JP2015226020A - 回路基板の製造装置及び回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反り形状に個体差を有する回路基板に対して最小限の工数によってその平坦性を改善することができる回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを載置する載置面２ａを有する載置台２と、載置面２ａ上に取り付けられ、基板Ｗを前記載置面２ａ上に載置させる開口部３ａを有するスペーサ３と、スペーサ３の上に載置され、基板Ｗを載置台２の載置面２ａに向けて加圧する加圧盤４と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板の製造装置及び回路基板の製造方法に関する。

半導体素子、もしくはその関連部品を搭載する回路基板では、反りに起因した部品の接続不良が問題となっている。特に、ハイエンドサーバの大型ＬＳＩを直接搭載する回路基板として使用される有機パッケージ基板では、基板平坦性に対する要求が厳しくなっている。このため、回路基板の出荷前に製造最後の工程として回路基板の反り量を一枚ずつ測定し、反り不良品があれば反り矯正処理と呼ばれる平坦性を改善する処理が行われている。

例えばガラスエポキシ製の絶縁材からなる回路基板の平坦性を改善する手法としては、回路基板を剛直かつ平坦な金属板で挟み、絶縁材料及びビルドアップ材料のガラス転移点温度以上で加熱プレスする手法が広く知られている。

この方法によれば、平坦化に対してある程度の効果が認められるものの、電子部品の微細化、高密度化によって、回路基板に要求されるより高い平坦性を満たすことが困難となっている。

また、回路基板の１つであるプリント配線板の反り矯正を行うために、次のような方法が知られている。

その方法は２つの工程に大きく分けられる。最初の工程として、反っている回路基板の表面を２枚組の加圧盤によりシート状圧力センサーを介して押圧することによって、回路基板の接触圧力分布を測定する。次の工程で、測定した形状と逆向きの形状となるように、シリンダロッドの高さ分布を生じさせ、室温にて回路基板を押圧することによってその反りが矯正される。

このように、まず、シート状圧力センサーに対する回路基板の接触圧力分布の測定によりプリント配線板の反りの程度や反りの様子を検知し、この後に、回路基板の反りの程度や反りの状態に適応したシリンダロッド高さを設定する。そして、回路基板を逆側の方向に変形させることにより、反り矯正を行うことができる、とされている。

特開平６−６９６３３号公報

ところで、回路基板の反りには、配線設計要因もしくはバランスによる反りと、製造プロセスのばらつきに起因した反りの少なくとも二種類が存在している。このことは、同じ設計の回路基板製品であっても反りの分布が異なる、という実際の現象から明らかもである。

上記のようにシート状圧力センサーにより配線基板の接触圧力分布の測定に基づいて配線基板の反りを矯正する方法では、平坦性が異なる配線基板に対しては、それぞれについて反り形状を測定し、その結果をもとに基板毎に個別のシリンダ高さ調整が必要となる。配線設計に起因して発生する反り分に関しては、同じ回路基板ではほとんど同じ量ならびに傾向となるため、個別の調整を必要としない。しかし、実際の基板には製造ばらつきによる反り量ばらつきが存在しており、その矯正のために、全ての回路基板について反り形状を記録し、圧力設定を変更した後に反り矯正処理を行う必要がある。さらに、パッケージ基板における百ミクロン以下の反りをシリンダ設定で表現することは、技術的にみても非常に困難を伴う。

本発明の目的は、反り形状に個体差を有する回路基板の反り矯正に対して、どのような反り形状を持った基板に対しても一つの冶具を用いることで対応できる、すなわち最小限の工数や冶具製造コストでその平坦性を改善することができる回路基板の製造装置及び回路基板の製造方法を提供することにある。

本実施形態の１つの観点によれば、基板を載置する載置面を有する載置台と、前記載置面上に取り付けられ、前記基板を前記載置面上に載置させる開口部を有するスペーサと、前記スペーサの上に載置され、前記基板を前記載置面に向けて加圧する加圧盤と、を有する回路基板製造装置が提供される。
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせによって実現され達成される。前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない、と理解されるものである。

本実施形態によれば、反り形状に個体差を有する回路基板に対して最小限の工数によって確実にその平坦性を改善することができる。具体的には、例えば、回路基板の加熱時に反りとして発生した部分のみが上側冶具に自動的に接触、その部分に対してのみ圧力が印加されることによって、過剰な圧力を印加することなく、反りを矯正できる方法を提供できる。さらに、基板がその後の実装プロセスで経験するすべての温度領域において、本冶具による矯正処理を行うことにより、実際の製造プロセスにおける温度領域において、反りが発生することがない安定した挙動を示す基板を提供することができる。したがって、どのような反り形状を持った基板に対しても、個別に冶具を準備することなく、さらには圧力などの設定を変えることなく、反り矯正を行うことができる。

図１（ａ）は、実施形態に係る回路基板製造装置を示す分解斜視図、図１（ｂ）は、実施形態に係る回路基板製造装置の載置台及び枠状スペーサの一部を示す平面図である。 図２は、実施形態に係る回路基板製造装置の使用状態を示す断面図である。 図３（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る回路基板製造装置の加熱前の状態を示す断面図である。 図４（ａ）は、実施形態に係る回路基板製造装置により矯正される前の第１構造の基板の表面の等高線を示す図、図４（ｂ）は、実施形態に係る回路基板製造装置により矯正された後の第１構造の基板の表面の等高線を示す図である。 図５（ａ）は、比較例に係る回路基板製造装置により矯正される前の第１構造の基板の表面の等高線を示す図、図５（ｂ）は、比較例に係る回路基板製造装置により矯正された後の第１構造の基板の表面の等高線を示す図である。 図６（ａ）は、実施形態に係る回路基板製造装置により矯正される前の第２構造の基板の表面の等高線を示す図、図６（ｂ）は、実施形態に係る回路基板製造装置により矯正された後の第２構造の基板の表面の等高線を示す図である。 図７（ａ）は、比較例に係る回路基板製造装置により矯正される前の第２構造の基板の表面の等高線を示す図、図５（ｂ）は、比較例に係る回路基板製造装置により矯正された後の第２構造の基板の表面の等高線を示す図である。 図８は、実施形態に係る回路基板製造装置により矯正される前の基板の反りを示す断面図である。 図９（ａ）、（ｂ）は、実施形態に係る回路基板製造装置の第１の変形例とその動作を示す断面図である。 図１０は、実施形態に係る回路基板製造装置の変形例を示す分解斜視図である。

以下に、図面を参照して実施形態を説明する。図面において、同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。

図１（ａ）は、本実施形態に係る回路基板製造装置を示す分解斜視図、図１（ｂ）は、その一部に回路基板を載置した状態を示す平面図である。
図１に示す回路基板製造装置１は、処理対象となる回路基板Ｗを載置する載置台２と、載置台２上に載置される枠状スペーサ３と、枠状スペーサ３内の開口部３ａに置かれる回路基板Ｗを加圧する加圧盤４と、を有している。

載置台２は、回路基板Ｗに対して面方向の膨張率が同じかそれより小さい材料、例えば、銅、ステンレス、鉄、アルミニウム等の金属板から形成される。また、載置台２は、複数枚の回路基板Ｗを縦横に間隔をおいて載置できる大きさの載置面２ａを有している。載置面２ａの平面度（Flatness）は、回路基板Ｗに要求される平面度より小さくなっている。なお、平面度とは、平面形体の幾何学的に、正しい平面からのずれの大きさをいい、凹凸差が大きいほど値が大きくなる。

枠状スペーサ３は、板状に形成されて載置台２の載置面２ａの上に載置され、回路基板Ｗをはみ出させずに取り付けられる大きさの開口部３ａを有している。図１において、開口部３ａは縦横に間隔をおいて複数形成されているが、１つであってもよい。枠状スペーサ３は、例えば、絶縁材又は金属から形成され、かつ厚みを基板もしくは若干厚めとすることにより、加圧盤４からの過剰な押圧力が開口部３ａ内の回路基板Ｗに加わるのを防止する役割を有している。

枠状スペーサ３は、加熱された状態で、図２（ａ）に例示するように、回路基板Ｗと同じ厚さに形成されることが好ましい。熱処理中の最も高い加熱温度の下で、膨張している枠状スペーサ３と熱膨張している回路基板Ｗが同じ厚みになるためには、熱膨張率の違いを考慮すると、加熱処理前の常温の状態でそれらの厚みに差Ｓを生じさせることが好ましい場合がある。なお、本実施形態において、常温は室温を含むものとする。

例えばイニシャル温度ｔ_１を常温とし、加熱室（不図示）内での最高加熱温度をｔ_２（＞ｔ_１）とする。さらに、回路基板Ｗについて熱膨張率をα_１、常温での厚みをＴ_１とする。また、枠状スペーサ３について熱膨張率をα_２、常温での厚みをＴ_２とする。また、イニシャル温度と最高加熱温度の差をｔ_０＝ｔ_２−ｔ_１とする。これにより、回路基板Ｗと枠状スペーサ３の厚みについて、常温で差Ｓ＝Ｔ_２−Ｔ_１があるとすると、最高加熱温度時ｔ_２の熱膨張により互いに等しくなる条件として、次の式が成立する。

Ｓ＝Ｔ_２−Ｔ_１＝ｔ_０（α_１・Ｔ_１−α_２・Ｔ_２）

ここで、回路基板Ｗの厚みＴ_１は優先的に決められるので、常温での枠状スペーサ３の厚みＴ_２は、Ｔ_２＝Ｔ_１・（１−α_１・ｔ_０）／（１−α_２・ｔ_０）となる。

ところで、α_１＞α_２の条件で、枠状スペーサ３の厚みＴ_２を求めたところ、厚みの差Ｓが例えば１０μｍ以下と極めて小さい場合には、枠状スペーサ３の厚みＴ_２を調整することが難しい。このような場合、その差は誤差の範囲と判断し、回路基板Ｗと枠状スペーサ３の厚みを同じに設定してもよいし、或いは、回路基板Ｗの反り量について許容できる値以下の量を厚みの差Ｓと設定してもよい。例えば、厚みが約２ｍｍの回路基板Ｗの反り量の許容最大値を５０μｍとする場合に、常温での厚みの差Ｓが５０μｍ以下になるように枠状スペーサ３の厚みを調整してもよい。また、例えば、厚みが２ｍｍの回路基板Ｗの反り量が例えば３００μｍと大きい場合には、厚みの差Ｓを回路基板Ｗの厚みの±１０％以内に設定してもよい。

ここで重要なことは、最高加熱温度から冷却温度（イニシャル温度）に戻す途中で、反りが発生していない回路基板Ｗに対して、圧力が加わらないようにすることである。このため、図２（ｂ）に例示するように、冷却された状態で回路基板Ｗが完全に平坦化されたものとして加圧盤４と回路基板Ｗの間に僅かでも隙間Ｓ_１が生じるように常温での枠状スペーサ３の厚みを設定することが好ましい。常温まで冷却されて回路基板Ｗが完全に平坦化されたものとした状態で、加圧盤４から回路基板Ｗに圧力が加わるような厚みの関係があれば、枠状スペーサ３を設けた効果が低減するからである。

枠状スペーサ３は、例えば、金属又は樹脂材料から形成されてもよく、さらに回路基板Ｗと同じ材料、同じ層構造から形成されてもよいし、多層構造の回路基板Ｗの厚み又は熱膨張を支配する層と同じ材料から形成されてもよい。例えば、回路基板Ｗがコア層、ビルドアップ層、ソルダーレジスト層の積層構造である場合には、枠状スペーサ３も同じ積層層構造で同じ厚さを採用してもよい。これにより、イニシャル温度と最高加熱温度の双方において、枠状スペーサ３と回路基板Ｗの厚みをほぼ同じとすることが可能になる。

枠状スペーサ３を金属から形成すると、回路基板Ｗの熱処理温度でも変形しにくく、熱伝導率が高いので枠状スペーサ３内の温度分布の均一化が図れる。その金属として、例えば銅、ステンレス（鉄）、アルミニウムを使用する。また、枠状スペーサ３を樹脂から形成する場合、その材料として例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミドなどのスーパーエンジニアリングプラスチックフッ素系材料を使用してもよい。

加圧盤４は、枠状スペーサ３と開口部３ａ内の回路基板Ｗを加圧する加圧面４ａを有している。加圧面４ａの平面度は回路基板Ｗに要求される平面度よりも小さくなっていることが好ましい。加圧盤４は、例えば、銅、ステンレス、鉄、アルミニウム等の金属板から形成され、面方向の膨張率が回路基板Ｗと同等かそれより小さい構造であることが平坦性保持の観点から好ましい。

以上のような回路基板製造装置１を使用して回路基板Ｗを平坦に矯正する方法を次に説明する。

まず、回路基板Ｗとしてパッケージ基板を形成する。パッケージ基板の平面形状は例えば約４７．５ｍｍ×４７．５ｍｍ程度の大きさの四角形で、その厚みは例えば約１．６５ｍｍに形成されている。また、その中央に、例えば約２０ｍｍ×２０ｍｍの平面形状の半導体チップ実装領域が配置されている。パッケージ基板は、多層構造に形成され、例えばコア層（不図示）を２層積層し、その両面にビルドアップ樹脂層（不図示）を４層ずつ積層し、さらにそれらの両面にソルダーレジスト層（不図示）を１層ずつ積層した構造を有する。コア層として例えば高耐熱ガラスエポキシ多層材料層を使用し、また、ビルドアップ樹脂層として例えばワニスを材料にして形成されるフィルムを使用する。コア層、ビルドアップ樹脂層にはビア、配線、電極等が形成され、ソルダーレジスト層に形成した開口部から電極が露出している。

次に、図１に示すように、枠状スペーサ３を載置台２上に載せた状態で、複数の開口部３ａを通して載置台２の載置面２ａ上に回路基板Ｗであるパッケージ基板を載せる。さらに、枠状スペーサ３及び回路基板Ｗの上に加圧盤４を置く。回路基板Ｗは、図３（ａ）に示すように湾曲している中央付近が上に突出した状態で取り付けられてもよいし、図３（ｂ）に示すように湾曲している中央付近が下に突出している状態でもよく、加圧盤４に接触している部分に集中して圧力Ｆが加わる。載置台２、枠状スペーサ３及び加圧盤４は、一例としてステンレスから形成し、枠状スペーサ３の厚みを約１．６５ｍｍに形成する。枠状スペーサ３の材料であるステンレスの熱膨張率は、上記構造のパッケージ基板の熱膨張率よりも小さいので枠状スペーサ３の厚みを例えば約１．７０ｍｍと増加させてもよい。

次に、回路基板製造装置１を加熱室（不図示）内に入れ、イニシャル温度から例えば約２４０℃まで温度を上昇させ、例えば約１０分間温度を保持して熱処理を行い、その後に冷却してイニシャル温度に戻した。なお、イニシャル温度を例えば室温とする。これにより、回路基板Ｗは加熱により軟化し、図２（ａ）に示したように平坦化する。この場合、加熱された枠状スペーサ３と回路基板Ｗは熱膨張するが、加熱時及び冷却時において、加圧盤４に加圧された回路基板Ｗが枠状スペーサ３から上方に殆どはみ出ないように熱膨張係数と厚みが管理されているため、加熱により矯正された後には回路基板Ｗに過剰な圧力が掛からなくなる。

次に、上記条件により熱処理された上記構造のパッケージ基板の矯正の前と後の平坦性について評価した結果を図４、図６に示す。平坦性は、パッケージ基板の反り量即ち、最も大きな凹凸の高低差により評価した。図４、図６は、載置台２の載置面２ａのような平坦面に対するパッケージ基板の一面の高さの等高線の一例を示し、これにより反り量を表している。

評価した回路基板Ｗは、上記の層構造と上記の大きさを有するパッケージ基板であり、配線等の回路設計の異なる２種類の構造をそれぞれ１２枚用意した。

第１構造を有する第１〜第６のパッケージ基板Ａ１〜Ａ６は、矯正前には図４（ａ）の括弧内の数値に示したように反り量が７２μｍ〜１２７μｍと大きく、反り量の大小の差が５５μｍであった。これに対し、上記の回路基板製造装置１の使用による矯正の後には、図４（ｂ）の括弧内の数値に示したように、第１〜第６のパッケージ基板Ａ１〜Ａ６の反り量が４２μｍ〜５４μｍと縮小し、反り量の大小の差が１２μｍと小さくなり、ほぼ均一に平坦化されていることが確認された。なお、矯正後の第１構造の第１〜第６のパッケージ基板Ａ１〜Ａ６の中央は周囲に対して凹状又は凸状になっているが、この領域は半導体チップ搭載部分の構造を有している。

これに対し、第１構造を有する第７〜第１２のパッケージ基板Ａ７〜Ａ１２は、矯正前には図５（ａ）の括弧内の数値に示したように反り量が７１μｍ〜１２１μｍと図４（ａ）とほぼ同様であり、反り量の大小の差が５０μｍであった。これに対し、従来使用されている回路基板製造装置、即ち、枠状スペーサ３を使用せずに載置台２上に回路基板Ｗを載せる構造の装置を使用して回路基板Ｗを加圧盤４により押圧し、上記と同一条件で加熱、冷却した。

この結果、図５（ｂ）に示すように、第７〜第１２のパッケージ基板Ａ７〜Ａ１２の反り量が３０μｍ〜１４３μｍとなり、反り量の大小の差が１１３μｍと大きくなり、平坦性について改善したと判断できなかった。

第２構造を有する第１〜第６のパッケージ基板Ｂ１〜Ｂ６は、矯正前には図６（ａ）の括弧内の数値に示すように反り量が７３μｍ〜１９７μｍと大きく、反り量の大小の差が１２４μｍであった。これに対し、上記の回路基板製造装置１の使用による矯正後には図６（ｂ）の括弧内の数値に示したように反り量が４２μｍ〜７１μｍと縮小し、大小の差が２９μｍと小さくなり、ほぼ均一に平坦化されていることが確認された。なお、矯正後の第２構造の第１〜第６のパッケージ基板Ｂ１〜Ｂ６の中央は周囲に対して凹状又は凸状になっているが、この領域は半導体チップ搭載部分である。

これに対し、第２構造を有する第７〜第１２のパッケージ基板Ｂ７〜Ｂ１２は、矯正前には図７（ａ）の括弧内の数値に示したように反り量が９９μｍ〜２０１μｍであって図６（ａ）と同様に大きく、反り量の大小の差が１０２μｍであった。第７〜第１２のパッケージ基板Ｂ７〜Ｂ１２について、従来使用されている回路基板製造装置、即ち、枠状スペーサ３を使用せずに載置台２上に回路基板Ｗを載せる構造の回路基板製造装置を使用して回路基板Ｗを加圧盤４により押圧し、上記と同一条件で加熱、冷却した。この結果、図７（ｂ）に示すように、第７〜第１２のパッケージ基板Ｂ７〜Ｂ１２の反り量が４４μｍ〜２２１μｍとなり、反り量の大小の差が１７７μｍと大きくなり、平坦性について改善したと判断できなかった。

このように平坦化された回路基板Ｗが常温に戻された後、枠状スペーサ３の上から加圧盤４を取り外し、さらに開口内３ａの回路基板Ｗを取り出すことにより基板製造工程が終了する。

以上のように、枠状スペーサ３を有する回路基板製造装置１を使用すると、製造要因により発生してしまった反りを矯正でき、回路基板Ｗの平坦性が大幅に改善することができた。

ところで、回路基板Ｗの反りにより生じる凹凸は、図３（ａ）、（ｂ）に示すような単純な反りに限るものではなく、図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）に示すように不均一に発生している。

このため、加熱処理のイニシャル温度では、図８に示すように、回路基板Ｗに反りが生じていて、上方への突出量が大きい第１の部分ｗ_１と小さい第２の部分ｗ_２が存在し、それらの突出量の差が大きくなっていることがある。この状態で、加圧盤４を枠状スペーサ３及び回路基板Ｗの上に載せると、加圧盤４が傾斜するので、第１の部分ｗ_１と第２の部分ｗ_２に斜めの加重がかかり、平坦化を阻害する要因となりやすい。図８では、枠状スペーサ３の開口部３ａが１つの場合を示しているが、複数ある場合も同様である。これに対し、加圧盤４の重量を増やして傾斜を防止することもできるが、加圧盤４の取り扱いに負担がかかる。

そこで、図９（ａ）に示すように、枠状スペーサ３の開口部３ａの周囲において、開口部３ａを挟んで複数組の同じ高さの柱状の下側凸部３ｂと複数組の同じ高さの柱状の上側凸部３ｃを形成する。また、載置台２の載置面２ａに、枠状スペーサ３の下側凸部３ｂを嵌め込む凹部２ｂを形成する。載置面２ａ内の凹部２ｂは、枠状スペーサ３の下側凸部３ｂの高さと同じ量の深さを有し、さらに下側凸部３ｂの下端の平坦面に接触する底面を有している。また、凹部２ｂの内周面は、下側の凸部３ｂとの間で隙間を生じさせる大きさに形成されている。

加圧盤４の加圧面４ａには、枠状スペーサ３の上側凸部３ｃを嵌め込む凹部４ｂが形成されている。加圧面４ａ内の凹部４ｂは、枠状スペーサ３の上側凸部３ｃの高さと同じ量の深さを有し、さらに上側凸部３ｃの上端の平坦面に接触する天井面を有している。また、凹部４ｂの内周面は、上側凸部３ｃとの間で隙間を生じさせる大きさに形成されている。さらに、加圧盤４の加圧面４ａの回路基板Ｗと対向する領域の外側において、凹部２ｂより外側の領域には、凹部４ｂより浅い薄層領域４ｃが形成されている。

図９（ａ）に示したように、室温において、枠状スペーサ３の下側凸部３ｂを載置台２の凹部２ｂに嵌め込んだ状態で、枠状スペーサ３の開口部３ａを通して載置台２上に回路基板Ｗを載置する。この場合、回路基板Ｗが反っていて、枠状スペーサ３から上方へ突出する第１の部分ｗ_１と小さな第２の部分ｗ_２の差が大きいことがある。さらに、常温下で、加圧盤４を枠状スペーサ３及び回路基板Ｗ上に載せ、枠状スペーサ３の上側凸部３ｃを加圧盤４の凹部４ｂに嵌め込むと、加圧盤４が傾斜することがある。この場合、処枠状スペーサ３から突出する量が大きい第１の部分ｗ_１に掛かる加重より突出量が小さい第２の部分ｗ_２にかかる加重が小さくなり、突出量の大きな第１の部分ｗ_１の平坦化を優先的に促進することができる。

例えば、図９（ａ）に示すように、枠状スペーサ３に形成される開口部３ａを１つとした場合、開口部３ａ内に置かれる回路基板Ｗが波打っていると、突出量が小さな第２の部分ｗ_２に近い上側凸部３ｃの外寄りの縁の一部が加圧盤４の凹部４ｂの天井面に接触する。この結果、第２の部分ｗ_２に近い上側凸部３ｃのうち外寄りの縁の一部が支点となって加圧盤４の加圧面４ａが傾斜し、突出量の大きな第１の部分ｗ_１が持ち上がる。この結果、支点に近い第２の部分ｗ_２への加重が小さくなる一方、支点から遠い第１の部分ｗ_１に加わる加重が大きくなるとともに載置台２の載置面２ａに対して垂直方向となる。さらに、加熱室（不図示）に回路基板製造装置１を移して加熱すると、回路基板Ｗが軟化して第１の部分ｗ_１が加圧されて低くなり、加圧盤４の傾斜が小さくなり、加圧面４ａが載置台２の載置面２ａと徐々に平行になってくる。この結果、第２の部分ｗ_２に加わる加重が増え、第１の部分ｗ_１と第２の部分ｗ_２に加わる加重の差が小さくなり、加重の垂直成分が支配的になる。さらに、図９（ｂ）に示すように、全ての上側凸部３ｃの上面がその上の凹部４ｂの天井面に接触して第１の部分ｗ_１と第２の部分ｗ_２は垂直方向に押圧され、反りが小さくなり、矯正されることになる。

このように、第１の部分ｗ_１と第２の部分ｗ_２の垂直方向への加重が大きくなり、平坦化が改善される。このことは、図１０に示すような複数の開口部３ａを有する枠状スペーサ３を使用する場合でも同様であり、枠状スペーサ３のうち複数の開口部３ａの全体の集合領域を挟んでその周囲の十字状の位置に下側凸部３ｂと上側凸部３ｃを形成してもよい。これにより、反りが生じている回路基板Ｗの平坦性をより高めることができる。

ところで、一般的には、個片化された回路基板Ｗの反りを強制的に平坦化する場合には、次のような方法を採用する。

まず、測定による反り量が許容範囲以下の良品の回路基板Ｗと許容範囲より大きな不良品の回路基板Ｗを選別する。その選別後に、不良品の回路基板Ｗの反りを矯正する処理を行い、その後に再度反り量を測定する。この場合、矯正する装置として、枠状スペーサ３の無い回路基板製造装置を使用し、加熱炉に入れる。そのような処理の後に、さらに不良品の回路基板と良品の回路基板Ｗを選別し、不良の回路基板Ｗを再度矯正するといった処理を続けることになり、良品の回路基板Ｗについては、完成品として出荷される。なお、枠状スペーサ３の無い回路基板製造装置によれば、図５に示した回路基板Ａ８や、図７に示した回路基板Ｂ１１のように処理後に反り量が増すこともあり、良品が不良品になることもあるので、良品の回路基板Ｗを加熱することは避けることが好ましい。

これに対し、本実施形態の回路基板製造装置１によれば、回路基板Ｗの平坦化の確率が上記のように極めて高く、図４、図６に示したように、良品の回路基板Ｗを矯正の対象としても不良品化することはない。従って、回路基板Ｗの良品、不良品を選別せず、個片化された回路基板の全てを処理対象にしても処理後に不良品が発生することがなくなる。このため、事前の反り測定が不要になり、必要に応じて処理の後にだけ反り量を測定すればよくなるので、平坦性を保証するための工程時間を大幅に短縮することができる。

ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例および条件に限定することなく解釈され、また、明細書におけるそのような例の編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形を施すことができると理解される。

次に、本発明の実施形態を付記する。
（付記１）基板を載置する載置面を有する載置台と、前記載置面上に取り付けられ、前記基板を前記載置面上に載置させる開口部を有するスペーサと、前記スペーサの上に載置され、前記基板を前記載置面に向けて加圧する加圧盤と、を有する回路基板の製造装置。
（付記２）前記スペーサの厚みは、常温において、前記基板の厚みと同じか、前記基板より厚いことを特徴とする付記１に記載の回路基板製造装置。
（付記３）前記スペーサは、前記基板の加熱温度下において、前記基板の第１の厚みと同じか、前記基板の反り量の許容範囲以下の量を前記基板の前記第１の厚みに加えた第２の厚みを有していることを特徴とする付記１又は付記２に記載の回路基板の製造装置。
（付記４）前記スペーサは、前記基板より熱膨張率の大きい材料か、熱膨張率の同じ材料から形成されていることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれか１つに記載の回路基板の製造装置。
（付記５）前記スペーサにおいて、前記開口部が形成される集合領域の周囲に、前記集合領域を挟んで対向する複数の柱状凸部が同じ高さに形成され、前記加圧盤の加圧面には前記柱状凸部を入れる大きさで、前記柱状凸部の高さと同じ深さの凹部が形成されていることを特徴とするは付記１乃至付記４のいずれか１つに記載の回路基板の製造装置。
（付記６）載置台の載置面上に取り付けられたスペーサの開口部を通して、前記載置面上に基板を載置する工程と、前記スペーサの上に加圧盤を置き、前記開口部内の前記基板を前記加圧盤により加圧する工程と、前記加圧盤、前記スペーサ、前記基板及び前記載置台を加熱し、前記基板の平坦性を矯正する工程と、前記前記加圧盤、前記スペーサ、前記基板及び前記載置台を常温に戻す工程と、を有する回路基板の製造方法。
（付記７）前記スペーサの厚みは、常温において、前記基板の厚みと同じか、前記基板より厚いことを特徴とする付記６に記載の回路基板の製造方法。
（付記８）前記スペーサは、最高加熱温度において、前記基板の第１の厚みと同じか、前記基板の反り量の許容範囲以下の量を前記基板の前記第１の厚みに加えた第２の厚みを有していることを特徴とする付記６又は付記７に記載の回路基板の製造方法。
（付記９）前記スペーサの熱膨張率は、前記基板の熱膨張率より大きいことを特徴とする付記６乃至付記８のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
（付記１０）前記基板は、反り量が測定されずに前記スペーサの開口部を通して前記載置台上に載置されることを特徴とする付記６乃至付記９のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。

１ 回路基板製造装置
２ 載置台
２ａ 載置面
２ｂ 凹部
３ 枠状スペーサ
３ａ 開口部
３ｂ 下側凸部
３ｃ 上側凸部
４ 加圧盤
４ａ 加圧面
４ｂ 凹部
４ｃ 薄層領域

Claims (5)

1. 基板を載置する載置面を有する載置台と、
   前記載置面上に取り付けられ、前記基板を前記載置面上に載置させる開口部を有するスペーサと、
   前記スペーサの上に載置され、前記基板を前記載置面に向けて加圧する加圧盤と、
   を有する回路基板の製造装置。
2. 前記スペーサの厚みは、常温において、前記基板の厚みと同じか、前記基板より厚いことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造装置。
3. 前記スペーサにおいて、前記開口部が形成される集合領域の周囲に、前記集合領域を挟んで対向する複数の柱状凸部が同じ高さに形成され、
   前記加圧盤の加圧面に、前記柱状凸部を入れる大きさで、前記柱状凸部の高さと同じ深さの凹部が形成されている
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造装置。
4. 載置台の載置面上に取り付けられたスペーサの開口部を通して、前記載置面上に基板を載置する工程と、
   前記スペーサの上に加圧盤を置き、前記開口部内の前記基板を前記加圧盤により加圧する工程と、
   前記加圧盤、前記スペーサ、前記基板及び前記載置台を加熱し、前記基板の平坦性を矯正する工程と、
   前記前記加圧盤、前記スペーサ、前記基板及び前記載置台を常温に戻す工程と、
   を有する回路基板の製造方法。
5. 前記基板は、反り量が測定されずに前記スペーサの開口部を通して前記載置台上に載置されることを特徴とする請求項４に記載の回路基板の製造方法。

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