JP2015222801A - 検量線の作成方法、不純物濃度の測定方法、及び半導体ウェハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】検量線の作成方法は、同一の半導体からなる複数の第1試料に不純物を互いに異なる量でイオン注入することと、不純物をイオン注入した第1試料の各々について、フォトルミネッセンス法により不純物に由来する発光の強度を測定して、注入した不純物の量と発光の強度との関係を求めることと、第1試料と同一の半導体からなる第2試料について、第1試料の各々に対するフォトルミネッセンス法による発光の強度測定と同じ条件のもとで、フォトルミネッセンス法により第2試料に含まれている不純物に由来する発光の強度を測定することと、上記関係と、第2試料について得られた発光の強度と、フォトルミネッセンス法以外の方法で測定した第2試料に含まれている不純物の濃度とに基づいて、不純物の濃度とこの不純物に由来する発光の強度との関係を表す検量線を作成することとを含む。
【選択図】図1
Description
Si(s) + e → Si(i) + V
ここで、Vは空孔を表している。(s)は、その直前に記載した原子がシリコン結晶の格子点に位置していることを表している。(i)は、その直前に記載した原子がシリコン結晶の格子間に位置していることを表している。eは電子を表している。
さらに、格子間炭素C(i)は、下記式で表すように、格子点を占有しているシリコン原子C(s)とともに、複合欠陥Ci−Csとなる。
或いは、格子間炭素C(i)は、下記式で表すように、結晶に含まれている格子間酸素O(i)とともに、複合欠陥Ci−Oiとなる。
このように形成された複合欠陥Ci−Cs及びCi−Oiは、励起光を照射することにより発光する。
この式では、炭素の注入量がそのままG−line強度に反映されているため、この式から炭素の総濃度を求めることは出来ない。また、厳密には発光に寄与する炭素、即ち発光活性化した炭素の割合は、イオン注入における注入ダメージや、結晶回復アニールにおける結晶性の回復率、イオン注入プロファイルなどのさまざまな不確定要素に左右される。これらの不確定要素をAとし、また、発光活性化した炭素の割合が炭素濃度に依存すると仮定する。つまり、下記式のような関係があると仮定する。
この式を、上記した炭素のイオン注入量とG−line強度との両対数プロットの式に代入すると、次の式が得られる。
この式を次のとおりに変形させる。
log[GPL] = log(bAa) + alog[CS]
[GPL] = bAa × [CS]a
このように、不確定要素Aは、傾きaに依存しない関数として表すことができる。また、上記式のとおり、不確定要素Aは両対数プロットの切片に対応した項に含まれている。従って、炭素のイオン注入量に対するG−line強度の両対数プロットの傾きは、エピタキシャル層中の炭素濃度に対するG−line強度の両対数プロットの傾きをそのまま表す。即ち、炭素注入量とG−line強度の相関を求めることによって、エピタキシャル層中の炭素濃度とG−line強度の相関、即ちG−line強度に対する炭素の相対濃度を得ることができる。
Claims (13)
- 同一の半導体からなる複数の第1試料に不純物を互いに異なる量でイオン注入することと、
前記不純物をイオン注入した前記複数の第1試料の各々について、フォトルミネッセンス法により前記不純物に由来する発光の強度を測定して、注入した前記不純物の量と前記発光の強度との関係を求めることと、
前記複数の第1試料と同一の半導体からなる第2試料について、前記複数の第1試料の各々に対するフォトルミネッセンス法による発光の強度の測定と同じ条件のもとで、フォトルミネッセンス法により前記第2試料に含まれている前記不純物に由来する発光の強度を測定することと、
前記関係と、前記第2試料について得られた発光の強度と、フォトルミネッセンス法以外の方法で測定した第2試料に含まれている前記不純物の濃度とに基づいて、前記不純物の濃度とこの不純物に由来する発光の強度との関係を表す検量線を作成することと
を含んだ検量線の作成方法。 - 前記第2試料は、前記半導体からなる結晶の成長過程で前記不純物が導入されたものであり、前記不純物をイオン注入した前記複数の第1試料の各々と比較して、前記不純物をより高い濃度で含んだ請求項1に記載の作成方法。
- 前記フォトルミネッセンス法以外の方法は、二次イオン質量分析を利用した方法である請求項1又は2に記載の作成方法。
- 前記複数の第1試料の各々について、前記第1試料へ不純物をイオン注入した後であって、前記第1試料にイオン注入した不純物に由来する発光を測定する前に、前記第1試料に熱処理を行うことをさらに含んだ請求項1乃至3の何れか1項に記載の作成方法。
- 前記半導体はシリコンを含み、前記不純物は炭素である請求項1乃至4の何れか1項に記載の作成方法。
- 前記複数の第1試料及び前記第2試料の各々は、エピタキシャル成長法により形成したシリコン層を含んだ請求項5に記載の作成方法。
- 前記第1試料に注入した不純物に由来する発光及び前記第2試料に含まれている不純物に由来する発光はG−line発光である請求項5又は6に記載の作成方法。
- 前記熱処理の温度が700℃以上、1200℃以下である請求項1乃至7の何れか1項に記載の作成方法。
- 複数の第1試料への前記不純物の注入量は1×109ion/cm2以上、1×1016ion/cm2以下である請求項1乃至8の何れか1項に記載の作成方法。
- 前記複数の第1試料の各々に対する前記フォトルミネッセンス法による測定は、前記複数の第1試料の各々に電子線を照射して、前記第1試料中の不純物を発光活性化することを含み、前記第2試料に対する前記フォトルミネッセンス法による測定は、前記第2試料に電子線を照射して、前記第2試料中の不純物を発光活性化することを含んだ請求項1乃至9の何れか1項に記載の作成方法。
- 前記複数の第1試料及び前記第2試料の各々に照射する電子線の照射量は1×1013electrons/cm2以上、1×1017electrons/cm2以下である請求項10に記載の作成方法。
- 請求項1乃至11の何れか1項に記載の作成方法によって作成した検量線を用いて半導体中の不純物濃度を測定する測定方法であって、
前記第1試料と同一の条件で製造された半導体からなる第1測定対象について、フォトルミネッセンス法により前記第1測定対象に含まれている不純物に由来する発光の強度を測定することと、
前記第1測定対象に含まれている不純物に由来する発光の強度を前記検量線に参照して、前記第1測定対象に含まれている不純物の濃度を求めることと
を含んだ測定方法。 - 請求項12に記載の測定方法を利用して半導体ウェハを製造する製造方法であって、
半導体からなる複数のウェハを製造することと、
前記複数のウェハの一部を抜き取り、前記抜き取ったウェハの少なくとも一部分を第1測定対象として用い、前記抜き取ったウェハに含まれている不純物の濃度を、前記測定方法を用いて測定することと、
前記抜き取ったウェハに含まれている不純物の濃度を、予め定めておいた上限値と対比することと、
前記抜き取ったウェハに含まれている不純物の濃度が、前記上限値を超えている場合に、前記複数のウェハの残りも不純物濃度が高い可能性があると判断するか、又は、前記複数のウェハの製造において異常が発生した可能性があると判断することと
を含んだ製造方法。
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