JP2015204329A - 炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】横型の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキー金属層4とホモエピタキシャル層1との接触面内にそれぞれ複数の導通領域及び非導通領域を設けると共に、カソード8とホモエピタキシャル層1との間にそれぞれ複数の導通領域及び非導通領域を設けて、アノード7とカソード8とを仮想直線で結んだときに、アノード7とカソード8との中点から離れる方向に向かって、アノード7の導通領域の面積とカソード8の導通領域の面積とが、それぞれ段階的に大きくなるようにした。
【選択図】図1
Description
(1)1×106Ωcm以上の電気抵抗率を有した単結晶炭化ケイ素基板と、その表面に形成された導電性のホモエピタキシャル層とを有して、該ホモエピタキシャル層の表面側に、カソードと、ショットキー金属層を介して形成されたアノードとが隙間をあけて横並びに配置された横型の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードであって、
前記ショットキー金属層と前記ホモエピタキシャル層との接触面内にそれぞれ複数の導通領域及び非導通領域を設けると共に、前記カソードと前記ホモエピタキシャル層との間にそれぞれ複数の導通領域及び非導通領域を設け、かつ、前記アノードとカソードとを仮想直線で結んだときに、アノードとカソードとの中点から離れる方向に向かって、アノードの導通領域の面積とカソードの導通領域の面積とが、それぞれ段階的に大きくなるようにしたことを特徴とする炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
(2)前記ショットキー金属層とホモエピタキシャル層との接触面内に設けた非導通領域が、導電性のホモエピタキシャル層と逆極性を有する炭化ケイ素層からなることを特徴とする(1)に記載の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
(3)前記カソードと前記ホモエピタキシャル層との間の非導通領域が、導電性のホモエピタキシャル層に埋め込まれたシリコン酸化膜から形成されることを特徴とする(1)に記載の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
(4)(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードを2素子以上並列に接続して、モジュール化したことを特徴とする炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
先ず、本発明のショットキーダイオードは、ホモエピタキシャル層の厚さ方向に電流を流さず、ホモエピタキシャル層の膜面に平行な方向に電流を流す横型のデバイスを基本とする。すなわち、本発明のショットキーダイオードは、単結晶SiC基板と、その表面に形成された導電性のホモエピタキシャル層とを有して、該ホモエピタキシャル層の表面側に、カソードと、ショットキー金属層を介して形成されたアノードとが隙間をあけて横並びに配置される。このため逆バイアス時の電界もホモエピタキシャル層の膜面に平行な方向となることから、耐電圧は同一面上に置いたアノード、カソードの各電極間の距離(ピッチ)に概ね比例することになる。これにより、ホモエピタキシャル層として厚い膜を設けずともピッチの幅を広げることで高耐電圧に対応可能となる。このためエピ欠陥を誘発しやすい厚膜のエピ膜を形成せずとも、高耐圧のダイオードを設計することが可能となる。
ホモエピタキシャル層1は窒素を不純物とするn型のSiCエピ層(n-)であり、厚さは10μm、不純物濃度は1×1016cm−3である。2は電気抵抗率が1×106Ωcm以上の高電気抵抗を有する市販の単結晶SiC基板(半絶縁SiC基板)であって、基板厚さは約350μmであり、(0001)Si面から<11-20>方向に4°微傾斜させた基板である。また、3は厚さ0.1μmのシリコン酸化膜であり、4はショットキー金属層であって、膜厚0.1μmのチタンにより形成される。このショットキー金属層4上には、アノードとして厚さ3μmであって矩形のアルミニウム金属7が接合されている。
ホモエピタキシャル層14は窒素を不純物とするn型のSiCエピ層(n-)であり、厚さは10μm、不純物濃度は1×1016cm−3である。15は電気抵抗率が1×106Ωcm以上の高電気抵抗を有する市販の単結晶SiC基板(半絶縁SiC基板)であり、基板の厚さは約350μmであって、(0001)Si面から<11-20>方向に4°微傾斜させた基板である。16は厚さ0.1μmのシリコン酸化膜、17はショットキー金属層であって、厚さ0.1μmのモリブデンにより形成される。このショットキー金属層17上には、アノードとして厚さ3μmであって円形状のアルミニウム金属20が接合されている。
2 半絶縁SiC基板
3 シリコン酸化膜
4 ショットキー金属層
5 逆極性層
6 アルミニウム金属
7 アノード
8 カソード
9 IV特性
10 IV特性
11 ボンディングワイヤ
12 カソード
13 アノード
14 SiCホモエピタキシャル層
15 半絶縁SiC基板
16 シリコン酸化膜
17 ショットキー金属層
18 逆極性層
19 アルミニウム金属
20 アノード
21 カソード
Claims (4)
- 1×106Ωcm以上の電気抵抗率を有した単結晶炭化ケイ素基板と、その表面に形成された導電性のホモエピタキシャル層とを有して、該ホモエピタキシャル層の表面側に、カソードと、ショットキー金属層を介して形成されたアノードとが隙間をあけて横並びに配置された横型の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードであって、
前記ショットキー金属層と前記ホモエピタキシャル層との接触面内にそれぞれ複数の導通領域及び非導通領域を設けると共に、前記カソードと前記ホモエピタキシャル層との間にそれぞれ複数の導通領域及び非導通領域を設け、かつ、前記アノードとカソードとを仮想直線で結んだときに、アノードとカソードとの中点から離れる方向に向かって、アノードの導通領域の面積とカソードの導通領域の面積とが、それぞれ段階的に大きくなるようにしたことを特徴とする炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。 - 前記ショットキー金属層とホモエピタキシャル層との接触面内に設けた非導通領域が、導電性のホモエピタキシャル層と逆極性を有する炭化ケイ素層からなることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
- 前記カソードと前記ホモエピタキシャル層との間の非導通領域が、導電性のホモエピタキシャル層に埋め込まれたシリコン酸化膜から形成されることを特徴とする請求項1に記載の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードを2素子以上並列に接続して、モジュール化したことを特徴とする炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード。
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CN113193052A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-07-30 | 东莞市佳骏电子科技有限公司 | 一种大导通电流的碳化硅二极管 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003533051A (ja) * | 2000-05-10 | 2003-11-05 | クリー インコーポレイテッド | 炭化ケイ素金属半導体電界効果トランジスタ及び炭化ケイ素の金属半導体電界効果トランジスタを製造する方法 |
JP2013157587A (ja) * | 2012-01-28 | 2013-08-15 | Mtec:Kk | 化合物半導体 |
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