JP2017183410A5 - - Google Patents
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Description
また、バッファードフッ酸は、粘性が高い溶液のためハードマスク１０１とレジストマスク１０２の間に浸入しにくく、バッファードフッ酸の濃度が３ｗｔ％程度でも、フッ酸に比べて浸食は起こり難い。そのため、レジストの剥離レートを遅くすることができ、ハードマスク１０１の除去レートの制御をすることが容易になる。
Claims (12)
- シリコンを含み、開口部を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、酸化シリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、前記開口部の上方に設けられた孔を有するハードマスクと、
前記ハードマスクの上に設けられ、前記開口部の上方に設けられたパターンを有するレジストマスクと、
を備えた処理物の処理方法であって、
前記処理物に処理液を供給して、前記孔の近傍において、前記ハードマスクの厚みを前記孔の中心側に向かうに従い漸減させる工程と、
前記処理物に、プラズマを用いて生成したラジカルを供給して、前記開口部の開口の周縁に丸みを形成する工程と、
を備えた処理物の処理方法。 - 前記処理液は、フッ化水素の濃度が０．５ｗｔ％以下のフッ酸である請求項１記載の処理物の処理方法。
- 前記処理液は、バッファードフッ酸である請求項１記載の処理物の処理方法。
- 前記バッファードフッ酸におけるフッ化水素の濃度が１ｗｔ％以下である請求項３記載の処理物の処理方法。
- 前記開口部の開口の周縁に丸みを形成する工程において、前記基板に対する前記ハードマスクの選択比が、０．５以上、２以下とされる請求項１〜４のいずれか１つに記載の処理物の処理方法。
- 前記ラジカルは、フッ素ラジカルである請求項１〜５のいずれか１つに記載の処理物の処理方法。
- シリコンを含み、開口部を有する基板と、
前記基板の上に設けられ、酸化シリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれかを含み、前記開口部の上方に設けられた孔を有するハードマスクと、
前記ハードマスクの上に設けられ、前記開口部の上方に設けられたパターンを有するレジストマスクと、
を備えた処理物の処理装置であって、
前記処理物に処理液を供給して、前記孔の近傍において、前記ハードマスクの厚みを前記孔の中心側に向かうに従い漸減させるウェット処理部と、
前記処理物に、プラズマを用いて生成したラジカルを供給して、前記開口部の開口の周縁に丸みを形成するドライ処理部と、
を備えた処理物の処理装置。 - 前記処理液は、フッ化水素の濃度が０．５ｗｔ％以下のフッ酸である請求項７記載の処理物の処理装置。
- 前記処理液は、バッファードフッ酸である請求項７記載の処理物の処理装置。
- 前記バッファードフッ酸におけるフッ化水素の濃度が１ｗｔ％以下である請求項９記載の処理物の処理装置。
- 前記ドライ処理部は、前記開口部の開口の周縁に丸みを形成する際に、前記基板に対する前記ハードマスクの選択比が、０．５以上、２以下となるようにする請求項７〜１０のいずれか１つに記載の処理物の処理装置。
- 前記ラジカルは、フッ素ラジカルである請求項７〜１１のいずれか１つに記載の処理物の処理装置。
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2016
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