JP2015222912A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015222912A5
JP2015222912A5 JP2014107276A JP2014107276A JP2015222912A5 JP 2015222912 A5 JP2015222912 A5 JP 2015222912A5 JP 2014107276 A JP2014107276 A JP 2014107276A JP 2014107276 A JP2014107276 A JP 2014107276A JP 2015222912 A5 JP2015222912 A5 JP 2015222912A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
connection point
diode
linearizer
input terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014107276A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015222912A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014107276A priority Critical patent/JP2015222912A/ja
Priority claimed from JP2014107276A external-priority patent/JP2015222912A/ja
Priority to US14/640,407 priority patent/US9467099B2/en
Priority to KR1020150065100A priority patent/KR20150135085A/ko
Priority to DE102015209439.1A priority patent/DE102015209439A1/de
Priority to CN201510266522.0A priority patent/CN105099375A/zh
Publication of JP2015222912A publication Critical patent/JP2015222912A/ja
Publication of JP2015222912A5 publication Critical patent/JP2015222912A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Description

本発明に係るリニアライザは、入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された接続点と、前記接続点に接続されたダイオードと、電圧端子と、前記電圧端子と前記接続点との間に接続された抵抗とを備え、前記電圧端子に0Vが印加されていることを特徴とする。

Claims (6)

  1. 入力端子と、
    出力端子と、
    前記入力端子と前記出力端子との間に接続された接続点と、
    前記接続点に接続されたダイオードと、
    電圧端子と、
    前記電圧端子と前記接続点との間に接続された抵抗とを備え、
    前記電圧端子に0Vが印加されていることを特徴とするリニアライザ。
  2. 前記電圧端子が接地されていることを特徴とする請求項1に記載のリニアライザ。
  3. 前記入力端子と前記接続点との間に接続された第1のキャパシタと、
    前記接続点と前記出力端子との間に接続された第2のキャパシタとを更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のリニアライザ。
  4. 前記ダイオードはHEMT構造を有することを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のリニアライザ。
  5. 前記ダイオードと直列に接続されたインダクタを更に備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のリニアライザ。
  6. GaN系のトランジスタを有し、前記入力端子に出力信号を供給するドライバー増幅器を更に備え、
    前記ダイオードはGaN系であることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のリニアライザ。
JP2014107276A 2014-05-23 2014-05-23 リニアライザ Pending JP2015222912A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014107276A JP2015222912A (ja) 2014-05-23 2014-05-23 リニアライザ
US14/640,407 US9467099B2 (en) 2014-05-23 2015-03-06 Linearizer
KR1020150065100A KR20150135085A (ko) 2014-05-23 2015-05-11 리니어라이저
DE102015209439.1A DE102015209439A1 (de) 2014-05-23 2015-05-22 Linearisierer
CN201510266522.0A CN105099375A (zh) 2014-05-23 2015-05-22 线性化电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014107276A JP2015222912A (ja) 2014-05-23 2014-05-23 リニアライザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015222912A JP2015222912A (ja) 2015-12-10
JP2015222912A5 true JP2015222912A5 (ja) 2017-01-19

Family

ID=54432025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014107276A Pending JP2015222912A (ja) 2014-05-23 2014-05-23 リニアライザ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9467099B2 (ja)
JP (1) JP2015222912A (ja)
KR (1) KR20150135085A (ja)
CN (1) CN105099375A (ja)
DE (1) DE102015209439A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107124142A (zh) * 2017-03-22 2017-09-01 电子科技大学 基于非线性器件的可调预失真器
US11031914B2 (en) 2017-03-28 2021-06-08 Mitsubishi Electric Corporation Diode linearizer
US11843356B2 (en) 2021-09-21 2023-12-12 Apple Inc. Radio-frequency power amplifier with amplitude modulation to amplitude modulation (AMAM) compensation
JP7268805B1 (ja) * 2022-08-08 2023-05-08 三菱電機株式会社 電力増幅器

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4225827A (en) * 1979-02-21 1980-09-30 Harris Corporation Stabilization circuit for transistor RF power amplifiers
US4560949A (en) * 1982-09-27 1985-12-24 Rockwell International Corporation High speed AGC circuit
US4683443A (en) * 1986-01-27 1987-07-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Monolithic low noise amplifier with limiting
US4882482A (en) * 1988-10-26 1989-11-21 Tektronix, Inc. Thermally stabilized optical preamplifier
US5128638A (en) * 1990-12-03 1992-07-07 Motorola, Inc. Four-post quadrature coupler suitable for monolithic implementation
US5506544A (en) * 1995-04-10 1996-04-09 Motorola, Inc. Bias circuit for depletion mode field effect transistors
JP3545125B2 (ja) * 1996-03-08 2004-07-21 富士通株式会社 歪み補償回路
JP2001526010A (ja) * 1997-05-12 2001-12-11 オプティカル・テクノロジーズ・ユーエスエイ・コーポレーション 先行歪み発生器を備えた外部光変調システム
GB2332797B (en) * 1997-12-22 2003-05-21 Ericsson Telefon Ab L M Low voltage transistor biasing
JP3439344B2 (ja) 1998-06-18 2003-08-25 日本電気株式会社 半導体増幅器
US6018266A (en) * 1998-11-18 2000-01-25 Hughes Electronics Corporation Radio frequency system having reflective diode linearizer with balanced tunable impedance loads
US6577177B2 (en) * 1999-04-01 2003-06-10 General Instrument Corporation Non-linear distortion generator
US6107877A (en) * 1999-04-09 2000-08-22 General Instrument Corporation Predistortion generator coupled with an RF amplifier
JP4014072B2 (ja) * 2000-03-31 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 電力増幅器モジュール
JP2002009555A (ja) 2000-06-16 2002-01-11 Toshiba Corp 増幅装置およびプリディストータ
KR100471386B1 (ko) 2002-06-05 2005-02-21 주식회사 웨이브아이씨스 전기적 튜닝이 가능한 전치왜곡기
US6985020B2 (en) * 2002-07-09 2006-01-10 General Instrument Corporation Inline predistortion for both CSO and CTB correction
JP2003332851A (ja) 2003-04-21 2003-11-21 Nec Corp 半導体増幅器
JP2005073010A (ja) 2003-08-26 2005-03-17 Yazaki Corp ダイオードリニアライザを用いた歪補償回路
US20060017509A1 (en) * 2004-07-21 2006-01-26 Veitschegger William K Auxiliary transistor gate bias control system and method
JP4739717B2 (ja) * 2004-09-21 2011-08-03 古野電気株式会社 歪補償回路
SE0402524D0 (sv) * 2004-09-21 2004-10-15 Ericsson Telefon Ab L M Tunable predistorter
JP4142004B2 (ja) * 2004-11-29 2008-08-27 シャープ株式会社 歪補償回路、それを用いた電力増幅器および電力増幅器を備える通信装置
JP2007243492A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 R & K:Kk 放送用増幅回路
JP2007312003A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp アッテネータ
US7893771B2 (en) * 2007-01-05 2011-02-22 City University Of Hong Kong Wideband linearization and adaptive power management for microwave power amplifiers
US8076994B2 (en) * 2007-06-22 2011-12-13 Cree, Inc. RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming RF power transistor packages with internal harmonic frequency reduction
US7932782B2 (en) * 2007-12-10 2011-04-26 City University Of Hong Kong Average power efficiency enhancement and linearity improvement of microwave power amplifiers
EP2164170A1 (en) * 2008-09-15 2010-03-17 Forschungsverbund Berlin E.V. Self-adjusting gate bias network for field effect transistors
US7907649B2 (en) * 2009-03-12 2011-03-15 Emcore Corporation Bias signal generation for a laser transmitter in a passive optical network
KR101666910B1 (ko) * 2009-04-08 2016-10-17 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 증가형 GaN HEMT 장치 및 그 제조 방법
JP2013118435A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 電力増幅器
JP2014086673A (ja) * 2012-10-26 2014-05-12 Mitsubishi Electric Corp モノリシック集積回路
US8823140B2 (en) * 2012-11-13 2014-09-02 Avogy, Inc. GaN vertical bipolar transistor
EP2738839B1 (en) 2012-11-29 2015-08-12 The Swatch Group Research and Development Ltd. Flexible electrode of an electrochemical cell
EP2747143A1 (en) * 2012-12-19 2014-06-25 Nxp B.V. GaN HEMTs and GaN diodes
CN103414435B (zh) * 2013-06-24 2016-03-09 中国电子科技集团公司第十研究所 毫米波功放预失真线性化器
CN103715997B (zh) * 2013-12-20 2017-06-13 惠州市正源微电子有限公司 一种改善功率放大器线性度的电路
JP6364956B2 (ja) * 2014-05-23 2018-08-01 三菱電機株式会社 リニアライザ
TWI584881B (zh) * 2014-08-01 2017-06-01 心誠鎂行動醫電股份有限公司 液體霧化電路及其裝置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013137830A5 (ja)
WO2014149416A3 (en) Magnetic field sensor having an externally accessible coil
JP2016208080A5 (ja)
JP2013232898A5 (ja)
NI201800035S (es) Cabina de camión
WO2015190867A3 (ko) 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
EP3098952A3 (en) Low capacitance drive with improved immunity
JP2015222912A5 (ja)
MX366289B (es) Presentacion de aplicacion de compuesto a traves de multiples dispositivos.
MX2016012134A (es) Dispositivo de disipacion de energia.
JP2015188201A5 (ja)
EP3116122A3 (en) Matching network for load line change
EP2927777A3 (en) Clock tree circuit and memory controller
WO2016195461A3 (ko) 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
JP2014003598A5 (ja)
WO2016068478A3 (ko) 고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
JP2015139207A5 (ja)
JP2015222921A5 (ja)
EP3965148A3 (en) Electronic assembly that includes stacked electronic devices
JP2015192447A5 (ja)
JP2014011668A5 (ja)
JP2015100210A5 (ja)
JP2016149708A5 (ja)
JP2016206048A5 (ja)
EP2824534A3 (en) Bulk-modulated current source