JP2015185639A - 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回路パターンに類似した形状になり且つ回路パターンに略対応する部分以外の厚さが回路パターンに略対応する部分の厚さより薄くなるように形成した回路用金属板12をセラミックス基板10に接合し、回路用金属板12の略全面にレジストを塗布した後、回路用金属板12の回路パターンに略対応する部分以外の部分の表面に塗布されたレジストの少なくとも一部を除去し、エッチング処理により回路用金属板12の回路パターンに略対応する部分以外の部分を除去する。
【選択図】図4B
Description
下側鋳型部材の底面に、回路パターンに略対応する部分の厚さが0.8mmであり、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分の厚さが0.3mmであり且つそれらの間隔(隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅)が2mmである回路用金属板と略等しい形状および大きさの凹部である回路用金属板形成部が形成され、この回路用金属板形成部の上部に隣接して、71mm×70mm×0.6mmの大きさのセラミックス基板と略等しい形状および大きさの凹部であるセラミックス基板収容部が形成され、このセラミックス基板収容部の上部に隣接して、金属ベース板形成部が形成され、金属ベース板形成部と回路用金属板形成部との間に延びる溶湯流路が形成された(図1A〜図1Cに示す鋳型100と同様の形状の)カーボン製の鋳型を用意した。
オーバーエッチングにならないように適度にエッチング処理を行った以外は、実施例1と同様の方法により、金属−セラミックス回路基板を得た。
回路パターンに略対応する部分の厚さが0.4mmであり、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分の厚さが0.2mmであり且つそれらの間隔(隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅)が0.3mmである回路用金属板と略等しい形状および大きさの凹部である回路用金属板形成部が底面に形成された下側鋳型部材を使用し、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅(0.3mm)より狭い部分(底面の中央の幅0.1mmの部分)を覆うエッチングレジスト16の部分のみをレーザー加工により除去した以外は、実施例1と同様の方法により、金属−セラミックス回路基板を得た。
回路パターンに略対応する部分の厚さが0.4mmであり、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分の厚さが0.3mmであり且つそれらの間隔(隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅)が0.3mmである回路用金属板と略等しい形状および大きさの凹部である回路用金属板形成部が底面に形成された下側鋳型部材を使用し、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅(0.3mm)より狭い部分(底面の中央の幅0.1mmの部分)を覆うエッチングレジスト16の部分のみをレーザー加工により除去した以外は、実施例2と同様の方法により、金属−セラミックス回路基板を得た。
回路パターンに略対応する部分の厚さが1.1mmであり、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分の厚さが0.8mmであり且つそれらの間隔(隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅)が0.4mmである回路用金属板と略等しい形状および大きさの凹部である回路用金属板形成部が底面に形成された下側鋳型部材を使用し、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅(0.4mm)より狭い部分(底面の中央の幅0.1mmの部分)を覆うエッチングレジスト16の部分のみをレーザー加工により除去した以外は、実施例1と同様の方法により、金属−セラミックス回路基板を得た。
回路パターンに略対応する部分の厚さが2.1mmであり、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分の厚さが0.4mmであり且つそれらの間隔(隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅)が2mmである回路用金属板と略等しい形状および大きさの凹部である回路用金属板形成部が底面に形成された下側鋳型部材を使用し、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅(2mm)より狭い部分(底面の中央の幅1.5mmの部分)を覆うエッチングレジスト16の部分のみをレーザー加工により除去した以外は、実施例1と同様の方法により、金属−セラミックス回路基板を得た。
回路パターンに略対応する部分の厚さが2.1mmであり、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分の厚さが0.4mmであり且つそれらの間隔(隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅)が2mmである回路用金属板と略等しい形状および大きさの凹部である回路用金属板形成部が底面に形成された下側鋳型部材を使用し、隣接する回路パターンの互いに対向する側面間の部分(溝部)の底面の幅(2mm)より狭い部分(底面の中央の幅1.5mmの部分)を覆うエッチングレジスト16の部分のみをレーザー加工により除去した以外は、実施例2と同様の方法により、金属−セラミックス回路基板を得た。
12 回路用金属板(金属回路板)
12a 抉れ部
14 金属ベース板
16 エッチングレジスト
100 下側鋳型部材
100a 底面部
100b 側壁部
100c 凹部
100d 回路用金属板形成部
100e セラミックス基板収容部
100f 金属ベース板形成部
Claims (16)
- 回路パターンに類似した形状になり且つ回路パターンに略対応する部分以外の厚さが回路パターンに略対応する部分の厚さより薄くなるように形成した金属板をセラミックス基板に接合し、金属板の略全面にレジストを塗布した後、金属板の回路パターンに略対応する部分以外の部分の表面に塗布されたレジストの少なくとも一部を除去し、エッチング処理により金属板の回路パターンに略対応する部分以外の部分を除去することを特徴とする、金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属板と前記セラミックス基板との接合を、金属溶湯を前記セラミックス基板の一方の面に接触させた後に冷却して固化させて前記金属板を形成することにより行うことを特徴とする、請求項1に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属板と前記セラミックス基板との接合を、前記セラミックス基板と略等しい形状および大きさのセラミックス基板収容部とこのセラミックス基板収容部に隣接する金属板形成部が内部に形成された鋳型を使用して、この鋳型のセラミックス基板収容部に前記セラミックス基板を収容し、このセラミックス基板の一方の面に接触するように金属溶湯を金属板形成部内に注湯した後に冷却して固化させて前記金属板を形成することにより行うことを特徴とする、請求項1に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属板形成部が、前記金属回路板の回路パターンに類似し且つ回路パターンに略対応する部分以外の深さを回路パターンに略対応する部分の深さよりも浅くした形状を有することを特徴とする、請求項3に記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属溶湯を前記セラミックス基板の一方の面に接触させる際に、前記金属溶湯を前記セラミックス基板の他方の面に接触させ、冷却して固化させることにより金属部材を形成して前記セラミックス基板の他方の面に接合することを特徴とする、請求項2乃至4のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属溶湯がアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯であることを特徴とする、請求項2乃至5のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記エッチング処理前の前記レジストの除去をレーザー加工により行うことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記エッチング処理により前記金属板の回路パターンに略対応する部分以外の部分を除去する際に、前記金属板の回路パターンに対応する部分のレジストで覆われていない部分に湾曲して抉れた凹部を形成することを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- 前記金属板の回路パターンに略対応する部分の厚さが0.4mm以上であることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板の製造方法。
- セラミックス基板の一方の面に金属回路板が接合し、この金属回路板の隣接する回路パターンの互いに対向する側面の下側部分に、回路パターンの側面の長手方向に延び且つ回路パターンの側面の内側に湾曲するように抉れた凹部が形成されていることを特徴とする、金属−セラミックス回路基板。
- 前記回路パターンの厚さが0.4mm以上であることを特徴とする、請求項10に記載の金属−セラミックス回路基板。
- 前記凹部の上端から前記回路パターンの上面までの高さが0.1mm以上であることを特徴とする、請求項10または11に記載の金属−セラミックス回路基板。
- 前記凹部の高さが0.25mm以上であることを特徴とする、請求項10乃至12のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
- 前記凹部の深さが0.05mm以上であることを特徴とする、請求項10乃至13のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
- 前記隣接する回路パターンのトップ間の距離とそのボトム間の距離との差が0.5mm未満であることを特徴とする、請求項10乃至14のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
- 前記隣接する回路パターンのボトム間の距離に対する前記回路パターンの厚さの比が0.3以上であることを特徴とする、請求項10乃至15のいずれかに記載の金属−セラミックス回路基板。
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