JP2015195303A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板搬送機構ＴＢ１は、上流のＩＤ部３から２枚の基板Ｗを、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の２本のアーム６１ｂ，６１ｃを用いて受け取り、受け取った２枚の基板Ｗの中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗを保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａと用いて、処理ブロックＢ１の各処理ユニットに対して基板Ｗの受け渡しを行い、基板Ｗを処理ユニットで処理している間、基板Ｗを受け取った残りの１本のアーム６１ｃで１枚の基板Ｗを保持した状態にし、処理ブロックＢ１で所定の処理を行った１枚の基板Ｗを保持する１本の例えばアーム６１ａと、１枚の基板Ｗを保持した１本のアーム６１ｃとを用いて、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板Ｗを引き渡す。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関し、特に、基板搬送の技術に関する。

従来の基板処理装置は、図１７のように、インデクサ部１０３と、処理部１０５と、インターフェース部１０７とを備えている。また、処理部１０５として、レジスト膜などの塗膜を基板Ｗに形成するための塗布工程処理ブロックＢ１０１と、基板Ｗを現像するための現像工程処理ブロックＢ１０２とを備えている。各処理ブロックＢ１０１，Ｂ１０２は、基板Ｗを保持するアームを有する単一の基板搬送機構と、各種の処理ユニットとを備えている（例えば、特許文献１〜３参照）。

各処理ブロックＢ１０１，Ｂ１０２で処理される基板Ｗは、インデクサ部１０３から送り出される。インデクサ部１０３は、複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣを載置する載置台１０９と、キャリアＣから基板Ｗを取り出し、また、キャリアＣへ基板Ｗを収納するインデクサ用搬送機構（不図示）とを備えている。また、各処理ブロックＢ１０１，Ｂ１０２等は、インターフェース部１０７を介在して、例えば露光装置などの外部装置ＥＸＰと基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを行えるようになっている。

図１７の基板処理装置の処理部１０５において、塗布工程処理ブロックＢ１０１を下層に、また、現像工程処理ブロックＢ１０２を上層に配置し、積層構造で構成されている。インデクサ部１０３のキャリアＣから取り出した基板Ｗは、塗布工程処理ブロックＢ１０１、インターフェース部１０７の順番で、外部装置としての露光装置ＥＸＰに送り出される。そして、露光装置ＥＸＰでの露光処理後の基板Ｗは、インターフェース部１０７、現像工程処理ブロックＢ１０２の順番で戻され、インデクサ部１０３によりキャリアＣに収納される。すなわち、各処理ブロックＢ１０１，Ｂ１０２において、基板Ｗは、一方向に搬送され、基板処理装置内を循環するように搬送される。

特許第３３３７６７７号 特開２０１２−０３３８６３号公報 特開２００６−２１６６１４号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、基板処理装置の基板処理能力を向上させるために、更に、各処理ブロックＢ１０１，Ｂ１０２を例えば上下方向に積層させることで、並行処理させる手法が考えられる。しかしながら、高さ方向に制限がある。そこで、特許文献３や図１８のように、各処理ブロックＢ１０１，Ｂ１０２を各々、同一搬送経路ＲＡ，ＲＢに沿って横方向に増設する手法が考えられる。しかしながら、この手法の場合、同じプロセス処理（例えば塗布工程処理）を行う複数の処理ブロック間における並行処理の処理効率が低下する問題がある。

すなわち、図１８の上流の処理ブロック（符号ＢＸ参照）において、基板搬送機構は、載置部から基板Ｗを受け取ると、現状の２本のアームを用いて、各種処理ユニットに対し、基板Ｗの入れ替えを行う。しかしながら、基板搬送機構は、その基板Ｗの入れ替えの動作に加えて、並行処理させるために下流の処理ブロックにも基板Ｗを搬送しなければならない。下流の処理ブロックにおいても、基板搬送機構は、各種処理ユニットに対する基板Ｗの入れ替えの動作に加えて、並行処理させるために上流の処理ブロックで所定の処理が行われた基板Ｗを搬送しなければならない。そのため、上流および下流の処理ブロックは共に、搬送工程数が多くなる。また、上流および下流の処理ブロックの各々で搬送工程数が異なってくると、プロセス処理にかかる時間が各処理ブロックで異なることがある。この場合、並行処理させるための他の処理ブロックへの基板搬送数により、プロセス処理にかかる時間が長くなってしまう。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、同一搬送経路に沿って同じプロセス処理を行う複数の処理ブロックを配置した場合に、処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止できる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、同一搬送経路に沿って設けられ、基板に対して同じプロセス処理を行う、２以上の自然数であるｎ個の処理ブロックを備え、前記処理ブロックは、基板に対して予め設定された処理を行う少なくとも１つの処理ユニットと、基板を保持するためのｎ＋１本のアームを備えた単一の基板搬送機構とを有し、前記基板搬送機構は、上流のブロックからｎ枚の基板を、前記ｎ＋１本のアームの中のｎ本のアームを用いて受け取り、前記受け取ったｎ枚の基板の中、当該処理ブロックで処理すべき１枚の基板を保持する１本のアームと、基板を保持していない１本のアームと用いて、当該処理ブロックの処理ユニットに対して基板の受け渡しを行い、前記基板を前記処理ユニットで処理している間、基板を受け取った残りのｎ−１本のアームでｎ−１枚の基板を保持した状態にし、当該処理ブロックで所定の処理を行った１枚の基板を保持する１本のアームと、前記ｎ−１枚の基板を保持したｎ−１本のアームとを用いて、下流のブロックにｎ枚の基板を引き渡すことを特徴とするものである。

本発明に係る基板処理装置によれば、基板搬送機構は、ｎ個の処理ブロック数に対応してｎ＋１本のアームを備えている。基板搬送機構は、上流のブロックからｎ枚の基板を、ｎ＋１本のアームの中のｎ本のアームを用いて受け取り、受け取ったｎ枚の基板の中、当該処理ブロックで処理すべき１枚の基板を保持する１本のアームと、基板を保持していない１本のアームと用いて、当該処理ブロックの処理ユニットに対して基板の受け渡しを行い、基板を前記処理ユニットで処理している間、基板を受け取った残りのｎ−１本のアームでｎ−１枚の基板を保持した状態にし、当該処理ブロックで所定の処理を行った１枚の基板を保持する１本のアームと、ｎ−１枚の基板を保持したｎ−１本のアームとを用いて、下流のブロックにｎ枚の基板を引き渡す。

すなわち、ある処理ブロック内において、基板搬送機構は、その処理ブロック内を通過させる基板をｎ−１本のアームで保持しながら、従来通りの各処理ユニットに対する基板の受け渡し（入れ替え）を行って、その処理ブロックにおけるプロセス処理を行う。また、次の処理ブロックにおいても同様に、基板搬送され、同じプロセス処理が行われる。そのため、搬送工程数を少なくすることができる。また、各処理ブロックにおいて、各処理ユニット等への基板の搬送工程数をほぼ同じにできるので、各処理ブロックのプロセス処理にかかる時間もほぼ同じにすることができる。したがって、処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止することができる。

また、本発明に係る基板処理装置において、前記基板搬送機構は、前記アームを水平方向に移動可能に支持し、前記搬送経路に沿って移動可能であるアーム支持台を更に備え、前記基板搬送機構は、前記アーム支持台が前記搬送経路の上流のブロック側に位置する際に、上流のブロックからｎ枚の基板を受け取ることが好ましい。また、前記基板搬送機構は、前記アームを水平方向に移動可能に支持し、前記搬送経路に沿って移動可能であるアーム支持台を更に備え、前記基板搬送機構は、前記アーム支持台が前記搬送経路の下流のブロック側に位置する際に、下流のブロックにｎ枚の基板を引き渡すことが好ましい。

これにより、アームを支持するアーム支持台を移動させる構成の場合であって、上流のブロックからｎ枚の基板を受け取るとき、また、下流のブロックにｎ枚の基板を引き渡すときに、処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止することができる。

また、本発明に係る基板処理装置において、前記基板搬送機構は、上流のブロックから同時にｎ枚の基板を受け取ることが好ましい。また、前記基板搬送機構は、下流のブロックに同時にｎ枚の基板を引き渡すことが好ましい。これにより、基板搬送時間を短縮することができるので、基板処理装置の処理能力を向上させることができる。

また、本発明に係る基板処理装置において、隣接する上流または下流のブロックとの間に設けられ、基板の受け取りおよび引き渡しのいずれかを行うための基板を載置する載置部を更に備えていることが好ましい。これにより、隣接するブロック間における基板の受け取りおよび引き渡しのいずれかを、基板を載置部に載置させて行うことができるので、基板の搬送を容易に行うことができる。

また、本発明に係る基板処理装置において、前記載置部は、ｎ＋１枚の基板を載置可能である共に、前記ｎ＋１本のアームにより基板の受け取りおよび引き渡しのいずれかを同時に行うことが可能であることが好ましい。これにより、載置部において、基板搬送時間を短縮することができるので、基板処理装置の処理能力を向上させることができる。

また、本発明に係る基板処理装置において、前記基板搬送機構は、前記基板を保持した状態のアームよりも下方で、当該処理ブロックの処理ユニットの各々に対する基板の受け渡しを行うことが好ましい。これにより、基板を保持した状態のアーム以外の各処理ユニットに対する基板の受け渡しを行うアームが、その受け渡しによってダストを仮に生じさせたとしても、保持した状態の基板上に付着することを防止することができる。

また、本発明に係る基板処理装置の一例は、前記搬送経路は、第１の搬送経路および第２の搬送経路が並列に構成され、前記処理ブロックは、前記第１の搬送経路に沿って第１方向に基板を搬送すると共にプロセス処理を実行し、一方、前記第２の搬送経路に沿って前記第１方向と反対の第２方向に基板を搬送すると共に前記第１の搬送経路と異なるプロセス処理を実行することである。これにより、基板処理装置内の搬送経路において、基板を一方向に循環させるように搬送することができるので、基板処理装置の処理能力を向上させることができる。

また、本発明に係る基板処理装置の一例は、前記搬送経路は、第１の搬送経路および第２の搬送経路が直列に構成され、前記処理ブロックは、前記第１の搬送経路および前記第２の搬送経路に沿って第１方向に基板を搬送すると共に前記第１の搬送経路でプロセス処理を実行し、一方、前記第１の搬送経路および前記第２の搬送経路に沿って前記第１方向と反対の第２方向に基板を搬送すると共に前記第２の搬送経路で前記第１の搬送経路と異なるプロセス処理を実行することである。これにより、基板処理装置内の搬送経路において、基板を双方向に搬送させることができる。

本発明に係る基板処理装置によれば、ある処理ブロック内において、基板搬送機構は、その処理ブロック内を通過させる基板をｎ−１本のアームで保持しながら、従来通りの各処理ユニットに対する基板の受け渡し（入れ替え）を行って、その処理ブロックにおけるプロセス処理を行う。また、次の処理ブロックにおいても同様に、基板搬送され、同じプロセス処理が行われる。そのため、搬送工程数を少なくすることができる。また、各処理ブロックにおいて、各処理ユニット等への基板の搬送工程数をほぼ同じにできるので、各処理ブロックのプロセス処理にかかる時間もほぼ同じにすることができる。したがって、処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止することができる。

実施例１に係る基板処理装置および、その処理部の上層の処理ブロックを示す平面図である。 処理部の下層の処理ブロックを示す平面図である。 実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。 実施例１に係る基板処理装置の右側面図である。 実施例１に係る基板処理装置の左側面図である。 主搬送機構の斜視図である。 （ａ）〜（ｃ）は、載置部に対する主搬送機構の基板搬送の動作例を説明するための図である。 （ａ）および（ｂ）は、各処理ユニットに対する主搬送機構の基板受け渡し（入れ替え）の動作例を説明するための図である。 （ａ）〜（ｆ）は、主搬送機構の動作を説明するための図である。 （ａ）〜（ｆ）は、主搬送機構の動作を説明するための図である。 （ａ）〜（ｄ）は、主搬送機構の動作を説明するための図である。 基板処理装置の動作のフローチャートである。 実施例２に係る基板処理装置の側面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、主搬送機構の動作を説明するための図である。 （ａ）〜（ｃ）は、主搬送機構の動作を説明するための図である。 （ａ）〜（ｄ）は、主搬送機構の動作を説明するための図である。 従来の基板処理装置の側面図である。 従来の基板処理装置の側面図である。

以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置および、その処理部の上層の処理ブロックを示す平面図である。図２は、処理部の下層の処理ブロックを示す平面図である。図３は、実施例１に係る基板処理装置の縦断面図である。

図１を参照する。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜等を形成し、また、露光された基板Ｗを現像するものである。基板処理装置１は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と呼ぶ）３と、処理部５と、インターフェース部（以下、「ＩＦ部」と呼ぶ）７とを備えている。ＩＤ部３、処理部５およびＩＦ部７は、この順で隣接して設けられている。ＩＦ部７には、さらに本装置１とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられている。順番に各構成を説明する。

［ＩＤ部３］
図１〜図３のいずれかを参照する。ＩＤ部３は、複数枚の基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗを収容するキャリアＣを載置するキャリア載置台９と、ＩＤ部内搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＡ１、ＴＡ２とを備えている。なお、キャリアＣは、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）が例示される。

搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、各キャリアＣから基板Ｗを取り出して図２および図３の載置部ＰＳ１に基板Ｗを搬送し、図１および図３の後述する載置部ＰＳ７から基板Ｗを受け取って各キャリアＣに収納する（戻す）ようになっている。各搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、１以上の保持アーム１１と、保持アーム１１を上下および水平方向に移動させ、保持アーム１１を上下（Ｚ方向）軸心周りに旋回させる保持アーム支持台１３とを備えている。２つの搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、基板処理装置１の幅方向（Ｙ方向）に並ぶように設けられている。

なお、図１において、キャリア載置台９は、２つ設けられているが、１つ又は３つ以上であってもよい。ＩＤ部内搬送機構は、３つ以上で構成されていてもよいし、１つで構成され、基板処理装置１の幅方向（Ｙ方向）に移動可能に構成されていてもよい。ＩＤ部３は、本発明のブロックに相当する。

［処理部５の概要］
処理部５は、上下方向（Ｚ方向）に２つの階層で構成されており、合計４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４を備えている。図３において、下層では、ＩＤ部３とＩＦ部７を結ぶ同一の搬送経路ＲＡに沿って、２つ（ｎ個）の処理ブロックＢ１，Ｂ２が隣接して設けられ、上層では、ＩＤ部３とＩＦ部７を結ぶ同一の搬送経路ＲＢに沿って、２つ（ｎ個）の処理ブロックＢ３，Ｂ４が隣接して設けられている。なお、ｎは自然数を示している。処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、本発明のブロックに相当する。また、搬送経路ＲＡは、本発明の第１の搬送経路に相当し、搬送経路ＲＢは、本発明の第２の搬送経路に相当する。なお、搬送経路ＲＢが本発明の第１の搬送経路に相当し、搬送経路ＲＡが本発明の第２の搬送経路に相当してもよい。

処理部５は、予め設定された手順で行う少なくとも１つの処理であるプロセス処理を行うものである。具体的には、処理部５は、基板Ｗに塗膜を形成する塗布工程処理、および基板Ｗを現像する現像工程処理などを行う。すなわち、図２の２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２では、塗布工程処理が行われ、図１の２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４では、現像工程処理が行われる。

各処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、基板Ｗに対して予め設定された処理を行う少なくとも１つの処理ユニットＵと、基板Ｗを保持するための３本（ｎ個＋１）のアームを有する単一の主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４とを備えている。すなわち、処理部５は、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４で構成される場合、合計４台の主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４を備えている。なお、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、本発明の基板搬送機構に相当する。

本発明の特徴部分は、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４における基板搬送に関する。例えば、搬送経路ＲＡに沿って、塗布工程処理を行う２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２が設けられている。主搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ２で処理予定の基板Ｗを保持しながら、各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行う。一方、主搬送機構ＴＢ２は、処理ブロックＢ１で処理済みの基板Ｗを保持しながら、各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行う。そのため、各処理ブロックＢ１，Ｂ２において、各処理ユニットＵ等への基板Ｗの搬送工程数をほぼ同じにできるので、各処理ブロックＢ１，Ｂ２のプロセス処理にかかる時間もほぼ同じにすることができる。したがって、処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止することができる。なお、処理部５の詳細は、後で説明する。

［ＩＦ部７］
ＩＦ部７は、処理部５で払い出された基板Ｗを外部装置である露光機ＥＸＰに搬送し、また、露光機ＥＸＰによる露光処理が済んだ露光処理済みの基板Ｗを処理部５に戻すために搬送するためのものである。ＩＦ部７は、まず、第１の処理部側搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＣ１と、第２の処理部側搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＣ２と、単一の露光機側搬送機構（以下適宜、「搬送機構」と呼ぶ）ＴＤとを備えている。搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＤは、搬送機構ＴＡ１，ＴＡ２と同様に構成されている。

また、ＩＦ部７は、少なくとも１つの処理ユニットＵと、露光機ＥＸＰとの基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを行うための載置兼冷却部ＰＡＳＳ−ＣＰと、載置台ＰＳ４と、送りバッファ部ＳＢＦと、戻りバッファ部ＲＢＦとを備えている。処理ユニットＵは、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰとを備えている（図３〜図５参照）。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、単一であり、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部で保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。加熱冷却ユニットＰＨＰは、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。その他、ＩＦ部７は、例えば、露光機ＥＸＰが液浸法を採用している場合、露光処理前の基板Ｗを洗浄し、乾燥させる露光前洗浄処理ユニット２１と、露光処理後の基板Ｗを洗浄し、乾燥させる露光後洗浄処理ユニット２３とを備えていてもよい。

なお、載置兼冷却部ＰＡＳＳ−ＣＰ、載置台ＰＳ４、送りバッファ部ＳＢＦおよび戻りバッファ部ＲＢＦは、１枚以上の基板Ｗを載置可能に構成されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷ、加熱冷却ユニットＰＨＰ、露光前洗浄処理ユニット２１、および露光後洗浄処理ユニット２３は、１つ以上で構成される。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷは、処理部５の２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４に設けられてもよい。各種の処理ユニットＵの種類および配置等は、図１および図３のものに限定されず、適宜、設定されている。ＩＦ部７は、本発明のブロックに相当する。

［制御系の構成］
基板処理装置１は、主制御部３１と入出力部３３を備えている。主制御部３１および入出力部３３は、図１のように、例えば、ＩＤ部３に設置されている。主制御部３１は、ＩＤ部３、処理部５およびＩＦ部７の各構成を統括的に制御し、ＣＰＵ等によって構成されている。具体的には、主制御部３１は、各種の搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４および各種の処理ユニットＵ等の動作を制御する。

入出力部３３は、例えばＩＤ部３の側壁に取り付けられている。入出力部３３は、基板処理装置１における基板Ｗの搬送状況や処理状況を表示する。また、ユーザーは、入出力部３３の表示に関連する命令や、各種の搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４等および各種の処理ユニットＵの動作に関連する命令を入出力部３３に入力可能である。

［処理部５の詳細］
次に、処理部５の詳細の構成について説明する。処理部５は、図１〜図３のように、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４を備えている。下層には、同一の搬送経路ＲＡに沿って２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２が設けられ、上層には、同一の搬送経路ＲＢに沿って２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４が設けられている。各処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、少なくとも１つの処理ユニットＵ（例えば、符号ＰＨＰ，符号ＣＰ，符号ＨＰ等）と、単一の主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４とを備えている。例えば、処理ブロックＢ３は、図１のように、複数の処理ユニットＵと、単一の主搬送機構ＴＢ３とを備えており、同様に、処理ブロックＢ４は、複数の処理ユニットＵと、単一の主搬送機構ＴＢ４とを備えている。

各処理ブロックＢ１〜Ｂ４には、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４により、ＩＤ部３とＩＦ部７との間で基板Ｗを搬送させるための搬送スペースＡ１〜Ａ４が設けられている。各搬送スペースＡ１〜Ａ４の両側に処理ユニットＵが設けられるようになっている。

次に、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４の処理ユニットＵについて説明する。図１において、キャリアＣ側から見た図を正面図とした場合、図４は、基板処理装置１の右側面図であり、図５は、基板処理装置１の左側面図である。すなわち、各搬送スペースＡ１〜Ａ４を挟んで、一方の処理ユニットＵの配置を図４で示し、他方の処理ユニットＵの配置を図５で示す。

＜処理ブロックＢ１，Ｂ２の各処理ユニットＵ＞
２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２は、図４のように、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜用の塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成するレジスト膜用の塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを備えている。各塗布処理ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳＩＳＴは、水平方向２つ、かつ上下方向に２つの２列×２段で配置できるようになっている。

各塗布処理ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳＩＳＴは、図２のように、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部４１と、基板Ｗに処理液（例えばレジスト液）を供給する供給部４３と等を備えている。供給部４３は、複数のノズル４５の中の１つのノズル４５を選択し、ノズル４５の待機位置と基板Ｗの上方の処理位置の間を移動できるようになっている。

また、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２は、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４７を備えている。熱処理ユニット４７は、図５のように、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰと、密着強化処理ユニットＰＡＨＰとを備えている。密着強化処理ユニットＰＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等の密着強化剤を基板Ｗに塗布して加熱することで、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるものである。熱処理ユニット４７は、例えば、水平方向に３つ、かつ縦方向５つの３列×５段で配置できるようになっている。また、各熱処理ユニット４７は、基板Ｗを載置するプレート４９を備えている。

＜処理ブロックＢ３，Ｂ４の各処理ユニットＵ＞
一方、２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４は、図４のように、基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶを備えている。各現像処理ユニットＤＥＶは、水平方向２つ、かつ上下方向に２つの２列×２段で配置できるようになっている。また、現像処理ユニットＤＥＶは、図１のように、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部５１と、現像液を供給する供給部５３と等を備えている。

また、２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４は、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット５７を備えている。熱処理ユニット５７は、図５のように、基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱冷却ユニットＰＨＰとを備えている。熱処理ユニット５７は、例えば、水平方向に３つ、かつ縦方向５つの３列×５段で配置できるようになっている。

なお、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４において、各種の処理ユニットＵの種類および配置等は、図４および図５のものに限定されず、適宜、設定されている。

＜基板Ｗを搬送するための構成＞
次に、処理部５における基板Ｗを搬送するための構成について説明する。本実施例では、図３の２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢのように、基板Ｗは、処理ブロックＢ１から処理ブロックＢ２へ搬送され、また、処理ブロックＢ３からＢ４へ搬送される。

また、基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかは、載置部ＰＳ１〜ＰＳ３，ＰＳ５〜ＰＳ７を介在して行われる。すなわち、基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかは、ＩＤ部３と処理ブロックＢ１，Ｂ４の間、処理ブロックＢ１，Ｂ２間、処理ブロックＢ３，Ｂ４間、および処理ブロックＢ２，Ｂ３とＩＦ部７の間において、ＰＳ１〜ＰＳ３，ＰＳ５〜ＰＳ７を介在して行われる。例えば、ＩＤ部３と処理ブロックＢ１との間では、載置部ＰＳ１を介在して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかが行われ、処理ブロックＢ１，Ｂ２間は、載置部ＰＳ２を介在して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかが行われる。

なお、載置部ＰＳ１〜ＰＳ３，ＰＳ５〜ＰＳ７は、３枚（ｎ＋１枚）の基板を載置可能である共に、後述する３本のアーム６１ａ〜６１ｃにより基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを同時に行うことが可能である。また、載置部ＰＳ１〜ＰＳ７等は、基板Ｗが載置されているか否かを判定するためのセンサ（不図示）が設けられており、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、そのセンサの信号により基板Ｗを受け取りおよび引き渡しのいずれかをするようになっている。なお、載置部ＰＳ１，ＰＳ５は、２枚（ｎ枚）の基板Ｗを載置できるようになっていてもよい。

また、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４において、基板Ｗは、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４により搬送される。各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４が設けられた処理ブロックＢ１〜Ｂ４内で基板Ｗを搬送するようになっている。各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４が設けられた各処理ブロックＢ１〜Ｂ４において、全ての処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡しを行えるようになっている。

ここで、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４について説明する。４つの主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、ほぼ同じ構成であるので、主搬送機構ＴＢ１を例に説明する。図６は、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４の斜視図である。

主搬送機構ＴＢ１は、基板Ｗを保持するための３本のアーム６１ａ〜６１ｃと、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの各々を同じ水平方向に移動可能に支持するアーム支持台６３と、アーム支持台６３を縦軸心Ｑ周り（Ｚ方向周り）に回転可能に支持するベース部６５とを備えている。また、主搬送機構ＴＢ１は、上下方向に案内する第１ガイドレール６７と、搬送経路ＲＡに沿った横方向に案内する第２ガイドレール６９とを備えている。ベース部６５は、第１ガイドレール６７および第２ガイドレール６９によって、２次元方向に移動されるようになっている。３本のアーム６１ａ〜６１ｃの水平移動、アーム支持台６３の回転、およびベース部６５の２次元方向の移動は、モータ等の駆動機構（不図示）により行われる。

次に、主搬送機構ＴＢ１の３本のアーム６１ａ〜６１ｃについて説明する。３本のアーム６１ａ〜６１ｃは各々、独立して移動でき、基板Ｗの受け渡す際に互いに移動を妨げないようになっている。例えば、アーム６１ａを移動させる場合、アーム６１ａは、他のアーム６１ｂ，６１ｃと同じ方向に移動し、また、他のアーム６１ｂ，６１ｃは、アーム６１ａの移動を妨げないようになっている。また、例えば、載置部ＰＳ５に対して基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを行う場合、１本のアームのみを移動させて基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかができることは勿論のこと、２本又は３本のアームを移動させて基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかが同時にできるようになっている。なお、次の図７の説明のように、主搬送機構ＴＢ１は、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の２本のアームを用いて載置部ＰＳ１から２枚の基板Ｗを同時に受け取るようになっている。

図７は、載置部ＰＳ１に対する主搬送機構ＴＢ１の基板Ｗ搬送の動作例を説明するための図である。なお、図７（ａ）は、２枚の基板Ｗを受け取る前のアーム６１ａ〜６１ｃの状態を示し、図７（ｂ）は、２枚の基板Ｗを受け取っている最中のアームの状態を示す。また、図７（ｃ）は、２枚の基板Ｗを受け取った後のアームの状態を示す図である。

主搬送機構ＴＢ１は、図７（ａ）のように、アーム支持台６３等を載置台ＰＳ１側に移動させる。主搬送機構ＴＢ１は、図７（ｂ）のように、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中、例えば上２本のアーム６１ａ，６１ｂを水平移動させて、載置部ＰＳ１に載置された２枚の基板Ｗを同時に受け取る。そして、主搬送機構ＴＢ１は、図７（ｃ）のように、２本のアーム６１ａ，６１ｂを水平移動させて元の位置に戻し、アーム支持台６３等を処理ユニットＵ等に移動する。

また、図８（ａ）および図８（ｂ）は、各処理ユニットＵに対する主搬送機構ＴＢ１の基板Ｗ受け渡し（入れ替え）の動作例を説明するための図である。主搬送機構ＴＢ１は、図８（ａ）のように、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中、基板Ｗを保持していないアーム６１ｃで、まず、処理ユニットＵの例えば冷却処理の済んだ基板Ｗを受け取る。そして、主搬送機構ＴＢ１は、図８（ｂ）のように、基板Ｗを保持する２本のアームの中、処理ブロックＢ１で塗布工程処理を行う基板Ｗをその処理ユニットＵに引き渡す。

なお、上述の説明では、下層の処理ブロックＢ１，Ｂ２が塗布工程処理であり、上層の処理ブロックＢ３，Ｂ４が現像工程処理であったが、その逆であってもよい。すなわち、上層の処理ブロックＢ３，Ｂ４が塗布工程処理であり、下層の処理ブロックＢ１，Ｂ２が現像工程処理であってもよい。

また、上述の説明では、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２および２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４は、上下方向に積層して構成されていた。この点、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２および２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４は、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢが水平方向（Ｙ方向）に並列になるように構成されていもよい。また、処理ブロックは、上下方向に３層以上で積層して構成されていてもよい。

［基板処理装置の動作］
次に、本実施例の基板処理装置１の動作を説明する。図９（ａ）〜図９（ｆ）（以下適宜、「図９」と呼ぶ）、図１０（ａ）〜図１０（ｆ）（以下適宜、「図１０」と呼ぶ）、および図１１（ａ）〜図１１（ｄ）（以下適宜、「図１１」と呼ぶ）は、各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４の動作を説明するための図である。図９（ｆ）の次の説明は、図１０（ａ）であり、また、図１０（ｆ）の次の説明は、図１１（ａ）である。図１２は、基板処理装置１の動作のフローチャートである。

なお、図９〜図１１において、基板搬送の説明を簡単にするために、熱処理ユニット４７および回転保持部４１で示される処理ユニットＵの中、２つの処理ユニットＵに順番に基板Ｗを搬送するようになっている。しかしながら、図１２の例のように、ステップＳ０２の処理ブロックＢ１、およびステップＳ０４の処理ブロックＢ２では、７つの処理ユニットＵに順番に基板Ｗを搬送するようになっている。この場合、例えば図１１（ｄ）のようになる。なお、図１１（ｄ）において、各載置部ＰＳ１〜ＰＳ３および各主搬送機構ＴＢ１，ＴＢ２は、２枚の基板Ｗを保持した状態を示し、各処理ブロックＢ１，Ｂ２は、７つの処理ユニットに１枚の基板Ｗを保持した状態を示す。また、図１２の例のように、ステップＳ０８の処理ブロックＢ３、およびステップＳ１０の処理ブロックＢ４では、４つの処理ユニットＵに順番に基板Ｗを搬送するようになっている。図９〜図１１の符号Ｗ１，Ｗ２等は、載置部ＰＳ１等に順番に搬送された基板Ｗの番号を示す。基板Ｗの番号を特に区別しない場合は「基板Ｗ」と示す。

まず、図９〜図１１を参照して、２つの主搬送機構ＴＢ１，ＴＢ２の動作を説明する。なお、２つの主搬送機構ＴＢ３，ＴＢ４の動作は、２つの主搬送機構ＴＢ１，ＴＢ２の動作と同様であるので、省略する。

図９（ａ）において、載置部ＰＳ１には、ＩＤ部３の搬送機構ＴＡ１より２枚の基板Ｗ１，Ｗ２が搬送されている。処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ１を介在して、上流のＩＤ部３から２枚（ｎ枚）の基板Ｗ１，Ｗ２を、３本（ｎ＋１本）のアーム６１ａ〜６１ｃの中の例えば下２本（ｎ本）のアーム６１ｂ，６１ｃで同時に受け取る。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ１から２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を同時に受け取る。この際、主搬送機構ＴＢ１のアーム支持台６３（図３参照）は、搬送経路ＲＡの上流のＩＤ部３側（載置台ＰＳ１側）に位置する。

図９（ｂ）において、受け取った２枚の基板Ｗ１，Ｗ２の中の１枚の基板Ｗ１は、処理ブロックＢ１で処理される。一方、残りの１枚（ｎ−１枚）の基板Ｗ２は、次の処理ブロックＢ２で処理するために、例えばアーム６１ｃに保持した状態にされる。主搬送機構ＴＢ１は、受け取った２枚（ｎ枚）の基板Ｗ１，Ｗ２の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ１を保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行う。

図９（ｂ）においては、主搬送機構ＴＢ１は、処理ユニットＵ（熱処理ユニット４７）に対して、処理ユニットＵ（熱処理ユニット４７）に基板Ｗが存在しないので、基板Ｗ１の引き渡しのみ行う。このように、基板Ｗの受け渡しは、基板Ｗの受け取りおよび基板Ｗの引き渡しの少なくとも一方を示している。

図９（ｃ）において、主搬送機構ＴＢ１は、各処理ユニットＵによる基板Ｗの処理の終了を待たない場合は、１本のアーム６１ｃで１枚の基板Ｗ２を、載置部ＰＳ２を介在して、下流の処理ブロックＢ２に１枚の基板Ｗ２を引き渡す。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ２に基板Ｗ２を搬送する。この際、主搬送機構ＴＢ１のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの下流の処理ブロックＢ２側（載置台ＰＳ２側）に位置する。

図９（ｄ）において、載置部ＰＳ１には、ＩＤ部３の搬送機構ＴＡ１より２枚の基板Ｗ３，Ｗ４が搬送されている。処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図９（ａ）のように、２本のアーム６１ｂ，６１ｃで、載置部ＰＳ１から２枚の基板Ｗ３，Ｗ４を同時に受け取る。

一方、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、１本のアーム６１ｃで、載置部ＰＳ２から１枚の基板Ｗ２を受け取る。この際、主搬送機構ＴＢ２のアーム支持台６３（図３参照）は、搬送経路ＲＡの上流の処理ブロックＢ１側（載置台ＰＳ２側）に位置する。なお、主搬送機構ＴＢ２による基板Ｗ２の受け取りは、主搬送機構ＴＢ１によるＷ３，Ｗ４の受け取りに同期させなくてもよい。すなわち、主搬送機構ＴＢ２は、主搬送機構ＴＢ１の各アーム６１ａ〜６１ｃと干渉しないように、載置部ＰＳ２に基板Ｗ２が搬送された後、直ぐに基板Ｗ２を受け取るようにしてもよい。これにより、基板Ｗ２を処理ユニットＵに早く搬送することができる。

図９（ｅ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、受け取った２枚（ｎ枚）の基板Ｗ３，Ｗ４の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ３を保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、２本のアーム６１ａ，６１ｂにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ１と基板Ｗ３の受け渡しを行う。

一方、処理ブロックＴＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、処理ユニットＵ（熱処理ユニット４７）に対して、基板Ｗ２を引き渡す。

図９（ｆ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、受け取った２枚（ｎ枚）の基板Ｗ１，Ｗ４の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ１を保持する１本のアーム６１ａと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ｂとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。図９（ｆ）においては、主搬送機構ＴＢ１は、処理ユニットＵ（回転保持部４１）に対して、処理ユニットＵ（回転保持部４１）に基板Ｗが存在しないので、基板Ｗ１の引き渡しのみ行う。

図１０（ａ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図９（ｃ）のように、各処理ユニットＵによる基板Ｗ１の処理の終了を待たない場合は、１本のアーム６１ｃで１枚の基板Ｗ４を、載置部ＰＳ２を介在して、下流の処理ブロックＢ２に１枚の基板Ｗ４を引き渡す。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ２に基板Ｗ４を搬送する。

図１０（ｂ）において、載置部ＰＳ１には、ＩＤ部３の搬送機構ＴＡ１より２枚の基板Ｗ５，Ｗ６が搬送されている。処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図９（ａ）のように、載置部ＰＳ１から２枚の基板Ｗ５，Ｗ６を同時に受け取る。

一方、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、図９（ｄ）のように、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、１本のアーム６１ｃで、載置部ＰＳ２から１枚の基板Ｗ４を受け取る。

図１０（ｃ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図９（ｅ）のように、受け取った２枚の基板Ｗ５，Ｗ６の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ５を保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、２本のアーム６１ａ，６１ｂにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ３と基板Ｗ５の受け渡しを行う。

一方、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、処理ブロックＢ２で処理すべき１枚の基板Ｗ４を保持する１本のアーム６１ｃと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ２の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、２本のアーム６１ａ，６１ｃにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ２と基板Ｗ４の受け渡しを行う。

図１０（ｄ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、受け取った２枚の基板Ｗ３，Ｗ６の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ３を保持する１本のアーム６１ａと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ｂとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、２本のアーム６１ａ，６１ｂにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ１と基板Ｗ３の受け渡しを行う。なお、図１０（ｃ）および図１０（ｄ）において、主搬送機構ＴＢ１の１本のアーム６１ｃは、基板Ｗ６を保持した状態である。

一方、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、処理ブロックＢ２で処理すべき１枚の基板Ｗ２を保持する１本のアーム６１ａと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ｃとを用いて、処理ブロックＢ２の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。図１０（ｄ）においては、主搬送機構ＴＢ２は、処理ユニットＵ（回転保持部４１）に対して、処理ユニットＵ（回転保持部４１）に基板Ｗが存在しないので、基板Ｗ２の引き渡しのみ行う。

図１０（ｅ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ１で所定の処理を行った１枚の基板Ｗ１を保持する１本の例えばアーム６１ｂと、１枚（ｎ−１枚）の基板Ｗ６を保持した１本（ｎ−１本）のアーム６１ｃとを用いて、載置部ＰＳ２を介在して、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板Ｗ１，Ｗ６を同時に引き渡す。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ２に２枚の基板Ｗ１，Ｗ６を同時に搬送する。この際、主搬送機構ＴＢ１のアーム支持台６３（図３参照）は、搬送経路ＲＡの下流の処理ブロックＢ２側（載置台ＰＳ２側）に位置する。

図１０（ｆ）において、載置部ＰＳ１には、ＩＤ部３の搬送機構ＴＡ１より２枚の基板Ｗ７，Ｗ８が搬送されている。処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図９（ａ）のように、載置部ＰＳ１から２枚の基板Ｗ７，Ｗ８を同時に受け取る。

一方、載置部ＰＳ２には、２枚の基板Ｗ１，Ｗ６が搬送されている。処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＳ２を介在して、上流の処理ブロックＢ１から２枚の基板Ｗ１，Ｗ６を、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の例えば下２本のアーム６１ｂ，６１ｃで同時に受け取る。すなわち、主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＳ２から２枚の基板Ｗ１，Ｗ６を同時に受け取る。この際、主搬送機構ＴＢ２のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの上流の処理ブロックＢ１側（載置台ＰＳ２側）に位置する。

図１１（ａ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図９（ｅ）のように、受け取った２枚の基板Ｗ７，Ｗ８の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ７を保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、２本のアーム６１ａ，６１ｂにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ５と基板Ｗ７の受け渡しを行う。

一方、処理ブロックＢ２において、受け取った２枚の基板Ｗ１，Ｗ６の中の１枚の基板Ｗ６は、処理ブロックＢ２で処理される。一方、残りの１枚（ｎ−１枚）の基板Ｗ１は、処理ブロックＢ２を通過させるために、例えばアーム６１ｂに保持した状態にされる。処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、受け取った２枚の基板Ｗ１，Ｗ６の中、処理ブロックＢ２で処理すべき１枚の基板Ｗ６を保持する１本のアーム６１ｃと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ２の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ２は、２本のアーム６１ａ，６１ｃにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ４と基板Ｗ６の受け渡しを行う。

図１１（ｂ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図１０（ｄ）のように、受け取った２枚の基板Ｗ５，Ｗ８の中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗ５を保持する１本のアーム６１ａと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ｂとを用いて、処理ブロックＢ１の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、２本のアーム６１ａ，６１ｂにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ３と基板Ｗ５の受け渡しを行う。

一方、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、受け取った２枚の基板Ｗ１，Ｗ４の中、処理ブロックＢ２で処理すべき１枚の基板Ｗ４を保持する１本のアーム６１ａと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ｃとを用いて、処理ブロックＢ２の処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行う。すなわち、主搬送機構ＴＢ２は、２本のアーム６１ａ，６１ｃにより、処理ユニットＵに対して基板Ｗ２と基板Ｗ４の受け渡しを行う。なお、図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、主搬送機構ＴＢ２の１本のアーム６１ｂは、基板Ｗ１を保持した状態である。

図１１（ｃ）において、処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１は、図１０（ｅ）のように、処理ブロックＢ１で所定の処理を行った１枚の基板Ｗ３を保持する１本の例えばアーム６１ｂと、１枚の基板Ｗ８を保持した１本のアーム６１ｃとを用いて、載置部ＰＳ２を介在して、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板Ｗ３，Ｗ８を同時に引き渡す。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ２に２枚の基板Ｗ３，Ｗ８を同時に搬送する。

一方、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、処理ブロックＢ２で所定の処理を行った１枚の基板Ｗ２を保持する１本の例えばアーム６１ｃと、１枚の基板Ｗ１を保持した１本のアーム６１ｂとを用いて、載置部ＰＳ３を介在して、下流のＩＦ部７に２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を同時に引き渡す。すなわち、主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＳ３に２枚の基板Ｗ１，Ｗ２を同時に搬送する。この際、主搬送機構ＴＢ２のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの下流のＩＦ部７側（載置台ＰＳ３側）に位置する。

なお、図１０（ｆ）〜図１１（ｃ）の動作を１回繰り返すことで、載置部ＰＳ３には、２枚の基板Ｗ３，Ｗ４が搬送される。

次に、図１２を参照して基板処理装置１の動作のフローチャートを説明する。図１２のステップＳ０１〜Ｓ１１は、キャリア載置台９（図３参照）に載置されたキャリアＣから基板Ｗを取り出して、所定の処理を行い、キャリアＣに収納する（戻す）工程を示している。まず、ステップＳ０１〜ステップＳ５の２つ（ｎ個）の処理ブロックＢ１，Ｂ２による塗布工程処理について説明し、また、ステップＳ０６のＩＦ部７および露光機ＥＸＰによる処理について説明する。

〔ステップＳ０１〕載置部ＰＳ１を介在した基板搬送
ユーザー又はキャリア搬送装置（図示せず）は、ＩＤ部３のキャリア載置台９に、複数枚の基板Ｗを収容したキャリアＣを搬送する。ＩＤ部３の搬送機構ＴＡ１は、キャリアＣから基板Ｗを取り出し、載置部ＰＳ１に基板Ｗを搬送する。また、搬送機構ＴＡ１は、キャリアＣに収容された基板Ｗを載置部ＰＳ１に順次搬送する。

主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ１を介在して、上流のＩＤ部３から２枚（ｎ枚）の基板Ｗを、３本（ｎ＋１本）のアーム６１ａ〜６１ｃの中の例えば下２本（ｎ本）のアーム６１ｂ，６１ｃで同時に受け取る（図１０（ｂ）参照）。この際、主搬送機構ＴＢ１のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの上流のＩＤ部３側に位置する。受け取った２枚の基板Ｗは共に、同じプロセス処理（塗布工程処理）が未処理の基板Ｗである。

〔ステップＳ０２〕処理ブロックＢ１による処理
処理ブロックＢ１は、塗布工程に関する一連の処理を行う。この一連の処理は、冷却ユニットＣＰ、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ、加熱冷却ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰ、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ、加熱冷却ユニットＰＨＰ、および冷却ユニットＣＰでの７つの処理を、この記載の順番に行う処理である。なお、必要に応じて、密着強化処理ユニットＰＡＨＰも用いられる。また、塗布工程は、上述の７つの処理に限定されず、他の処理数であってもよいし、７つの処理を処理ブロックＢ１で並行処理してもよい。

この際、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ１から受け取った２枚の基板Ｗの中の１枚の基板Ｗを保持しながら、処理ブロックＢ１内の塗布工程処理を残りの２本のアームで進める（図１０（ｃ）および図１０（ｄ）参照）。

すなわち、受け取った２枚の基板Ｗの中の１枚の基板Ｗは、処理ブロックＢ１で処理される。一方、残りの１枚の基板Ｗは、次の処理ブロックＢ２で処理するために、例えばアーム６１ｃに保持した状態にされる。具体的には、主搬送機構ＴＢ１は、受け取った２枚（ｎ枚）の基板Ｗの中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗを保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ１の各処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を順次行う。また、主搬送機構ＴＢ１は、基板Ｗを各処理ユニットＵで処理している間、基板Ｗを受け取った残りの１本（ｎ−１本）のアーム６１ｃで１枚（ｎ−１枚）の基板Ｗを保持した状態にする。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡しを行っている間、１枚の基板Ｗを保持した状態にする。

なお、図１０（ｃ）および図１０（ｄ）において、主搬送機構ＴＢ１は、基板Ｗを処理ユニットＵで処理している間、基板Ｗ６をアーム６１ｃで保持した状態にしている。基板Ｗを処理ユニットＵで処理している間の処理とは、図１２のステップＳ０２の場合は、冷却ユニットＣＰ等の７つの処理ユニットＵにおける処理を示し、また、図１０（ｃ）の場合は、基板Ｗ１，Ｗ５が存在する２つの処理ユニットＵにおける処理を示す。すなわち、図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）の場合、基板Ｗを処理ユニットＵで処理している間とは、主搬送機構ＴＢ１が、基板Ｗ５，Ｗ６を同時に受け取って、処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行い、２つの処理ユニットＵで各々処理された基板Ｗ１を受け取るまでを示す。主搬送機構ＴＢ２〜ＴＢ４も主搬送機構ＴＢ１と同様である。

〔ステップＳ０３〕載置部ＰＳ２を介在した基板搬送
処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行っている２本のアーム６１ａ，６１ｂのいずれかが、処理ブロックＢ１で所定の処理（ステップＳ２）が済んだ基板Ｗを受け取る。この後、主搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ１で所定の処理を行った１枚の基板Ｗを保持する１本の例えばアーム６１ｂと、１枚（ｎ−１枚）の基板Ｗを保持した１本（ｎ−１本）のアーム６１ｃとを用いて、載置部ＰＳ２を介在して、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板Ｗを引き渡す（図１０（ｅ）参照）。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ１での処理が済んだ処理済み基板Ｗと、処理ブロックＢ２で処理するための未処理の基板Ｗとの２枚の基板Ｗを載置部ＰＳ２に搬送する。この際、主搬送機構ＴＢ１のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの下流の処理ブロックＢ２側に位置する。

処理ブロックＢ１の主搬送機構ＴＢ１による載置部ＰＳ２への基板Ｗの搬送後、処理ブロックＢ２の主搬送機構ＴＢ２は、載置部ＰＳ２を介在して、上流の処理ブロックＢ１から２枚の基板Ｗを３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の例えば下２本のアーム６１ｂ，６１ｃで同時に受け取る（図１０（ｆ）参照）。この際、主搬送機構ＴＢ２のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの上流の処理ブロックＢ１側に位置する。

なお、図１０（ｂ）〜図１０（ｆ）において、２枚の基板Ｗが載置部ＰＳ１から載置部ＰＳ２へ搬送されるまでの間に、ＩＤ部３の搬送機構ＴＡ１によって、載置部ＰＳ１には、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２で次に処理される２枚の基板Ｗが搬送される。２つの主搬送機構ＴＢ１，ＴＢ２は、ほぼ同じタイミングで、２枚の基板Ｗを各々受け取る。

〔ステップＳ０４〕処理ブロックＢ２による処理
処理ブロックＢ２は、塗布工程に関する一連の所定の処理を行う。処理ブロックＢ２は、ステップＳ０２の処理ブロックＢ１の処理と同じ処理を行うので、一連の所定の処理の説明を省略する。

また、主搬送機構ＴＢ２は、受け取った２枚の基板Ｗの中、処理ブロックＢ２で処理すべき１枚の基板Ｗを保持する１本のアーム６１ｃと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａとを用いて、処理ブロックＢ２の各処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を順次行う（図１１（ａ）および図１１（ｂ）参照）。また、主搬送機構ＴＢ２は、基板Ｗを各処理ユニットＵで処理している間、基板Ｗを受け取った残りの１本のアーム６１ｂで１枚の基板Ｗを保持した状態にする。保持した状態の基板Ｗは、処理ブロックＢ１で処理された基板Ｗである。

〔ステップＳ０５〕載置部ＰＳ３を介在した基板搬送
処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行っている２本のアーム６１ａ，６１ｃのいずれかが、処理ブロックＢ２で所定の処理（ステップＳ４）が済んだ基板Ｗを受け取る。この後、主搬送機構ＴＢ２は、処理ブロックＢ２で所定の処理を行った１枚の基板Ｗを保持する１本の例えばアーム６１ｃと、１枚の基板Ｗを保持した１本のアーム６１ｂとを用いて、載置部ＰＳ３を介在して、下流のＩＦ部７に２枚の基板Ｗを引き渡す（図１１（ｃ）参照）。すなわち、主搬送機構ＴＢ１は、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２で処理が済んだ処理済みの２枚の基板Ｗを載置部ＰＳ３に搬送する。この際、主搬送機構ＴＢ２のアーム支持台６３は、搬送経路ＲＡの下流のＩＦ部７側に位置する。

このように、同じタイミングで載置部ＰＳ３に搬送された２枚の基板Ｗは、処理ブロックＢ１，Ｂ２の各々で塗布処理工程が行われた基板Ｗである。そのため、載置部ＰＳ３の時点で２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２で同時に塗布工程処理が行われたことになる。すなわち、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２で並行処理が行われたことを示す。そして、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２において、２つの主搬送機構ＴＢ１，ＴＢ２は、例えばアーム６１ｃで基板Ｗを保持しながら、残りのアーム６１ａ，６１ｂで通常通りの各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行っている。また、各処理ブロックＢ１，Ｂ２において、同じ塗布工程処理が行われる。これにより、基板Ｗの搬送工程数を少なくすることができる。また、各処理ユニットＵ等への基板Ｗの搬送工程数をほぼ同じとなり、各処理ブロックＢ１，Ｂ２の塗布工程処理にかかる時間もほぼ同じとなる。

主搬送機構ＴＢ１は、上流のＩＤ部３から同時に２枚の基板Ｗを受け取っている。また、主搬送機構ＴＢ１は、下流の処理ブロックＢ２に同時に２枚の基板Ｗを引き渡している。これにより、基板搬送時間を短縮することができるので、基板処理装置１の処理能力を向上させることができる。

載置部ＰＳ３への基板Ｗの搬送後、図３のＩＦ部７の第１の処理部側搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＳ３に搬送された基板Ｗを受け取る。

〔ステップＳ０６〕ＩＦ部７および露光機ＥＸＰによる処理
ＩＦ部７は、外部装置である露光機ＥＸＰに対する前処理および後処理を行い、露光機ＥＸＰは、露光処理を行う。基板Ｗは、搬送機構ＴＣ１，ＴＣ２，ＴＤによって搬送される。基板Ｗは、順番に、エッジ露光ユニットＥＥＷ、載置兼冷却部ＰＡＳＳ−ＣＰ、露光機ＥＸＰ、載置部ＰＳ４、および加熱冷却ユニットＰＨＰによる処理が行われる。なお、必要に応じて、露光前洗浄処理ユニット２１および露光後洗浄処理ユニット２３による処理を行ってもよい。

次に、ステップＳ０７〜ステップＳ１１の２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４による現像工程処理について説明する。なお、基板搬送については、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２と同様であるので、簡単に説明する。また、図１０（ｂ）〜図１１（ｃ）において、処理ブロックＢ３は、処理ブロックＢ１の構成を参照し、処理ブロックＢ４は、処理ブロックＢ２の構成を参照する。

〔ステップＳ０７〕載置部ＰＳ５を介在した基板搬送
ＩＦ部７の加熱冷却ユニットＰＨＰによる処理後の基板Ｗは、搬送機構ＴＣ２により載置部ＰＳ５に搬送される。処理ブロックＢ３の主搬送機構ＴＢ３は、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の例えば下２本のアーム６１ｂ，６１ｃで載置部ＰＳ５に載置された２枚の基板Ｗを同時に受け取る（図１０（ｂ）参照）。

〔ステップＳ０８〕処理ブロックＢ３による処理
処理ブロックＢ３は、現像工程に関する一連の所定の処理を行う。この一連の処理は、冷却ユニットＣＰ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰ、および冷却ユニットＣＰを、この記載の順番に行う４つの処理である。この際、主搬送機構ＴＢ３は、載置部ＰＳ５から受け取った２枚の基板Ｗの中の１枚の基板Ｗを保持しながら、処理ブロックＢ３内の現像工程処理（プロセス処理）を残りの２本のアーム６１ａ，６１ｂで進める（図１０（ｃ）および図１０（ｄ）参照）。なお、必要に応じて、加熱冷却ユニットＰＨＰによる処理を行ってもよい。また、現像工程は、上述の４つの処理に限定されず、他の処理数であってもよいし、４つの処理を処理ブロックＢ３で並行処理してもよい。

〔ステップＳ０９〕載置部ＰＳ６を介在した基板搬送
主搬送機構ＴＢ３は、処理ブロックＢ３での処理が済んだ処理済み基板Ｗと、処理ブロックＢ４で処理するための未処理の基板Ｗとの２枚の基板Ｗを載置部ＰＳ６に搬送する（図１０（ｅ）参照）。

処理ブロックＢ３の主搬送機構ＴＢ３による載置部ＰＳ６への基板Ｗの搬送後、処理ブロックＢ４の主搬送機構ＴＢ４は、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の例えば下２本のアーム６１ｂ，６１ｃで載置部ＰＳ６に載置された２枚の基板Ｗを同時に受け取る（図１０（ｆ）参照）。

なお、図１０（ｂ）〜図１０（ｆ）において、２枚の基板Ｗが載置部ＰＳ５から載置部ＰＳ６へ搬送されるまでの間に、ＩＦ部７の搬送機構ＴＣ２によって、載置部ＰＳ５には、２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４で次に処理される２枚の基板Ｗが搬送される。２つの主搬送機構ＴＢ３，ＴＢ４は、ほぼ同じタイミングで、２枚の基板Ｗを各々受け取る。

〔ステップＳ１０〕処理ブロックＢ４による処理
処理ブロックＢ４は、現像工程に関する一連の処理を行う。処理ブロックＢ４は、ステップＳ０８の処理ブロックＢ３の処理と同じ処理を行うので、一連の処理の説明を省略する。処理ブロックＢ４による現像工程処理の際、主搬送機構ＴＢ４は、載置部ＰＳ６から受け取った２枚の基板Ｗの中の１枚の基板Ｗを保持しながら、処理ブロックＢ４内の現像工程処理を残りの２本のアーム６１ａ，６１ｃで進める（図１１（ａ）および図１１（ｂ）参照）。

〔ステップＳ１１〕載置部ＰＳ７を介在した基板搬送
主搬送機構ＴＢ４は、２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４での現像工程処理が済んだ処理済みの２枚の基板Ｗを載置部ＰＳ７に搬送する（図１１（ｃ）参照）。載置部ＰＳ７への基板Ｗの搬送後、図１のＩＤ部３の搬送機構ＴＡ２は、載置部ＰＳ７に搬送された基板Ｗを受け取り、キャリア載置台９のキャリアＣに、塗布工程処理、露光処理および現像工程処理が終了した基板Ｗを収納する。そして、全ての基板Ｗが戻された後、ユーザー又はキャリア搬送機構（不図示）によりキャリアＣは、キャリア載置台９から移動される。

なお、キャリアＣは、基板Ｗを全て取り出された後、搬送機構ＴＡ１側のキャリア載置台９から搬送機構ＴＡ２側のキャリア載置台９に移動されている。また、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４の各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、載置部ＰＳ１〜ＰＳ３，ＰＳ５〜ＰＳ７に設けられた基板Ｗの有無を検出するセンサ等によって、個々に制御される。

本実施例によれば、各基板搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、２個の処理ブロック数に対応して３本のアーム６１ａ〜６１ｃを備えている。各基板搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４、例えば基板搬送機構ＴＢ１は、上流のＩＤ部３から２枚の基板Ｗを、３本のアーム６１ａ〜６１ｃの中の２本のアーム６１ｂ，６１ｃを用いて受け取り、受け取った２枚の基板Ｗの中、処理ブロックＢ１で処理すべき１枚の基板Ｗを保持する１本のアーム６１ｂと、基板Ｗを保持していない１本のアーム６１ａと用いて、処理ブロックＢ１の各処理ユニットＵに対して基板Ｗの受け渡しを行い、基板Ｗを処理ユニットＵで処理している間、基板Ｗを受け取った残りの１本（ｎ−１本）のアーム６１ｃで１枚の基板Ｗを保持した状態にする。そして、基板搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ１で所定の処理を行った１枚の基板Ｗを保持する１本の例えばアーム６１ａと、１枚の基板Ｗを保持した１本のアーム６１ｃとを用いて、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板Ｗを引き渡す。

すなわち、ある処理ブロックＢ１内において、基板搬送機構ＴＢ１は、その処理ブロックＢ１内を通過させる基板Ｗを例えばアーム６１ｃで保持しながら、従来通りの各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行って、その処理ブロックＢ１における塗布工程処理（プロセス処理）を行う。また、次の処理ブロックＢ２においても同様に、基板搬送され、同じ塗布工程処理が行われる。そのため、搬送工程数を少なくすることができる。また、各処理ブロックＢ１，Ｂ２において、各処理ユニットＵ等への基板Ｗの搬送工程数をほぼ同じにできるので、各処理ブロックＢ１，Ｂ２の塗布工程処理にかかる時間もほぼ同じにすることができる。したがって、処理ブロックＢ１，Ｂ２間および処理ブロックＢ３，Ｂ４間の並行処理の処理効率低下を防止することができる。

また、本発明により、基板Ｗの搬送工程数をほぼ同じにできるが、更に同じにするために、例えば、処理ブロックＢ１，Ｂ２間および処理ブロックＢ３，Ｂ４間の各種の処理ユニットＵの配置や個数を揃えてもよい。

また、各基板搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、アーム６１ａ〜６１ｃを水平方向に移動可能に支持し、搬送経路ＲＡ，ＲＢの各々に沿って移動可能であるアーム支持台６３を更に備えている。また、例えば、基板搬送機構ＴＢ１は、アーム支持台６３が搬送経路ＲＡの上流のＩＤ部３側に位置する際に、上流のＩＤ部３から２枚の基板Ｗを受け取り、また、アーム支持台６３が搬送経路ＲＡの下流の処理ブロックＢ２側に位置する際に、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板を引き渡す。

これにより、アーム６１ａ〜６１ｃを支持するアーム支持台６３を移動させる構成の場合であって、例えば、上流のＩＤ部３から２枚の基板Ｗを受け取るとき、また、下流の処理ブロックＢ２に２枚の基板を引き渡すときに、処理ブロック間並行処理の処理効率低下を防止することができる。

また、基板処理装置１において、隣接する例えば処理ブロックＢ１，Ｂ２間に設けられ、基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを行うための基板Ｗを載置する載置部ＰＳ２を備えている。これにより、隣接する２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２間における基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを、基板Ｗを載置部ＰＳ２に載置されて行うことで、基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを容易に行うことができる。

また、載置部ＰＳ２は、３枚の基板Ｗを載置可能である共に、３本のアーム６１ａ〜６１ｃにより基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかを同時に行うことが可能である。これにより、載置部ＰＳ２において、基板搬送時間を短縮することができるので、基板処理装置の処理能力を向上させることができる。

また、搬送経路ＲＡ，ＲＢは、搬送経路ＲＡおよび搬送経路ＲＢが並列に構成され、処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、搬送経路ＲＡに沿って第１方向に基板Ｗを搬送すると共に塗布工程処理を実行し、一方、搬送経路ＲＢに沿って第１方向と反対の第２方向に基板Ｗを搬送すると共に搬送経路ＲＡと異なる現像工程処理を実行している。これにより、基板処理装置１内の搬送経路ＲＡ，ＲＢにおいて、基板Ｗを一方向に循環させるように搬送することができるので、基板処理装置１の処理能力を向上させることができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。図１３は、実施例２に係る基板処理装置１の側面図である。なお、実施例１と重複する説明は省略する。

実施例１では、図３のように、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢが並列に構成され、下層の２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２と、上層の２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４は、上下方向に積層して構成されていた。そして、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、搬送経路ＲＡに沿って、ＩＤ部３からＩＦ部７への第１方向に基板Ｗを搬送すると共に塗布工程処理を実行し、一方、搬送経路ＲＢに沿って第１方向とは反対の第２方向に基板を搬送すると共に現像工程処理を実行していた。すなわち、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４において、基板Ｗを一方向に搬送していた。

その点、実施例２では、図１３のように、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢが直列に構成され、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、横方向に並んで構成されている。そして、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４は、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢに沿ってＩＤ部３からＩＦ部７への第１方向に基板Ｗを搬送すると共に搬送経路ＲＡで塗布工程処理を実行し、一方、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢに沿って第１方向と反対の第２方向に基板Ｗを搬送すると共に搬送経路ＲＢで現像工程処理を実行する。すなわち、４つの処理ブロックＢ１〜Ｂ４において、基板Ｗを双方向に搬送する。

図１３のように、ＩＤ部３と処理ブロックＢ１との間には、第１方向に基板Ｗを搬送するための載置部ＰＳ１１ａと、第２方向に基板Ｗを搬送するための載置部ＰＳ１１ｂとが設けられている。同様に、隣接する処理ブロックＢ１〜Ｂ４の間には各々、第１方向に基板Ｗを搬送するための載置部ＰＳ１２ａ〜ＰＳ１４ａと、第２方向に基板Ｗを搬送するための載置部ＰＳ１２ｂ〜ＰＳ１４ｂとが設けられている。また、処理ブロックＢ４とＩＦ部７との間には、第１方向に基板Ｗを搬送するための載置部ＰＳ１５ａと、第２方向に基板Ｗを搬送するための載置部ＰＳ１５ｂとが設けられている。

なお、搬送経路ＲＢで塗布工程処理し、搬送経路ＲＡで現像工程処理するように、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２と２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４の配置を入れ替えてもよい。また、図１３の処理部５は、１層で構成されるが、上下方向に２層以上で構成されていてもよい。また、図１３の奥行き方向（Ｙ方向）に２列以上で構成されていてもよい。

次に、本実施例の基板処理装置１の処理部５の動作の説明を行う。図１４（ａ）〜図１４（ｃ）（以下適宜「図１４」と呼ぶ）、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）（以下適宜「図１５」と呼ぶ）、および図１６（ａ）〜図１６（ｄ）（以下適宜、「図１６」と呼ぶ）は、４つの主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４の動作を説明するための図である。図１４（ｃ）の次の説明は、図１５（ａ）であり、また、図１５（ｃ）の次の説明は、図１６（ａ）である。

なお、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２の塗布工程処理、および２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４の現像工程処理は、実施例１と同様であるので、その説明を省略する。図１４〜図１６において、基板搬送の説明を更に簡単に行うために、１つの処理ユニットＵによる処理が終了すると次の処理ブロックに基板搬送している。各処理ブロックＢ１〜Ｂ４の各主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、図９〜図１１のように基板Ｗを搬送するので、その説明を省略する。図１４〜図１６の符号Ｗ１，Ｗ２等は、載置部ＰＳ１等に順番に搬送された基板Ｗの番号を示す。基板Ｗの番号を特に区別しない場合は「基板Ｗ」と示す。

図１４〜図１６では、処理ブロックＢ１から処理ブロックＢ４への第１方向、および処理ブロックＢ４から処理ブロックＢ１への第２方向の動作について図示されているが、基板搬送は同様に行われる。

なお、図１６（ｄ）において、各処理ブロックＢ１，Ｂ２で塗布工程処理され、載置部ＰＳ１３ａに載置された２枚の基板Ｗは、処理ブロックＢ３の主搬送機構ＴＢ３により、載置部ＰＳ１４ａに搬送される。また、載置部ＰＳ１４ａに搬送された基板Ｗは、処理ブロックＢ４の主搬送機構ＴＢ４により、載置部ＰＳ１５ａに搬送される。

このように、処理ブロックＢ１から処理ブロックＢ４へ基板Ｗを搬送する場合、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２では、塗布工程処理を行い、２つの処理ブロックＢ３，Ｂ４では、通過させるための基板搬送のみが行われる。通過させるための基板搬送は、例えば、次のように行われる。すなわち、図１５（ｃ）において、主搬送機構ＴＢ１は、載置部ＰＳ１２ａに２枚の基板Ｗを搬送した後、載置部ＰＳ１２ｂに載置された現像工程で処理済みの２枚の基板Ｗを受け取る。そして、主搬送機構ＴＢ１は、処理ブロックＢ１を通過させるための基板搬送を行って、載置部ＰＳ１１ｂに搬送し、２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２での塗布工程処理を行うための２枚の基板Ｗを載置部ＰＳ１１ａから受け取る。この基板搬送方法は、処理ブロックＢ２〜Ｂ４でも同様に行われる。

本実施例によれば、実施例１の効果を有し、更に、基板処理装置１内の搬送経路ＲＡ，ＲＢにおいて、基板Ｗを双方向に搬送させることができる。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した各実施例では、例えば、搬送経路ＲＡに沿って２つの処理ブロックＢ１，Ｂ２が設けられたが、２つに限定されない。すなわち、同一搬送経路に沿って３つ以上の処理ブロックが設けられていてもよい。例えば、処理ブロックが３つ設けられる場合、各処理ブロックの主搬送機構は、４本（３＋１本）のアームを備えるように構成される。また、この場合、基板搬送機構は、その基板搬送機構が設けられた処理ブロック内を通過させる基板Ｗを２本（３−１本）のアームで保持しながら、従来通りの各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行う。

（２）上述した各実施例および変形例（１）では、基板Ｗの受け取りおよび引き渡しのいずれかは、載置部ＰＳ１〜ＰＳ３，ＰＳ５〜ＰＳ７を介して行われていた。この点、基板Ｗの受け渡しおよび引き渡しのいずれかは、例えば、主搬送機構ＴＢ１と主搬送機構ＴＢ２のアーム同士で行ってもよい。

（３）上述した各実施例および各変形例では、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４のアーム支持台６３は、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢの各々に沿って移動可能であった。この点、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４のアーム支持台６３は、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢの各々に沿う方向に固定であってもよい。例えば、アーム支持台６３が移動しなくても、上流または下流のブロック、および各処理ユニットとの基板Ｗの受け渡しが可能である場合に、アーム支持台６３は、２つの搬送経路ＲＡ，ＲＢの各々に沿う方向に固定であってもよい。

（４）上述した各実施例および各変形例において、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、各処理ブロックＢ１〜Ｂ４を通過させる基板Ｗを保持した状態で、各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡しを行っている。この際、主搬送機構ＴＢ１〜ＴＢ４は、基板Ｗを保持した状態のアーム６１ａよりも下方で、各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡し（入れ替え）を行うようにしてもよい。これにより、基板Ｗを保持した状態のアーム以外の各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡しを行うアームが、その受け渡しによってダストを仮に生じさせたとしても、保持した状態の基板Ｗ上に付着することを防止することができる。

なお、図１０（ａ）のように、載置部ＰＳ１において、処理ブロックＢ１を通過させる基板Ｗが、処理ブロックＢ１で処理する基板Ｗよりも下側に位置する場合は、例えば、他の搬送機構により基板Ｗを入れ替えられるようにしてもよい。また、載置部ＰＳ１において、基板Ｗの載置位置が入れ替えられるような構成が設けられてもよい。また、主搬送機構ＢＴ１が載置部ＰＳ１から基板Ｗを受け取る際に、処理ブロックＢ１を通過させる基板Ｗを、各処理ユニットＵに対する基板Ｗの受け渡しするアームよりも上方のアームで受け取るように、基板Ｗを受け取るタイミングをずらすようにしてもよい。

１ … 基板処理装置
３ … インデクサ部（ＩＤ部）
５ … 処理部
７ … インターフェース部（ＩＦ部）
３１ … 主制御部
６１ａ〜６１ｃ … アーム
６３ … アーム支持台
６７ … 第１ガイドレール
６９ … 第２ガイドレール
ＲＡ，ＲＢ … 搬送経路
Ｕ … 処理ユニット
ＴＢ１〜ＴＢ４ … 主搬送機構
ＰＳ１〜ＰＳ７ … 載置部
ＰＳ１１ａ〜ＰＳ１５ａ … 載置部
ＰＳ１１ｂ〜ＰＳ１５ｂ … 載置部

Claims (10)

1. 同一搬送経路に沿って設けられ、基板に対して同じプロセス処理を行う、２以上の自然数であるｎ個の処理ブロックを備え、
   前記処理ブロックは、基板に対して予め設定された処理を行う少なくとも１つの処理ユニットと、基板を保持するためのｎ＋１本のアームを備えた単一の基板搬送機構とを有し、
   前記基板搬送機構は、
   上流のブロックからｎ枚の基板を、前記ｎ＋１本のアームの中のｎ本のアームを用いて受け取り、
   前記受け取ったｎ枚の基板の中、当該処理ブロックで処理すべき１枚の基板を保持する１本のアームと、基板を保持していない１本のアームと用いて、当該処理ブロックの処理ユニットに対して基板の受け渡しを行い、
   前記基板を前記処理ユニットで処理している間、基板を受け取った残りのｎ−１本のアームでｎ−１枚の基板を保持した状態にし、
   当該処理ブロックで所定の処理を行った１枚の基板を保持する１本のアームと、前記ｎ−１枚の基板を保持したｎ−１本のアームとを用いて、下流のブロックにｎ枚の基板を引き渡すことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記基板搬送機構は、前記アームを水平方向に移動可能に支持し、前記搬送経路に沿って移動可能であるアーム支持台を更に備え、
   前記基板搬送機構は、前記アーム支持台が前記搬送経路の上流のブロック側に位置する際に、上流のブロックからｎ枚の基板を受け取ることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
   前記基板搬送機構は、前記アームを水平方向に移動可能に支持し、前記搬送経路に沿って移動可能であるアーム支持台を更に備え、
   前記基板搬送機構は、前記アーム支持台が前記搬送経路の下流のブロック側に位置する際に、下流のブロックにｎ枚の基板を引き渡すことを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板搬送機構は、上流のブロックから同時にｎ枚の基板を受け取ることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板搬送機構は、下流のブロックに同時にｎ枚の基板を引き渡すことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
   隣接する上流または下流のブロックとの間に設けられ、基板の受け取りおよび引き渡しのいずれかを行うための基板を載置する載置部を更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   前記載置部は、ｎ＋１枚の基板を載置可能である共に、前記ｎ＋１本のアームにより基板の受け取りおよび引き渡しのいずれかを同時に行うことが可能であることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記基板搬送機構は、前記基板を保持した状態のアームよりも下方で、当該処理ブロックの処理ユニットの各々に対する基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記搬送経路は、第１の搬送経路および第２の搬送経路が並列に構成され、
   前記処理ブロックは、前記第１の搬送経路に沿って第１方向に基板を搬送すると共にプロセス処理を実行し、一方、前記第２の搬送経路に沿って前記第１方向と反対の第２方向に基板を搬送すると共に前記第１の搬送経路と異なるプロセス処理を実行することを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記搬送経路は、第１の搬送経路および第２の搬送経路が直列に構成され、
    前記処理ブロックは、前記第１の搬送経路および前記第２の搬送経路に沿って第１方向に基板を搬送すると共に前記第１の搬送経路でプロセス処理を実行し、一方、前記第１の搬送経路および前記第２の搬送経路に沿って前記第１方向と反対の第２方向に基板を搬送すると共に前記第２の搬送経路で前記第１の搬送経路と異なるプロセス処理を実行することを特徴とする基板処理装置。
    

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