JP2015501531A5

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Publication number: JP2015501531A5
Application number: JP2014534566A
Authority: JP
Filing date: 2012-08-27
Publication date: 2015-10-15

Claims

基板内に開口を形成する方法であって、
基板を用意し、
前記基板にレーザビームを照射して側壁を有するレーザ加工特徴部を前記基板内に形成し、
ＨＮＯ₃及びＨＦを含む少なくとも１つのエッチャント溶液で前記側壁をエッチングして前記レーザ加工特徴部の少なくとも１つの特性を変える、
方法。
前記基板はシリコン基板である、請求項１の方法。
前記基板はインターポーザ基板である、請求項２の方法。
前記開口は貫通電極である、請求項１の方法。
前記少なくとも１つの特性は、前記側壁の表面粗さであり、
前記表面粗さは、ｎを前記側壁の表面の基準長さに沿って等間隔に配置された測定点の総数とし、ΔＺ _i を前記基準長さに沿ってｉ番目の位置での前記側壁の表面の中心線から前記側壁の表面の垂直方向の偏位とすると、

に等しく、
前記表面粗さは５μｍ未満である、請求項１の方法。
前記少なくとも１つの特性は、前記レーザ加工特徴部のテーパである、請求項１の方法。
前記少なくとも１つの特性は、前記レーザ加工特徴部の断面プロファイルであり、
前記断面プロファイルは、砂時計の断面プロファイルに似た形状である、請求項１の方法。
前記側壁をエッチングする際に、
第１のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングし、
前記第１のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングした後に、前記第１のエッチャント溶液よりも低い濃度のＨＮＯ₃を含む第２のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングする、
請求項１の方法。
前記第１のエッチャント溶液は、前記第２のエッチャント溶液よりも低い濃度のＨＦを含む、請求項８の方法。
前記第１のエッチャント溶液は、前記第２のエッチャント溶液よりも高速に前記側壁をエッチングするように選択される、請求項８に記載の方法。
さらに、前記少なくとも１つのエッチャント溶液で前記側壁をエッチングする前に、ドライエッチャントで前記側壁をエッチングする、請求項１の方法。
前記ドライエッチャントはＸｅＦ₂を含む、請求項１１の方法。
前記エッチャント溶液に亜硝酸ナトリウムを加えて前記エッチャント溶液を処理する、請求項１の方法。
前記エッチャント溶液に前記基板と同一の材料から形成されるシード材料を浸漬して前記エッチャント溶液を処理する、請求項１の方法。
前記浸漬の前に前記シード材料の表面を粗くする、請求項１４の方法。
前記シード材料は、内部に少なくとも１つのレーザ加工特徴部が形成されたシリコン片である、請求項１４の方法。
前記レーザ加工特徴部はブラインドビアであり、
前記エッチャント溶液によるエッチングにより貫通ビアが形成される、
請求項１に記載の方法。
前記エッチャント溶液で前記側壁をエッチングする前に、前記エッチャント溶液のエッチ初期期間を短くするために前記エッチャント溶液を処理する、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
基板内に開口を形成する方法であって、
基板を用意し、
前記基板にレーザビームを照射して側壁を有するレーザ加工特徴部を前記基板内に形成し、
前記側壁をエッチングして前記レーザ加工特徴部の少なくとも１つの特性を変え、この際に、
第１の反応物質を第１の濃度で含む第１のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングし、
前記第１のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングした後、前記第１の反応物質を前記第１の濃度未満の第２の濃度で含む第２のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングする、
方法。
前記第１の反応物質はＨＮＯ₃である、請求項１９の方法。
前記第１のエッチャント溶液及び前記第２のエッチャント溶液はさらにＨＦを含む、請求項２０の方法。
さらに、前記第２のエッチャント溶液で前記側壁をエッチングする前に、前記第２のエッチャント溶液のエッチ初期期間を短くするために前記第２のエッチャント溶液を処理する、請求項１９の方法。
前記第２のエッチャント溶液を処理する際に、前記第２のエッチャント溶液内に前記基板と同じ材料を含むシード材料を浸漬する、請求項２２の方法。
前記シード材料は、内部に少なくとも１つのレーザ加工特徴部を有するシリコン片を含む、請求項２３の方法。
前記浸漬の前に前記シード材料の表面を粗くする、請求項２３の方法。
基板内に開口を形成するための改良された方法であって、前記基板にレーザビームを照射して前記基板内に断面プロファイルを有するレーザ加工特徴部と該レーザ加工特徴部に隣接して熱影響部とを形成する方法であって、
前記レーザ加工特徴部の前記断面プロファイルを変更し、該変更の際に、
前記熱影響部をエッチャント溶液に浸漬し、
前記エッチャント溶液中に前記基板を浸漬しつつ、前記熱影響部の一部を酸化させ、前記酸化させた熱影響部の一部を除去することにより前記開口を形成する、
方法。
前記エッチャント溶液はＨＦを含む、請求項２６の方法。
前記エッチャント溶液はＨＮＯ₃を含む、請求項２７の方法。
前記レーザ加工特徴部は、テーパ状の断面プロファイルを有し、前記開口は垂直な断面プロファイルを有する、請求項２６の方法。
製品であって、
第１の面と、該第１の面と反対の第２の面と、前記第１の面から前記第２の面に向かって前記基板内に延びる開口とを有する基板を備え、
前記開口は側壁を有し、
前記側壁の一部の平均表面粗さは１０μｍ未満である、
製品。
前記平均表面粗さは１μｍ未満である、請求項３０の製品。
前記平均表面粗さは０．０３μｍ未満である、請求項３１の製品。
前記開口は、前記第１の面から前記第２の面に延びる貫通電極である、請求項３０の製品。
前記貫通電極は９０％を超えるテーパを有する、請求項３３の製品。
前記貫通電極は１００％のテーパを有する、請求項３４の製品。
前記基板はインターポーザ基板である、請求項３０の製品。
基板内に開口を形成するための装置であって、
前記基板にレーザビームを照射して前記基板内にレーザ加工特徴部と該レーザ加工特徴部に隣接して前記基板内に熱影響部とを形成するように構成されたレーザと、
ＨＮＯ₃及びＨＦを含むエッチャント溶液を前記基板に供給して前記熱影響部の少なくとも一部を除去するように構成されたウェットエッチ加工システムと、
を備えた装置。