JP2015509146A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. ４〜１１質量％のリン含有率を有するニッケルリン合金の堆積のためのアンモニアおよび鉛不含の無電解ニッケルめっき浴であって、
   ｉ． ニッケルイオン源、
   ｉｉ． 次亜リン酸イオン源、
   ｉｉｉ． 以下
   ａ） ヒドロキシカルボン酸、ジヒドロキシカルボン酸およびそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１つの第一の錯化剤、および
   ｂ） イミノコハク酸、イミノジコハク酸、それらの塩およびそれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも１つの第二の錯化剤
   を含む錯化剤混合物
   ｉｖ． 以下
   ａ） ビスマスイオン、および
   ｂ） メルカプト安息香酸、メルカプトカルボン酸、およびメルカプトスルホン酸およびそれらの塩からなる群から選択される少なくとも１つの化合物
   を含む安定剤混合物
   を含む前記めっき浴。
2. 前記少なくとも１つの第一の錯化剤が、ヒドロキシマロン酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、マンデル酸、酒石酸、リンゴ酸、パラ酒石酸、コハク酸、アスパラギン酸およびそれらの塩からなる群から選択される、請求項１に記載の無電解ニッケルめっき浴。
3. 前記少なくとも１つの第一の錯化剤の濃度が、１ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌの範囲である、請求項１または２に記載の無電解ニッケルめっき浴。
4. 前記少なくとも１つの第二の錯化剤の濃度が、０．２ｇ／ｌ〜１０ｇ／ｌの範囲である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
5. ビスマスイオンの濃度が、０．５ｍｇ／ｌ〜３０ｍｇ／ｌの範囲である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
6. メルカプト安息香酸誘導体が、２−メルカプト安息香酸、３−メルカプト安息香酸、４−メルカプト安息香酸、それらの塩およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
7. メルカプトカルボン酸が、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプト−２−メチルプロピオン酸、２−メルカプトプロパン酸、メルカプト酢酸、４−メルカプト酪酸および３−メルカプトイソ酪酸からなる群から選択される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
8. メルカプトスルホン酸が、２−メルカプト−１−エタンスルホン酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸、４−メルカプト−１−ブタンスルホン酸からなる群から選択される、請求項１から７までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
9. メルカプト安息香酸、メルカプトカルボン酸およびメルカプトスルホン酸またはそれらの塩の濃度が、０．１ｍｇ／ｌ〜１００ｍｇ／ｌの範囲である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
10. リンの含有率が、６〜９質量％の範囲である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の無電解ニッケルめっき浴。
11. 非導電性の基材を金属めっきする方法であって、以下の段階：
    ｉ． 導電性のシード層を非導電性基材の上にもたらす段階、
    ｉｉ． 前記非導電性基材を、請求項１から１０までのいずれか１項に記載のめっき浴組成物と接触させることにより、ニッケルリンコーティングを前記非導電性基材に施与する段階、
    ｉｉｉ． そのようにめっきされた基材を水で随意に濯ぐ段階、および
    ｉｖ． 前記非導電性基材を、銅イオンを含む浸漬銅めっき浴と接触させることによって、ニッケルリンコーティング上に銅コーティングを施与する段階
    を含む前記方法。
12. めっき温度が、２５〜３５℃の範囲である、請求項１１に記載の方法。
13. 非導電性基材が、ＡＢＳまたはＡＢＳ／ＰＣブレンド製のプラスチック基材である、請求項１１または１２に記載の方法。
14. さらに、
    ｖ． 段階ｉｖにおいて堆積された浸漬銅層の上に、少なくとも１つの電解的に堆積された金属層を施与することを含み、その際、少なくとも１つの電解的に堆積された層は、銅、ニッケル、クロムまたはその合金から選択される、請求項１１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
15. 次亜リン酸イオンの濃度が、１０ｇ／ｌ〜３５ｇ／ｌの範囲である、請求項１に記載の無電解ニッケルめっき浴。
16. ビスマスイオンの濃度が、０．５ｍｇ／ｌ〜１００ｍｇ／ｌの範囲である、請求項１に記載の無電解ニッケルめっき浴。
17. めっき浴が、６．５〜１１．５の範囲のｐＨ値を有する、請求項１に記載の無電解ニッケルめっき浴。
18. めっき浴が、２０〜５５℃の範囲の温度で保持される、請求項１１に記載の方法。