JP2015179029A - 高周波プローブおよび測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波プローブ30は、プローブ本体1と、プローブ本体1から伸び伝送線路21が設けられたプローブアーム部2と、プローブアーム部2の先端に設けられ導電性材料からなり信号導体22および接地導体23にそれぞれ接続する複数の先端部9、10とを備えている。伝送線路21は信号導体22およびその両側をそれぞれ伸びる接地導体23を備えている。信号導体22および接地導体23はコプレーナ線路を構成している。先端部9、10に表面メッキなしの高抵抗金属の材料を用いる。好ましくはNiCr、NiCrFe、NiCrFeMn、およびCrFeAlからなる群から選択した1つの材料を用いる。先端部9、10に高抵抗金属を用いることにより、DC(直流)的な直列抵抗値が10Ω以上、50Ω以下になるように設定する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる高周波プローブ30および測定装置60を示す斜視図である。本実施の形態は、半導体デバイスを評価するための測定装置60に用いられる高周波プローブ30に関するもので、特にマイクロ波・ミリ波帯の高周波プローブ30に関するものである。測定装置60は、高周波プローブ30と、高周波プローブ30と接続するコネクタ14と、コネクタ14を介して高周波プローブ30から信号を取得する測定器50と、を備える。コネクタ14と測定器50との間には信号線40が介在している。信号線40は、後述する外部線路6あるいはケーブルなどである。なお、コネクタ14に代えて導波管を用いてもよい。
図4は、本発明の実施の形態2にかかる高周波プローブ130を示す拡大図である。図5は、本発明の実施の形態2にかかる高周波プローブ130および測定装置160を示す図である。高周波プローブ130は、高周波プローブ30に信号導体22の信号を減衰する減衰回路12を設けたものである。減衰回路12によって高周波電力の通過損失を大幅に増大することができる。図8は、本発明の実施の形態で用いる減衰回路の等価回路図であり、π型減衰回路およびT型減衰回路それぞれの等価回路を示している。本実施の形態では、減衰回路12をπ型減衰回路とする。減衰回路12は、先端部9に直列に設けられた金属抵抗12aと、先端部9と先端部10を接続する金属抵抗12bと、金属抵抗12aを挟んで金属抵抗12bと反対側で先端部9と先端部10を接続する金属抵抗12cとを備えており、これらの金属抵抗12a〜12cがπ型減衰回路を構成する。図4に示すように、金属抵抗12b、12cは、先端部9とその両端に位置する先端部10とを跨いでそれらを電気的接続する。
図6は、本発明の実施の形態3にかかる高周波プローブ230を示す拡大図である。図7は、本発明の実施の形態3にかかる高周波プローブ230および測定装置260を示す図である。高周波プローブ230は、実施の形態2にかかる高周波プローブ130が有する減衰回路12の両側にDCカット回路を設けたものであり、このDCカット回路は本実施の形態ではチップキャパシタ13で構成されている。DCカット回路は減衰回路12に直列に接続しており、先端部9に設けられたチップキャパシタ13で構成される。図7に係る高周波プローブ230の使用状態の一例を示す。減衰回路12の両側の信号線路をDC的にカットすることによって、外部回路もしくは被測定素子5の内部の信号線路にDC電圧が印加されている場合でも、減衰回路12にDC電流が流れて抵抗が焼損することを回避できる。なお、減衰回路12の両側ではなく片側のみにチップキャパシタ13を設けても良く、つまり減衰回路12における先端部9の先側と先端部9の根元側の少なくとも一方にチップキャパシタ13を設ければよい。また、チップキャパシタ13の代わりにMIM(Metal−Insulator−Metal)キャパシタを設けてもよい。
Claims (11)
- プローブ本体と、
前記プローブ本体から伸び、信号導体および接地導体を含む伝送線路が設けられたプローブアーム部と、
前記プローブアーム部の先端に設けられ、導電性材料からなり、前記信号導体および前記接地導体にそれぞれ接続する複数の先端部と、
を備え、
前記伝送線路の特性インピーダンスの値が50Ωであり、
前記伝送線路と前記先端部の特性インピーダンスが等しく、
前記先端部の直列抵抗値が10Ω以上かつ50Ω以下である高周波プローブ。 - 前記信号導体の信号を減衰する減衰回路を備える請求項1に記載の高周波プローブ。
- 前記複数の先端部は、前記信号導体と接続する第1先端部と、前記接地導体と接続する第2先端部と、を含み、
前記減衰回路は、π型減衰回路を含み、
前記π型減衰回路は、
前記第1先端部に直列に設けられた第1抵抗と、
前記第1先端部と前記第2先端部を接続する第2抵抗と、
前記第1抵抗を挟んで前記第2抵抗と反対側で前記第1先端部と前記第2先端部を接続する第3抵抗と、
を備える請求項2に記載の高周波プローブ。 - 前記複数の先端部は、前記信号導体と接続する第1先端部と、前記接地導体と接続する第2先端部と、を含み、
前記減衰回路は、T型減衰回路を含み、
前記T型減衰回路は、
前記第1先端部に直列に設けられた第1抵抗と、
前記第1先端部と前記第2先端部を接続する第2抵抗と、
前記第2抵抗を挟んで前記第1抵抗と反対側で前記第1先端部に直列に設けられた第3抵抗と、
を備える請求項2に記載の高周波プローブ。 - 前記減衰回路に直列に接続したDCカット回路を更に備える請求項2〜4のいずれか1項に記載の高周波プローブ。
- 前記DCカット回路は、前記信号導体に接続する前記先端部に設けられたチップキャパシタを含む請求項5に記載の高周波プローブ。
- 前記複数の先端部は、前記信号導体と接続する第1先端部と、前記接地導体と接続する第2先端部と、を含み、
前記第1先端部に直列に設けられた第1抵抗と、前記第1先端部と前記第2先端部を接続する第2抵抗と、を備える減衰回路と、
前記第1先端部の先側と根元側の少なくとも一方に設けられたチップキャパシタと、
を備える請求項1に記載の高周波プローブ。 - 前記先端部が、NiCr、NiCrFe、NiCrFeMn、およびCrFeAlからなる群から選択した1つの材料で形成された請求項1〜7のいずれか1項に記載の高周波プローブ。
- プローブ本体と、
前記プローブ本体から伸び、信号導体および接地導体を含む伝送線路が設けられたプローブアーム部と、
前記プローブアーム部の先端に設けられ、導電性材料からなり、前記信号導体と接続する第1先端部と、
前記プローブアーム部の先端に設けられ、導電性材料からなり、前記接地導体と接続する第2先端部と、
前記第1先端部に直列に設けられた第1抵抗と、
前記第1先端部と前記第2先端部を接続する第2抵抗と、
を備える高周波プローブ。 - 高周波プローブと、
前記高周波プローブと接続するコネクタまたは導波管と、
前記コネクタまたは前記導波管を介して前記高周波プローブから信号を取得する測定器と、
を備え、
前記高周波プローブは、
プローブ本体と、
前記プローブ本体から伸び、信号導体および接地導体を含む伝送線路が設けられたプローブアーム部と、
前記プローブアーム部の先端に設けられ、導電性材料からなり、前記信号導体および前記接地導体にそれぞれ接続する複数の先端部と、
を備え、
前記伝送線路の特性インピーダンスの値が50Ωであり、
前記伝送線路と前記先端部の特性インピーダンスが等しく、
前記先端部の直列抵抗値が10Ω以上かつ50Ω以下である測定装置。 - 高周波プローブと、
前記高周波プローブと接続するコネクタまたは導波管と、
前記コネクタまたは前記導波管を介して前記高周波プローブから信号を取得する測定器と、
を備え、
前記高周波プローブは、
プローブ本体と、
前記プローブ本体から伸び、信号導体および接地導体を含む伝送線路が設けられたプローブアーム部と、
前記プローブアーム部の先端に設けられ、導電性材料からなり、前記信号導体と接続する第1先端部と、
前記プローブアーム部の先端に設けられ、導電性材料からなり、前記接地導体と接続する第2先端部と、
前記第1先端部に直列に設けられた第1抵抗と、
前記第1先端部と前記第2先端部を接続する第2抵抗と、
を備える測定装置。
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