)は、前記第1の方向(y軸)で前記ビームグリッド(60)から間隔を空けた位置マークを検出するために配置され、前記第2のアライメントセンサ(62)は、前記第2の方向(x軸)で前記ビームグリッド(60)から間隔を空けた位置マーク(77)を検出するために配置されている請求項23ないし26のいずれか1のシステム。 - 前記ターゲット上にビームグリッド(60)を形成するために、前記ターゲット上にパターニングビーム(18)を投影するための最終投影システム(11)をさらに具備し、
前記アライメント感知システム(17)は、前記ビームグリッド(60)から間隔を空けた位置マークを検出するために配置された1以上のアライメントセンサ(61,62)を有し、
このシステムは、前記1以上のアライメントセンサと前記ビームグリッド(60)との空間的関係を決定するための測定システム(10)をさらに具備する請求項23ないし27のいずれか1のシステム。 - 前記測定システム(10)は、ほぼ水平方向(x,y方向)で前記ビームグリッド(60)に対する前記アライメントセンサの位置を記述する各アライメントセンサに対するベクトルを決定することによって、前記1以上のアライメントセンサと前記ビームグリッド(60)との間の空間的関係を決定するために配置されている請求項28のシステム。
- 前記アライメント感知システム(17)は、前記ターゲットと前記チャックとの少なくとも一方の表面上の位置マークを検出するための少なくとも1つのアライメントセンサを有し、前記アライメントセンサは、
アライメント光ビームを与えるために配置された光源と、
前記表面による前記アライメント光ビームの反射によって発生された反射アライメント光ビームの光強度を決定するために配置された光強度検出器と、
前記表面上に前記アライメント光ビームを合焦させるために、及び、前記反射アライメント光ビームを前記光強度検出器にガイドするために配置された光学系とを有する請求項23ないし29のいずれか1のシステム。 - 前記チャックの前記第1の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定するために、前記アクチュエータシステムは、前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントするために前記チャック(13)を移動させるために配置され、前記測定システム(10)は、前記チャック(13)の現在位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定するために配置されている請求項23ないし30のいずれか1のシステム。
- 前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントするために前記チャック(13)を移動させるために、前記アクチュエータシステムは、アライメントを達成するために、必要に応じて、2つの水平軸(x,y軸)に前記チャックを移動させるために、及び垂直軸(Rz方向)のまわりに前記チャックを回転させるために配置されている請求項31のシステム。
- 前記チャック位置マーク(27,28)を前記アライメントセンサ(61,62)とアライメントするために、前記測定システム(10)は、第1のアライメントセンサと第1のチャック位置を、及び第2のアライメントセンサと第2のチャック位置マークをアライメントするための最小二乗法を実行するために配置されている請求項32のシステム。
- 少なくとも2つの干渉計(15)を有するチャック位置測定システムをさらに具備し、前記チャックの前記第1の位置と関連付けられた少なくとも1つの値を測定することは、前記干渉計の出力を測定することを含む請求項23ないし33のいずれか1のシステム。
- 複数のレベルセンサ(57,58,59)を有するレベル感知システム(19)と、
前記チャック(13)上の基準面(26)とを具備し、
前記レベルセンサに対して前記基準面(26)の向きと関連付けられた少なくとも1つの値を測定する請求項23ないし34のいずれか1のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261608524P | 2012-03-08 | 2012-03-08 | |
US61/608,524 | 2012-03-08 | ||
PCT/EP2013/054782 WO2013132081A2 (en) | 2012-03-08 | 2013-03-08 | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015513219A true JP2015513219A (ja) | 2015-04-30 |
JP2015513219A5 JP2015513219A5 (ja) | 2016-04-28 |
JP6219320B2 JP6219320B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=47846015
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014560402A Active JP6219320B2 (ja) | 2012-03-08 | 2013-03-08 | ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9760028B2 (ja) |
EP (1) | EP2823361B1 (ja) |
JP (1) | JP6219320B2 (ja) |
CN (1) | CN104272194B (ja) |
NL (1) | NL2010415C2 (ja) |
TW (1) | TWI573174B (ja) |
WO (1) | WO2013132081A2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180119699A (ko) * | 2016-03-24 | 2018-11-02 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 전자 빔 기반 특성화 툴의 드리프트 보상을 위한 시스템 및 방법 |
JP2019530894A (ja) * | 2016-10-04 | 2019-10-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントシステムの断熱化 |
JP2020531900A (ja) * | 2017-08-25 | 2020-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 露光システムアライメントおよび較正方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9395635B2 (en) | 2011-04-22 | 2016-07-19 | Mapper Lithography Ip B.V. | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark |
WO2012144905A2 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
WO2012158025A2 (en) * | 2011-05-13 | 2012-11-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing at least a part of a target |
US9484188B2 (en) * | 2015-03-11 | 2016-11-01 | Mapper Lithography Ip B.V. | Individual beam pattern placement verification in multiple beam lithography |
KR101993670B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2019-06-27 | 주식회사 이오테크닉스 | 촬영 방법 및 촬영 방법을 이용한 대상물 정렬 방법 |
CN109390268B (zh) * | 2017-08-10 | 2023-02-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有微粒凹口的夹盘的晶圆台、处理工具与使用晶圆台的方法 |
US11740564B2 (en) * | 2020-06-18 | 2023-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus and method using the same |
CN112606209B (zh) * | 2020-09-07 | 2022-04-22 | 厦门天润锦龙建材有限公司 | 对准防泄漏系统 |
JP7502836B2 (ja) | 2021-01-29 | 2024-06-19 | ピンク ゲーエムベーハー テルモジステーメ | 電子アセンブリを接続するシステムおよび方法 |
JP2024519281A (ja) * | 2021-05-04 | 2024-05-10 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 計測装置およびリソグラフィ装置 |
CN115597510A (zh) * | 2021-07-07 | 2023-01-13 | 长鑫存储技术有限公司(Cn) | 量测装置、量测补偿系统、量测方法及量测补偿方法 |
EP4310885A1 (en) * | 2022-07-21 | 2024-01-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron-optical apparatus and method of obtaining topographical information about a sample surface |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697031A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nikon Corp | 投影露光装置の位置決め方法 |
JPH09306802A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10163097A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11195584A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2000114137A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及びアライメント方法 |
JP2004311659A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Nikon Corp | 荷電粒子線装置の調整方法及び荷電粒子線装置 |
JP2006313885A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2007000995A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014120653A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Canon Inc | 位置決め装置、リソグラフィー装置、それを用いた物品の製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6198527B1 (en) * | 1992-09-14 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure method |
US5920378A (en) * | 1995-03-14 | 1999-07-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5929454A (en) | 1996-06-12 | 1999-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them |
JP3927620B2 (ja) | 1996-06-12 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法 |
CN1244018C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
AU3534299A (en) * | 1998-04-22 | 1999-11-08 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure system |
JP4579376B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2010-11-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP3862639B2 (ja) | 2002-08-30 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4421836B2 (ja) | 2003-03-28 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4738723B2 (ja) | 2003-08-06 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | マルチ荷電粒子線描画装置、荷電粒子線の電流の測定方法及びデバイス製造方法 |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
EP1791169A4 (en) * | 2004-08-31 | 2011-03-02 | Nikon Corp | ALIGNMENT PROCESS, DEVELOPMENT SYSTEM, SUBSTRATED REPEATABILITY MEASURING METHOD, POSITION MEASURING METHOD, EXPOSURE METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, MEASURING METHOD AND MEASURING DEVICE |
JP4657740B2 (ja) | 2005-01-26 | 2011-03-23 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線光学系用収差測定装置、該収差測定装置を具備する荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
WO2007097466A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4741408B2 (ja) | 2006-04-27 | 2011-08-03 | 株式会社荏原製作所 | 試料パターン検査装置におけるxy座標補正装置及び方法 |
KR101824374B1 (ko) | 2006-08-31 | 2018-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TW201610608A (zh) | 2006-09-01 | 2016-03-16 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及裝置、曝光方法及裝置、以及元件製造方法 |
US20080079920A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Heiko Hommen | Wafer exposure device and method |
WO2009028157A1 (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-05 | Nikon Corporation | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、並びにパターン形成方法及びパターン形成装置 |
JP2009099873A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
CN101158818A (zh) | 2007-11-16 | 2008-04-09 | 上海微电子装备有限公司 | 一种对准装置与对准方法、像质检测方法 |
KR20100091885A (ko) | 2007-12-11 | 2010-08-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치 및 패턴 형성 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US7897942B1 (en) | 2007-12-20 | 2011-03-01 | Kla-Tencor Corporation | Dynamic tracking of wafer motion and distortion during lithography |
CN101487985B (zh) * | 2009-02-18 | 2011-06-29 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的对准标记搜索系统及其对准标记搜索方法 |
NL2005389A (en) | 2009-10-21 | 2011-04-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of applying a pattern to a substrate. |
US8513959B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-08-20 | Mapper Lithography Ip B.V. | Integrated sensor system |
WO2012144905A2 (en) | 2011-04-22 | 2012-10-26 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer |
-
2013
- 2013-03-08 JP JP2014560402A patent/JP6219320B2/ja active Active
- 2013-03-08 WO PCT/EP2013/054782 patent/WO2013132081A2/en active Application Filing
- 2013-03-08 NL NL2010415A patent/NL2010415C2/en active
- 2013-03-08 CN CN201380024169.4A patent/CN104272194B/zh active Active
- 2013-03-08 US US14/383,570 patent/US9760028B2/en not_active Ceased
- 2013-03-08 TW TW102108400A patent/TWI573174B/zh active
- 2013-03-08 US US16/568,164 patent/USRE49241E1/en active Active
- 2013-03-08 EP EP13708799.5A patent/EP2823361B1/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0697031A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Nikon Corp | 投影露光装置の位置決め方法 |
JPH09306802A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10163097A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Nikon Corp | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH11195584A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2000114137A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及びアライメント方法 |
JP2004311659A (ja) * | 2003-04-04 | 2004-11-04 | Nikon Corp | 荷電粒子線装置の調整方法及び荷電粒子線装置 |
JP2006313885A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-11-16 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2007000995A1 (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-04 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2014120653A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Canon Inc | 位置決め装置、リソグラフィー装置、それを用いた物品の製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180119699A (ko) * | 2016-03-24 | 2018-11-02 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 전자 빔 기반 특성화 툴의 드리프트 보상을 위한 시스템 및 방법 |
JP2019509609A (ja) * | 2016-03-24 | 2019-04-04 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 電子ビーム式特性解明ツールを対象としたドリフト補償システム及び方法 |
KR102184032B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2020-11-27 | 케이엘에이 코포레이션 | 전자 빔 기반 특성화 툴의 드리프트 보상을 위한 시스템 및 방법 |
JP2019530894A (ja) * | 2016-10-04 | 2019-10-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | アライメントシステムの断熱化 |
US10866531B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Athermalization of an alignment system |
JP2020531900A (ja) * | 2017-08-25 | 2020-11-05 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 露光システムアライメントおよび較正方法 |
JP2022078075A (ja) * | 2017-08-25 | 2022-05-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 露光システムアライメントおよび較正方法 |
JP7362594B2 (ja) | 2017-08-25 | 2023-10-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 露光システムアライメントおよび較正方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9760028B2 (en) | 2017-09-12 |
NL2010415C2 (en) | 2013-12-31 |
WO2013132081A3 (en) | 2013-12-19 |
NL2010415A (en) | 2013-09-10 |
EP2823361B1 (en) | 2022-03-02 |
CN104272194B (zh) | 2017-08-25 |
WO2013132081A2 (en) | 2013-09-12 |
TW201346984A (zh) | 2013-11-16 |
CN104272194A (zh) | 2015-01-07 |
WO2013132081A4 (en) | 2014-02-20 |
TWI573174B (zh) | 2017-03-01 |
EP2823361A2 (en) | 2015-01-14 |
US20150109598A1 (en) | 2015-04-23 |
USRE49241E1 (en) | 2022-10-11 |
JP6219320B2 (ja) | 2017-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6219320B2 (ja) | ウェーハなどのターゲットを処理するためのリソグラフィシステム及び方法 | |
US9395636B2 (en) | Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer | |
KR100262992B1 (ko) | 마스크 패턴을 반복적으로 영상화하는 방법 및 그 장치 | |
JP2020005005A (ja) | アライメントセンサーとビーム測定センサーを備えている荷電粒子リソグラフィシステム | |
US6084673A (en) | Lithographic apparatus for step-and-scan imaging of mask pattern with interferometer mirrors on the mask and wafer holders | |
TWI627513B (zh) | 用於感測或判定一工件之對準及高度之器件及方法、對準感測器及電子束微影之裝置 | |
JP2020505619A (ja) | 再帰反射表面を用いた加工物の位置、向き、及びスケールの検出 | |
EP0737330B1 (en) | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate, and apparatus for performing the method | |
JPS63131116A (ja) | 共焦点顕微鏡 | |
CN105807571B (zh) | 一种光刻机用调焦调平系统及其调焦调平方法 | |
JPH04162337A (ja) | 電子線装置 | |
JP2003004424A (ja) | 面形状測定方法および装置 | |
JP2013040803A (ja) | 校正原器、形状計測装置、横座標校正方法及び光学素子の製造方法 | |
JP2001091211A (ja) | 高さ測定装置 | |
JP2005181234A (ja) | 板材の評価方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150324 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160307 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160307 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170829 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6219320 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |