JP2015511027A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- チップアセンブリ構成であって、
基板を備え、前記基板は、第１の表面と、前記基板の、前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有し、第１のコネクタが前記第１の表面上に配置され、第２のコネクタが前記第２の表面上に配置され、前記第１のコネクタおよび前記第２のコネクタは、前記基板を通るインターコネクタによって電気的に結合され、
前記第１の表面に隣接するように配置され前記第１のコネクタに電気的に結合された集積回路と、
前記第２の表面に隣接するように配置され前記第２のコネクタに電気的に結合された変換機構とを備え、前記変換機構は、前記集積回路からの電気信号を対応する第１の光信号に変換し前記集積回路への第２の光信号を対応する第２の電気信号に変換するように構成され、
前記第１の光信号および前記第２の光信号は、前記チップアセンブリ構成の中で光インターコネクトを用いて伝達される、チップアセンブリ構成。 - 前記基板は、プリント回路基板およびインターポーザのうちの１つを含む、請求項１に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記基板は、半導体、有機材料、セラミック、ガラス、およびプラスチックのうちの１つを含む、請求項２に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記光インターコネクトに光学的に結合された光源および検出器をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記光インターコネクトに関連付けられた光源および検出器は、前記チップアセンブリ構成の外部にある、請求項１〜４のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記光インターコネクトは、光ファイバおよび光導波路のうちの１つを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記第１のコネクタと前記集積回路とは、半田およびボールグリッドアレイのうちの１つによって電気的に結合されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記第２のコネクタと前記変換機構とは、半田、ボールグリッドアレイ、ソケット、インターポーザ、およびランドグリッドアレイのうちの１つによって電気的に結合されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記第１のコネクタ、前記第２のコネクタ、および前記インターコネクタと関連付けられた電気経路の平均インピーダンスは、前記集積回路および前記変換機構内のドライバの平均インピーダンスとほぼ一致する、請求項１〜８のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記平均インピーダンスは約５０Ωである、請求項９に記載のチップアセンブリ構成。
- 前記第１のコネクタおよび前記第２のコネクタのうちの１つを含み得る所定のコネクタは、前記第１の表面および前記第２の表面からの信号線によって電気的に結合された１つの直線状のビアを含み、
前記ビアは、前記第１の表面から前記第２の表面まで前記基板を通って延びている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。 - 前記集積回路の、前記基板と反対側において、前記集積回路に熱的に結合されたヒートシンクをさらに備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
- 所定のインターコネクタは、前記第１の表面および前記第２の表面のうちの一方にほぼ平行な領域を含む信号線によって電気的に結合された２つのビアを含み、
前記ビアは、その一部が前記基板を通って延びている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。 - 前記領域の長さは１ｍｍ以下である、請求項１３に記載のチップアセンブリ構成。
- システムであって、
プロセッサと、
前記プロセッサによって実行されるように構成されたプログラムモジュールを格納するメモリと、
チップアセンブリ構成とを備え、前記チップアセンブリ構成は、
基板を備え、前記基板は、第１の表面と、前記基板の、前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有し、第１のコネクタが前記第１の表面上に配置され、第２のコネクタが前記第２の表面上に配置され、前記第１のコネクタおよび前記第２のコネクタは、前記基板を通るインターコネクタによって電気的に結合され、
前記第１の表面に隣接するように配置され前記第１のコネクタに電気的に結合された集積回路と、
前記第２の表面に隣接するように配置され前記第２のコネクタに電気的に結合された変換機構とを備え、前記変換機構は、前記集積回路からの電気信号を対応する第１の光信号に変換し前記集積回路への第２の光信号を対応する第２の電気信号に変換するように構成され、
前記第１の光信号および前記第２の光信号は、前記チップアセンブリ構成の中で光インターコネクトを用いて伝達される、システム。 - チップアセンブリ構成において情報を伝達する方法であって、前記方法は、
集積回路からの電気信号を、前記チップアセンブリ構成内の集積回路に隣接する基板を通る電気経路に駆動することを含み、前記電気経路は、前記基板の第１の表面上に配置された第１のコネクタと、前記基板の、前記第１の表面と反対側の第２の表面上に配置された第２のコネクタと、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとを電気的に結合する、前記基板を通るインターコネクタとを含み、
前記電気信号を、前記第２の表面に隣接するように配置され前記第２のコネクタに電気的に結合された変換機構で受けることと、
前記変換機構を用いて、前記電気信号を光信号に変換することと、
前記光信号を前記チップアセンブリ構成内の光インターコネクトで伝達することとを含む、方法。
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