JP2015213103A - 半導体装置およびその実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】応力を緩和させることを維持しながら、高密度に実装することが可能な半導体装置と、その実装構造とを提供する。【解決手段】半導体装置のバンプ１００は、アンダーバンプメタル６の直上に形成されている。バンプ１００は、第１のはんだ７、銅柱８、第２のはんだ９および保護膜１０から形成されている。第１のはんだ７の上に銅柱８が積層され、その銅柱８の上に第２のはんだ９が積層されている。銅柱８の側面が、保護膜１０によって覆われている。【選択図】図１

Description

本発明は半導体装置およびその実装構造に関し、特に、バンプを備えた半導体装置と、そのような半導体装置の実装構造とに関するものである。

半導体装置の高機能化および小型化に伴って、半導体装置の内部を高密度化することが必要とされている。また、近年では、半導体装置の発熱量が増加する傾向にあり、半導体装置から実装基板への放熱も重要な課題となっている。

高密度化を図る手法の１つとして、ワイヤボンディングではなく、バンプを用いて半導体装置を実装基板に接続するフリップチップ実装が多用されている。フリップチップ実装におけるバンプ構造としては、熱伝導性と融点の高さに優れた銅（Ｃｕ）が注目されており、銅柱の先端にはんだを用いたバンプをボンディングパッド上に設けたバンプ構造が増えている。このバンプ構造では、バンプをはんだのみで構成する場合と比較してスタンドオフ高さを高くすることが容易であるため、アンダーフィル剤やモールド樹脂を充填しやすいという利点もある。

しかしながら、半導体基板と実装基板との線膨脹係数の違いから、両者を接続するバンプには熱応力が集中し、バンプやその周囲にクラックが発生しやすいため、熱応力を緩和する構造が求められる。熱応力を緩和する構造の例として、たとえば、特許文献１では、銅の周囲をはんだで切れ目なく覆い、そのはんだとボンディングパッドとを接続する構造が提案されている。銅がボンディングパッドに直接接続されないため、バンプやその周囲への熱応力を緩和でき、クラックを防止できるとされる。

また、特許文献２では、半導体基板上に絶縁性材料を介在させて形成されたはんだと、そのはんだの上に積層された銅柱と、その銅柱の上に形成した球状のはんだとによって構成されたバンプが提案されている。このバンプでは、銅柱の間に応力緩衝樹脂が形成されていてもよいとされている。特許文献１の場合と同様に、銅が半導体基板に直接接続されないため、バンプやその周囲への熱応力を緩和でき、クラックを防止できるとされる。

さらに、特許文献３では、複数の銅柱と、その複数の銅柱にわたり積層された銅と、その銅の上に積層されたはんだとによって構成されたバンプが提案されている。複数の銅柱部分が変形することによって、熱応力を吸収し、バンプやその周囲のクラックを防止できるとされる。

特開２００５−２２２９６６号公報 特開２００１−１２７０９４号公報 特開平０９−１７７９５号公報

しかしながら、従来の半導体装置では、バンプを高密度に配置して実装するには、まだ十分ではないという問題があった。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、一つの目的は、応力を緩和させることを維持しながら、バンプを高密度に配置して実装することが可能な半導体装置を提供することであり、他の目的は、そのような半導体装置を実装基板に実装させた半導体装置の実装構造を提供することである。

本発明に係る半導体装置は、半導体基板とボンディングパッドとバンプとを有している。ボンディングパッドは、半導体基板の表面に形成されている。バンプは、ボンディングパッドに形成されている。バンプでは、第１のはんだ、銅柱および第２のはんだが順次積層されて、少なくとも銅柱の側面が保護膜によって覆われ、ボンディングパッドと銅柱との間に前記第１のはんだが介在している。

本発明に係る半導体装置の実装構造は、半導体装置を実装基板に実装した半導体装置の実装構造である。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたボンディングパッドと、ボンディングパッドに形成されたバンプとを有している。バンプでは、第１のはんだ、銅柱および第２のはんだが順次積層されて、少なくとも銅柱の側面が保護膜によって覆われ、ボンディングパッドと銅柱との間に第１のはんだが介在している。実装基板は、基材と、基材の表面に形成された実装パッドとを有している。第２のはんだが実装パッドに接合されている。

本発明に係る半導体装置によれば、バンプでは、第１のはんだ、銅柱および第２のはんだが順次積層されて、少なくとも銅柱の側面が保護膜によって覆われ、ボンディングパッドと銅柱との間に前記第１のはんだが介在していることで、応力緩和を図りながら、半導体装置を高密度に実装することができる。

本発明に係る半導体装置の実装構造によれば、上述した半導体装置を実装基板に実装することで、応力緩和を図りながら、半導体装置を高密度に実装することができる。

本発明の実施の形態１に係る半導体装置のバンプとその周辺構造を示す部分断面図である。 同実施の形態において、バンプを備えた半導体装置の斜視図である。 同実施の形態において、図１または図２に示す、バンプを備えた半導体装置の製造方法の一工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図３に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図４に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図５に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図６に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１または図２に示す、バンプを備えた半導体装置の実装基板への実装方法の一工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図８に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図９に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図であり、半導体装置を実装基板へ実装した半導体装置の実装構造を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態２に係る半導体装置のバンプとその周辺構造を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１１に示す、バンプを備えた半導体装置の製造方法の一工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１２に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１１に示す、バンプを備えた半導体装置を実装基板へ実装した半導体装置の実装構造を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態３に係る半導体装置のバンプとその周辺構造を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１５に示す、バンプを備えた半導体装置の製造方法の一工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１６に示す工程の後に行われる工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１５に示す、バンプを備えた半導体装置を実装基板へ実装した半導体装置の実装構造を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態４に係る半導体装置のバンプとその周辺構造を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１９に示す、バンプを備えた半導体装置の製造方法の一工程を示す部分断面図である。 同実施の形態において、図１９に示す、バンプを備えた半導体装置を実装基板へ実装した半導体装置の実装構造を示す部分断面図である。

実施の形態１
ここでは、バンプを備えた半導体装置とその実装構造等の第１例について説明する。

（半導体装置の要部）
はじめに、半導体装置の要部について説明する。図１および図２に示すように、半導体装置２００は、半導体基板１、絶縁膜２、ボンディングパッド３、パッシベーション膜４、シード層５、アンダーバンプメタル６、バンプ１００を備えている。半導体基板１を形成する材料は、たとえば、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）であり、その寸法は、たとえば、０．６ｍｍ×０．６ｍｍ×厚さ０．１ｍｍである。絶縁膜２の材料は、たとえば、窒化シリコン（ＳｉＮ）であり、厚さは、たとえば、１μｍである。

絶縁膜２は、半導体基板１とボンディングパッド３とを電気的に絶縁している。ボンディングパッド３は、バンプを形成する位置に配置されている。ボンディングパッド３の材料は、たとえば金（Ａｕ）であり、その寸法は、たとえば、φ５５μｍ×厚さ２μｍである。

パッシベーション膜４の材料は、たとえば、窒化シリコン（ＳｉＮ）であり、ボンディングパッド３の直上に、たとえば、φ４８μｍの開口が設けられている。シード層５は、パッシベーション膜４の開口の直上に形成されている。シード層５の材料は、たとえば、チタンタングステン（ＴｉＷ）であり、その寸法は、たとえば、φ５０μｍ×厚さ０．２μｍである。

アンダーバンプメタル６は、シード層５の直上に形成されている。アンダーバンプメタル６の材料は、たとえば、ニッケル（Ｎｉ）であり、その厚さは、たとえば、２μｍである。ここで、アンダーバンプメタル６としては、複数の層によって形成されていてもよく、たとえば、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）の順に形成された複数の層であってもよい。

バンプ１００は、アンダーバンプメタル６の直上に形成されている。バンプ１００は、第１のはんだ７、銅柱８、第２のはんだ９および保護膜１０から形成されている。第１のはんだ７の上に銅柱８が積層され、その銅柱８の上に第２のはんだ９が積層されている。銅柱８の側面が、保護膜１０によって覆われている。

第１のはんだ７および第２のはんだ９のそれぞれの材料は、たとえば、スズ（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）の合金である。バンプ１００の、半導体基板１の面方向の寸法は、シード層５の寸法とほぼ同じ寸法である。第１のはんだ７の高さ（厚さ）は、たとえば、１０μｍである。銅柱８の高さ（厚さ）は、たとえば、５０μｍである。第２のはんだ９の高さ（厚さ）は、たとえば、２０μｍである。

保護膜１０の材料としては、第１のはんだ７および第２のはんだ９が溶融する温度においても、銅柱８へのはんだの濡れを防ぐ材料が望ましい。ここでは、保護膜１０の材料は銅プリフラックスであり、その厚さは１μｍである。

バンプ１００は、たとえば、１２０μｍのピッチをもって、半導体基板１の外周に沿って配置（ペリフェラルで配置）されている。また、ボンディングパッド３、パッシベーション膜４の開口、シード層５、アンダーバンプメタル６、バンプ１００のそれぞれの、半導体基板１の平面から見た（平面視）形状は、ほぼ円形である。なお、これらの形状や配置は一例であって、これに限定されるものではない。

（半導体装置の製造方法）
次に、上述した半導体装置の製造方法の一例について説明する。図３に示すように、まず、半導体基板１上の全面に、たとえば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって絶縁膜２を形成する。次に、フォトリソグラフィによって、第１のめっきレジスト１１を形成する。第１のめっきレジスト１１では、ボンディングパッドが形成される領域に位置する絶縁膜２を露出する開口が形成されている。

次に、真空蒸着法によって、露出した絶縁膜２および第１のめっきレジスト１１を覆うようにボンディングパッドの材料を成膜する。次に、第１のめっきレジスト１１をリフトオフすることで、ボンディングパッド３が形成される。第１のめっきレジスト１１の材料は、たとえば、エポキシ系樹脂であり、その厚さは、たとえば、５μｍである。次に、図４に示すように、たとえば、プラズマＣＶＤ法によってパッシベーション膜４の材料を成膜する。

次に、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、ボンディングパッド３上に位置するパッシベーション膜４の部分を除去することにより、ボンディングパッド３を露出する開口部を形成する。このとき、開口部は、ボンディングパッド３のサイズよりも少し小さくなるように形成される。次に、図５に示すように、スパッタ法によってシード層５の材料を成膜する。次に、フォトリソグラフィによって、ボンディングパッド３が形成されている領域に位置するシード層５を露出する開口を有する第２のめっきレジスト１２を形成する。

このとき、開口は、パッシベーション膜４に形成された開口部よりも少し大きくなるように形成される。また、第２のめっきレジスト１２は、後の工程において形成される銅柱の上面よりも高くなる厚さをもって形成される。さらに、第２のめっきレジスト１２としては、後の工程においてリフロー方式によって加熱されるため、耐熱性を有していることが望ましく、たとえば、エポキシ系樹脂のように、第１のはんだ７の融点および第２のはんだ９の融点よりも高い融点を有することが望ましい。

次に、図６に示すように、それぞれ電解めっき法を用いて、アンダーバンプメタル６、第１のはんだ７、銅柱８および第２のはんだ９を積層する。なお、第２のはんだ９は、第２のめっきレジスト１２の上面まではみ出して積層されてもよいが、その積層量は、隣接したバンプの第２のはんだ９と接しない程度にする必要がある。ここで、電解めっき法により積層された金属には、一般的に内部応力が蓄積されている。そこで、次に、リフロー方式にて加熱することで、蓄積された内部応力を除去する。

次に、図７に示すように、第２のめっきレジスト１２を剥離する。次に、保護膜となる所定の液体をスプレー方式により塗布することによって保護膜１０（図１参照）を形成する。このとき、銅柱８の銅（Ｃｕ）と反応することによって、銅柱８の表面に銅プリフラックスが保護膜１０として形成される。その後、半導体基板１を所定のサイズにダイシングすることで、図２に示す半導体装置２００が得られる。

（半導体装置の実装方法）
次に、上述した半導体装置を実装基板に実装する実装方法について説明する。図８に示すように、まず、実装基板２０１を用意する。実装基板２０１の基材１３の表面には、バンプが接合される実装パッド１４が形成されている。その実装パッド１４に、スクリーン印刷によりフラックス（図示せず）を供給する。次に、フリップチップボンダなどによって、半導体装置２００のバンプ１００と実装パッド１４との位置合わせし、図９に示すように、半導体装置２００を実装基板２０１に搭載する。

次に、リフロー方式にて、第２のはんだ９を溶融し、固着させることで、図１０に示すように、バンプ１００を実装パッド１４へ接合する。なお、この後、バンプ１００とバンプ１００との間に、アンダーフィル剤やモールド樹脂を充填してもよい。こうして、半導体装置２００を実装基板２０１に実装した半導体装置の実装構造が得られる。

上述した半導体装置では、バンプ１００が、第１のはんだ７、銅柱８および第２のはんだ９の積層構造とされている。バンプとして、熱伝導性の高い銅柱８を用いることで熱伝導性を確保することができる。また、その銅柱８とボンディングパッド３との間に第１のはんだ７が介在している。これにより、放熱効率を維持しながら、バンプ１００やその周囲への熱応力を緩和させることができる。

さらに、上述したバンプ１００では、銅柱８の側面を覆うように保護膜１０が形成されている。これにより、溶融した第１のはんだ７および第２のはんだ９が、銅柱８の側面を濡らすことがなくなって、バンプ１００の品質を安定化させることができる。また、複数のバンプ１００を狭いピッチ（狭ピッチ）をもって配置しても、互いに隣接したバンプ１００において、一方のバンプ１００の溶融した第１のはんだ７または第２のはんだ９と、他方のバンプの溶融した第１のはんだ７または第２のはんだ９とが互いにつながってしまうのを阻止することができ、高密度な実装が可能になる。

実施の形態２
ここでは、バンプを備えた半導体装置とその実装構造等の第２例について説明する。

（半導体装置の要部）
半導体装置の要部について説明する。図１１に示すように、半導体装置２００のバンプ１００では、第１のはんだ７と銅柱８との間に第１のバリアメタル１５が形成されている。また、銅柱８と第２のはんだ９との間に第２のバリアメタル１６が形成されている。第１のバリアメタル１５および第２のバリアメタル１６のそれぞれの材料は、たとえば、ニッケル（Ｎｉ）である。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

（半導体装置の製造方法）
次に、上述した半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３〜図５に示す工程と同様の工程を経て、図１２に示すように、ボンディングパッド３が形成されている領域に位置するシード層５を露出する開口を有する第２のめっきレジスト１２が形成される。

次に、図１３に示すように、それぞれ電解めっき法を用いて、アンダーバンプメタル６、第１のはんだ７、第１のバリアメタル１５、銅柱８、第２のバリアメタル１６および第２のはんだ９を積層する。次に、リフロー方式にて加熱することで、積層された金属に蓄積された内部応力を除去する。その後、図７に示す工程と同様の工程等を経た後、図１１に示す半導体装置２００が得られる。

（半導体装置の実装方法）
次に、上述した半導体装置を実装基板に実装する実装方法について説明する。まず、図８に示す工程と同様に、実装パッドが形成された実装基板を用意する。次に、図９に示す工程と同様に、半導体装置のバンプと実装パッドとの位置合わせし、半導体装置を実装基板に搭載する。その後、リフロー方式にて、第２のはんだを溶融し、固着させることで、図１４に示すように、バンプ１００を実装パッド１４へ接合する。こうして、半導体装置２００を実装基板２０１に実装した半導体装置の実装構造が得られる。

上述した半導体装置では、まず、第１のはんだ７と銅柱８との間に第１のバリアメタル１５が形成され、また、銅柱８と第２のはんだ９との間に第２のバリアメタル１６が形成されている。これにより、第１のはんだ７と銅柱８との間と、銅柱８と第２のはんだ９との間のそれぞれに、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）の合金層が形成されるのを防止することができ、バンプ１００の接続信頼性を向上させることができる。

また、バンプ１００では、熱伝導性の高い銅柱８を用い、その銅柱８とボンディングパッド３との間に第１のはんだ７を介在させていることで、実施の形態１において説明したのと同様に、放熱効率を維持しながら、バンプ１００やその周囲への熱応力を緩和させることができる。

なお、上述した半導体装置の製造方法では、第１のバリアメタル１５と第２のバリアメタル１６とを電解めっき法によって形成する場合について説明したが、無電解めっき法によって形成してもよい。

実施の形態３
ここでは、バンプを備えた半導体装置とのその実装構造等の第３例について説明する。

（半導体装置の要部）
半導体装置の要部について説明する。図１５に示すように、半導体装置２００のバンプ１００では、第１のはんだ７、銅柱８および第２のはんだ９の表面（側面）を覆うように保護膜１０が形成されている。保護膜１０の材料は、たとえば、酸化物である。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

（半導体装置の製造方法）
次に、上述した半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３〜図６に示す工程と同様の工程を経て、図１６に示すように、アンダーバンプメタル６、第１のはんだ７、銅柱８および第２のはんだ９が積層される。次に、リフロー方式にて加熱することで、積層された金属に蓄積された内部応力を除去する。

次に、図１７に示すように、第２のめっきレジスト１２を剥離することによって、第１のはんだ７、銅柱８および第２のはんだ９の表面（側面）を露出させる。次に、乾燥炉にて１５０℃のもとで２４時間加熱し、第１のはんだ７、銅柱８および第２のはんだ９等の表面を酸化することにより、酸化物による保護膜１０（図１５参照）を形成する。こうして、図１５に示す半導体装置２００が得られる。

（半導体装置の実装方法）
次に、上述した半導体装置を実装基板に実装する実装方法について説明する。まず、図８に示す工程と同様に、実装パッドが形成された実装基板を用意する。次に、図９に示す工程と同様に、半導体装置のバンプと実装パッドとの位置合わせし、半導体装置を実装基板に搭載する。次に、リフロー方式にて、半導体装置２００および実装基板２０１を加熱する。

このとき、第２のはんだ９の表面に形成された保護膜１０が、実装パッド１４に塗布されたフラックスによって除去されて、第２のはんだ９が溶融する。その溶融した第２のはんだ９が固着することで、バンプ１００が実装パッド１４に接合する。こうして、図１８に示すように、半導体装置２００を実装基板２０１に実装した実装構造が得られる。

上述した半導体装置では、第１のはんだ７の表面（側面）に保護膜１０が形成されている。このため、半導体装置２００を実装基板２０１に実装する際に、リフロー方式による加熱によって、第１のはんだ７が変形しにくくなる。これにより、銅柱８の位置が定まりやすくなり、バンプ１００の品質を安定化させることができる。

また、バンプ１００では、熱伝導性の高い銅柱８を用い、その銅柱８とボンディングパッド３との間に第１のはんだ７を介在させていることで、実施の形態１において説明したのと同様に、放熱効率を維持しながら、バンプ１００やその周囲への熱応力を緩和させることができる。

なお、上述した半導体装置の製造方法では、保護膜１０を乾燥炉内にて酸化することによって形成する場合について説明したが、高温多湿のもとで、二酸化炭素と反応させることによって保護膜１０を形成するようにしてもよい。

実施の形態４
ここでは、バンプを備えた半導体装置とその実装構造等の第４例について説明する。

（半導体装置の要部）
半導体装置の要部について説明する。図１９に示すように、半導体装置２００のバンプ１００では、第１のはんだ７と銅柱８との間に第１のバリアメタル１５が形成されている。また、銅柱８と第２のはんだ９との間に第２のバリアメタル１６が形成されている。第１のはんだ７、第１のバリアメタル１５、銅柱８、第２のバリアメタル１６および第２のはんだ９の表面（側面）を覆うように保護膜１０が形成されている。なお、これ以外の構成については、図１に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。

（半導体装置の製造方法）
次に、上述した半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３〜図５および図１３に示す工程と同様の工程を経て、図２０に示すように、アンダーバンプメタル６、第１のはんだ７、第１のバリアメタル１５、銅柱８、第２のバリアメタル１６および第２のはんだ９を積層する。次に、リフロー方式にて加熱することで、積層された金属に蓄積された内部応力を除去する。その後、図７に示す工程と同様の工程等を経た後、図１９に示す半導体装置２００が得られる。

（半導体装置の実装方法）
次に、上述した半導体装置を実装基板に実装する実装方法について説明する。まず、図８に示す工程と同様に、実装パッドが形成された実装基板を用意する。次に、図９に示す工程と同様に、半導体装置のバンプと実装パッドとの位置合わせし、半導体装置を実装基板に搭載する。その後、リフロー方式にて、第２のはんだを溶融し、固着させることで、図２１に示すように、バンプ１００を実装パッド１４へ接合する。こうして、半導体装置２００を実装基板２０１に実装した実装構造が得られる。

上述した半導体装置では、まず、第１のはんだ７と銅柱８との間に第１のバリアメタル１５が形成され、また、銅柱８と第２のはんだ９との間に第２のバリアメタル１６が形成されている。これにより、第１のはんだ７と銅柱８との間と、銅柱８と第２のはんだ９との間のそれぞれに、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）の合金層が形成されるのを防止することができ、バンプ１００の接続信頼性を向上させることができる。

また、第１のはんだ７の表面（側面）に保護膜１０が形成されている。このため、半導体装置２００を実装基板２０１に実装する際に、リフロー方式による加熱によって、第１のはんだ７が変形しにくくなる。これにより、銅柱８の位置が定まりやすくなり、バンプ１００の品質を安定化させることができる。

そして、バンプ１００では、熱伝導性の高い銅柱８を用い、その銅柱８とボンディングパッド３との間に第１のはんだ７を介在させていることで、実施の形態１において説明したのと同様に、放熱効率を維持しながら、バンプ１００やその周囲への熱応力を緩和させることができる。

本発明は、バンプを備えた半導体装置に有効に利用される。

１ 半導体基板、２ 絶縁膜、３ ボンディングパッド、４ パッシベーション膜、５ シード層、６ アンダーバンプメタル、７ 第１のはんだ、８ 銅柱、９ 第２のはんだ、１０ 保護膜、１１ 第１のめっきレジスト、１２ 第２のめっきレジスト、１３ 基材、１４ 実装パッド、１５ 第１のバリアメタル、１６ 第２のバリアメタル、１００ バンプ、２００ 半導体装置、２０１ 実装基板。

Claims (9)

1. 半導体基板と、
   前記半導体基板の表面に形成されたボンディングパッドと、
   前記ボンディングパッドに形成されたバンプと
   を有し、
   前記バンプでは、第１のはんだ、銅柱および第２のはんだが順次積層されて、少なくとも前記銅柱の側面が保護膜によって覆われ、前記ボンディングパッドと前記銅柱との間に前記第１のはんだが介在している、半導体装置。
2. 前記バンプでは、
   前記第１のはんだと前記銅柱との間に第１のバリアメタルが形成され、
   前記銅柱と前記第２のはんだとの間に第２のバリアメタルが形成された、請求項１記載の半導体装置。
3. 前記第１のバリアメタルおよび前記第２のバリアメタルは、ニッケル（Ｎｉ）を含む、請求項２記載の半導体装置。
4. 前記保護膜は、前記バンプの表面の全体に形成された、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記保護膜は、銅プリフラックスおよび酸化物のいずれかである、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 半導体装置を実装基板に実装した半導体装置の実装構造であって、
   前記半導体装置は、
   半導体基板と、
   前記半導体基板の表面に形成されたボンディングパッドと、
   前記ボンディングパッドに形成されたバンプと
   を有し、
   前記バンプでは、第１のはんだ、銅柱および第２のはんだが順次積層されて、少なくとも前記銅柱の側面が保護膜によって覆われ、前記ボンディングパッドと前記銅柱との間に前記第１のはんだが介在し、
   前記実装基板は、
   基材と、
   前記基材の表面に形成された実装パッドと
   を有し、
   前記第２のはんだが前記実装パッドに接合された、半導体装置の実装構造。
7. 前記第１のはんだと前記銅柱との間に第１のバリアメタルが形成され、
   前記銅柱と前記第２のはんだとの間に第２のバリアメタルが形成された、請求項６記載の半導体装置の実装構造。
8. 前記第１のバリアメタルおよび前記第２のバリアメタルは、ニッケル（Ｎｉ）を含む、請求項７記載の半導体装置の実装構造。
9. 前記保護膜は、銅プリフラックスおよび酸化物のいずれかである、請求項６〜請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置の実装構造。

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