JP2015178520A - 高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法の提供。【解決手段】（ａ）未精製ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、及び（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップを含み、前記酸が酢酸であり、前記ステップ（ｄ）で使用される再結晶溶媒がアセトンおよびヘキサンである、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法。【効果】前記製造方法は、残留溶媒含有量が医薬品残留溶媒基準より顕著に低く、抗癌剤に有用に使用できる。【選択図】なし
Description
本発明は、高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法、より具体的には、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルの製造方法に関する。
ドセタキセルは、トキソイド族に属する広範な抗腫瘍および抗白血病活性を有する癌化学療法剤である。それは、欧州またはインドのイチイの葉および皮から抽出される１０−デアセチルバッカチン（Ｄｅａｃｅｔｙｌｂａｃｃａｔｉｎ）ＩＩＩの化学修飾によって得られる半合成抗癌剤であり、欧州を含む世界の国々で幅広く認められ、乳癌および卵巣癌などに対する治療剤として市販されている医薬品である。
現在、半合成ドセタキセルを再結晶化して無水結晶形ドセタキセルを製造するために、ジクロロメタンとヘキサンを用いた再結晶、アセトンとヘキサンを用いた再結晶、およびアセトニトリルと精製水を用いた再結晶の方法が知られているが、前記方法により製造された無水結晶形ドセタキセルは純度が顕著に低く、問題となっている。特に、医薬用途のためのドセタキセルの場合、純度を高めることが何より重要である。
特に、高純度の無水結晶形ドセタキセルを製造する上で困難な点は、不純物や残留溶媒を除去することであり、特に、無水結晶形ドセタキセルを製造する場合、ドセタキセルの安定性が破壊され、７−エピマー（ｅｐｉｍｅｒ）、つまり、４−アセトキシ−２α−ベンゾイルオキシ−５−β，２０−エポキシ−１，７α，１０β−トリヒドロキシ−９−オキソ−タック−１１−エン−１３−α−イル（２Ｒ，３Ｓ）−３−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−２’−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオネートという不純物が生成されるため、高純度の無水結晶形ドセタキセルを製造することが非常に難しいのが実情である。
したがって、不純物の含有量が少なく、高純度の無水結晶形ドセタキセルを製造するための方法の開発が切実に要求されているのが実情である。
そこで、本発明者らは、高純度無水結晶形ドセタキセルを製造するための方法を開発することにより本発明に至った。
したがって、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）（ａ）ステップのドセタキセルの一次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、一次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、（ｃ）濃縮されたドセタキセルを、高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの二次精製されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するために、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供する。
また、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供する。
また、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供する。
さらに、本発明は、（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、（ｂ）（ａ）ステップのドセタキセルの一次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、一次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、（ｃ）濃縮されたドセタキセルを、高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、および（ｄ）（ｃ）ステップの二次精製されたドセタキセルを再結晶するステップを含む、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法を提供する。
以下、本発明をより詳細に説明する。
高純度無水結晶形ドセタキセルを製造するために、本発明の方法は、大きく３つで組み合わされた工程を含み、これにより、半合成ドセタキセルから純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。具体的には、図１に示される半合成ドセタキセル試料の純度ＨＰＬＣ結果と、図５、図８および図１１に示される本発明の精製工程を経て製造された無水結晶形ドセタキセルのＨＰＬＣ結果とを比較すると、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルが本発明の方法にしたがって製造されうることが分かる。
特に、低圧または高圧逆相クロマトグラフィーを行った後に得られるドセタキセル分取液の精製効率を向上させるために、分取液は逆相クロマトグラフィーに含まれる不純物を除去するために酸を添加して濃縮されて、不純物の含有量が減少したドセタキセル沈殿物を形成する。
分取液は、クロマトグラフィーによって得られるドセタキセルを含む分画物を意味し、その収得方法は当業者が容易に決定することができる。
低圧は、これに限定されないが、好ましくは５ｐｓｉ〜１０００ｐｓｉであり、高圧は、これに限定されないが、好ましくは１５００ｐｓｉ〜４０００ｐｓｉである。
以下、本発明を、工程別により詳細に説明する。
１．高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ
（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ
半合成ドセタキセルを、まず、低圧順相クロマトグラフィーで一次精製する。
低圧順相クロマトグラフィーを行う場合、これに限定されないが、好ましくは、炭素数１〜２のハロゲン化アルカン類、炭素数１〜６の有機溶媒およびその組み合わせからなる群より選択される展開溶媒が使用されうる。炭素数１〜２のハロゲン化アルカン類には、ジクロロメタン、クロロホルムおよびその組み合わせが含まれ得、炭素数１〜６の有機溶媒には、メタノール、ベンゼン、アセトン、ヘキサン、エチルアセテートおよびその組み合わせが含まれ得る。より好ましくは、アイソクラチック（ｉｓｏｃｒａｔｉｃ）または段階溶出（ｓｔｅｐ ｅｌｕｔｉｏｎ）方法を用いることができ、１．０％（ｖ／ｖ）〜２０％（ｖ／ｖ）のメタノール／ジクロロメタン混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：ジクロロメタン（ｖ）＝１．０：９９〜２０：８０）、より好ましくは２．５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）のメタノール／ジクロロメタン混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：ジクロロメタン（ｖ）＝２．５：９７．５〜１０：９０）を展開溶媒として使用することができる。
低圧順相クロマトグラフィーを行うために、当該技術分野において公知の任意の方法が使用され得、好ましくは、カラムの充填剤として、シリカゲル６０（６３〜２００μｍ）が使用され得る。
本工程により、半合成ドセタキセル（純度４５％）を純度９４％程度に精製することができる。
（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ
半合成ドセタキセルを、まず、低圧順相クロマトグラフィーで一次精製する。
低圧順相クロマトグラフィーを行う場合、これに限定されないが、好ましくは、炭素数１〜２のハロゲン化アルカン類、炭素数１〜６の有機溶媒およびその組み合わせからなる群より選択される展開溶媒が使用されうる。炭素数１〜２のハロゲン化アルカン類には、ジクロロメタン、クロロホルムおよびその組み合わせが含まれ得、炭素数１〜６の有機溶媒には、メタノール、ベンゼン、アセトン、ヘキサン、エチルアセテートおよびその組み合わせが含まれ得る。より好ましくは、アイソクラチック（ｉｓｏｃｒａｔｉｃ）または段階溶出（ｓｔｅｐ ｅｌｕｔｉｏｎ）方法を用いることができ、１．０％（ｖ／ｖ）〜２０％（ｖ／ｖ）のメタノール／ジクロロメタン混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：ジクロロメタン（ｖ）＝１．０：９９〜２０：８０）、より好ましくは２．５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）のメタノール／ジクロロメタン混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：ジクロロメタン（ｖ）＝２．５：９７．５〜１０：９０）を展開溶媒として使用することができる。
低圧順相クロマトグラフィーを行うために、当該技術分野において公知の任意の方法が使用され得、好ましくは、カラムの充填剤として、シリカゲル６０（６３〜２００μｍ）が使用され得る。
本工程により、半合成ドセタキセル（純度４５％）を純度９４％程度に精製することができる。
（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ
（ａ）ステップで得られた純度９０％以上のドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーで二次精製する。
低圧逆相クロマトグラフィーを行う場合、これに限定されないが、好ましくは、炭素数１〜３の有機溶媒、精製水およびその組み合わせからなる群より選択される展開溶媒が使用されうる。炭素数１〜３の有機溶媒には、炭素数１〜３のアルコール、アセトニトリルおよびその組み合わせが含まれ得、アルコールには、メタノール、エタノール、プロパノールおよびその組み合わせが含まれ得る。より好ましくは、アイソクラチック（ｉｓｏｃｒａｔｉｃ）または段階溶出（ｓｔｅｐ ｅｌｕｔｉｏｎ）方法を用いることができ、３０％（ｖ／ｖ）〜９０％（ｖ／ｖ）のメタノール／精製水混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：精製水（ｖ）＝３０：７０〜９０：１０）、好ましくは６０％（ｖ／ｖ）〜８５％（ｖ／ｖ）のメタノール／精製水混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：精製水（ｖ）＝６０：４０〜８５：１５）を使用することができる。
低圧順相クロマトグラフィーを行うためには、当該技術分野において公知の任意の方法が使用され得、好ましくは、カラムの充填剤として、通常の疎水性樹脂、例えば、６３〜２００μｍのＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｓｉｌｙｌａｔｅｄ、Ｃ１８）、Ｃ８またはＣ４を使用することができる。
本工程により、半合成ドセタキセル（純度４５％）を純度９９．４％程度に精製することができる。
（ａ）ステップで得られた純度９０％以上のドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーで二次精製する。
低圧逆相クロマトグラフィーを行う場合、これに限定されないが、好ましくは、炭素数１〜３の有機溶媒、精製水およびその組み合わせからなる群より選択される展開溶媒が使用されうる。炭素数１〜３の有機溶媒には、炭素数１〜３のアルコール、アセトニトリルおよびその組み合わせが含まれ得、アルコールには、メタノール、エタノール、プロパノールおよびその組み合わせが含まれ得る。より好ましくは、アイソクラチック（ｉｓｏｃｒａｔｉｃ）または段階溶出（ｓｔｅｐ ｅｌｕｔｉｏｎ）方法を用いることができ、３０％（ｖ／ｖ）〜９０％（ｖ／ｖ）のメタノール／精製水混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：精製水（ｖ）＝３０：７０〜９０：１０）、好ましくは６０％（ｖ／ｖ）〜８５％（ｖ／ｖ）のメタノール／精製水混合溶液（つまり、メタノール（ｖ）：精製水（ｖ）＝６０：４０〜８５：１５）を使用することができる。
低圧順相クロマトグラフィーを行うためには、当該技術分野において公知の任意の方法が使用され得、好ましくは、カラムの充填剤として、通常の疎水性樹脂、例えば、６３〜２００μｍのＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｓｉｌｙｌａｔｅｄ、Ｃ１８）、Ｃ８またはＣ４を使用することができる。
本工程により、半合成ドセタキセル（純度４５％）を純度９９．４％程度に精製することができる。
（ｃ）二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ
（ｂ）ステップで得られた純度９９．４％のドセタキセル分取液に酸を添加して、二次精製されたドセタキセルを濃縮する。
有機溶媒を除去するために酸で濃縮する場合、これに限定されないが、好ましくは３５℃〜６０℃、より好ましくは４０〜５０℃で濃縮することができ、濃縮時間は、１〜１０時間であり得る。
酸には、これに限定されないが、好ましくは、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸およびその組み合わせが含まれ得る。（ｂ）ステップで得られたドセタキセル分取液（ａｌｉｑｕｏｔ）に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）、より好ましくは０．２％（ｖ／ｖ）〜５％（ｖ／ｖ）の酸を加えて濃縮することができる。
濃縮後、必要に応じて、生成物を減圧乾燥して乾固物を得ることができる。
本工程により、半合成ドセタキセル（純度４５％）を純度９９．５％以上に精製することができる。
（ｂ）ステップで得られた純度９９．４％のドセタキセル分取液に酸を添加して、二次精製されたドセタキセルを濃縮する。
有機溶媒を除去するために酸で濃縮する場合、これに限定されないが、好ましくは３５℃〜６０℃、より好ましくは４０〜５０℃で濃縮することができ、濃縮時間は、１〜１０時間であり得る。
酸には、これに限定されないが、好ましくは、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸およびその組み合わせが含まれ得る。（ｂ）ステップで得られたドセタキセル分取液（ａｌｉｑｕｏｔ）に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）、より好ましくは０．２％（ｖ／ｖ）〜５％（ｖ／ｖ）の酸を加えて濃縮することができる。
濃縮後、必要に応じて、生成物を減圧乾燥して乾固物を得ることができる。
本工程により、半合成ドセタキセル（純度４５％）を純度９９．５％以上に精製することができる。
（ｄ）濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップ
（ｃ）ステップで得られた純度９９．５％以上のドセタキセルを再結晶して無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。
再結晶溶媒には、これに限定されないが、アセトン、ヘキサンおよびその組み合わせが含まれ得る。より好ましくは、（ｃ）ステップで得られたドセタキセルをアセトンに溶かした後、ヘキサンを添加させて再結晶することができる。アセトンは、これに限定されないが、好ましくは、ドセタキセルの濃度が１％（ｗ／ｖ）〜３０％（ｗ／ｖ）となるように投与され得、ヘキサンは、アセトンの投与量の１倍〜１０倍の容量で投与され得る。
（ｃ）ステップで得られた純度９９．５％以上のドセタキセルを再結晶して無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。
再結晶溶媒には、これに限定されないが、アセトン、ヘキサンおよびその組み合わせが含まれ得る。より好ましくは、（ｃ）ステップで得られたドセタキセルをアセトンに溶かした後、ヘキサンを添加させて再結晶することができる。アセトンは、これに限定されないが、好ましくは、ドセタキセルの濃度が１％（ｗ／ｖ）〜３０％（ｗ／ｖ）となるように投与され得、ヘキサンは、アセトンの投与量の１倍〜１０倍の容量で投与され得る。
２．高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法ＩＩ
（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ
低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップは、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ａ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ
低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップは、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ａ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ
（ａ）ステップで得られた純度９０％以上のドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーで二次精製する。
高圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップは、圧力条件を除き、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｂ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。カラムの充填剤として、好ましくは、通常の疎水性樹脂、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍのＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｓｉｌｙｌａｔｅｄ、Ｃ１８）、Ｃ８またはＣ４などが用いられ得る。
本ステップにより、純度９９．４％程度のドセタキセル分取液を製造することができる。
（ａ）ステップで得られた純度９０％以上のドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーで二次精製する。
高圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップは、圧力条件を除き、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｂ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。カラムの充填剤として、好ましくは、通常の疎水性樹脂、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍのＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｓｉｌｙｌａｔｅｄ、Ｃ１８）、Ｃ８またはＣ４などが用いられ得る。
本ステップにより、純度９９．４％程度のドセタキセル分取液を製造することができる。
（ｃ）二次精製されたドセタキセルを酸を用いて濃縮するステップ
（ｂ）で得られたドセタキセル分取液に酸を添加して濃縮する。
酸を用いる濃縮方法は、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｃ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度９９．７％以上のドセタキセルを得ることができる。
（ｂ）で得られたドセタキセル分取液に酸を添加して濃縮する。
酸を用いる濃縮方法は、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｃ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度９９．７％以上のドセタキセルを得ることができる。
（ｄ）濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップ
（ｃ）で得られた純度９９．７％以上のドセタキセルを再結晶して無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。
再結晶方法は、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｄ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度９９．８％以上の無水結晶形ドセタキセルを得ることができる。
（ｃ）で得られた純度９９．７％以上のドセタキセルを再結晶して無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。
再結晶方法は、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｄ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度９９．８％以上の無水結晶形ドセタキセルを得ることができる。
３．高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法ＩＩＩ
（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ
半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーで一次精製することができる。
低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップは、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｂ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度８０〜８４％程度のドセタキセル分取液を分離することができる。
（ａ）半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ
半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーで一次精製することができる。
低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップは、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｂ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度８０〜８４％程度のドセタキセル分取液を分離することができる。
（ｂ）一次精製されたドセタキセルを酸で濃縮するステップ
（ａ）で得られたドセタキセル分取液に酸を添加して濃縮する。
酸による濃縮方法は、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｃ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度９０〜９４％以上のドセタキセルを得ることができる。
（ａ）で得られたドセタキセル分取液に酸を添加して濃縮する。
酸による濃縮方法は、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ｃ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。
本工程により、純度９０〜９４％以上のドセタキセルを得ることができる。
（ｃ）濃縮されたドセタキセルを、高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ
（ｂ）で得られたドセタキセルを、高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製することができる。
高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップは、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ａ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。ただし、カラムの充填剤として、好ましくは、シリカゲル２０μｍが用いられ得る。
本工程により、純度９９．５〜９９．６％のドセタキセルを得ることができる。
（ｂ）で得られたドセタキセルを、高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製することができる。
高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップは、前記「高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ」の（ａ）ステップに記述されたのと同様の方法で実施され得る。ただし、カラムの充填剤として、好ましくは、シリカゲル２０μｍが用いられ得る。
本工程により、純度９９．５〜９９．６％のドセタキセルを得ることができる。
（ｄ）二次精製されたドセタキセルを再結晶するステップ
（ｃ）で二次精製されたドセタキセルを再結晶して、無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。
再結晶方法は、前記１の（ｄ）に記載されるように実施され得る。
本工程により、純度９９．７〜９９．８％以上の無水結晶形ドセタキセルを得ることができる。
（ｃ）で二次精製されたドセタキセルを再結晶して、無水結晶形ドセタキセルを製造することができる。
再結晶方法は、前記１の（ｄ）に記載されるように実施され得る。
本工程により、純度９９．７〜９９．８％以上の無水結晶形ドセタキセルを得ることができる。
純度９９．５％以上、収率７７％〜８８％の高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法に関する結果を、下表１に要約する。
ドセタキセルの純度および回収率は、当該技術分野において公知の任意の方法を用いて測定することができ、好ましくは、下表２に記載のＨＰＬＣ分析方法を用いて測定することができる。
本発明の高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法は、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造することができ、さらに、残留溶媒含有量が医薬品残留溶媒基準より顕著に低く、抗癌剤として有用に使用できることが分かる。
以下、実施例および実験を参照して本発明をより詳細に説明する。
ただし、下記の実施例および実験は、本発明を例示するものに過ぎず、本発明の内容がこれに限定されるものではない。
ただし、下記の実施例および実験は、本発明を例示するものに過ぎず、本発明の内容がこれに限定されるものではない。
＜実施例１＞高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法Ｉ
＜１−１＞低圧順相クロマトグラフィー
半合成ドセタキセル１８０ｇ（純度４５％）を、ジクロロメタン１０００ｍｌに完全に溶かして試料として用意した。シリカゲル６０（６３〜２００μｍ）を充填したカラムを用いて、下表３の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
＜１−１＞低圧順相クロマトグラフィー
半合成ドセタキセル１８０ｇ（純度４５％）を、ジクロロメタン１０００ｍｌに完全に溶かして試料として用意した。シリカゲル６０（６３〜２００μｍ）を充填したカラムを用いて、下表３の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
試料注入から約４０分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取し、温度４５℃で減圧濃縮して、ドセタキセル分取液を濃縮した。濃縮が完了すると、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は９８ｇ、純度９４％、収率は９７％であった。
＜１−２＞低圧逆相クロマトグラフィー
実施例＜１−１＞の乾固物９８ｇを、メタノール１１００ｍｌに完全に溶かした後、精製水２７５ｍｌを添加して試料として用意した。疎水性樹脂６３〜２００μｍのＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｓｉｌｙｌａｔｅｄ、Ｃ１８）を充填したカラムを用いて、下表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
実施例＜１−１＞の乾固物９８ｇを、メタノール１１００ｍｌに完全に溶かした後、精製水２７５ｍｌを添加して試料として用意した。疎水性樹脂６３〜２００μｍのＯＤＳ（Ｏｃｔａｄｅｃｙｌｓｉｌｙｌａｔｅｄ、Ｃ１８）を充填したカラムを用いて、下表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は３５１０ｍｌ、純度９９．４％、収率は９７％であった。
＜１−３＞酸による濃縮
１−３−１．酸による濃縮（０．２％）
実施例＜１−２＞のドセタキセル分取液２０００ｍｌ（ドセタキセルの量４３ｇ、純度９９．４）に対して酢酸４ｍｌ（０．２％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を２日間行った。
回収された乾固物の量は４１ｇ、純度９９．７％、収率は９８％であった。
１−３−１．酸による濃縮（０．２％）
実施例＜１−２＞のドセタキセル分取液２０００ｍｌ（ドセタキセルの量４３ｇ、純度９９．４）に対して酢酸４ｍｌ（０．２％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を２日間行った。
回収された乾固物の量は４１ｇ、純度９９．７％、収率は９８％であった。
１−３−２．酸による濃縮（１％）
実施例＜１−２＞のドセタキセル分取液３５０ｍｌ（ドセタキセルの量７．６ｇ、純度９９．４）に対して酢酸３．５ｍｌ（１％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を２日間行った。
回収された乾固物の量は７．５ｇ、純度９９．６％、収率は９８％であった。
実施例＜１−２＞のドセタキセル分取液３５０ｍｌ（ドセタキセルの量７．６ｇ、純度９９．４）に対して酢酸３．５ｍｌ（１％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を２日間行った。
回収された乾固物の量は７．５ｇ、純度９９．６％、収率は９８％であった。
１−３−３．酸による濃縮（５％）
実施例＜１−２＞のドセタキセル分取液３５０ｍｌ（ドセタキセルの量７．６ｇ、純度９９．４）に対して酢酸１７．５ｍｌ（５％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を２日間行った。
回収された乾固物の量は７．４ｇ、純度９９．７％、収率は９８％であった。
実施例＜１−２＞のドセタキセル分取液３５０ｍｌ（ドセタキセルの量７．６ｇ、純度９９．４）に対して酢酸１７．５ｍｌ（５％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を２日間行った。
回収された乾固物の量は７．４ｇ、純度９９．７％、収率は９８％であった。
＜１−４＞再結晶
１−４−１．アセトン：ヘキサン＝１：１．８（ｖ／ｖ）
実施例＜１−３−１＞の純度９９．７％の乾固物７．１７ｇを、室温でアセトン７２ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン１２９．６ｍｌを撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が６．７ｇ、純度９９．８％、収率が９３％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
１−４−１．アセトン：ヘキサン＝１：１．８（ｖ／ｖ）
実施例＜１−３−１＞の純度９９．７％の乾固物７．１７ｇを、室温でアセトン７２ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン１２９．６ｍｌを撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が６．７ｇ、純度９９．８％、収率が９３％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
１−４−２．アセトン：ヘキサン＝１：２．０（ｖ／ｖ）
実施例＜１−３−２＞の純度９９．６％の乾固物７．２ｇを、室温でアセトン７２ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン１４４ｍｌを撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が６．９ｇ、純度９９．８％、収率が９６％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
実施例＜１−３−２＞の純度９９．６％の乾固物７．２ｇを、室温でアセトン７２ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン１４４ｍｌを撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が６．９ｇ、純度９９．８％、収率が９６％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
１−４−３．アセトン：ヘキサン＝１：２．３（ｖ／ｖ）
実施例＜１−３−３＞の純度９９．７％の乾固物７．３ｇを、室温でアセトン７２ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン１６５．６ｍｌを撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が６．９ｇ、純度９９．８％、収率が９４％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
実施例＜１−３−３＞の純度９９．７％の乾固物７．３ｇを、室温でアセトン７２ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン１６５．６ｍｌを撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が６．９ｇ、純度９９．８％、収率が９４％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
＜１−５＞実施例１の結果の要約
実施例１の各工程別の純度および収率を、下表５に要約する。
実施例１の各工程別の純度および収率を、下表５に要約する。
実施例１の残留溶媒含有量を、下表６に記載する。
前記のように、半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィー、低圧逆相クロマトグラフィー、酸による濃縮、および再結晶の工程を行うことにより、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造することができ、さらに、残留溶媒含有量が医薬品残留溶媒基準より顕著に低く、抗癌剤として有用に使用できることが分かる。
＜実施例２＞高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法ＩＩ
＜２−１＞低圧順相クロマトグラフィー
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、ジクロロメタン３．２ｍｌに完全に溶かして試料として用意した。シリカゲル６０（６３〜２００μｍ）を充填したカラムを用いて、下表７の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
＜２−１＞低圧順相クロマトグラフィー
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、ジクロロメタン３．２ｍｌに完全に溶かして試料として用意した。シリカゲル６０（６３〜２００μｍ）を充填したカラムを用いて、下表７の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
試料注入から約４０分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取し、温度４５℃で減圧濃縮して、ドセタキセル分取液を濃縮した。濃縮が完了すると、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．３４ｇ、純度９４％、収率は９６％であった。
回収された乾固物の量は０．３４ｇ、純度９４％、収率は９６％であった。
＜２−２＞高圧逆相クロマトグラフィー
実施例＜２−１＞の乾固物０．３４ｇを、メタノール２．７ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．１ｍｌを添加して試料を用意した。疎水性樹脂オクタデシルシリカ（Ｃ１８、２０μｍ）を充填したカラムを用いて、下表８の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
実施例＜２−１＞の乾固物０．３４ｇを、メタノール２．７ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．１ｍｌを添加して試料を用意した。疎水性樹脂オクタデシルシリカ（Ｃ１８、２０μｍ）を充填したカラムを用いて、下表８の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。
試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は１０５ｍｌで、純度９９．４％、収率は９７％であった。
前記ドセタキセル分取液は１０５ｍｌで、純度９９．４％、収率は９７％であった。
＜２−３＞酸による濃縮（１％）
実施例＜２−２＞のドセタキセル分取液１０５ｍｌに対して酢酸１．０５ｍｌ（１％（ｖ／ｖ））を添加し、混合物を減圧濃縮した。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過した後に得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２５ｇ、純度９９．８％、収率は９８％であった。
実施例＜２−２＞のドセタキセル分取液１０５ｍｌに対して酢酸１．０５ｍｌ（１％（ｖ／ｖ））を添加し、混合物を減圧濃縮した。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去してドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過した後に得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２５ｇ、純度９９．８％、収率は９８％であった。
＜２−４＞再結晶
実施例＜２−３＞の純度９９．８％のドセタキセル０．２５ｇを、室温でアセトン２．５ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン２．７５ｍｌ（アセトンの２．３倍）を撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が０．２２ｇ、純度９９．９％、収率は９２％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
実施例＜２−３＞の純度９９．８％のドセタキセル０．２５ｇを、室温でアセトン２．５ｍｌに完全に溶かした後、ヘキサン２．７５ｍｌ（アセトンの２．３倍）を撹拌しながら１０分間添加した後、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量が０．２２ｇ、純度９９．９％、収率は９２％の無水結晶形ドセタキセルを得た。
＜２−５＞実施例２の結果の要約
実施例２における各工程別の純度および収率を、下表９に記載する。
実施例２における各工程別の純度および収率を、下表９に記載する。
実施例２の残留溶媒含有量を、下表１０に記載する。
前記のように、半合成ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィー、高圧逆相クロマトグラフィー、酸による濃縮、および再結晶の工程を行うことにより、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造することができ、さらに、残留溶媒含有量が医薬品残留溶媒基準より顕著に低く、抗癌剤に有用に使用できることが分かる。
＜実施例３＞高純度無水結晶形ドセタキセルの製造方法ＩＩＩ
＜３−１＞低圧逆相クロマトグラフィー
３−１−１．メタノール：精製水＝６５．５：３４．５（ｖ／ｖ）
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、メタノール４．８ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．２ｍｌを添加して試料を用意した。オクタデシルシリカ（Ｃ１８、１００μｍ）を充填したカラムを用いて、前記表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は１２０ｍｌで、純度８４％、収率は９５％であった。
＜３−１＞低圧逆相クロマトグラフィー
３−１−１．メタノール：精製水＝６５．５：３４．５（ｖ／ｖ）
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、メタノール４．８ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．２ｍｌを添加して試料を用意した。オクタデシルシリカ（Ｃ１８、１００μｍ）を充填したカラムを用いて、前記表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は１２０ｍｌで、純度８４％、収率は９５％であった。
３−１−２．メタノール：精製水＝６７．５：３２．５（ｖ／ｖ）
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、メタノール４．８ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．２ｍｌを添加して試料を用意した。オクタデシルシリカ（Ｃ１８、１００μｍ）を充填したカラムを用いて、前記表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は１０５ｍｌで、純度８４％、収率は９４％であった。
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、メタノール４．８ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．２ｍｌを添加して試料を用意した。オクタデシルシリカ（Ｃ１８、１００μｍ）を充填したカラムを用いて、前記表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は１０５ｍｌで、純度８４％、収率は９４％であった。
３−１−３．メタノール：精製水＝７０：３０（ｖ／ｖ）
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、メタノール４．８ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．２ｍｌの精製水を添加して試料を用意した。オクタデシルシリカ（Ｃ１８、１００μｍ）を充填したカラムを用いて、前記表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は８５ｍｌで、純度８０％、収率は９６％であった。
半合成ドセタキセル０．６ｇ（純度４５％）を、メタノール４．８ｍｌに完全に溶かした後、精製水１．２ｍｌの精製水を添加して試料を用意した。オクタデシルシリカ（Ｃ１８、１００μｍ）を充填したカラムを用いて、前記表４の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４５分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した。
前記ドセタキセル分取液は８５ｍｌで、純度８０％、収率は９６％であった。
実施例＜３−１＞を、下表１１に要約する。
＜３−２＞酸による濃縮
３−２−１．酸による濃縮（０．５％）
実施例＜３−１−１＞のドセタキセル分取液１２０ｍｌに対して酢酸０．６ｍｌ（０．５％）を添加し、混合物を温度４５℃で減圧濃縮をした。減圧濃縮でメタノールを最大限除去することによりドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２７ｇ、純度９４％、収率は９９％であった。
３−２−１．酸による濃縮（０．５％）
実施例＜３−１−１＞のドセタキセル分取液１２０ｍｌに対して酢酸０．６ｍｌ（０．５％）を添加し、混合物を温度４５℃で減圧濃縮をした。減圧濃縮でメタノールを最大限除去することによりドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２７ｇ、純度９４％、収率は９９％であった。
３−２−２．酸による濃縮（１％）
実施例＜３−１−２＞のドセタキセル分取液１０５ｍｌに対して酢酸１．０５ｍｌ（１％）を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮でメタノールを最大限除去することによりドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２７ｇ、純度９４％、収率は９８％であった。
実施例＜３−１−２＞のドセタキセル分取液１０５ｍｌに対して酢酸１．０５ｍｌ（１％）を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮でメタノールを最大限除去することによりドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２７ｇ、純度９４％、収率は９８％であった。
３−２−３．酸による濃縮（５％）
実施例＜３−１−３＞のドセタキセル分取液８５ｍｌに対して酢酸４．２ｍｌ（５％）を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２６ｇ、純度９２％、収率は９８％であった。
実施例＜３−１−３＞のドセタキセル分取液８５ｍｌに対して酢酸４．２ｍｌ（５％）を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物の生成を誘導し、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の量は０．２６ｇ、純度９２％、収率は９８％であった。
＜３−３＞高圧順相クロマトグラフィー
実施例＜３−２＞で収得した乾固物を、ジクロロメタン２ｍｌに完全に溶かして試料として用意した。シリカゲル２０μｍを充填したカラムを用いて、下表１２の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４０分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した後、温度４５℃で減圧濃縮を行ってドセタキセル分取液を濃縮した。濃縮が完了すると、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の純度および収率を、下表１３に記載する。
実施例＜３−２＞で収得した乾固物を、ジクロロメタン２ｍｌに完全に溶かして試料として用意した。シリカゲル２０μｍを充填したカラムを用いて、下表１２の運転条件によりクロマトグラフィーを行った。試料注入から約４０分経過後、ドセタキセルの活性分液を分取した後、温度４５℃で減圧濃縮を行ってドセタキセル分取液を濃縮した。濃縮が完了すると、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を１日間行った。
回収された乾固物の純度および収率を、下表１３に記載する。
＜３−４＞再結晶
実施例＜３−３＞の純度９９．８％のドセタキセルを、下表１４に記載されるように処理して、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下に真空乾燥を６日間行って無水結晶形ドセタキセルを収得した。
回収された乾固物の純度および収率を、下表１４に記載する。
実施例＜３−３＞の純度９９．８％のドセタキセルを、下表１４に記載されるように処理して、４℃の温度下に１２時間保管して再結晶を誘導した。１２時間経過後、ろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセルは、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下に真空乾燥を６日間行って無水結晶形ドセタキセルを収得した。
回収された乾固物の純度および収率を、下表１４に記載する。
＜３−５＞実施例３の結果の要約
実施例３における各工程別の純度および収率を、下表１５に記載する。
実施例３における各工程別の純度および収率を、下表１５に記載する。
実施例３の残留溶媒含有量を、下表１６に記載する。
前記のように、半合成ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィー、酸による濃縮、高圧順相クロマトグラフィー、および再結晶の工程を行うことにより、純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造することができ、さらに、残留溶媒含有量が医薬品残留溶媒基準より顕著に低く、抗癌剤に有用に使用できることが分かる。
＜比較例１＞低圧順相クロマトグラフィーで一次精製後、低圧逆相クロマトグラフィーで二次精製した後、酸を添加せずに濃縮した場合
実施例＜１−２＞で得られたドセタキセル分取液中、７０ｍｌ（ドセタキセルの量１．０ｇ、純度９９．４％）を、酸を添加せずに直ちに温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物が生成され、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量は０．９４ｇ、純度８８％、収率は８０％であった。
実施例＜１−２＞で得られたドセタキセル分取液中、７０ｍｌ（ドセタキセルの量１．０ｇ、純度９９．４％）を、酸を添加せずに直ちに温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物が生成され、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量は０．９４ｇ、純度８８％、収率は８０％であった。
＜比較例２＞低圧順相クロマトグラフィーで一次精製後、低圧逆相クロマトグラフィーで二次精製した後、０．０１％の酸を添加して濃縮した場合
実施例＜１−２＞で得られたドセタキセル分取液７０ｍｌ（ドセタキセルの量１．０ｇ、純度９９．４％）に対して酢酸０．００７ｍｌ（０．０１％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物が生成され、この沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量は０．９０ｇ、純度８５％、収率は７７％であった。
実施例＜１−２＞で得られたドセタキセル分取液７０ｍｌ（ドセタキセルの量１．０ｇ、純度９９．４％）に対して酢酸０．００７ｍｌ（０．０１％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物が生成され、この沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量は０．９０ｇ、純度８５％、収率は７７％であった。
＜比較例３＞低圧順相クロマトグラフィーで一次精製後、低圧逆相クロマトグラフィーで二次精製した後、２０％の酸を添加して濃縮した場合
実施例＜１−２＞で得られたドセタキセル分取液７０ｍｌ（ドセタキセルの量１．０ｇ、純度９９．４％）に対して酢酸１４ｍｌ（２０％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物が生成され、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量は０．８７ｇ、純度８５％、収率は７２％であった。
実施例＜１−２＞で得られたドセタキセル分取液７０ｍｌ（ドセタキセルの量１．０ｇ、純度９９．４％）に対して酢酸１４ｍｌ（２０％（ｖ／ｖ））を添加し、温度４５℃で減圧濃縮を行った。減圧濃縮によりメタノールを最大限除去するとドセタキセル沈殿物が生成され、前記沈殿物をろ紙（Ｗｈａｔｍａｎ Ｎｏ．４２）を用いて減圧ろ過した。減圧ろ過して得られたドセタキセル沈殿物は、温度４５℃、７６０ｍｍＨｇの減圧下で真空乾燥を６日間行った。
回収された乾固物の量は０．８７ｇ、純度８５％、収率は７２％であった。
Claims (8)
- （ａ）未精製ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、
（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、
（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および
（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップ
を含み、
前記酸が酢酸であり、前記ステップ（ｄ）で使用される再結晶溶媒がアセトンおよびヘキサンである、
純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法。 - （ａ）未精製ドセタキセルを、低圧順相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、
（ｂ）一次精製されたドセタキセルを、高圧逆相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、
（ｃ）（ｂ）ステップのドセタキセルの二次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、二次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、および
（ｄ）（ｃ）ステップの濃縮されたドセタキセルを再結晶するステップ
を含み、
前記酸が酢酸であり、前記ステップ（ｄ）で使用される再結晶溶媒がアセトンおよびヘキサンである、
純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法。 - （ａ）未精製ドセタキセルを、低圧逆相クロマトグラフィーを行って一次精製するステップ、
（ｂ）（ａ）ステップのドセタキセルの一次精製後に得られるドセタキセル分取液に対して０．０５％（ｖ／ｖ）〜１０％（ｖ／ｖ）の濃度の酸を加えて、一次精製されたドセタキセルを濃縮するステップ、
（ｃ）濃縮されたドセタキセルを、高圧順相クロマトグラフィーを行って二次精製するステップ、および
（ｄ）二次精製されたドセタキセルを再結晶するステップ
を含み、
前記酸が酢酸であり、前記ステップ（ｄ）で使用される再結晶溶媒がアセトンおよびヘキサンである、
純度９９．５％以上の無水結晶形ドセタキセルを製造する方法。 - 前記低圧順相クロマトグラフィーまたは高圧順相クロマトグラフィーを行う場合、炭素数１〜２のハロゲン化アルカン類、炭素数１〜６の有機溶媒およびその組み合わせからなる群より選択される展開溶媒が使用される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記炭素数１〜２のハロゲン化アルカン類が、ジクロロメタンおよびクロロホルムからなる群より選択される１種以上であり、前記炭素数１〜６の有機溶媒が、メタノール、ベンゼン、アセトン、ヘキサンおよびエチルアセテートからなる群より選択される１種以上である、請求項４に記載の方法。
- 前記低圧逆相クロマトグラフィーまたは高圧逆相クロマトグラフィーを行う場合、炭素数１〜３の有機溶媒、精製水およびその組み合わせからなる群より選択される展開溶媒が使用される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記炭素数１〜３の有機溶媒が、炭素数１〜３のアルコールおよびアセトニトリルからなる群より選択される１種以上である、請求項６に記載の方法。
- アセトンが、ドセタキセルの濃度が１％（ｗ／ｖ）〜３０％（ｗ／ｖ）となるように投与された後に、ヘキサンが、アセトンの投与量の１倍〜１０倍の容量で投与される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
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