TW201537661A - 基板處理裝置及基板搬送方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板搬送機構係使用3個臂中之2個臂自上游ID部接收2片基板，使用保持所接收之2片基板中應於處理區塊被處理之1片基板之1個臂、與未保持基板之1個臂，對處理區塊各處理單元進行基板之交接，且於處理單元處理基板之期間，設為以接收基板之剩餘之1個臂保持1片基板之狀態，並使用保持於處理區域進行特定處理之1片基板之例如1個臂、與保持1片基板之1個臂，將2片基板交付至下游之處理區塊。

Description

基板處理裝置及基板搬送方法
本發明係關於對半導體基板、液晶顯示用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等(以下，簡稱為「基板」)進行一連串處理之基板處理裝置及其基板處理裝置之基板搬送方法。
先前之基板處理裝置係如圖1般，包含分度部103、處理部105、及介面部107。又，作為處理部105，包含：塗佈步驟處理區塊B101，其用以於基板W上形成抗蝕劑膜等塗膜；及顯影步驟處理區塊B102，其用以使基板W顯影。各處理區塊B101、B102包含：單一之基板搬送機構，其具有保持基板W之臂；及各種處理單元(例如，參照日本國：專利第3337677號、日本國：特開2012-033863號公報、及日本國：特開2006-216614號公報)。
於各處理區塊B101、B102中處理之基板W自分度部103被送出。分度部103包含：載置台109，其載置收容複數片基板W之載具C；及分度用搬送機構(未圖示)，其自載具C取出基板W，又，將基板W收容於載具C。又，各處理區塊B101、B102等係經由介面部107，與例如曝光裝置等外部裝置EXP進行基板W接收及交付之任一者。
圖1之基板處理裝置之處理部105係以將塗佈步驟處理區塊B101配置於下層，且將顯影步驟處理區塊B102配置於上層之積層構造構 成。自分度部103之載具C取出之基板W以塗佈步驟處理區塊B101、介面部107之順序，被送出至作為外部裝置之曝光裝置EXP。接著，於曝光裝置EXP中曝光處理後之基板W係以介面部107、顯影步驟處理區塊B102之順序返回，並藉由分度部103收容於載具C。即，於各處理區塊B101、B102中，基板W係以於一方向搬送，且於基板處理裝置內循環之方式搬送。
然而，於包含此種構成之先前例之情形時，具有以下問題。
即，為了提高基板處理裝置之基板處理能力，考慮除了2個處理區塊B101、B102以外，進而藉由使處理區塊例如於上下方向積層，進一步並行處理之技術。然而，於高度方向有限制。因此，考慮如日本國：特開2006-216614號公報或圖2般，各自沿著相同搬送路徑RA、RB於橫方向增設各處理區塊B101、B102之技術。然而，於該技術之情形時，有進行相同製程處理(例如塗佈步驟處理)之複數個處理區塊間並行處理之處理效率低之問題。
即，於圖2之上游之處理區塊(參照符號BX)中，基板搬送機構自載置部接收基板W時，使用現狀之2個臂，對各處理單元，進行基板W之更換。然而，基板搬送機構係除了其基板W之更換動作以外，為了並行處理必須亦對下游之處理區塊搬送基板W。即使於下游之處理區塊中，基板搬送機構除了針對各種處理單元之基板W之更換動作以外，為了並行處理必須對在上游之處理區塊進行特定處理之基板W進行搬送。因此，上游及下游之處理區塊之搬送步驟數均較多。又，當上游及下游之處理區塊各者中搬送步驟數不同時，有可能各處理區塊中製程處理所耗費之時間不同。於該情形時，由於朝用以並行處理之其他處理區塊之基板搬送數，導致製程處理所耗費之時間增長。
本發明係鑑於此種狀況而完成者，目的在於提供一種基板處理裝置及基板搬送方法，其係於配置沿著相同搬送路徑進行相同製程處理之複數個處理區塊之情形時，可防止處理區塊間並行處理之處理效率降低。
本發明係為了達成此種目的，設為如下之構成。
即，本發明之基板處理裝置係特徵如下者：包含2以上之自然數的n個處理區塊，其係沿著相同搬送路徑設置且對基板進行相同製程處理，上述處理區塊包含：至少1個處理單元，其係對基板進行預先設定之處理；及單一之基板搬送機構，其係包含用以保持基板之n+1個臂，且上述基板搬送機構使用上述n+1個臂中之n個臂自上游之區塊接收n片基板，使用保持上述所接收之n片基板中應於該處理區塊被處理之1片基板之1個臂、與未保持基板之1個臂，對該處理區塊之處理單元進行基板之交接，於上述處理單元處理上述基板之期間，設為以接收基板之剩餘n-1個臂保持n-1片基板之狀態，使用保持於該處理區塊中進行特定處理之1片基板之1個臂、與保持上述n-1片基板之n-1個臂，將n片基板交付至下游之區塊。
根據本發明之基板處理裝置，基板搬送機構對應於n個處理區塊數而包含n+1個臂。基板搬送機構使用n+1個臂中之n個臂自上游之區塊接收n片基板，於接收之n片基板中，使用保持應於該處理區塊被處理之1片基板之1個臂、與未保持基板之1個臂，對該處理區塊之處理單元進行基板之交接，於上述處理單元處理基板之期間，設為以接收基板之剩餘n-1個臂保持n-1片基板之狀態，使用保持於該處理區塊進行特定處理之1片基板之1個臂、與保持n-1片基板之n-1個臂，將n片基板交付至下游之區塊。
即，於某處理區塊內，基板搬送機構以n-1個臂保持通過該處理 區塊內之基板，且進行如先前之針對各處理單元之基板之交接(更換)，並於其處理區塊中進行製程處理。又，於下一個處理區塊中亦同樣進行基板搬送、相同製程處理。因此，可減少搬送步驟數。又，由於於各處理區塊中，可將對各處理單元等之基板搬送步驟數設為大致相同，故亦可將各處理區塊之製程處理所耗費之時間設為大致相同。因此，可防止處理區塊間並行處理之處理效率降低。
又，於上述基板處理裝置中，上述基板搬送機構進而包含臂支持台，其以使上述臂可於水平方向移動地予以支持，並可沿著上述搬送路徑移動，且上述基板搬送機構較好為當上述臂支持台位於上述搬送路徑之上游之區塊側時，自上游之區塊接收n片基板。又，上述基板搬送機構係進而包含臂支持台，其以使上述臂可於水平方向移動地予以支持，並可沿著上述搬送路徑移動，且上述基板搬送機構較好為當上述臂支持台位於上述搬送路徑之下游之區塊側時，將n片基板交付至下游之區塊。
藉此，於使支持臂之臂支持台移動之構成之情形，當自上游之區塊接收n片基板時，又，當將n片基板交付至下游之區塊時，可防止處理區塊間並行處理之處理效率降低。
又，於上述基板處理裝置中，上述基板搬送機構較好為自上游之區塊同時接收n片基板。又，上述基板搬送機構較好為同時將n片基板交付至下游之區塊。藉此，由於可縮短基板搬送時間，故可提高基板處理裝置之處理能力。
又，於上述基板處理裝置中，較好進而包含載置部，其設置於鄰接之上游或下游之區塊之間，且載置用以進行基板之接收及交付之任一者之基板。藉此，由於可將基板載置於載置部而進行鄰接區塊間之基板之接收及交付之任一者，故可更容易地進行基板之搬送。
又，於上述基板處理裝置中，上述載置部較好可載置n+1片基 板，且藉由上述n+1個臂可同時地進行基板之接收及交付之任一者。藉此，由於於載置部中，可縮短基板搬送時間，故可提高基板處理裝置之處理能力。
又，於上述基板處理裝置中，上述基板搬送機構較好於比保持上述基板之狀態之臂更下方，進行針對該處理區塊之處理單元各者之基板交接。藉此，即使保持基板狀態之臂以外之進行針對各處理單元之基板交接的臂，因其交接而暫時產生灰塵，亦可防止附著於保持狀態之基板上。
又，上述基板處理裝置之一例中，上述搬送路徑係由第1搬送路徑及第2搬送路徑並聯地構成，上述處理區塊沿著上述第1搬送路徑於第1方向搬送基板且執行製程處理，另一方面，沿著上述第2搬送路徑於與上述第1方向相反之第2方向搬送基板且執行與上述第1搬送路徑不同之製程處理。藉此，由於於基板處理裝置內之搬送路徑中，可以使基板於一方向循環之方式搬送，故可提高基板處理裝置之處理能力。
又，上述基板處理裝置之一例中，上述搬送路徑係由第1搬送路徑及第2搬送路徑串聯地構成，上述處理區塊沿著上述第1搬送路徑及上述第2搬送路徑於第1方向搬送基板且於上述第1搬送路徑中執行製程處理，另一方面，沿著上述第1搬送路徑及上述第2搬送路徑於與上述第1方向相反之第2方向搬送基板且於上述第2搬送路徑中執行與上述第1搬送路徑不同之製程處理。藉此，於基板處理裝置內之搬送路徑中，可雙向搬送基板。
又，本發明之基板搬送方法係基板處理裝置之基板搬送方法，該基板處理裝置包含：2以上自然數的n個處理區塊，其係沿著相同搬送路徑設置、對基板進行相同製程處理，且上述處理區塊包含：至少1個處理單元，其係對基板進行預先設定之處理、及單一之基板搬送 機構，其係包含用以保持基板之臂，且藉由上述基板搬送機構執行之上述基板搬送方法包含以下步驟：使用上述基板搬送機構所包含之n+1個上述臂中之n個臂自上游之區塊接收n片基板之步驟；使用保持於上述所接收之n片基板中應於該處理區塊被處理之1片基板之1個臂、與未保持基板之1個臂，對該處理區塊之處理單元進行基板交接之步驟；於上述處理單元處理上述基板之期間，設為以接收基板之剩餘n-1個臂保持n-1片基板之狀態之步驟；使用保持於該處理區塊進行特定處理之1片基板之1個臂、與保持上述n-1片基板之n-1個臂，將n片基板交付至下游之區塊之步驟。
根據本發明之基板處理裝置及基板搬送方法，於某處理區塊內，基板搬送機構以n-1個臂保持通過其處理區塊內之基板，且進行如先前之針對各處理單元之基板之交接(更換)，並於其處理區塊中進行製程處理。又，即使於下一個處理區塊中亦相同，進行基板搬送、相同製程處理。因此，可減少搬送步驟數。又，由於於各處理區塊中，可將對各處理單元等之基板搬送步驟數設為大致相同，故可將各處理區塊之製程處理所耗費之時間亦設為大致相同。因此，可防止處理區塊間並行處理之處理效率降低。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧分度部(ID部)
5‧‧‧處理部
7‧‧‧介面部(IF部)
9‧‧‧載具載置台
11‧‧‧保持臂
13‧‧‧臂支持台
21‧‧‧曝光前清洗處理單元
23‧‧‧曝光後清洗處理單元
31‧‧‧主控制部
33‧‧‧輸入輸出部
41‧‧‧旋轉保持部
43‧‧‧供給部
45‧‧‧噴嘴
47‧‧‧熱處理單元
49‧‧‧板
51‧‧‧旋轉保持部
53‧‧‧供給部
57‧‧‧熱處理單元
61a~61c‧‧‧臂
63‧‧‧臂支持台
65‧‧‧基底部
67‧‧‧第1導軌
69‧‧‧第2導軌
103‧‧‧分度部
105‧‧‧處理部
107‧‧‧介面部
109‧‧‧載置台
A1~A4‧‧‧搬送空間
B1~B4‧‧‧處理區塊
B101‧‧‧塗佈步驟處理區塊
B102‧‧‧顯影步驟處理區塊
BARC‧‧‧抗反射膜用之塗佈處理單元
BX‧‧‧符號
C‧‧‧載具
CP‧‧‧冷卻單元
DEV‧‧‧顯影處理單元
EEW‧‧‧邊緣曝光單元
EXP‧‧‧外部裝置(曝光裝置)
HP‧‧‧加熱單元
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
PHP‧‧‧加熱冷卻單元
PS1~PS7‧‧‧載置部
PS11a~PS15a‧‧‧載置部
PS11b~PS15b‧‧‧載置部
RA、RB‧‧‧搬送路徑
RBF‧‧‧返回緩衝部
RESIST‧‧‧抗蝕劑膜用之塗佈處理單元
SBF‧‧‧送出緩衝部
S01~S11‧‧‧步驟
TA1‧‧‧ID部內搬送機構
TA2‧‧‧ID部內搬送機構
TB1~TB4‧‧‧主搬送機構
TC1‧‧‧第1處理部側搬送機構
TC2‧‧‧第2處理部側搬送機構
TD‧‧‧單一曝光機側搬送機構
U‧‧‧處理單元
W‧‧‧基板
W1~W24‧‧‧基板
X-Y-Z‧‧‧方向
為了說明發明而圖示現在認為較佳之若干個形態，但應理解發明並非限定於如圖示之構成及對策者。
圖1係先前之基板處理裝置之側視圖。
圖2係先前之基板處理裝置之側視圖。
圖3係顯示實施例1之基板處理裝置、及其處理部上層之處理區塊之俯視圖。
圖4係顯示處理部下層之處理區塊之俯視圖。
圖5係實施例1之基板處理裝置之縱剖視圖。
圖6係實施例1之基板處理裝置之右側視圖。
圖7係實施例1之基板處理裝置之左側視圖。
圖8係主搬送機構之立體圖。
圖9A~圖9C係用以說明主搬送機構對載置部之基板搬送動作例之圖。
圖10A及圖10B係用以說明主搬送機構對各處理單元之基板交接(更換)動作例之圖。
圖11A~圖11F係用以說明主搬送機構之動作之圖。
圖12A~圖12F係用以說明主搬送機構之動作之圖。
圖13A~圖13D係用以說明主搬送機構之動作之圖。
圖14係基板處理裝置之動作之流程圖。
圖15係實施例2之基板處理裝置之側視圖。
圖16A~圖16C係用以說明主搬送機構之動作之圖。
圖17A~圖17C係用以說明主搬送機構之動作之圖。
圖18A~圖18D係用以說明主搬送機構之動作之圖。
[實施例1]
以下，參照圖式說明本發明之實施例1。圖3係顯示實施例1之基板處理裝置、及其處理部上層之處理區塊之俯視圖。圖4係顯示處理部下層之處理區塊之俯視圖。圖5係實施例1之基板處理裝置之縱剖視圖。
參照圖3。基板處理裝置1係於基板(例如，半導體晶圓)W形成抗蝕劑膜等，且使經曝光之基板W顯影者。基板處理裝置1包含分度部(以下，稱為「ID」部)3、處理部5、介面部(以下，稱為「IF」部)7。ID部3、處理部5及IF部7係以該順序鄰接設置。於IF部7，進而鄰接設 置與本裝置1另外之外部裝置即曝光機EXP。依序說明各構成。
[ID部3]
參照圖3~圖5任一者。ID部3包含：載具載置台9，其載置收容複數個基板(例如，半導體晶圓)之載具C；ID部內搬送機構(以下適當稱為「搬送機構」)TA1、TA2。另，載具C係例示FOUP(front opening unified pod：前開式晶圓傳送盒)。
搬送機構TA1、TA2係自各載具C取出基板W並將基板W搬送至圖4及圖5之載置部PS1，且自圖3及圖5之後述之載置部PS7接收基板W並收容(返回)於載具C。各搬送機構TA1、TA2包含：1個以上之保持臂11；及保持臂支持台13，其係使保持臂11於上下及水平方向移動，並使保持臂11繞上下(Z方向)軸心旋轉。2個搬送機構TA1、TA2係以於基板處理裝置1之寬度方向(Y方向)排列之方式而設置。
另，於圖3中，載具載置台9係設置2個，但亦可設置1個或3個以上。ID部內搬送機構係可以3個以上構成，亦可構成為以1個構成並可於基板處理裝置1之寬度方向(Y方向)移動。ID部3相當於本發明之區塊。
[處理部5之概要]
處理部5係以上下方向(Z方向)2層構成，包含合計4個處理區塊B1~B4。於圖5中，於下層中，沿著連結ID部3與IF部7之相同搬送路徑RA，鄰接設置2個(n個)處理區塊B1、B2，於上層中，沿著連結ID部3與IF部7之相同搬送路徑RB，鄰接設置2個(n個)處理區塊B3、B4。另，n表示自然數。處理區塊B1~B4相當於本發明之區塊。又，搬送路徑RA相當於本發明之第1搬送路徑，搬送路徑RB相當於本發明之第2搬送路徑。另，亦可係搬送路徑RB相當於本發明之第1搬送路徑，搬送路徑RA相當於本發明之第2搬送路徑。
處理部5係以預先設定之程序進行之至少1個處理即進行製程處 理者。具體而言，處理部5進行於基板W上形成塗膜之塗佈步驟處理、及使基板W顯影之顯影步驟處理等。即，於圖4之2個處理區塊B1、B2中，進行塗佈步驟處理，於圖3之2個處理區塊B3、B4中，進行顯影步驟處理。
各處理區塊B1~B4包含：至少1個處理單元U，其對基板W進行預先設定之處理；及單一之主搬送機構TB1~TB4，其包含用以保持基板W之3個(n個+1)臂。即，於以4個處理區塊B1~B4構成處理部5之情形時，包含合計4台主搬送機構TB1~TB4。另，主搬送機構TB1~TB4相當於本發明之基板搬送機構。
本發明之特徵部分係關於各處理區塊B1~B4之基板搬送。例如，沿著搬送路徑RA，設置進行塗佈步驟處理之2個處理區塊B1、B2。主搬送機構TB1係保持於處理區塊B2預定處理之基板W，且進行對各處理單元U之基板W交接(更換)。另一方面，主搬送機構TB2係保持於處理區塊B1已處理之基板W，並進行對各處理單元U之基板W交接(更換)。因此，由於各處理區塊B1、B2中，可將對各處理單元U等之基板W之搬送步驟數設為大致相同，故亦可將各處理區塊B1、B2之製程處理所耗費之時間設為大致相同。因此，可防止處理區塊間並行處理之處理效率降低。另，處理部5之細節於其後進行說明。
[IF部7]
IF部7係將處理部5移出之基板W搬送至外部裝置即曝光機EXP，又，係用以為了將以曝光機EXP完成曝光處理之已曝光處理之基板W返回至處理部5而搬送者。IF部7首先包含：第1處理部側搬送機構(以下，適當稱為「搬送機構」)TC1、第2處理部側搬送機構(以下，適當稱為「搬送機構」)TC2、及單一曝光機側搬送機構(以下，適當稱為「搬送機構」)TD。搬送機構TC1、TC2、TD係與搬送機構TA1、TA2相同構成。
又，IF部7包含：至少1個處理單元U；載置兼冷卻部P-CP，其係用以進行與曝光機EXP之基板W之接收及交付之任一者；載置台PS4；送出緩衝部SBF；及返回緩衝部RBF。處理單元U包含：邊緣曝光單元EEW，其使基板W之周緣部曝光；及加熱冷卻單元PHP，其持續進行加熱處理與冷卻處理(參照圖5~圖7)。
邊緣曝光單元EEW包含：旋轉保持部(未圖示)，其係單一，且可旋轉地保持基板W；及光照射部(未圖示)，其使以該旋轉保持部保持之基板W之周緣曝光。加熱冷卻單元PHP係對曝光後之基板W進行曝光後加熱(PEB：Post Exposure Bake)處理。此外，IF部7包含：曝光前清洗處理單元21，其係例如於曝光機EXP採用液浸法之情形時，清洗曝光處理前之基板W並使其乾燥；及曝光後清洗處理單元23，其清洗經曝光處理後之基板W，並使其乾燥。
另，載置兼冷卻部P-CP、載置台PS4、送出緩衝部SBF及返回緩衝部RBF係構成為可載置1片以上之基板W。又，邊緣曝光單元EEW、加熱冷卻單元PHP、曝光前清洗處理單元21、及曝光後清洗處理單元23係以1個以上構成。另，邊緣曝光單元EEW亦可設置於處理部5之2個處理區塊B3、B4。各種處理單元U之種類及配置不限定於圖3及圖5者，可適當設定。IF部7相當於本發明之區塊。
[控制系之構成]
基板處理裝置1包含主控制部31與輸入輸出部33。主控制部31及輸入輸出部33係如圖3所示，例如設置於ID部3。主控制部31統括性控制ID部3、處理部5及IF部7之各構成，且以CPU等構成。具體而言，主控制部31控制各種搬送機構TB1~TB4及各種處理單元U等之動作。
輸入輸出部33係例如安裝於ID部3之側壁。輸入輸出部33顯示基板處理裝置1中基板W之搬送狀況或處理狀況。又，使用者可將與輸入輸出部33之顯示相關之命令、或與各種搬送機構TB1~TB4等及各種 處理單元U之動作相關之命令輸入至輸入輸出部33。
[處理部5之細節]
接著，對處理部5之詳細構成進行說明。處理部5係如圖3~圖5所示，包含4個處理區塊B1~B4。於下層，沿著相同之搬送路徑RA設置2個處理區塊B1、B2，於上層，沿著相同之搬送路徑RB設置2個處理區塊B3、B4。各處理區塊B1~B4包含：至少1個處理單元U(例如，符號PHP、符號CP、符號HP等)、及單一之主搬送機構TB1~TB4。例如，處理區塊B3係如圖3所示，包含複數個處理單元U、及單一之主搬送機構TB3，同樣地，處理區塊B4包含複數個處理單元U、及單一之主搬送機構TB4。
於各處理區塊B1~B4，設置用以藉由主搬送機構TB1~TB4，於ID部3與IF部7之間搬送基板W之搬送空間A1~A4。於各搬送空間A1~A4之兩側設置有處理單元U。
接著，對各處理區塊B1~B4之處理單元U進行說明。於圖3中，於將自載具C側觀察之圖設為前視圖之情形時，圖6係基板處理裝置1之右側視圖，圖7係基板處理裝置1之左側視圖。即，隔著各搬送空間A1~A4，以圖6顯示一處理單元U之配置，以圖7顯示另一處理單元U之配置。
<處理區塊B1、B2之各處理單元U>
2個處理區塊B1、B2係如圖6所示，包含：抗反射膜用之塗佈處理單元BARC，其係於基板W形成抗反射膜；及抗蝕劑膜用之塗佈處理單元RESIST，其係於基板W形成抗蝕劑膜。各塗佈處理單元BARC、RESIST可配置為於水平方向2個、且上下方向2個之2行×2段。
各塗佈處理單元BARC、RESIST係如圖4所示，包含旋轉保持部41，其係可旋轉地保持基板W；及供給部43，其係對基板W供給處理 液(例如抗蝕劑液)。供給部43選擇複數個噴嘴45中之1個噴嘴45，且可於噴嘴45之待機位置與基板W上方之處理位置之間移動。
又，2個處理區塊B1、B2包含對基板W進行熱處理之熱處理單元47。熱處理單元47係如圖7所示，包含：冷卻單元CP，其使基板W冷卻；加熱冷卻單元PHP，其持續進行加熱處理與冷卻處理；及密著強化處理單元PAHP。密著強化處理單元PAHP係藉由將六甲基二矽氮烷(HMDS)等密著強化劑塗佈於基板W上並加熱，而提高基板W與抗反射膜之密著性者。熱處理單元47係例如可配置為於水平方向3個，且於縱方向5個之3行×5段。又，各熱處理單元47包含載置基板W之板49。
<處理區塊B3、B4之各處理單元U>
一方面，2個處理區塊B3、B4係如圖6所示，包含使基板W顯影之顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV可為於水平方向2個、且上下方向2個之2行×2段配置。又，顯影處理單元DEV係如圖3所示，包含：旋轉保持部51，其係可旋轉地保持基板W；及供給部53，其係供給顯影液。
又，2個處理區塊B3、B4包含對基板W進行熱處理之熱處理單元57。熱處理單元57係如圖7所示，包含：加熱單元HP，其對基板W加熱；冷卻單元CP，其使基板W冷卻；及加熱冷卻單元PHP。熱處理單元57係例如可配置為於水平方向3個、且於縱方向5個之3行×5段。
另，於各處理區塊B1~B4中，各種處理單元U之種類及配置等不限定於圖6及圖7者，而可適當設定。
<用以搬送基板W之構成>
接著，對處理部5中用以搬送基板W之構成進行說明。於本實施例中，如圖5之2個搬送路徑RA、RB般，基板W自處理區塊B1被搬送至處理區塊B2，又，自處理區塊B3被搬送至B4。
又，基板W之接收及交付之任一者均介隔載置部PS1~PS3、PS5~PS7進行。即，基板W之接收及交付之任一者係於ID部3與處理區塊B1、B4之間、處理區塊B1、B2之間、處理區塊B3、B4之間、及處理區塊B2、B3與IF部7之間，介隔PS1~PS3、PS5~PS7而進行。例如，於ID部3與處理區塊B1之間，介隔載置部PS1進行基板W之接收及交付之任一者，於處理區塊B1、B2之間，介隔載置部PS2進行基板W之接收及交付之任一者。
另，載置部PS1~PS3、PS5~PS7可載置3片(n+1片)基板，且可藉由後述之3個臂61a~61c同時地進行基板W之接收及交付之任一者。又，載置部PS1~PS7等設置用以判定是否載置基板W之感測器(未圖示)，主搬送機構TB1~TB4係藉由該感測器之信號進行基板W之接收及交付之任一者。另，載置部PS1、PS5可載置2片(n片)基板W。
又，於各處理區塊B1~B4中，基板W係藉由主搬送機構TB1~TB4搬送。各主搬送機構TB1~TB4於設置有各主搬送機構TB1~TB4之處理區塊B1~B4內搬送基板W。各主搬送機構TB1~TB4係於設置有各主搬送機構TB1~TB4之各處理區塊B1~B4中，進行對於全部處理單元U之基板W交接。
此處，對主搬送機構TB1~TB4進行說明。由於4個主搬送機構TB1~TB4係大致相同構成，故以主搬送機構TB1為例進行說明。圖8係主搬送機構TB1~TB4之立體圖。
主搬送機構TB1包含3個臂61a~61c，其係用以保持基板W；臂支持台63，其係可於相同水平方向移動地支持3個臂61a~61c；基底部65，其係可繞著縱軸心Q(繞Z方向)旋轉地支持臂支持台63。又，主搬送機構TB1包含：第1導軌67，其於上下方向進行引導；及第2導軌69，其於沿著搬送路徑RA之橫方向進行引導。基底部65藉由第1導軌67及第2導軌69，於2維方向移動。3個臂61a~61c之水平移動、臂支持 台63之旋轉、及基底部65之2維方向之移動係均藉由馬達等驅動機構(未圖示)進行。
接著，對主搬送機構TB1之3個臂61a~61c進行說明。3個臂61a~61c各可獨立移動，且於基板W之交接時不妨礙互相之移動。例如，於使臂61a移動之情形時，臂61a與其他臂61b、61c同樣於前後方向移動，又，其他臂61b、61c不妨礙臂61a之移動。又例如，於對載置部PS5進行基板W之接收及交付之任一者之情形時，當然可僅使1個臂移動完成基板W之接收及交付之任一者，亦可使2個或3個臂移動同時完成基板W之接收及交付之任一者。另，如以下圖9之說明般，主搬送機構TB1使用3個臂61a~61c中之2個臂自載置部PS1同時接收2片基板W。
圖9A~圖9C係用以說明主搬送機構TB1對於載置部PS1之基板W搬送之動作例之圖。另，圖9A係表示接收2片基板W前之臂61a~61c之狀態，圖9B係表示正接收2片基板W之臂之狀態。又，圖9C係表示接收2片基板W後之臂之狀態之圖。
主搬送機構TB1係如圖9A般，使臂支持台63等移動至載置台PS1側。主搬送機構TB1係如圖9B般，於3個臂61a~61c中，例如使上2個臂61a、61b水平移動，同時接收載置於載置部PS1之2片基板W。接著，主搬送機構TB1係如圖9C般，使2個臂61a、61b水平移動返回至原來位置，且將臂支持台63等移動至處理單元U等。
又，圖10A及圖10B係用以說明主搬送機構TB1對於各處理單元U之基板W交接(更換)之動作例之圖。主搬送機構TB1係如圖10A般，於3個臂61a~61c中，首先，以未保持基板W之臂61c，接受處理單元U之例如完成冷卻處理之基板W。接著，主搬送機構TB1係如圖10B般，於保持基板W之2個臂中，將於處理區塊B1進行塗佈步驟處理之基板W交付至該處理單元U。
另，於上述之說明中，下層處理區塊B1、B2為塗佈步驟處理，上層處理區塊B3、B4為顯影步驟處理，但亦可與其相反。即，上層處理區塊B3、B4為塗佈步驟處理，下層處理區塊B1、B2為顯影步驟處理。
又，於上述之說明中，2個處理區塊B1、B2及2個處理區塊B3、B4係於上下方向積層而構成。關於該點，2個處理區塊B1、B2及2個處理區塊B3、B4亦可以2個搬送路徑RA、RB於水平方向(Y方向)排列之方式構成。又，處理區塊亦可於上下方向以3層以上積層而構成。
[基板處理裝置之動作]
接著，說明本實施例之基板處理裝置1之動作。圖11A~圖11F(以下適當稱為「圖11」)、圖12A~圖12F圖(以下適當稱為「圖12」)、及圖13A~圖13D(以下適當稱為「圖13」)係用以說明各主搬送機構TB1~TB4動作之圖。圖11F之後之說明係圖12A，又，圖12F之後之說明係圖13A。圖14係基板處理裝置1之動作流程圖。
另，於圖11~圖13中，為了使基板搬送之說明更簡單，於以熱處理單元47及旋轉保持部41顯示之處理單元U中，依序將基板W搬送至2個處理單元U。然而，如圖14之例，於步驟S02之處理區塊B1、及步驟S04之處理區塊B2中，依序將基板W搬送至7個處理單元U。於該情形時，成為例如圖13D。另，於圖13D中，顯示各載置部PS1~PS3及各主搬送機構TB1、TB2保持2片基板W之狀態，且各處理區塊B1、B2顯示於7個處理單元保持1片基板W之狀態。又，如圖14之例，於步驟S08主處理區塊B3、及步驟S10之處理區塊B4中，依序將基板W搬送至4個處理單元U。圖11~圖13之符號W1、W2等表示依序搬送至載置部PS1等之基板W之序號。於未特別區分基板W之序號之情形時顯示為「基板W」。
首先，參照圖11~圖13，說明2個主搬送機構TB1、TB2之動作。 另，由於2個主搬送機構TB3、TB4之動作係與2個主搬送機構TB1、TB2之動作相同，故省略說明。
於圖11A中，於載置部PS1，藉由ID部3之搬送機構TA1搬送2片基板W1、W2。處理區塊B1之主搬送機構TB1介隔載置部PS1，以3個(n+1個)臂61a~61c中之例如下2個(n個)臂61b、61c同時自上游之ID部3接收2片(n片)基板W1、W2。即，主搬送機構TB1同時自載置部PS1接收2片基板W1、W2。此時，主搬送機構TB1之臂支持台63(參照圖5)係於搬送路徑RA中較下游之處理區塊B2位於更上游之ID部3側(載置台PS1側)。
於圖11B中，於處理區塊B1中處理所接收之2片基板W1、W2中之1片基板W1。另一方面，剩餘之1片(n-1片)基板W2為了於下一個處理區塊B2被處理而例如設為保持於臂61c之狀態。主搬送機構TB1使用保持所接收之2片(n片)基板W1、W2中應於處理區塊B1被處理之1片基板W1之1個臂61b、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B1之處理單元進行基板W之交接(更換)。
於圖11B中，主搬送機構TB1由於於處理單元U(熱處理單元47)不存在基板W，故對處理單元U(熱處理單元47)僅進行基板W1之交付。如此，基板W之交接表示基板W之接收及基板W之交付中至少一者。
於圖11C中，主搬送機構TB1於不等到各處理單元U之基板W處理結束之情形時，以1個臂61c使1片基板W2經由載置部PS2，將1片基板W2交付至下游之處理區塊B2。即，主搬動機構TB1將基板W2搬送至載置部PS2。此時，主搬送機構TB1之臂支持台63係於搬送路徑RA中較上游之ID部3位於更下游之處理區塊B2側(載置台PS2側)。
於圖11D中，於載置部PS1，藉由ID部3之搬送機構TA1搬送2片基板W3、W4。處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖11A般，以2個臂61b、61c同時自載置部PS1接收2片基板W3、W4。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2係以1個臂61c自載置部PS2接收1片基板W2。此時，主搬送機構TB2之臂支持台63(參照圖5)位於搬送路徑RA之上游之處理區塊B1側(載置台PS2側)。另，亦可使主搬送機構TB2對基板W2之接收、與主搬送機構TB1對W3、W4之接收不同步進行。即，主搬送機構TB2係亦可以不干涉主搬送機構TB1之各臂61a~61c之方式，將基板W2搬送至載置部PS2後，馬上接收基板W2。藉此，可將基板W2儘快搬送至處理單元U。
於圖11E中，處理區塊B1之主搬送機構TB1使用保持所接收之2片(n片)基板W3、W4中應於處理區塊B1被處理之1片基板W3之1個臂61b、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B1之處理單元U進行基板W之交接。即，主搬送機構TB1藉由2個臂61a、61b，對處理單元U進行基板W1與基板W3之交接。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2對處理單元U(熱處理單元47)交付基板W2。
於圖11F中，處理區塊B1之主搬送機構TB1使用保持所接收之2片(n片)基板W1、W4中應於處理區塊B1被處理之1片基板W1之1個臂61a、與未保持基板W之1個臂61b，對處理區塊B1之處理單元U進行基板W之交接。於圖11F中，主搬送機構TB1由於於處理單元U(旋轉保持部41)不存在基板W，故對處理單元U(旋轉保持部41)僅進行基板W1之交付。
於圖12A中，處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖11C般，於不等到各處理單元U之基板W之處理結束之情形時，以1個臂61c使1片基板W4經由載置部PS2，將1片基板W4交付至下游之處理區塊B2。即，主搬送機構TB1將基板W4搬送至載置部PS2。
於圖12B中，於載置部PS1，藉由ID部3之搬送機構TA1搬送2片基板W5、W6。處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖11A般，同時自 載置部PS1接收2片基板W5、W6。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2係如圖11D般，處理區塊B2之主搬送機構TB2係以1個臂61c自載置部PS2接收1片基板W4。
於圖12C中，處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖11E般，使用保持所接收之2片基板W5、W6中應於處理區塊B1被處理之1片基板W5之1個臂61b、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B1之處理單元U進行基板W之交接。即，主搬送機構TB1係藉由2個臂61a、61b，對處理單元U進行基板W3與基板W5之交接。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2使用保持應於處理區塊B2被處理之1片基板W4之1個臂61c、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B2之處理單元U進行基板W之交接。即，藉由2個臂61a、61c，對處理單元U進行基板W2與基板W4之交接。
於圖12D中，處理區塊B1之主搬送機構TB1使用保持所接收之2片基板W3、W6中應於處理區塊B1被處理之1片基板W3之1個臂61a、與未保持基板W之1個臂61b，對處理區塊B1之處理單元U進行基板W之交接。即，主搬送機構TB1係藉由2個臂61a、61b，對處理單元U進行基板W1與基板W3之交接。另，於圖12C及圖12D中，主搬送機構TB1之1個臂61c為保持基板W6之狀態。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2使用保持應於處理區塊B2被處理之1片基板W2之1個臂61a、與未保持基板W之1個臂61c，對處理區塊B2之處理單元U進行基板W之交接。於圖12D中，主搬送機構TB2由於於處理單元U(旋轉保持部41)不存在基板W，故對處理單元U(旋轉保持部41)僅進行基板W2之交付。
於圖12E中，處理區塊B1之主搬送機構TB1使用保持於處理區塊B1進行特定(預先設定)處理之1片基板W1之例如1個臂例如臂61b、與保持1片(n-1片)基板W6之1個(n-1個)臂61c，經由載置部PS2，同時將2 片基板W1、W6交付至下游之處理區塊B2。即，主搬送機構TB1將2片基板W1、W6同時地搬送至載置部PS2。此時，主搬送機構TB1之臂支持台63(參照圖5)位於搬送路徑RA之下游之處理區塊B2側(載置台PS2側)。
於圖12F中，於載置部PS1，藉由ID部3之搬送機構TA1搬送2片基板W7、W8。處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖11A般，自載置部PS1同時接收2片基板W7、W8。
另一方面，於載置部PS2，搬送2片基板W1、W6。處理區塊B2之主搬送機構TB2經由載置部PS2，以3個臂61a~61c中例如下2個臂61b、61c同時自上游之處理區塊B1接收2片基板W1、W6。即，主搬送機構TB2同時自載置部PS2接收2片基板W1、W6。此時，主搬送機構TB2之臂支持台63位於搬送路徑RA之上游之處理區塊B1側(載置台PS2側)。
於圖13A中，處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖11E般，使用保持所接收之2片基板W7、W8中應於處理區塊B1被處理之1片基板W7之1個臂61b、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B1之處理單元U進行基板W之交接。即，主搬送機構TB1係藉由2個臂61a、61b，對處理單元U進行基板W5與基板W7之交接。
另一方面，於處理區塊B2中，於處理區塊B2處理所接收之2片基板W1、W6中之1片基板W6。另一方面，為了使剩餘之1片(n-1片)基板W1通過處理區塊B2而例如設為保持於臂61b之狀態。處理區塊B2之主搬送機構TB2使用保持所接收之2片基板W1、W6中應於處理區塊B2被處理之1片基板W6之1個臂61c、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B2之處理單元U進行基板W之交接。即，主搬送機構TB2係藉由2個臂61a、61c，對處理單元U進行基板W4與基板W6之交接。
於圖13B中，處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖12D般，使用 保持所接收之2片基板W5、W8中應於處理區塊B1被處理之1片基板W5之1個臂61a、與未保持基板W之1個臂61b，對處理區塊B1之處理單元U進行對基板W之交接。即，主搬送機構TB1藉由2個臂61a、61b，對處理單元U進行基板W3與基板W5之交接。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2使用保持所接收之2片基板W1、W4中應於處理區塊B2被處理之1片基板W4之1個臂61a、與未保持基板W之1個臂61c，對處理區塊B2之處理單元U進行基板W之交接。即，主搬送機構TB2藉由2個臂61a、61c，對處理單元U進行基板W2與基板W4之交接。另，於圖13A及圖13B中，主搬送機構TB2之1個臂61b係保持基板W1之狀態。
於圖13C中，處理區塊B1之主搬送機構TB1係如圖12E般，使用保持於處理區塊B1進行特定處理之1片基板W3之1個臂例如臂61b、與保持1片基板W8之1個臂61c，經由載置部PS2，將2片基板W3、W8同時交付至下游之處理區塊B2。即，主搬送機構TB1將2片基板W3、W8同時搬送至載置部PS2。
另一方面，處理區塊B2之主搬送機構TB2使用保持於處理區塊B2進行特定處理之1片基板W2之1個臂例如臂61c、與保持1片基板W1之1個臂61b，經由載置部PS3，將2片基板W1、W2同時交付至下游之IF部7。即，主搬送機構TB2將2片基板W1、W2同時搬送至載置部PS3。此時，主搬送機構TB2之臂支持台63位於搬送路徑RA之下游之IF部7側(載置台PS3側)。
另，藉由反復1次圖12F~圖13C之動作，而於載置部PS3，搬送2片基板W3、W4。
接著，參照圖14說明基板處理裝置1之動作之流程圖。圖14之步驟S01~S11表示自載置於載具載置台9(參照圖5)之載具C取出基板W，進行特定之處理，收容(返回)至載具C之步驟。首先，對步驟S01~步 驟S05之2個(n個)處理區塊B1、B2之塗佈步驟處理進行說明，又，對步驟S06之IF部7及曝光機EXP之處理進行說明。
[步驟S01]經由載置部PS1之基板搬送
使用者或載具搬送裝置(未圖示)將收容有複數片基板W之載具C搬送至ID部3之載具載置台9。ID部3之搬送機構TA1自載具C取出基板W，並將基板W搬送至載置部PS1。又，搬送機構TA1將收容於載具C之基板W依序搬送至載置部PS1。
主搬送機構TB1經由載置部PS1，以3個(n+1個)臂61a~61c中之例如下2個(n個)臂61b、61c同時自上游ID部3接收2片(n片)基板W(參照圖12B)。此時，主搬送機構TB1之臂支持台63位於搬送路徑RA之上游之ID部3側。所接收之2片基板W均為相同製程處理(塗佈步驟處理)未處理之基板W。
[步驟S02]處理區塊B1之處理
處理區塊B1進行塗佈步驟相關之一連串處理。該一連串之處理係依所記載順序進行以下7個處理之處理：冷卻單元CP、抗反射膜用塗佈處理單元BARC、加熱冷卻單元PHP、冷卻單元CP、抗蝕劑膜用塗佈處理單元RESIST、加熱冷卻單元PHP、及冷卻單元CP。另，根據需要，亦可使用密著強化處理單元PAHP。又，塗佈步驟不限定於上述7個處理，可為其他處理數，亦可於處理區塊B1並行處理7個處理。
此時，主搬送機構TB1保持自載置部PS1接收之2片基板W中之1片基板W，並以剩餘之2個臂推進處理區塊B1內之塗佈步驟處理(參照圖12C及圖12D)。
即，於處理區塊B1處理所接收之2片基板W中之1片基板W。另一方面，剩餘之1片基板W為了於下一個處理區塊B2被處理而例如設為保持於臂61c之狀態。具體而言，主搬送機構TB1使用保持所接收之2 片(n片)基板W中應於處理區塊B1被處理之1片基板W之1個臂61b、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B1之各處理單元U依序進行基板W之交接(更換)。又，於各處理單元U處理基板W之期間，主搬送機構TB1係設為以接收基板W剩餘之1個(n-1個)臂61c保持1片(n-1片)基板W之狀態。即，於進行對各處理單元U之基板W交接之期間，主搬送機構TB1係設為保持1片基板W之狀態。
另，於圖12C及圖12D中，於處理單元U處理基板W之期間，主搬送機構TB1係設為以臂61c保持基板W6之狀態。所謂於處理單元U處理基板W期間之處理，於圖14之步驟S02之情形時，表示冷卻單元CP等7個處理單元U之處理，又，於圖12C之情形時，表示存在基板W1、W5之2個處理單元U之處理。即，於圖12B~圖12D之情形，所謂於處理單元U處理基板W之期間表示主搬送機構TB1同時接收基板W5、W6，對處理單元U進行基板W之交接，直至接收以2個處理單元U各自處理之基板W1。主搬送機構TB2~TB4亦與主搬送機構TB1相同。
[步驟S03]經由載置部PS2之基板搬送
對處理單元U進行基板W之交接之2個臂61a、61b之任一者係接收於處理區塊B1完成特定處理(步驟S02)之基板W。其後，主搬送機構TB1使用保持於處理區塊B1進行特定處理之1片基板W之1個臂例如臂61b、與保持1片(n-1片)基板W之1個(n-1個)臂61c，經由載置部PS2，將2片基板W交付至下游之處理區塊B2(參照圖12E)。即，主搬送機構TB1將處理區塊B1中完成處理之已處理基板W、與用以於處理區塊B2處理之未處理基板W之2片基板W搬送至載置部PS2。此時，主搬送機構TB1之臂支持台63位於搬送路徑RA之下游之處理區塊B2側。
於藉由處理區塊B1之主搬送機構TB1向載置部PS2搬送基板W 後，處理區塊B2之主搬送機構TB2經由載置部PS2，以3個臂61a~61c中之例如下2個臂61b、61c同時自上游之處理區塊B1接收2片基板W(參照圖12F)。此時，主搬送機構TB2之臂支持台63位於搬送路徑RA之上游之處理區塊B1側。
另，於圖12B~圖12F中，於將2片基板W自載置部PS1搬送至載置部PS2之期間，藉由ID部3之搬送機構TA1，於載置部PS1，搬送接下來欲於2個處理區塊B1、B2被處理之2片基板W。2個主搬送機構TB1、TB2係於大致相同時點，各自接收2片基板W。
[步驟S04]處理區塊B2之處理
處理區塊B2進行塗佈步驟處理相關之一連串特定處理。由於處理區塊B2進行與步驟S02之處理區塊B1之處理相同之處理，故省略一連串之特定處理之說明。
又，主搬送機構TB2使用保持所接收之2片基板W中應於處理區塊B2被處理之1片基板W之1個臂61c、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B2之各處理單元U依序進行基板W之交接(更換)(參照圖13A及圖13B)。又，於各處理單元U處理基板W之期間，主搬送機構TB2係設為以接收基板W之剩餘之1個臂61b保持1片基板W之狀態。保持狀態之基板W係於處理區塊B1被處理之基板W。
[步驟S05]經由載置部PS3之基板搬送
對處理單元U進行基板W之交接之2個臂61a、61c之任一者係接收於處理區塊B2完成特定處理(步驟S04)之基板W。其後，主搬送機構TB2使用保持於處理區塊B2進行特定處理之1片基板W之1個臂例如臂61c、與保持1片基板W之1個臂61b，經由載置部PS3，將2片基板W交付至下游之IF部7(參照圖13C)。即，主搬送機構TB2將2個處理區塊B1、B2中完成處理之已處理之2片基板W搬送至載置部PS3。此時，主搬送機構TB2之臂支持台63位於搬送路徑RA之下游之IF部7側。
如此，於相同時點搬送至載置部PS3之2片基板W係於處理區塊B1、B2各者進行塗佈處理步驟之基板W。因此，於載置部PS3之時點於2個處理區塊B1、B2同時進行塗佈步驟處理。即，表示於2個處理區塊B1、B2並行處進行理。接著，於2個處理區塊B1、B2中，2個主搬送機構TB1、TB2係例如以臂61c保持基板W，且以剩餘之臂61a、61b進行如以往之對各處理單元U之基板W之交接(更換)。又，於各處理區塊B1、B2中，進行相同塗佈步驟處理。藉此，可減少基板W之搬送步驟數。又，基板W朝各處理單元U等之搬送步驟數大致相同，各處理區塊B1、B2之塗佈步驟處理所耗費之時間亦大致相同。
主搬送機構TB1係自上游之ID部3同時接收2片基板W。又，主搬送機構TB1將2片基板W同時交付至下游之處理區塊B2。藉此，由於可縮短基板搬送時間，故可提高基板處理裝置1之處理能力。
於向載置部PS3搬送基板W後，圖5之IF部7之第1處理部側搬送機構TC1接收搬送至載置部PS3之基板W。
[步驟S06]IF部7及曝光機EXP之處理
IF部7進行相對於外部裝置即曝光機EXP之前處理及後處理，曝光機EXP進行曝光處理。基板W係藉由搬送機構TC1、TC2、TD搬送。基板W依序進行邊緣曝光單元EEW、載置兼冷卻部P-CP、曝光機EXP、載置部PS4、及加熱冷卻單元PHP之處理。另，根據需要，亦可進行曝光前清洗處理單元21及曝光後清洗處理單元23之處理。
接著，對步驟S07~步驟S11之2個處理區塊B3、B4之顯影步驟處理進行說明。另，關於基板搬送，由於與2個處理區塊B1、B2相同，故簡單地說明。又，於圖12B~圖13C中，處理區塊B3係參照處理區塊B1之構成，處理區塊B4係參照處理區塊B2之構成。
[步驟S07]經由載置部PS5之基板搬送
藉由IF部7之加熱冷卻單元PHP處理後之基板W係藉由搬送機構 TC2被搬送至載置部PS5。處理區塊B3之主搬送機構TB3以3個臂61a~61c中之例如下2個臂61b、61c同時接收載置於載置部PS5之2片基板W(參照圖12B)。
[步驟S08]處理區塊B3之處理
處理區塊B3進行顯影步驟相關之一連串之特定處理。該一連串處理係依所記載順序進行以下4個處理：冷卻單元CP、顯影處理單元DEV、加熱單元HP、及冷卻單元CP。此時，主搬送機構TB3保持自載置部PS5接收之2片基板W中之1片基板W，且以剩餘之2個臂61a、61b推進處理區塊B3內之顯影步驟處理(製程處理)(參照圖12C及圖12D)。另，根據需要，可進行加熱冷卻單元PHP之處理。又，顯影步驟不限定於上述4個處理，可為其他處理數，亦可於處理區塊B3並行處理4個處理。
[步驟S09]經由載置部PS9之基板搬送
主搬送機構TB3將於處理區塊B3完成處理之已處理基板W、與用以於處理區塊B4處理之未處理基板W之2片基板W搬送至載置部PS6(參照圖12E)。
於處理區塊B3之主搬送機構TB3向載置部PS6搬送基板W後，處理區塊B4之主搬送機構TB4以3個臂61a~61c中之例如下2個臂61b、61c同時接收載置於載置部PS6之2片基板W(參照圖12F)。
另，於圖12B~圖12F中，於將2片基板W自載置部PS5搬送至載置部PS6之期間，藉由IF部7之搬送機構TC2，於載置部PS5，搬送接下來欲於2個處理區塊B3、B4處理之2片基板W。2個主搬送機構TB3、TB4係於大致相同時點，各自接收2片基板W。
[步驟S10]處理區塊B4之處理
處理區塊B4進行顯影步驟相關之一連串處理。由於處理區塊B4進行與步驟S08之處理區塊B3之處理相同之處理，故省略一連串處理 之說明。於處理區塊B4之顯影步驟處理時，主搬送機構TB4保持自載置部PS6接收之2片基板W中之1片基板W，且以剩餘之2個臂61a、61c推進處理區塊B4內之顯影步驟處理(參照圖13A及圖13B)。
[步驟S11]經由載置部PS7之基板搬送
主搬送機構TB4將2個處理區塊B3、B4中完成顯影步驟處理之已處理之2片基板W搬送至載置部PS7(參照圖13C)。於向載置部PS7搬送基板W後，圖3之ID部3之搬送機構TA2接收被搬送至載置部PS7之基板W，並於載具載置台9之載具C，收容已結束塗佈步驟處理、曝光處理及顯影步驟處理之基板W。接著，於全部基板W返回後，藉由使用者或載具搬送機構(未圖示)自載具載置台9移動載具C。
另，載具C於全部基板W取出後，自搬送機構TA1側之載具載置台9被移動至搬送機構TA2側之載具載置台9。又，藉由設置於載置部PS1~PS3、PS5~PS7之檢測出基板W有無之感測器等，分別控制各處理區塊B1~B4之各主搬送機構TB1~TB4。
根據本實施例，各基板搬送機構TB1~TB4包含對應於2個處理區塊數之3個臂61a~61c。各基板搬送機構TB1~TB4，例如基板搬送機構TB1使用3個臂61a~61c中之2個臂61b、61c自上游之ID部3接收2片基板W，並使用保持所接收之2片基板W中應於處理區塊B1被處理之1片基板之1個臂61b、與未保持基板W之1個臂61a，對處理區塊B1之各處理單元U進行基板W之交接，且於處理區塊U處理基板W之期間，設為以接收基板W之剩餘之1個(n-1個)臂61c保持1片基板W之狀態。接著，基板搬送機構TB1使用保持於處理區塊B1進行特定處理之1片基板W之1個臂例如臂61a、與保持1片基板W之1個臂61c，將2片基板W交付至下游之處理區塊B2。
即，於某處理區塊B1內，基板搬送機構TB1例如以臂61c保持通過該處理區塊B1內之基板W，並進行如以往之對各處理單元U之基板 W之交接(更換)，且於該處理區塊B1中進行塗佈步驟處理(製程處理)。又，於下一個處理區塊B2中亦相同，進行基板搬送、相同塗佈步驟處理。因此，可減少搬送步驟數。又，於各處理區塊B1、B2中，由於基板W朝各處理單元U等之搬送步驟數大致相同，故各處理區塊B1、B2之塗佈步驟處理所耗費之時間亦大致相同。因此，可防止處理區塊B1、B2間及處理區塊B3、B4間並行處理之處理效率降低。
又，根據本發明，基板W之搬送步驟數可大致相同，為了進一步保持一致，例如，可使處理區塊B1、B2間及處理區塊B3、B4間之各種處理單元U之配置或個數一致。
又，各基板搬送機構TB1~TB4進而包含臂支持台63，其係可於水平方向移動地支持臂61a~61c，並可沿著搬送路徑RA、RB各者移動。又，例如，基板搬送機構TB1於臂支持台63位於搬送路徑RA之上游之ID部3側時，自上游之ID部3接收2片基板W，又，於臂支持台63位於搬送路徑RA之下游之處理區塊B2側時，將2片基板W交付至下游之處理區塊B2。
藉此，於使支持臂61a~61c之臂支持台63移動構成之情形，例如，於自上游之ID部3接收2片基板W時，又，將2片基板W交付至下游之處理區塊B2時，可防止處理區塊間並行處理之處理效率降低。
又，於基板處理裝置1中，包含載置部PS2，其設置於鄰接之例如處理區塊B1、B2間，載置用以進行基板W之接收及交付之任一者之基板W。藉此，藉由將基板W載置於載置部PS2而進行鄰接之2個處理區塊B1、B2間之基板W之接收及交付之任一者，可更容易地進行基板W之接收及交付之任一者。
又，載置部PS2可載置3片基板W，並可藉由3個臂61a~61c同時進行基板W之接收及交付之任一者。藉此，由於於載置部PS2中，可縮 短基板搬送時間，故可提高基板處理裝置之處理能力。
又，搬送路徑RA、RB係以搬送路徑RA及搬送路徑RB並聯構成，處理區塊B1~B4沿著搬送路徑RA於第1方向搬送基板W並執行塗佈步驟處理，另一方面，沿著搬送路徑RB於與第1方向相反之第2方向搬送基板W並執行與搬送路徑RA不同之顯影步驟處理。藉此，由於於基板處理裝置1內之搬送路徑RA、RB中，可使基板W以一個方向循環之方式搬送，故可提高基板處理裝置1之處理能力。
[實施例2]
接著，參照圖式說明本發明之實施例2。圖15係實施例2之基板處理裝置1之側視圖。另，省略與實施例1重複之說明。
於實施例1中，如圖5般，構成為2個搬送路徑RA、RB係並聯構成，且下層之2個處理區塊B1、B2，與上層之2個處理區塊B3、B4於上下方向積層。接著，4個處理區塊B1~B4沿著搬送路徑RA，自ID部3向IF部7之第1方向搬送基板W並執行塗佈步驟處理，另一方面，沿著搬送路徑RB於與第1方向相反之第2方向搬送基板並執行顯影步驟處理。即，於4個處理區塊B1~B4中，於一個方向搬送基板W。
關於該點，於實施例2中，如圖15般，構成為2個搬送路徑RA、RB係串聯構成，且4個處理區塊B1~B4係於橫方向排列。接著，4個處理區塊B1~B4沿著2個搬送路徑RA、RB自ID部3向IF部7之第1方向搬送基板W並於搬送路徑RA執行塗佈步驟處理，另一方面，沿著2個搬送路徑RA、RB於與第1方向相反之第2方向搬送基板W並於搬送路徑RB執行顯影步驟處理。即，於4個處理區塊B1~B4中，雙向搬送基板W。
如圖15般，於ID部3與處理區塊B1之間，設置用以於第1方向搬送基板W之載置部PS11a、與用以於第2方向搬送基板W之載置部PS11b。相同地，於鄰接之處理區塊B1~B4之間設置各用以於第1方向 搬送基板W之載置部PS12a~PS14a、與於第2方向搬送基板W之載置部PS12b~PS14b。又，於處理區塊B4與IF部7之間，設置用以於第1方向搬送基板W之載置部PS15a、與用以於第2方向搬送基板W之載置部PS15b。
另，亦可以於搬送路徑RB進行塗佈步驟處理、於搬送路徑RA進行顯影步驟處理之方式，更換2個處理區塊B1、B2與2個處理區塊B3、B4之配置。又，圖15之處理部5係以1層構成，但亦可於上下方向以2層以上構成。又，亦可於圖15之深度方向(Y方向)以2行以上構成。
接著，說明本實施例之基板處理裝置1之處理部5之動作。圖16A~圖16C(以下，適當稱為「圖16」)、圖17A~圖17C(以下，適當稱為「圖17」)、及圖18A~圖18D(以下，適當稱為「圖18」)係用以說明4個主搬送機構TB1~TB4之動作之圖。圖16C之後之說明係圖17A，又，圖17C之後之說明係圖18A。
另，由於2個處理區塊B1、B2之塗佈步驟處理、及2個處理區塊B3、B4之顯影步驟處理係與實施例1相同，故省略其說明。於圖16~圖18中，為了更簡單地進行基板搬送之說明，當1個處理單元U之處理結束時基板搬送至下一個處理區塊。由於各處理區塊B1~B4之各主搬送機構TB1~TB4係如圖11~圖13般搬送基板W，故省略其說明。圖16~圖18之符號W1、W2等表示依序搬送至載置部PS1等之基板W之序號。於不特別區分基板W之序號之情形時顯示為「基板W」。
於圖16~圖18中，圖示自處理區塊B1向處理區塊B4之第1方向、及自處理區塊B4向處理區塊B1之第2方向之動作，但基板搬送係同樣進行。
另，於圖18D中，於各處理區塊B1、B2進行塗佈步驟處理之載置於載置部PS13a之2片基板W係藉由處理區塊B3之主搬送機構TB3，被 搬送至載置部PS14a。又，搬送至載置部PS14a之基板W係藉由處理區塊B4之主搬送機構TB4，被搬送至載置部PS15a。
如此，於自處理區塊B1將基板W搬送至處理區塊B4之情形，於2個處理區塊B1、B2中，進行塗佈步驟處理，於2個處理區塊B3、B4中，僅進行用以使其通過之基板搬送。用以使其通過之基板搬送例如如下進行。即，於圖17C中，主搬送機構TB1於將2片基板W搬送至載置部PS12a後，接收載置於載置部PS12a之於顯影步驟已處理之2片基板W。接著，主搬送機構TB1進行用以使基板通過處理區塊B1之基板搬送，並搬送至載置部PS11b，且自載置部PS11a接收用以於2個處理區塊B1、B2中進行塗佈步驟處理之2片基板W。該基板搬送方法於處理區塊B2~B4中亦相同進行。
根據本實施例，具有實施例1之效果，進而，於基板處理裝置1內之搬送路徑RA、RB中，可雙向地搬送基板W。
本發明並非限定於上述實施形態，可如下述般變化實施。
(1)於上述各實施例中，例如，沿著搬送路徑RA設置2個處理區塊B1、B2，但不限定於2個。即，可沿著相同搬送路徑設置3個以上處理區塊。例如，於設置3個處理區塊之情形時，各處理區塊之主搬送機構構成為包含4個(3+1個)臂。又，於該情形時，基板搬送機構以2個(3-1個)臂保持通過設置有該基板搬送機構之處理區塊內之基板W，且進行如以往之對各處理單元U之基板W之交接(更換)。
(2)於上述各實施例及變化例(1)中，基板W之接收及交付之任一者均經由載置部PS1~PS3、PS5~PS7進行。該點，基板W之接收及交付之任一者例如亦可以主搬送機構TB1與主搬送機構TB2之臂彼此進行。
(3)於上述各實施例及各變化例中，主搬送機構TB1~TB4之臂支持台63係可沿著2個搬送路徑RA、RB各者移動。該點，主搬送機構 TB1~TB4之臂支持台63亦可固定於沿著2個搬送路徑RA、RB各者之方向。例如，於即使臂支持台63不移動，於與上游或下游之區塊、及各處理單元進行基板W之交接之情形時，臂支持台63亦可固定於沿著2個搬送路徑RA、RB各者之方向。
(4)於上述各實施例及各變化例中，主搬送機構TB1~TB4係於保持通過各處理區塊B1~B4之基板W之狀態，對各處理單元U進行基板W之交接。此時，主搬送機構TB1~TB4可於比保持基板W之狀態之臂61a更下方，進行對各處理單元U之基板W之交接(更換)。藉此，即使保持基板W之狀態之臂以外之進行對各處理單元U之基板W交接的臂，因其交接暫時產生灰塵時，亦可防止附著於保持狀態之基板W上。
另，如圖12A般，於載置部PS1中，於通過處理區塊B1之基板W位於比於處理區塊B1處理之基板W更下側之情形時，例如，可藉由其他搬送機構更換基板W。又，於載置部PS1中，亦可設置可更換基板W之載置位置之構成。又，亦可於主搬送機構TB1自載置部PS1接收基板W時，以比進行對各處理單元U之基板W交接之臂更上方的臂接收通過處理區塊B1之基板W之方式，錯開接收基板W之時點。
本發明於不脫離其精神或基本屬性下，可以其他具體形態具體化，因此，應參考申請專利範圍，而非以上述說明書作為本發明之範疇。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧分度部(ID部)
5‧‧‧處理部
7‧‧‧介面部(IF部)
9‧‧‧載具載置台
11‧‧‧保持臂
13‧‧‧臂支持台
23‧‧‧曝光後清洗處理單元
31‧‧‧主控制部
33‧‧‧輸入輸出部
49‧‧‧板
51‧‧‧旋轉保持部
53‧‧‧供給部
57‧‧‧熱處理單元
A3‧‧‧搬送空間
A4‧‧‧搬送空間
B3‧‧‧處理區塊
B4‧‧‧處理區塊
C‧‧‧載具
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光單元
EXP‧‧‧外部裝置(曝光裝置)
HP‧‧‧加熱單元
PHP‧‧‧加熱冷卻單元
PS5~PS7‧‧‧載置部
SBF‧‧‧送出緩衝部
TA1‧‧‧ID部內搬送機構
TA2‧‧‧ID部內搬送機構
TB3‧‧‧主搬送機構
TB4‧‧‧主搬送機構
TC1‧‧‧第1處理部側搬送機構
TC2‧‧‧第2處理部側搬送機構
TD‧‧‧單一曝光機側搬送機構
W‧‧‧基板
X-Y-Z‧‧‧方向

Claims (12)

  1. 一種處理基板之基板處理裝置，其係包含以下構成：2以上之自然數即n個處理區塊，其係沿著相同搬送路徑設置，並對基板進行相同製程處理，且上述處理區塊包含：至少1個處理單元，其係對基板進行預先設定之處理；及單一之基板搬送機構，其係包含用以保持基板之n+1個臂；上述基板搬送機構係使用上述n+1個臂中之n個臂自上游之區塊接收n片基板；使用保持上述所接收之n片基板中應於該處理區塊被處理之1片基板之1個臂、與未保持基板之1個臂，對該處理區塊之處理單元進行基板之交接；於上述處理單元處理上述基板之期間，設為以接收基板之剩餘之n-1個臂保持n-1片基板之狀態；且使用保持於該處理區塊進行特定處理之1片基板之1個臂、與保持上述n-1片基板之n-1個臂，將n片基板交付至下游之區塊。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板搬送機構進而包含：臂支持台，其以使上述臂可於水平方向移動地予以支持，並可沿著上述搬送路徑移動，且上述基板搬送機構於上述臂支持台位於上述搬送路徑之上游之區塊側時，自上游之區塊接收n片基板。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板搬送機構進而包含：臂支持台，其以使上述臂可於水平方向移動地予以支持，並可沿著上述搬送路徑移動，且上述基板搬送機構於上述臂支持台位於上述搬送路徑之下游 之區塊側時，將n片基板交付至下游之區塊。
  4. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述基板搬送機構進而包含：臂支持台，其以使上述臂可於水平方向移動地予以支持，並可沿著上述搬送路徑移動，且上述基板搬送機構於上述臂支持台位於上述搬送路徑之下游之區塊側時，將n片基板交付至下游之區塊。
  5. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述基板搬送機構自上游之區塊同時接收n片基板。
  6. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述基板搬送機構同時將n片基板交付至下游之區塊。
  7. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其進而包含：載置部，其係設置於鄰接之上游或下游之區塊之間，並載置用以進行基板之接收及交付之任一者之基板。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述載置部可載置n+1片基板，且可藉由上述n+1個臂同時進行基板之接收及交付之任一者。
  9. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述基板搬送機構於比保持上述基板之狀態之臂更下方，進行對該處理區塊之處理單元各者之基板交接。
  10. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述搬送路徑係以上述第1搬送路徑及第2搬送路徑並聯地構成，上述處理區塊沿著上述第1搬送路徑於第1方向搬送基板並執行製程處理，另一方面，沿著上述第2搬送路徑於與上述第1方向相反之第2方向搬送基板並執行與上述第1搬送路徑不同之製程處理。
  11. 如請求項1至4中任一項之基板處理裝置，其中上述搬送路徑係以第1搬送路徑及第2搬送路徑串聯地構成，上述處理區塊沿著上述第1搬送路徑及上述第2搬送路徑於第1方向搬送基板並於上述第1搬送路徑執行製程處理，另一方面，沿著上述第1搬送路徑及上述第2搬送路徑於與上述第1方向相反之第2方向搬送基板並於上述第2搬送路徑執行與上述第1搬送路徑不同之製程處理。
  12. 一種基板處理裝置之基板搬送方法，其中該基板處理裝置包含沿著相同搬送路徑設置而對基板進行相同製程處理之2以上自然數即n個處理區塊，且前述處理區塊包含：至少1個處理單元，其對基板進行預先設定之處理；及單一之基板搬送機構，其係包含用以保持基板之臂；且藉由上述基板搬送機構執行之上述基板搬送方法包含以下步驟：使用上述基板搬送機構所包含之n+1個上述臂中之n個臂自上游之區塊接收n片基板；使用保持上述所接收之n片基板中應於該處理區塊被處理之1片基板之1個臂、與未保持基板之1個臂，對該處理區塊之處理單元進行基板之交接；於上述處理單元處理上述基板之期間，設為以接收基板之剩餘之n-1個臂保持n-1片基板之狀態；使用保持於該處理區塊進行特定處理之1片基板之1個臂、與保持上述n-1片基板之n-1個臂，將n片基板交付至下游之區塊。
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