JP2015175908A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】最表面層を厚膜化しても、電気特性のバラツキを抑制する電子写真感光体を提供すること。【解決手段】最表面層（例えば保護層５）が、反応性電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成され、且つ電界強度３．０?１０５Ｖ／ｃｍの条件下で測定される前記最表面層の電荷移動度のうち、最も速い電荷移動度（μｆ）と最も遅い電荷移動度（μｓ）との関係が式（１）： （μｆ）／（μｓ）≰１．０?１０３を満たす電子写真感光体である。【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関するものである。

電子写真方式の画像形成装置は、一般的には、次の如き構成及びプロセスを有するものである。即ち、電子写真感光体表面を帯電手段で所定の極性及び電位に帯電させ、帯電後の電子写真感光体表面を、像露光により選択的に除電することにより静電潜像を形成させた後、現像手段で該静電潜像にトナーを付着させることにより、潜像をトナー像として現像し、トナー像を転写手段で被転写媒体に転写させることにより、画像形成物として排出させるといったものである。

近年、電子写真感光体の表面に保護層を設けて強度を向上させることが提案されている。例えば、保護層の材料系については、以下のものが提案されている。
特許文献１には、有機−無機ハイブリッド材料によるものが提案されている。
特許文献２には、連鎖重合性材料によるものが提案されている。
特許文献３には、アクリル系材料によるものが提案されている。
特許文献４、５には、放射線架橋剤と電荷輸送物質からなり、放射線架橋されたものが提案されている。
特許文献６には、三官能以上のモノマー及び電荷輸送性骨格を有する単官能のモノマーを共重合させた共重合体によるものが提案されている。
また、電子写真感光体の最表面層の別の態様としては、例えば、特許文献６には、導電粉をフェノール樹脂に分散したものも提案されている。

特開２０００−０１９７４９号公報 特開２００５−２３４５４６号公報 特開２０００−６６４２４号公報 特開２００４−２４００７９号公報 特開２００７−１５６０８１号公報 特許第３２８７６７８号公報

本発明の課題は、最表面層を厚膜化しても、電気特性のバラツキを抑制する電子写真感光体を提供することである。

上記課題は、以下の手段により解決される。

請求項１に係る発明は、
導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、
最表面層が、反応性電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成され、
且つ電界強度３．０×１０^５Ｖ／ｃｍの条件下で測定される前記最表面層の電荷移動度のうち、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）と最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）との関係が下記式（１）を満たす電子写真感光体。
・式（１）： （μ_ｆ）／（μ_ｓ）≦１．０×１０^３

請求項２に係る発明は、
前記反応性電荷輸送材料が、下記一般式（Ｉ）及び（II）で示される反応性化合物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１に記載の電子写真感光体。

〔一般式（Ｉ）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍは１以上８以下の整数を示す。〕

〔一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌ’は、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。 ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。〕

請求項３に係る発明は、
前記一般式（Ｉ）で示される反応性化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ）、下記一般式（Ｉ−ｂ）、下記一般式（Ｉ−ｃ）、及び下記一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物からなる群より選択される少なくとも１種の反応性化合物である請求項２に記載の電子写真感光体。

〔一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｘａは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、及びエステル基から選ばれる基を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｄａは、下記一般式（IＡ−ａ）で示される基を示す。ａｃ１〜ａｃ４は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。但し、Ｄａの総数は１又は２である。〕

〔一般式（IＡ−ａ）中、Ｌ^ａは、＊−（ＣＨ_２）_ａｎ−Ｏ−ＣＨ_２−で示され、＊にてＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される基に連結する２価の連結基を示す。ａｎは、１又は２の整数を示す。〕

〔一般式（Ｉ−ｂ）中、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｂ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｂは、下記一般式（IＡ−ｂ）で示される基を示す。ｂｃ１〜ｂｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｂｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｂの総数は、１又は２である。〕

〔一般式（IＡ−ｂ）中、Ｌ^ｂは、＊−（ＣＨ_２）_ｂｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５で示される基に連結する２価の連結基を示す。ｂｎは、３以上６以下の整数を示す。〕

〔一般式（Ｉ−ｃ）中、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｃ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｃは、下記一般式（IＡ−ｃ）で示される基を示す。ｃｃ１〜ｃｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｃｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｃの総数は、１以上８以下である。〕

〔一般式（IＡ−ｃ）中、Ｌ^Ｃは、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−と−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ）−、又は−Ｓ−とを組み合わせた基からなる群より選択される１つ以上の基を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。〕

〔一般式（Ｉ−ｄ）中、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｄ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｄは、下記一般式（IＡ−ｄ）で示される基を示す。ｄｃ１〜ｄｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｄｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｄの総数は、３以上８以下である。〕

〔一般式（IＡ−ｄ）中、Ｌ^ｄは、＊−（ＣＨ_２）_ｄｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ５で示される基に連結する２価の連結基を示す。ｄｎは、１以上６以下の整数を示す。〕

請求項４に係る発明は、
前記一般式（II）で示される化合物が、下記一般式（II−ａ）で示される化合物である請求項２又は請求項３に記載の電子写真感光体。

〔一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｋ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｋは、下記一般式（IIＡ−ａ）で示される基を示す。ｋｃ１〜ｋｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｋの総数は、１以上８以下である。〕

〔一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋは、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｋｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｋｎは、２以上３以下の整数を示す。〕

請求項５に係る発明は、
前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）で示される基である請求項２に記載の電子写真感光体。

〔一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）中、Ｘ^ｋ１は２価の連結基を示す。ｋｑ１は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ２は２価の連結基を示す。ｋｑ２は０又は１の整数を示す。〕

請求項６に係る発明は、
前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）で示される基である請求項２に記載の電子写真感光体。

〔一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）中、Ｘ^ｋ３は２価の連結基を示す。ｋｑ３は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ４は２価の連結基を示す。ｋｑ４は０又は１の整数を示す。〕

請求項７に係る発明は、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

請求項８に係る発明は、
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。

請求項１、２、３、４、５、又は６に係る発明によれば、式（１）を満たさない場合に比べ、最表面層を厚膜化しても、電気特性のバラツキを抑制する電子写真感光体が提供される。

請求項７に係る発明によれば、式（１）を満たさない電子写真感光体を備えた場合に比べ、電子写真感光体の電気特性のバラツキに起因する画質の低下を抑制するプロセスカートリッジが提供される。

請求項８に係る発明によれば、式（１）を満たさない電子写真感光体を備えた場合に比べ、電子写真感光体の電気特性のバラツキに起因する画質の低下を抑制する画像形成装置が提供される。

本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す概略部分断面図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。

以下、本発明の一例である本実施形態について説明する。

［電子写真感光体］
本実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた感光層と、を有する。
最表面層は、反応性電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成されている。
そして、電界強度３．０×１０^５Ｖ／ｃｍの条件下で測定される最表面層の電荷移動度のうち、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）と最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）との関係が下記式（１）を満たす。
・式（１）： （μ_ｆ）／（μ_ｓ）≦１．０×１０^３

ここで、反応性電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で最表面層を構成すると、機械的特性は向上するものの、結着樹脂に非反応性電荷輸送材料を分散させて非硬化膜で最表面層を構成した場合に比べ、電気特性のバラツキが生じやすいことが知られている。特に、最表面層を厚膜化すると、電気特性のバラツキが顕著に生じやすくなる。

一方、この電気特性のバラツキは、最表面層の電荷移動度を測定したとき、最表面層中で移動する電荷の速度差が存在することに起因していると考えられる。この電荷の移動差が大きいと、最表面層の電気特定が分布を持つようになると考えられる。

つまり、電界強度３．０×１０^５Ｖ／ｃｍの条件下で測定される最表面層の電荷移動度のうち、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）と最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）との関係が式（１）を満たすとは、最表面層を厚膜化しても（例えば最表面層の膜厚を７μｍ以上としても）、最表面層中で移動する電荷の速度差が小さく、最表面層の電気特性に分布が生じ難いことを示している。

そして、この最表面層の特性を、反応性電荷輸送材料の種類及び量、その他成分（非反応性電荷輸送材料、不飽和結合を持つ化合物、重合開始剤等）の種類及び量、組成物の溶媒の種類、並びに、硬化方法等の選択することで付与できることが判明した。

以上から、本実施形態に係る電子写真感光体では、上記構成により、最表面層を厚膜化しても、電気特性のバラツキが抑制される。また、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置（又はプロセスカートリッジ）は、電子写真感光体の電気特性のバラツキに起因する画質の低下が抑制される。具体的には、例えば、画像濃度ムラ、画像にじみ等の発生が抑制される。

ここで、電界強度３．０×１０^５Ｖ／ｃｍの条件下で測定される最表面層の電荷移動度のうち、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）と最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）との関係は、電気特性のバラツキを抑制する点から、下記式（１−２）を満たすことが好ましく、下記（１−３）を満たすことがより好ましい。
・式（１−２）： （μ_ｆ）／（μ_ｓ）≦ １ ×１０^３
・式（１−３）： （μ_ｆ）／（μ_ｓ）≦ １ ×１０^２

最も速い電荷移動度（μ_ｆ）は、電気特性の向上の点から、１×１０⁻⁶ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上１×１０^−２ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以下が好ましく、より好ましくは １×１０^−５ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上１×１０^−３ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以下である。
最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）は、電気特性のバラツキの抑制、及び電気特性の向上の点から、１×１０^−８ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上１×１０^−３ ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以下が好ましく、より好ましくは １×１０^−７ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以上 １×１０^−４ ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ以下である。

最も速い電荷移動度（μ_ｆ）と最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）とは、次に示す方法により測定された値である。
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）基板上に最表面層形成用塗布液（組成物）を塗布した後、硬化して硬化膜を設ける。次に、硬化膜の表面に半透明の金電極をスパッタリング法により作製し、電荷移動度度測定用サンプルとする。なお、電荷移動度度測定用サンプルの膜厚は、電子写真感光体上に形成した保護層の膜厚と同じにする。そして、この電荷移動度度測定用サンプルを用いて、電荷移動度の測定を実施する。
電荷移動度の測定は、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）法に準じて、２０℃／４０％ＲＨの常温常湿下で、宇翔社製の「商品名：ＫＥＣ−１５０（励起光源：窒素パルスレーザー（波長＝３３７ｎｍ）、印加電界強度＝３.０×１０^５Ｖ/ｃｍ）を用いて行う、具体的には、サンプルに目的とする電圧を印加し、３．０×１０^５Ｖ／ｃｍの電界強度が付与されるようにする。次に、この状態で、サンプルに窒素パルスレーザー（波長；３３７ｎｍ）を照射し、差動増幅器「商品名：５３０７（エヌエフ回路設計ブロック社製）」とデジタルオシロスコープ「商品名：ＴＤＳ５０５４（テクトロニクス社製）」により、発生した過渡電流波形を測定した。
そして、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）は、電流と時間との関係対数変換し、得られた曲線の変曲点となる時間から算出する。一方、最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）は、過渡電流波形の裾の時点（過渡電流波形の曲線が下がりきった時点）の時間から算出する。
なお、電子写真感光体から電荷移動度測定用サンプルを得る場合、最表面層を切り取り、硬化膜の両表面に半透明の金電極をスパッタリング法により作製しこれを利用してもよい。

本実施形態に係る電子写真感光体において、反応性電荷輸送材料として、一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物（以下、「特定の反応性電荷輸送材料」とも称する）からなる群より選択される少なくとも１種を含む組成物の硬化膜を最表面層に利用することがよい。この組成物の硬化膜を最表面層として利用すると、最表面層が優れた電気特性と機械的強度を兼ね備えた上で、最表面層の厚膜化（例えば７μｍ以上）も実現されると考えられる。これにより、感光体寿命が向上する。感光体寿命は、最表面層が摩滅した時点で決定されるため、最表面層の厚膜化は長寿命化に有効である。
これは、特定の反応性電荷輸送材料自身が電荷輸送性能に優れる上、−ＯＨ、−ＮＨ−などのキャリア輸送を妨げる極性基が少なく、また、キャリア輸送に有効なπ電子を有するスチリル基で、重合により当該材料が連結されることから、残留歪が抑制され、電荷を捕獲する構造的なトラップの形成が抑制されるため考えられるためである。また、特定の反応性電荷輸送材料が、反応性基として（メタ）アクリル基を有する反応性電荷輸送材料よりも疎水的で水分がつきにくい性質があることから、長期にわたって電気特性が維持されるためと考えられる。

また、電子写真感光体は放電により帯電して使用するが、その際に電気的負荷、放電ガス（例えばオゾン）による負荷により、最表面層の構成材料の劣化が起こり、結果として放電生成物（例えば硝酸アンモニウム等のイオン性物質）を吸着しやすくなる。そのために、特に、高湿下で水分を吸着し、最表面層の表面抵抗が低下し、潜像滲みを生じ、結果として画像の画像流れを生じやすい。これを抑制するために最表面層を適度に磨耗させ、潜像滲みを抑制する必要がある。この磨耗量は、帯電方式、クリーニング方式、トナー形状などの影響が大きく、システムによって大きく左右されるため、最表面層の強度を調整とすることが必要となる。この点、本実施形態に係る電子写真感光体では、例えば、未反応の反応性化合物の種類及び量、その他成分の種類及び量、並びに、硬化方法の選択により、最表面層の機械的強度の調整が実現される。その結果、繰り返し画像形成を行っても、画質の低下が抑制されやすくなる。

このため、本実施形態に係る電子写真感光体では、反応性電荷輸送材料として、特定の反応性電荷輸送材料（一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物）を利用して、式（１）を満たすようにすることがよい。その手法又は構成としては、例えば、以下の手法又は構成が挙げられる。
・特定の反応性電荷輸送材料として、スチリル基を有するトリアリールアミン系化合物（スチリル基を有するトリアリールアミン構造を持つ化合物）、スチリル基を有するベンジジン系化合物（スチリル基を有するベンジジン構造を持つ化合物）を用いること。
・特定の反応性電荷輸送材料以外の成分として、トリアリールアミン系化合物（トリアリールアミン構造を持つ化合物）、ベンジジン系化合物（ベンジジン構造を持つ化合物）を用いること。
・溶媒として酢酸エステル系溶媒、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン等を用いること。
・硬化条件を、１００℃以上、１８０℃以下で加熱し、酸素濃度を１００００ｐｐｍ以下で行うこととすること
・最表面層と接する下層を、膜厚５μｍ以上５０μｍ以下（好ましくは１５μｍ以上３０μｍ以下）の非硬化膜（例えば、結着樹脂中に非反応性電荷輸送材料を分散させた非硬化膜）で構成すること。

なお、本実施形態に係る電子写真感光体において、最表面層は、電子写真感光体自体の最上面を形成していればよく、保護層として機能する層、又は、電荷輸送層として機能する層として設けられる。最表面層が保護層として機能する層である場合、この保護層の下層には、電荷輸送層及び電荷発生層からなる感光層、又は単層型感光層を有することとなる。
具体的には、最表面層が保護層として機能する層の場合、導電性基体上に、感光層（電荷発生層及び電荷輸送層、又は単層型感光層）、及び最表面層として保護層が順次形成された態様が挙げられる。一方、最表面層が電荷輸送層として機能する層の場合、導電性基体上に、電荷発生層、及び最表面層として電荷輸送層が順次形成された態様が挙げられる。

以下、最表面層が保護層として機能する層の場合の、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。

図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す概略断面図である。図２乃至図３はそれぞれ本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す概略断面図である。

図１に示す電子写真感光体７Ａは、いわゆる機能分離型感光体（又は積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２、電荷輸送層３、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成される。

図２に示す電子写真感光体７Ｂは、図１に示す電子写真感光体７Ａのごとく、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体である。
図２に示す電子写真感光体７Ｂにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、電荷輸送層３、電荷発生層２、及び保護層５が順次形成された構造を有するものである。電子写真感光体７Ｂにおいては、電荷輸送層３及び電荷発生層２により感光層が構成される。

図３に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。図３に示す電子写真感光体７Ｃにおいては、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に単層型感光層６、保護層５が順次形成された構造を有するものである。

そして、図１、図２及び図３に示す電子写真感光体７Ａ、７Ｂ及び７Ｃにおいて、保護層５が、導電性基体４から最も遠い側に配置される最表面層となっており、当該最表面層が、上記の構成となっている。
なお、図１、図２及び図３に示す電子写真感光体において、下引層１は設けてもよいし、設けなくてもよい。

以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する。

（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０^２Ωｃｍ以上１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましい、アミノ基を有するシランカップリング剤が好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着せる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）から１／２λまでに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

（中間層）
図示は省略するが、下引き層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。

（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基材からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ−１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ_６Ｈ_４−Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ−２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ_６Ｈ_４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。

電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
。

（保護層）
保護層（最表面層）は、電子写真感光体における最表面層であり、反応性電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成されている。つまり、保護層は、反応性電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む、
保護層には、非反応性電荷輸送材料、不飽和結合（不飽和二重結合）を有する化合物等のその他の添加剤を更に含む組成物で構成されていてもよい。つまり、保護層は、反応性電荷輸送材料と不飽和結合を有する化合物との重合体又は架橋体、非反応性電荷輸送材料等のその他の添加剤を更に含んでいてもよい。

なお、硬化膜の硬化方法としては、熱、光、又は放射線などによるラジカル重合が行なわれる。反応が早く進行しすぎないよう調整すると、保護層（最表面層）の機械的強度及び電気特性が向上し、また膜のムラやシワの発生も抑制されるため、ラジカル発生が比較的ゆっくりと起こる条件下で重合させることが好ましい。この点からは、重合速度を調整しやすい熱重合が好適である。つまり、保護層（最表面層）を構成する硬化膜を形成するための組成物には、熱ラジカル発生剤又はその誘導体を含むことがよい。

−反応性電荷輸送材料−
反応性電荷輸送材料としては、同一分子内に電荷輸送性骨格及び反応性基を有する化合物であれば、周知の材料から選択される。ここで、反応性基としては、連鎖重合性基が挙げられ、例えば、ラジカル重合し得る官能基であることよく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基が挙げられる。具体的には、連鎖重合性基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、アリルエーテル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、スチリル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくも一種を含む官能基等が挙げられる。

反応性電荷輸送材料として、具体的には、電気特性と機械的強度の観点から、一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物（特定の反応性電荷輸送材料）からなる群より選択される少なくとも１種であることがよい。

一般式（Ｉ）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。
Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。
ｍは１以上８以下の整数を示す。

一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。
Ｌ’は、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−の基からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。なお、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基とは、アルカン又はアルケンから水素原子を３つ又は４つ取り除いた基を意味する。以下、同様である。
ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。

一般式（I）及び（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格、つまり電荷輸送性を有する構造を示し、具体的には、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、アゾベンゼン系化合物、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物、キノン系化合物、フルオレノン系化合物、などの電荷輸送性を有する構造が挙げられる。

一般式（I）中、Ｌで示される連結基としては、例えば、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｏ−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｎ（Ｒ）−が介在した２価の連結基、
アルキレン基中に−Ｓ−が介在した２価の連結基、
が挙げられる。
なお、Ｌで示される連結基は、アルキレン基中に、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｓ−の基が２つ介在してもよい。

一般式（I）中、Ｌで示される連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌで示される連結基中、ｐは、０、又は１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｑは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｒは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌで示される連結基中、「＊」は、Ｆと連結する部位を示している。

一方、一般式（II）中、Ｌ’で示される連結基としては、例えば、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｏ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｎ（Ｒ）−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
分枝状に連結したアルキレン基中に−Ｓ−が介在した（ｎ＋１）価の連結基、
が挙げられる。
なお、Ｌ’で示される連結は、分枝状に連結したアルキレン基中に、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−、又は−Ｓ−の基が２つ介在してもよい。

一般式（II）中、Ｌ’で示される連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、


＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｏ−Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_３
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_３
等が挙げられる。
ここで、Ｌ’で示される連結基中、ｐは、０、又は１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｑは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｒは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｓは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ’で示される連結基中、「＊」は、Ｆと連結する部位を示している。

これらの中でも、一般式（II）中、Ｌ’で示される連結基としては、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
＊−（ＣＨ_２）_ｐ−ＣＨ＝Ｃ［（ＣＨ_２）_ｒ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｑ−］_２、
がよい。
具体的には、一般式（II）で示される反応性化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基（一般式（IIＡ−ａ）で示される基が該当）は、下記一般式（IIＡ−ａ１）、下記一般式（IIＡ−ａ２）、下記一般式（IIＡ−ａ３）、又は下記一般式（IIＡ−ａ４）で示される基であることがよい。

一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）中、Ｘ^ｋ１は２価の連結基を示す。ｋｑ１は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ２は２価の連結基を示す。ｋｑ２は０又は１の整数を示す。
ここで、Ｘ^ｋ１及びＸ^ｋ２で示される２価の連結基は、例えば、−（ＣＨ_２）_ｐ−（但しｐは１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す））が挙げられる。当該２価の連結基としては、アルキレンオキシ基も挙げられる。

一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）中、Ｘ^ｋ３は２価の連結基を示す。ｋｑ３は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ４は３価の連結基を示す。ｋｑ４は０又は１の整数を示す。
ここで、Ｘ^ｋ３及びＸ^ｋ４で示される２価の連結基は、例えば、−（ＣＨ_２）_ｐ−（但しｐは１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す））が挙げられる。当該２価の連結基としては、アルキレンオキシ基も挙げられる。

一般式（I）及び（II）中、Ｌ、Ｌ’で示される連結基において、「−Ｎ（Ｒ）−」のＲで示されるアルキル基としては、炭素数１以上５以下（好ましくは１以上４以下）の直鎖状、分枝状のアルキル基が挙げられ、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
「−Ｎ（Ｒ）−」のＲで示されるアリール基としては、炭素数６以上１５以下（好ましくは６以上１２以下）のアリール基が挙げられ、具体的には、例えば、フェニル基、トルイル基、キシリジル基、ナフチル基等が挙げられる。
アラルキル基としては、炭素数７以上１５以下（好ましくは７以上１４以下）のアラルキル基が挙げられ、具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ビフェニルメチレン基等が挙げられる。

一般式（I）及び（II）中、ｍは、１以上６以下の整数を示すことが好ましい。
ｍ’は、１以上６以下の整数を示すことが好ましい。
ｎは、２以上３以下の整数を示すことが好ましい。

次に、一般式（Ｉ）及び（II）で示される反応性化合物の好適な化合物について説明する。
一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物としては、Ｆとしてトリアリールアミン系化合物に由来する電荷輸送性骨格（電荷輸送性を有する構造）を有する反応性化合物がよい。
具体的には、一般式（Ｉ）で示される反応性化合物としては、一般式（Ｉ−ａ）、一般式（Ｉ−ｂ）、一般式（Ｉ−ｃ）、及び一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物が好適である。
一方、一般式（II）で示される反応性化合物としては、一般式（II−ａ）で示される反応性化合物が好適である。

・一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物を適用すると、環境変化に起因する電気特性の劣化が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、従来用いられていた、（メタ）アクリル基を有する反応性化合物は、重合の際に電荷輸送性能を発現する骨格の部位に対して、（メタ）アクリル基の親水性が強いことから、ある種の層分離状態を形成してしまい、ホッピング伝導の妨げとなっていることが考えられる。このため、（メタ）アクリル基を有する反応性化合物の重合体又は架橋体を含む電荷輸送性膜は、電荷輸送の効率が落ち、更に、部分的な水分の吸着などにより環境安定性が低下するものと考えられる。
これ対して、一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物は、親水性の強くないビニル系の連鎖重合性基を有しており、更に、電荷輸送性能を発現する骨格を一分子内に複数有し、その骨格同士を芳香環や共役二重結合などの共役結合を有しない、柔軟性のある連結基で連結している。このような構造を有することから、効率的な電荷輸送性能と高強度化が図れると共に、重合の際の層分離状態の形成が抑制されるものと考えられる。その結果として、一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層（最表面層）は、電荷輸送性能と機械的強度との両方に優れ、更に、電荷輸送性能の環境依存（温湿度依存）を低減しうるものと考えられる。
以上から、一般式（Ｉ−ａ）で示される反応性化合物を適用すると、環境変化に起因する電気特性の劣化が抑制され易くなると考えられる。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｘａは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、及びエステルから選ばれる基を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｄａは、下記一般式（IＡ−ａ）で示される基を示す。ａｃ１〜ａｃ４は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。但し、Ｄａの総数は１又は２である。

一般式（IＡ−ａ）中、Ｌ^ａは、＊−（ＣＨ_２）_ａｎ−Ｏ−ＣＨ_２−で示され、＊にてＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される基に連結する２価の連結基を示す。ａｎは、１又は２の整数を示す。

以下、一般式（Ｉ−ａ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、それぞれ、同一でもあってもよいし、異なっていてもよい。
ここで、置換アリール基における置換基としては、「Ｄａ」以外のものとして、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子等が挙げられる。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４としては、下記構造式（１）〜（７）のうちのいずれかであることが好ましい。
なお、下記構造式（１）〜（７）は、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４の各々に連結され得る「−（Ｄａ）_ａｃ１」〜「−（Ｄａ）_ａｃ１」を総括的に示した「−（Ｄ）_Ｃ」と共に示す。

構造式（１）〜（７）中、Ｒ^１１は、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルキル基若しくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、及び炭素数７以上１０以下のアラルキル基からなる群より選ばれる１種を示す。Ｒ^１２、及びＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ｒ^１４は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ａｒは、置換又は未置換のアリーレン基を示す。ｓは、０又は１を示す。ｔは、０以上３以下の整数を示す。Ｚ’は、２価の有機連結基を示す。

ここで、式（７）中、Ａｒとしては、下記構造式（８）又は（９）で示されるものが好ましい。

構造式（８）及び（９）中、Ｒ^１５及びＲ^１６は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を表し、ｔ１及びｔ２はそれぞれ０以上３以下の整数を示す。

また、式（７）中、Ｚ’は、下記構造式（１０）〜（１７）のうちのいずれかで示されるものが好ましい。

構造式（１０）〜（１７）中、Ｒ^１７及びＲ^１８は、それぞれ独立に、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基若しくは炭素数１以上４以下のアルコキシ基で置換されたフェニル基、未置換のフェニル基、炭素数７以上１０以下のアラルキル基、及びハロゲン原子からなる群より選ばれる１種を示す。Ｗは、２価の基を示す。ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に１以上１０以下の整数を示す。ｔ３及びｔ４は、それぞれ０以上３以下の整数を示す。

構造式（１６）〜（１７）中、Ｗとしては、下記構造式（１８）〜（２６）で示される２価の基のうちのいずれかであることが好ましい。但し、式（２５）中、ｕは、０以上３以下の整数を示す。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基において、このアリーレン基としては、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４の説明で例示されたアリール基から目的とする位置の水素原子を１つ除いたアリーレン基が挙げられる。
また、置換アリーレン基における置換基としては、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４の説明で、置換アリール基における「Ｄａ」以外の置換基として挙げられているものと同様である。

一般式（Ｉ−ａ）中、Ｘａで示される２価の連結基は、アルキレン基、又はアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、及びエステルから選ばれる基を組み合わせてなる２価の基であって、芳香環や共役二重結合などの共役結合を含まない連結基である。
具体的には、Ｘａで示す２価の連結基として、炭素数１以上１０以下のアルキレン基が挙げられ、その他、炭素数１以上１０以下のアルキレン基と−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、及び−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−から選ばれる基とを組み合わせてなる２価の基も挙げられる。
なお、Ｘａで示される２価の連結基がアルキレン基である場合、このアルキレン基はアルキル、アルコキシ、ハロゲン等の置換基を有していてもよく、この置換基の２つが互いに結合して、構造式（１６）〜（１７）中のＷの具体例として記載した構造式（２６）で示される２価の連結基のような構造となってもよい。

・一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物を適用すると、保護層（最表面層）の摩耗が抑制される共に、画像の濃度ムラの発生が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、かさ高い電荷輸送性骨格と重合部位（スチリル基）が構造的に近く、剛直（リジッド）であると重合部位同士が動きずらくなり、硬化反応による残留歪が残りやすく、電荷輸送性骨格が歪むことによりキャリア輸送をになうＨＯＭＯ（最高被占軌道）のレベルの変化が起こり、結果としてエネルギー分布が広がった状態（エネルギー的ディスオーダー：σが大きい）となりやすいと考えられる。
これに対し、メチレン基、エーテル基を介すると、分子構造に柔軟性が得られ、σが小さいものが得られやすく、さらに、メチレン基、エーテル基は、エステル基、アミド基などに比較し、双極子モーメント（ダイポールモーメント）が小さく、この効果もσを小さくすることに寄与し、電気特性が向上すると考えられる。また、分子構造に柔軟性が加わることで、反応部位（反応サイト）の動きの自由度が増し、反応率も向上することで強度の高い膜となると考えられる
これらのことから、電荷輸送性骨格と重合部位との間に柔軟性に富む連結鎖を介在させる構造がよい。
このため、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物は、硬化反応により分子自身の分子量が増大し、重心は移動し難くなると共に、スチリル基の自由度が高いと考えられる。の結果、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層（最表面層）は、電気特性に優れ、且つ、高い強度を有すると考えられる。
以上から、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物を適用すると、保護層（最表面層）の摩耗が抑制される共に、画像の濃度ムラの発生が抑制され易くなると考えられる。

一般式（Ｉ−ｂ）中、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｂ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｂは、下記一般式（IＡ−ｂ）で示される基を示す。ｂｃ１〜ｂｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｂｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｂの総数は、１又は２である。

一般式（IＡ−ｂ）中、Ｌ^ｂは、＊−（ＣＨ_２）_ｂｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５で示される基に連結する２価の連結基を示す。ｂｎは、３以上６以下の整数を示す。

以下、一般式（Ｉ−ｂ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ｂ）中、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｂ５は、ｂｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｂ５は、ｂｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。

次に、一般式（ＩＡ−ｂ）の詳細を説明する。
一般式（ＩＡ−ｂ）中、Ｌ^ｂで示される２価の連結基としては、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｂｐ−Ｏ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｂｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｂｑ−Ｏ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌ^ｂで示される連結基中、ｂｐは、３以上６以下（好ましくは３以上５以下）の整数を示す。ｂｑは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ^ｂで示される連結基中、「＊」は、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５で示される基と連結する部位を示している。

・一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物を適用すると、繰り返し使用しても表面にキズが発生しにくく、かつ画質劣化が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、特定の反応性電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む最表面層を形成する際には、その重合反応又は架橋反応に伴う膜収縮や、電荷輸送構造と連鎖重合性基周辺の構造の凝集が起きると考えられる。よって、繰り返し使用で電子写真感光体表面が機械的負荷を受けると、膜自体が摩耗したり、分子中の化学構造が切断されたりして、膜収縮や凝集状態が変化し、電子写真感光体としての電気特性が変化し、画質劣化を引き起こしてしまうと考えられる。
一方、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物は、連鎖重合性基としてスチレン骨格を有していることから、電荷輸送材料の主骨格であるアリール基と相溶性が良く、膜収縮や重合反応又は架橋反応による電荷輸送構造、連鎖重合性基周辺構造の凝集が抑制されると考えられる。その結果、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層（最表面層）を持つ電子写真感光体は、繰り返し使用による画質劣化が抑制されると考えられる。
加えて、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物は、電荷輸送性骨格とスチレン骨格を、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−など特定の基を含む連結基を介して連結することにより、特定の基と電荷輸送性骨格中の窒素原子との間や、特定の基同士の相互作用等が生じると考えられる、その結果、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層（最表面層）は、強度がさらに向上すると考えられる。
以上から、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物を適用すると、繰り返し使用しても表面にキズが発生しにくく、かつ画質劣化が抑制され易くなると考えられる。
なお、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−など特定の基は、その極性や親水性に起因し、電荷輸送性や高湿条件下における画質劣化を引き起こす要因となるが、一般式（Ｉ−ｃ）で示される反応性化合物は、連鎖重合性基として（メタ）アクリルなどよりも疎水性の高いスチレン骨格を有してるため、電荷輸送性悪化や前サイクルの履歴による残像現象（ゴースト）等の画質劣化が生じ難いと考えられる。

一般式（Ｉ−ｃ）中、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｃ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｃは、下記一般式（IＡ−ｃ）で示される基を示す。ｃｃ１〜ｃｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｃｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｃの総数は、１以上８以下である。

一般式（IＡ−ｃ）中、Ｌ^Ｃは、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び、−Ｃ（＝Ｏ）−と−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓ−とを組み合わせた基からなる群より選択される１つ以上の基を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。

以下、一般式（Ｉ−ｃ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ｃ）中、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｃ５は、ｃｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｃ５は、ｃｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。
Ｄｃの総数は、より強度の高い保護層（最表面層）を得る観点から、好ましくは２以上であり、更に好ましくは４以上である。一般に、一分子中の連鎖重合性基の数が多すぎると、重合（架橋）反応が進むにつれ、分子が動きにくくなり連鎖重合反応性が低下し、未反応の連鎖重合性基の割合が増えてしまうことから、Ｄｃの総数は、好ましくは７以下、さらに好ましくは６以下である。

次に、一般式（ＩＡ−ｃ）の詳細を説明する。
一般式（ＩＡ−ｃ）中、Ｌ^ｃで示される２価の連結基としては、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び、−Ｃ（＝Ｏ）−と−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ）−又は−Ｓ−とを組み合わせた基（以下、「特定連結基」と称する）を含む２価の連結基である。
ここで、特定連結基としては、保護層（最表面層）の強度と極性（親疎水性）のバランスの観点から、例えば、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−がよく、好ましくは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｈ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、より好ましくは−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−である。
そして、Ｌ^ｃで示される２価の連結基としては、例えば、特定連結基と、飽和炭化水素（直鎖状、分岐状、環状いずれも含む）または芳香族炭化水素の残基と、酸素原子と、を組み合わせて形成される２価の連結基が挙げられ、これらの中でも、特定連結基と、直鎖状の飽和炭化水素の残基と、酸素原子と、を組み合わせて形成される２価の連結基がよい。
Ｌ^ｃで示される２価の連結基に含まれる炭素原子の総数としては、分子中のスチレン骨格の密度と連鎖重合反応性の観点から、例えば、１以上２０以下がよく、好ましくは２以上１０以下である。

一般式（ＩＡ−ｃ）中、Ｌ^ｃで示される２価の連結基として具体的には、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_ｃｒ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｎ（Ｒ）−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｓ−（ＣＨ_２）_ｃｑ−、
等が挙げられる。
ここで、Ｌ^ｃで示される連結基中、ｃｐは、０、又は１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｃｑは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｃｒは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ^ｃで示される連結基中、「＊」は、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ５で示される基と連結する部位を示している。

これらの中でも、一般式（ＩＡ−ｃ）中、Ｌ^ｃで示される２価の連結基としては、＊−（ＣＨ_２）_ｃｐ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−が好ましい。つまり、一般式（IＡ−ｃ）で示される基は、下記一般式（IＡ−ｃ１）で示される基であることが好ましい。但し、一般式（IＡ−ｃ１）中、ｃｐ１は０以上４以下の整数を示す。

・一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物
一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性電荷輸送材料として一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物を適用すると、保護層（最表面層）の摩耗が抑制される共に、画像の濃度ムラの発生が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、一般式（Ｉ−ｂ）で示される反応性化合物と同様の理由によるものと考えられる。
特に、一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物は、一般式（Ｉ−ｂ）に比べ、Ｄｄの総数が３以上８以下と多いため、形成される架橋体がより高い架橋構造（架橋ネットワーク）が形成され易く、より保護層（最表面層）の摩耗が抑制され易くなると考えられる。

一般式（Ｉ−ｄ）中、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｄ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｄは、下記一般式（IＡ−ｄ）で示される基を示す。ｄｃ１〜ｄｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｄｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｄの総数は、３以上８以下である。

一般式（IＡ−ｄ）中、Ｌ^ｄは、＊−（ＣＨ_２）_ｄｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ５で示されるに連結する２価の連結基を示す。ｄｎは、１以上６以下の整数を示す。

以下、一般式（Ｉ−ｄ）の詳細を説明する。
一般式（Ｉ−ｄ）中、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｄ５は、ｄｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｄ５は、ｄｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。
Ｄｄの総数は、より強度の高い保護層（最表面層）を得る観点から、好ましくは４以上である。

次に、一般式（ＩＡ−ｄ）の詳細を説明する。
一般式（ＩＡ−ｄ）中、Ｌ^ｄで示される２価の連結基としては、例えば、
＊−（ＣＨ_２）_ｄｐ−Ｏ−、
＊−（ＣＨ_２）_ｄｐ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｄｑ−Ｏ−
等が挙げられる。
ここで、Ｌ^ｄで示される連結基中、ｄｐは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。ｄｑは、１以上６以下（好ましくは１以上５以下）の整数を示す。
なお、Ｌ^ｄで示される連結基中、「＊」は、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ５で示される基と連結する部位を示している。

・一般式（II−ａ）で示される反応性化合物
一般式（II−ａ）で示される反応性化合物について説明する。
特定の反応性電荷輸送材料として、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物を適用すると、長期に亘り繰り返し使用しても電気特性の劣化が抑制され易くなる。その理由は定かではないが、以下の通りと考えられる。
まず、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物は、電荷輸送性骨格から、１つの連結基を介して２つ又は３つの連鎖重合性の反応性基（スチレン基）を有する化合物である。
このため、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物は、高い硬化度、架橋部位数を保ちつつも、この連結基の存在により、重合又は架橋させた際に電荷輸送性骨格に歪みを発生させ難く、高い硬化度と優れた電荷輸送性能との両立が実現され易くなると考えられる。
また、従来用いられていた、（メタ）アクリル基を有する電荷輸送性化合物は、上記のようにひずみを生じやすい上に、反応性部位は親水性が高く、電荷輸送性部位は疎水性が高いため、微視的な相分離（ミクロ相分離）しやすいのに対し、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物は、スチレン基を反応性基として有しており、更に、硬化（架橋）させた際に電荷輸送性骨格に歪みを生じさせ難い連結基を有している構造であること、反応性部位、電荷輸送性部位ともに疎水性のため相分離が起きに難くなるため、効率的な電荷輸送性能と高強度化が図れると考えられる。その結果として、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物の重合体又は架橋体を含む保護層（最表面層）は、機械的強度に優れると共に、電荷輸送性能（電気特性）がより優れるものと考えられる。
以上から、一般式（II）（特に一般式（II−ａ））で示される反応性化合物を適用すると、長期に亘り繰り返し使用しても電気特性の劣化が抑制され易くなると考えられる。

一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｋ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｋは、下記一般式（IIＡ−ａ）で示される基を示す。ｋｃ１〜ｋｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｋの総数は、１以上８以下である。

一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋは、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｋｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｋｎは、２以上３以下の整数を示す。

以下、一般式（II−ａ）の詳細を説明する。
一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４で示される置換若しくは未置換のアリール基は、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｋ５は、ｋｋが０のとき、置換若しくは未置換のアリール基を示し、この置換若しくは未置換のアリール基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される置換若しくは未置換のアリール基と同様である。
Ａｒ^ｋ５は、ｋｋが１のとき、置換若しくは未置換のアリーレン基を示し、この置換若しくは未置換のアリーレン基としては、一般式（Ｉ−ａ）中のＡｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６で示される置換若しくは未置換のアリーレン基と同様である。
Ｄｋの総数は、より強度の高い保護層（最表面層）を得る観点から、好ましくは２以上であり、更に好ましくは４以上である。一般に、一分子中の連鎖重合性基の数が多すぎると、重合（架橋）反応が進むにつれ、分子が動きにくくなり連鎖重合反応性が低下し、未反応の連鎖重合性基の割合が増えてしまうことから、Ｄｃの総数は、好ましくは７以下、さらに好ましくは６以下である。

次に、一般式（IIＡ−ａ）の詳細を説明する。
一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋで示される（ｋｎ＋１）価の連結基としては、例えば、一般式（II）中、Ｌ’で示される（ｎ＋１）価の連結基と同様である。

以下に、特定の反応性電荷輸送材料の具体的を示す。
具体的には、一般式（I）及び（II）の電荷輸送性骨格Ｆ（例えば一般式（I−ａ）中のＤａや一般式（II−ａ）のＤｋを除く骨格に相当する部位）の具体例、電荷輸送性骨格Ｆに連結する官能基（例えば一般式（I−ａ）中のＤａや一般式（II−ａ）のＤｋに相当する部位）の具体例と共に、一般式（I）及び（II）で示される反応性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるわけではない。
なお、一般式（I）及び（II）の電荷輸送性骨格Ｆの具体例の「＊」部分は、電荷輸送性骨格Ｆに連結する官能基の「＊」部分が連結していることを意味する。
つまり、例えば、例示化合物（I−ｂ）−１は、電荷輸送性骨格Ｆの具体例：（Ｍ１）−１、官能基の具体例：（Ｒ２）−１と示されているが、その具体的な構造は以下の構造を示す。

まず、電荷輸送性骨格Ｆの具体例を以下示す。

次に、電荷輸送性骨格Ｆに連結する官能基の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ａ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ｂ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ｃ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（Ｉ）、具体的には一般式（Ｉ−ｄ）で示される化合物の具体例を示す。

次に、一般式（II）、具体的には一般式（II−ａ）で示される化合物の具体例を示す。

特定の反応性電荷輸送材料（特に、一般式（I）で示される反応性化合物）は、例えば、以下のようにして合成される。
即ち、特定の反応性電荷輸送材料は、前駆体であるカルボン酸、又は、アルコールと、対応するクロロメチルスチレンなどでのエーテル化などにより合成される。

特定の反応性電荷輸送材料の例示化合物（Ｉ−ｄ）−２２の合成経路を一例として以下に示す。

アリールアミン化合物カルボン酸は、アリールアミン化合物のエステル基を、例えば、実験化学講座、第４版、２０巻、Ｐ．５１などに記載されたように、塩基性触媒（ＮａＯＨ、Ｋ_２ＣＯ_３等）、酸性触媒（例えばリン酸、硫酸等）を用いる加水分解により得られる。
この際、溶媒としては、種々のものが挙げられるが、メタノール、エタノール、エチレングリコールなどのアルコール系を用いるか、これに水を混合して用いることがよい。
さらに、アリールアミン化合物の溶解性が低い場合には、塩化メチレン、クロロホルム、トルエン、ジメチルスルホキシド、エーテル、テトラヒドロフランなどを加えてもよい。
溶媒の量は、特に制限はないが、例えば、エステル基を含有するアリールアミン化合物１質量部に対して１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下で用いることがよい。
反応温度は、例えば、室温（例えば２５℃）以上溶媒の沸点以下の範囲で設定され、反応速度の関係上、５０度以上が好ましい。
触媒の量については、特に制限はないが、例えば、エステル基を含有するアリールアミン化合物１質量部に対して０．００１質量部以上１質量部以下、好ましくは０．０１質量部以上０．５質量部以下で用いることがよい。
加水分解反応後、塩基性触媒で加水分解を行った場合には、生成した塩を酸（例えば塩酸等）で中和し、遊離させる。さらに、十分に水洗した後、乾燥して使用するか、必要によっては、メタノール、エタノール、トルエン、酢酸エチル、アセトンなど、適当な溶媒により、再結晶精製を行った後、乾燥して使用してもよい。

アリールアミン化合物のアルコール体は、アリールアミン化合物のエステル基を、例えば、実験化学講座、第４版、２０巻、Ｐ．１０などに記載されたように、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素ナトリウムなどを用いて対応するアルコールに還元して合成する。

例えば、エステル結合にて反応性基を導入する場合、アリールアミン化合物カルボン酸と、ヒドロキシメチルスチレンを酸触媒にて脱水縮合させる通常のエステル化や、アリールアミン化合物カルボン酸と、ハロゲン化メチルスチレンを、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、トリメチルアミン、ＤＢＵ、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基を用いて縮合させる方法が使用し得るが、ハロゲン化メチルスチレンを用いる方法が副生成物が抑制されることから好適である。

アリールアミン化合物カルボン酸の酸に対し、ハロゲン化メチルスチレンを１当量以上、好ましくは、１．２当量以上、より好ましくは１．５当量以上加えることがよく、塩基はハロゲン化メチルスチレンに対し０．８当量以上２．０当量以下、好ましくは１．０当量以上１．５当量以下で用いることがよい。
溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、クロロベンゼン、１ークロロナフタレンなどの芳香族系溶媒などが有効であり、アリールアミン化合物カルボン酸の１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いられることがよい。
反応温度は特に制限はない。反応終了後、反応液を水にあけ、トルエン、ヘキサン、酢酸エチルなどの溶媒で抽出、水洗し、さらに、必要により活性炭、シリカゲル、多孔質アルミナ、活性白土などの吸着剤を用いて精製を行ってもよい。

また、エーテル結合にて導入する場合、アリールアミン化合物アルコールと、ハロゲン化メチルスチレンを、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミン、ジメチルアミノピリジン、トリメチルアミン、ＤＢＵ、水素化ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基を用いて縮合させる方法が使用することがよい。
アリールアミン化合物アルコールのアルコールに対し、ハロゲン化メチルスチレンを１当量以上、好ましくは、１．２当量以上、より好ましくは１．５当量以上加えることがよく、塩基はハロゲン化メチルスチレンに対し０．８当量以上２．０当量以下、好ましくは、１．０当量以上１．５当量以下で用いることがよい。
溶媒としては、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、クロロベンゼン、１ークロロナフタレンなどの芳香族系溶媒などが有効であり、アリールアミン化合物アルコールの１質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下、好ましくは２質量部以上５０質量部以下の範囲で用いることがよい。
反応温度は特に制限はない。反応終了後、反応液を水にあけ、トルエン、ヘキサン、酢酸エチルなどの溶媒で抽出、水洗し、さらに、必要により活性炭、シリカゲル、多孔質アルミナ、活性白土などの吸着剤を用いて精製を行ってもよい。

特定の反応性電荷輸送材料（特に一般式（II）で示される反応性化合物）は、例えば、以下に示す一般の電荷輸送材料の合成方法（ホルミル化、エステル化、エーテル化、水素添加）を利用して、合成される。
・ホルミル化：電子供与性基を持つ芳香族化合物、複素環化合物、又はアルケンにホルミル基を導入するのに適した反応。ＤＭＦとオキシ三塩化リンを用いるのが一般的であり、反応温度は室温（例えば２５℃）から１００℃程度で行われることが多い。
・エステル化：有機酸とアルコールまたはフェノールのようなヒドロキシル基を含む化合物との縮合反応。脱水剤を共存させたり、水を系外へ除去することで平衡をエステル側へ偏らせる手法を用いることが好ましい。
・エーテル化：アルコキシドと有機ハロゲン化合物を縮合させるウィリアムソン合成法が一般的である。
・水素添加：種々の触媒を用いて不飽和結合に水素を反応させる方法。

特定の反応性電荷輸送材料の含有量（組成物中の含有量）は、例えば、保護層５（最表面層）の質量に対して、６０質量％以上９５質量％以下がよく、好ましくは６５質量％以上９３質量％以下である。

−非反応性電荷輸送材料−
保護層（最表面層）を構成する膜は、非反応性電荷輸送材料を併用してもよい。非反応性の電荷輸送材料は電荷輸送を担っていない反応性基を有さないため、非反応性の電荷輸送材料を保護層（最表面層）に用いた場合には電荷輸送成分の濃度が高まり、電気特性を更に改善するのに有効である。また、非反応性の電荷輸送材料を添加して架橋密度を減じ、強度を調整してもよい。

非反応性電荷輸送材料は、同一分子内に電荷輸送性骨格を有し、反応性基を有さない化合物である。
非反応性電荷輸送材料としては、公知の電荷輸送材料を用いてもよく、具体的には、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン骨格を有する化合物；テトラシアノキノジメタン骨格を有する化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン骨格を有する化合物；キサントン骨格を有する化合物、ベンゾフェノン骨格を有する化合物；シアノビニル骨格を有する化合物、エチレン骨格を有する化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。非反応性電荷輸送材料としては、トリアリールアミン骨格を有する化合物、ベンジジン骨格を有する化合物、アリールアルカン骨格を有する化合物、アリール置換エチレン骨格を有する化合物、スチルベン骨格を有する化合物、アントラセン骨格を有する化合物、ヒドラゾン骨格を有する化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。
これらの非反応性電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

これら非反応性電荷材料としては、芳香環を有するものがよい。これにより、保護層（最表面層）の電気特性及び機械的強度が高まり易くなる。

これらの中でも、保護層（最表面層）の電気特性及び機械的強度の観点から、上記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

非反応性電荷輸送材料は、層形成のための塗布液中の全固形分に対して０質量％以上３０質量％以下で用いられることが好ましく、より好ましくは１質量％以上２５質量％以下であり、更に好ましくは５質量％以上２５質量％以下である。

−不飽和結合を有する化合物−
保護層（最表面層）を構成する膜は、不飽和結合（不飽和二重結合）を有する化合物を併用してもよい。
不飽和結合を有する化合物としては、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよく、また、電荷輸送性骨格を有していてもよい。

不飽和結合を有する化合物として、電荷輸送性骨格を有さないものとしては以下のようなものが挙げられる。
１官能のモノマーは、例えば、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、メトキシトリエチレングリコールアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ベンジルアクリレート、エチルカルビトールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、メトキシポリエチレングリコールアクリレート、メトキシポリエチレングリコールメタクリレート、フェノキシポリエチレングリコールアクリレート、フェノキシポリエチレングリコールメタクリレート、ヒドロキシエチルｏ−フェニルフェノールアクリレート、ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテルアクリレート、スチレン、などが挙げられる。

２官能のモノマーは、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート等が挙げられる。
３官能のモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、脂肪族トリ（メタ）アクリレート、トリビニルシクロヘキサン等が挙げられる。
４官能のモノマーは、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、脂肪族テトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
５官能以上のモノマーは、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の他、ポリエステル骨格、ウレタン骨格、フォスファゼン骨格を有する（メタ）アクリレート等が挙げられる。

また、反応性のポリマーとしては、例えば、特開平５−２１６２４９号公報、特開平５−３２３６３０号公報、特開平１１―５２６０３号公報、特開２０００−２６４９６１号公報、特開２００５−２２９１号公報などに開示されたものが挙げられる。

電荷輸送性骨格を有さない不飽和結合を有する化合物を用いる場合には、単独又は２種以上の混合物として使用される。電荷輸送性骨格を有さない不飽和結合を有する化合物を、電子写真感光体の最表面層の形成に用いる場合であれば、該保護層５（最表面層）を形成する際に用いられる組成物の全固形分に対して、好ましくは６０質量％以下、より好ましくは５５質量％以下で用い、更に好ましくは５０質量％以下で使用される。

一方、不飽和結合を有する化合物として、電荷輸送性骨格を有するものとしては、次のものが挙げられる。
・連鎖重合性官能基（スチリル基を除く連鎖重合性官能基）及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物
連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物における連鎖重合性官能基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体からなる群より選択される少なくも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性官能基としては、ビニル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体からなる群より選択される少なくも一つを含有する基であることが好ましい。
また、連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物における電荷輸送性骨格としては電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。

連鎖重合性官能基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に持つ化合物は、特開２０１２−１５９５２１号公報の段落０１３２から段落０１５５に記載されたポリマーであってもよい。

−その他の添加剤−
保護層（最表面層）を構成する膜は、更に成膜性、可とう性、潤滑性、接着性を調整するなどの目的から、他のカップリング剤、特にフッ素含有のカップリング剤と混合して用いてもよい。この化合物として、各種シランカップリング剤、及び市販のシリコーン系ハードコート剤が用いられる。また、ラジカル重合性基を有するケイ素含有化合物、フッ素含有化合物を用いてもよい。

シランカップリング剤としては、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、等が挙げられる。
市販のハードコート剤としては、ＫＰ−８５、Ｘ−４０−９７４０、Ｘ−８２３９（以上、信越化学工業社製）、ＡＹ４２−４４０、ＡＹ４２−４４１、ＡＹ４９−２０８（以上、東レダウコーニング社製）等が挙げられる。

また、撥水性等の付与のために、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロアルキルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリエトキシシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトシキシラン、等の含フッ素化合物を加えてもよい。

シランカップリング剤は目的とする量で使用されるが、含フッ素化合物の量は、架橋膜の成膜性の観点から、フッ素を含まない化合物に対して質量で０．２５倍以下とすることが好ましい。更に、特開２００１−１６６５１０号公報などに開示されている反応性のフッ素化合物などを混合してもよい。
ラジカル重合性基を有するケイ素含有化合物、フッ素含有化合物としては、特開２００７−１１００５号公報に記載の化合物などが挙げられる。

保護層（最表面層）を構成する膜には、劣化防止剤を添加することが好ましい。劣化防止剤としては、ヒンダードフェノール系又はヒンダードアミン系が好ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤、などの公知の酸化防止剤を用いてもよい。
劣化防止剤の添加量としては２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましい。

ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、イルガノックス１０７６、イルガノックス１０１０、イルガノックス１０９８、イルガノックス２４５、イルガノックス１３３０、イルガノックス３１１４、イルガノックス１０７６（以上、チバ・ジャパン社製）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシビフェニル等が挙げられる。
ヒンダードアミン系酸化防止剤としては、サノールＬＳ２６２６、サノールＬＳ７６５、サノールＬＳ７７０、サノールＬＳ７４４（以上、三共ライフテック社製）、チヌビン１４４、チヌビン６２２ＬＤ（以上、チバ・ジャパン社製）、マークＬＡ５７、マークＬＡ６７、マークＬＡ６２、マークＬＡ６８、マークＬＡ６３（以上、アデカ社製）が挙げられ、チオエーテル系として、スミライザーＴＰＳ、スミライザーＴＰ−Ｄ（以上、住友化学社製）が挙げられ、ホスファイト系として、マーク２１１２、マークＰＥＰ−８、マークＰＥＰ−２４Ｇ、マークＰＥＰ−３６、マーク３２９Ｋ、マークＨＰ−１０（以上、アデカ社製）等が挙げられる。

保護層（最表面層）を構成する膜には、フッ素含有樹脂粒子を添加してもよい。フッ素含有樹脂粒子としては、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びこれらの共重合体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。また、これらのフッ素含有樹脂粒子の中でも特に、４フッ化エチレン樹脂及びフッ化ビニリデン樹脂が好ましい。
なお、樹脂粒子を塗布液に分散させるための各種分散剤を併用してもよい。

フッ素含有樹脂粒子の平均一次粒径は０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることがより好ましい。
フッ素含有樹脂粒子の平均粒子径は、レーザ回折式粒度分布測定装置ＬＡ−７００（堀場製作所製）を用いて測定した値をいう。

フッ素含有樹脂粒子の含有量は、保護層（最表面層）の質量に対して０．１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上３０質量％以下であることがより好ましい。

保護層（最表面層）を構成する膜には、フッ素含有樹脂粒子以外に、導電性粒子、有機粒子、無機粒子を添加してもよい。
この粒子の一例として、ケイ素含有粒子が挙げられる。ケイ素含有粒子とは、構成元素にケイ素を含む粒子であり、具体的には、コロイダルシリカ及びシリコーン粒子等が挙げられる。ケイ素含有粒子として用いられるコロイダルシリカは、好ましくは平均粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下のシリカを、酸性若しくはアルカリ性の水分散液、又はアルコール、ケトン、エステル等の有機溶媒中に分散させたものから選ばれる。該粒子としては一般に市販されているものを使用してもよい。

保護層（最表面層）中のコロイダルシリカの固形分含有量は、特に限定されるものではないが、保護層の全固形分全量を基準として、０．１質量％以上５０質量％以下、好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下の範囲で用いられる。

ケイ素含有粒子として用いられるシリコーン粒子は、シリコーン樹脂粒子、シリコーンゴム粒子、シリコーン表面処理シリカ粒子から選ばれ、一般に市販されているものを使用してもよい。
これらのシリコーン粒子は球状で、その平均粒径は好ましくは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
表面層中のシリコーン粒子の含有量は、保護層（最表面層）の全固形分全量を基準として、好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上１０質量％以下である。

また、その他の粒子としては、フッ素樹脂と水酸基を有するモノマーを共重合させた樹脂で構成される粒子、ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２、ＺｎＯ_２−ＴｉＯ_２、ＺｎＯ−ＴｉＯ_２、ＭｇＯ−Ａｌ_２Ｏ_３、ＦｅＯ−ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＭｇＯ等の半導電性金属酸化物が挙げられる。さらに、粒子を分散させるために公知の種々の分散材を用いてもよい。

保護層（最表面層）を構成する膜には、シリコーンオイル等のオイルを添加してもよい。
シリコーンオイルとしては、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、フェニルメチルシロキサン等のシリコーンオイル；アミノ変性ポリシロキサン、エポキシ変性ポリシロキサン、カルボキシル変性ポリシロキサン、カルビノール変性ポリシロキサン、メタクリル変性ポリシロキサン、メルカプト変性ポリシロキサン、フェノール変性ポリシロキサン等の反応性シリコーンオイル；ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン等の環状ジメチルシクロシロキサン類；１，３，５−トリメチル−１．３．５−トリフェニルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタメチル−１，３，５，７，９−ペンタフェニルシクロペンタシロキサン等の環状メチルフェニルシクロシロキサン類；ヘキサフェニルシクロトリシロキサン等の環状フェニルシクロシロキサン類；３−（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルシクロトリシロキサン等のフッ素含有シクロシロキサン類；メチルヒドロシロキサン混合物、ペンタメチルシクロペンタシロキサン、フェニルヒドロシクロシロキサン等のヒドロシリル基含有シクロシロキサン類；ペンタビニルペンタメチルシクロペンタシロキサン等のビニル基含有シクロシロキサン類等が挙げられる。

保護層（最表面層）を構成する膜には、金属、金属酸化物及びカーボンブラック等を添加してもよい。金属としては、アルミニウム、亜鉛、銅、クロム、ニッケル、銀及びステンレス等、又はこれらの金属を樹脂の粒子の表面に蒸着したもの等が挙げられる。金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化スズ、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ビスマス、スズをドープした酸化インジウム、アンチモンやタンタルをドープした酸化スズ及びアンチモンをドープした酸化ジルコニウム等が挙げられる。
これらは単独で、又は２種以上を組み合わせて用いる。２種以上を組み合わせて用いる場合は、単に混合しても、固溶体や融着での混合でもよい。導電性粒子の平均粒径は０．３μｍ以下、特に０．１μｍ以下が好ましい。

−組成物−
保護層（最表面層）を形成するために用いる組成物は、各成分を溶媒中に溶解又は分散してなる保護層形成用塗布液として調製されることが好ましい。
この保護層形成用塗布液は、無溶媒であってもよいし、必要に応じて、トルエン、キシレンなどの芳香族、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル系、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのセロソルブ系、イソプロピルアルコール、ブタノールなどのアルコール系等の溶媒などの単独又は混合溶媒を用いて調製される。

また、前述の成分を反応させて塗布液を得るときには、各成分を単純に混合、溶解させるだけでもよいが、好ましくは室温（２０℃）以上１００℃以下、より好ましくは３０℃以上８０℃以下で、好ましくは１０分以上１００時間以下、より好ましくは１時間以上５０時間以下の条件で加温する。また、この際に超音波を照射することも好ましい。

−保護層の形成−
保護層形成用塗布液は、被塗布面（図１に示す態様では電荷輸送層）の上に、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法、インクジェット塗布法等の通常の方法により塗布される。
その後、得られた塗膜に対して、光、電子線又は熱を付与してラジカル重合を生起させて、該塗膜を重合、硬化させる。

硬化の方法は、熱、光、放射線などが用いられる。熱、光で重合、硬化を行う場合、重合開始剤は必ずしも必要ではないが、光硬化触媒又は熱重合開始剤を用いてもよい。この光硬化触媒及び熱重合開始剤としては、公知の光硬化触媒や熱重合開始剤が用いられる。放射線としては電子線が好ましい。

・電子線硬化
電子線を用いる場合、加速電圧は３００ＫＶ以下が好ましく、より好ましくは１５０ＫＶ以下である。また、線量は好ましくは１Ｍｒａｄ以上１００Ｍｒａｄ以下の範囲、より好ましくは３Ｍｒａｄ以上５０Ｍｒａｄ以下の範囲である。加速電圧が３００ＫＶ以下であることにより感光体特性に対する電子線照射のダメージが抑制される。また、線量が１Ｍｒａｄ以上であることにより架橋が行なわれ、１００Ｍｒａｄ以下であることにより感光体の劣化が抑制される。

照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が１００００ｐｐｍ以下、好ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、さらに照射中、又は照射後に５０℃以上１５０℃以下に加熱してもよい。

・光硬化
光源としては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプなどが用いられ、バンドパスフィルター等のフィルターを用いて好適な波長を選択してもよい。照射時間、光強度は自由に選択されるが、例えば照度（３６５ｎｍ）は３００ｍＷ／ｃｍ^２以上、１０００ｍＷ／ｃｍ^２以下が好ましく、例えば６００ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ光を照射する場合、５秒以上３６０秒以下照射すればよい。

照射は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が好ましくは１００００ｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、さらに照射中、又は照射後に５０℃以上１５０℃以下に加熱してもよい。

光硬化触媒として、分子内開裂型としては、ベンジルケタール系、アルキルフェノン系、アミノアルキルフェノン系、ホスフィンオキサイド系、チタノセン系、オキシム系などが挙げられる。
より具体的には、ベンジルケタール系として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンが挙げられる。

また、アルキルフェノン系としては、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、アセトフェノン、２−フェニル−２−（ｐ−トルエンスルフォニルオキシ）アセトフェノンが挙げられる。
アミノアルキルフェノン系としては、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１，２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モリホニル）フェニル］−１−ブタノンなどが挙げられる。
ホスフィノキサイド系としては、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンキサイドなどが挙げられる。
チタノセン系としては、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウムなどが挙げられる。
オキシム系としては、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）などが挙げられる。

水素引抜型としては、ベンゾフェノン系、チオキサントン系、ベンジル系、ミヒラーケトン系などが挙げられる。
より具体的には、ベンゾフェノン系として、２−ベンゾイル安息香酸、２−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド、ｐ，ｐ’−ビスジエチルアミノベンゾフェノンなどが挙げられる。
チオキサントン系としては、２，４−ジエチルチオキサンテン−９−オン、２−クロロチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントンなどが挙げられる。
ベンジル系としては、ベンジル、（±）−カンファーキノン、ｐ−アニシルなどが挙げられる。

これらの光重合開始剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて用られる。

・熱硬化
熱重合開始剤としては、熱ラジカル発生剤又はその誘導体が挙げられ、具体的には、例えば、Ｖ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ６０１、Ｖ６５、Ｖ−７０、ＶＦ−０９６、ＶＥ−０７３、Ｖａｍ−１１０、Ｖａｍ−１１１（和光純薬工業製）、ＯＴａｚｏ−１５、ＯＴａｚｏ−３０、ＡＩＢＮ、ＡＭＢＮ、ＡＤＶＮ、ＡＣＶＡ（大塚化学）等のアゾ系開始剤；パーテトラＡ、パーヘキサＨＣ、パーヘキサＣ、パーヘキサＶ、パーヘキサ２２、パーヘキサＭＣ、パーブチルＨ、パークミルＨ、パークミルＰ、パーメンタＨ、パーオクタＨ、パーブチルＣ、パーブチルＤ、パーヘキシルＤ、パーロイルＩＢ、パーロイル３５５、パーロイルＬ、パーロイルＳＡ、ナイパーＢＷ、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０／Ｍ、パーロイルＩＰＰ、パーロイルＮＰＰ、パーロイルＴＣＰ、パーロイルＯＰＰ、パーロイルＳＢＰ、パークミルＮＤ、パーオクタＮＤ、パーヘキシルＮＤ、パーブチルＮＤ、パーブチルＮＨＰ、パーヘキシルＰＶ、パーブチルＰＶ、パーヘキサ２５０、パーオクタＯ、パーヘキシルＯ、パーブチルＯ、パーブチルＬ、パーブチル３５５、パーヘキシルＩ、パーブチルＩ、パーブチルＥ、パーヘキサ２５Ｚ、パーブチルＡ、パーヘキシルＺ、パーブチルＺＴ、パーブチルＺ（日油化学社製）、カヤケタールＡＭ−Ｃ５５、トリゴノックス３６−Ｃ７５、ラウロックス、パーカドックスＬ−Ｗ７５、パーカドックスＣＨ−５０Ｌ、トリゴノックスＴＭＢＨ、カヤクメンＨ、カヤブチルＨ−７０、ペルカドックスＢＣ−ＦＦ、カヤヘキサＡＤ、パーカドックス１４、カヤブチルＣ、カヤブチルＤ、カヤヘキサＹＤ−Ｅ８５、パーカドックス１２−ＸＬ２５、パーカドックス１２−ＥＢ２０、トリゴノックス２２−Ｎ７０、トリゴノックス２２−７０Ｅ、トリゴノックスＤ−Ｔ５０、トリゴノックス４２３−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｗ５０、トリゴノックス２３−Ｃ７０、トリゴノックス２３−Ｗ５０Ｎ、トリゴノックス２５７−Ｃ７０、カヤエステルＰ−７０、カヤエステルＴＭＰＯ−７０、トリゴノックス１２１、カヤエステルＯ、カヤエステルＨＴＰ−６５Ｗ、カヤエステルＡＮ、トリゴノックス４２、トリゴノックスＦ−Ｃ５０、カヤブチルＢ、カヤカルボンＥＨ−Ｃ７０、カヤカルボンＥＨ−Ｗ６０、カヤカルボンＩ−２０、カヤカルボンＢＩＣ−７５、トリゴノックス１１７、カヤレン６−７０（化薬アクゾ社製）、ルペロックス６１０、ルペロックス１８８、ルペロックス８４４、ルペロックス２５９、ルペロックス１０、ルペロックス７０１、ルペロックス１１、ルペロックス２６、ルペロックス８０、ルペロックス７、ルペロックス２７０、ルペロックスＰ、ルペロックス５４６、ルペロックス５５４、ルペロックス５７５、ルペロックスＴＡＮＰＯ、ルペロックス５５５、ルペロックス５７０、ルペロックスＴＡＰ、ルペロックスＴＢＩＣ、ルペロックスＴＢＥＣ、ルペロックスＪＷ、ルペロックスＴＡＩＣ、ルペロックスＴＡＥＣ、ルペロックスＤＣ、ルペロックス１０１、ルペロックスＦ、ルペロックスＤＩ、ルペロックス１３０、ルペロックス２２０、ルペロックス２３０、ルペロックス２３３、ルペロックス５３１（アルケマ吉富社製）などが挙げられる。

これらのうち、分子量２５０以上のアゾ系重合開始剤を用いると、低い温度でムラなく反応が進行することから、ムラの抑制された高強度の膜の形成が図られる。より好適には、アゾ系重合開始剤の分子量は、２５０以上であり、３００以上が更に好適である。

加熱は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、酸素濃度が好ましくは１００００ｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下で行い、好ましくは５０℃以上１７０℃以下、より好ましくは７０℃以上１５０℃以下で、好ましくは１０分以上１２０分以下、より好ましくは１５分以上１００分以下加熱する。

光硬化触媒又は熱重合開始剤の総含有量は、層形成のための溶解液中の全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、更には０．１質量％以上８質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下の範囲が特に好ましい。

なお、本実施態様では、反応が早く進行しすぎると架橋により塗膜の構造緩和ができ難くなり、膜のムラやシワを発生しやすくなるといった理由から、ラジカルの発生が比較的ゆっくりと起こる熱による硬化方法が採用される。
特に、特定の反応性電荷輸送材料と熱による硬化とを組み合わせることで、塗膜の構造緩和の促進が図られ、表面性状に優れた高い保護層が得られ易くなる。

保護層の膜厚は、例えば、好ましくは３μｍ以上４０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上３５μｍ以下の範囲内に設定される。

以上、図１に示される電子写真感光体を参照し、機能分離型の感光層における各層の構成を説明したが、図２に示される機能分離型の電子写真感光体における各層においてもこの構成が採用しうる。また、図３に示される電子写真感光体の単層型感光層の場合、以下の態様であることが好ましい。

即ち、単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含んで構成されることがよい。なお、これら材料は、電荷発生材料及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して１０質量％以上８５質量％以下がよく、好ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。

なお、本実施形態に係る電子写真感光体では、最表面層が保護層である形態を説明したが、保護層がない層構成であってもよい。
保護層がない層構成の場合、図１に示される電子写真感光体では、その層構成において最表面に位置する電荷輸送層が最表面層となる。そして、当該最表面層となる電荷輸送層が、上記特定の組成物の硬化膜で構成される。
また、保護層がない層構成の場合、図３に示される電子写真感光体では、その層構成において最表面に位置する単層型感光層が最表面層となる。そして、当該最表面層となる単層型感光層が、上記特定の組成物の硬化膜で構成される。但し、上記組成物には、電荷発生材料が配合される。

［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に像保持体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。

中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、像保持体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。

なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主用部を説明し、その他はその説明を省略する。

図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図４に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。

図４におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。

なお、図４には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。

−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。

−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。

−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。

現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。

−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。

−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。

−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。

図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。

以下実施例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、「部」、「％」は、特に断りがない限り、質量基準である。

［実施例１］
（下引層の形成）
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製：比表面積値１５ｍ^２／ｇ）１００質量部をテトラヒドロフラン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ５０３：信越化学工業社製）１．３質量部を添加し、２時間攪拌した。その後テトラヒドロフランを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間）焼き付けを行い、シランカップリング剤により表面処理を施した酸化亜鉛を得た。
表面処理を施した酸化亜鉛１１０質量部を５００質量部のテトラヒドロフランと攪拌混合し、プルプリン誘導体１．０質量部を５０質量部のテトラヒドロフランに溶解させた溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧ろ過にてプルプリン誘導体を付与させた酸化亜鉛を濾別し、さらに６０℃で減圧乾燥を行って、プルプリン誘導体付与酸化亜鉛を得た。
プルプリン誘導体付与酸化亜鉛６０質量部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部とブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）１５質量部をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部とメチルエチルケトン２５質量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い分散液を得た。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）４５質量部を添加し、下引層塗布溶液得た。この塗布液を浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行って、膜厚１８μｍの下引層を形成した。下引層の表面粗さＲａは約０．３μｍであった。

（電荷発生層の形成）
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、ｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１００度で５分間乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。

（電荷輸送層の形成）
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）４０質量部、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン１０質量部、及び、ＰＣＺ／ＢＰ［下記構造式で示されるｍｏｌ比７５／２５のＰＣＺ／ＢＰ共重合体からなるポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量５万）］５５質量部をテトラヒドロフラン６００質量部およびトルエン２００質量部の混合溶媒に加えて溶解し，電荷輸送層用塗布液を得た。この塗布液を電荷発生層上に塗布し、１３０℃、４５分の乾燥を行って膜厚が２２μｍの電荷輸送層を形成した。

（保護層の形成）
反応性電荷輸送材料として例示化合物（Ｉ−ｃ）−１２１ ： １２質量部、及び重合開始剤としてＯＴａｚｏ−１５（大塚化学、分子量３５４．４）： ０．５質量部を、溶媒としての酢酸イソプロピル： ２９．５質量部及びテトラヒドロフラン： ０．５質量部の混合溶媒に溶解し、保護層形成用塗布液を得た。
その後、保護層形成用塗布液を突き上げ塗布により電荷輸送層上に塗布した。そして、室温（２０℃）で３０分風乾した後、酸素濃度１５０ｐｐｍの窒素雰囲気下で室温（２０℃）から１０℃／分の速度で１５０℃まで昇温し、１５０℃で５０分加熱処理して硬化させ、膜厚１０μｍの保護層を形成した。

以上の工程を経て、電子写真感光体を得た。

［実施例２〜５０、比較例１〜１５］
表１〜表４に従って、保護層形成用塗布液の組成、保護層の形成時の塗布膜の硬化条件、及び保護層（ＯＣＬ）の膜厚を変更した以外は、実施例１と同様にして、電子写真感光体を得た。なお、但し、比較例１３〜１５は、電荷輸送層は形成せず、電荷発生層上に直接保護層を形成して、電子写真感光体を得た。表１〜表４中、「−」は該当する成分を配合しないことを示している。

［評価］
各例で得られた電子写真感光体について、次の測定及び評価を行った。測定及び評価の結果を表５〜表７に示す。

（電荷移動度の測定）
各例で得られた電子写真感光体について、既述の方法により保護層（最表面層）の電荷移動度を測定し、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）、最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）を算出した。なお、電荷移動度のサンプルは、電子写真感光体から保護層を剥離したもの、または保護層を形成した塗布液で、ＩＴＯ基板上に同条件で同じ膜厚に形成した硬化膜で測定した。

（画質評価）
−初期階調性評価−
高温高湿環境下（３０℃８５％）において、図６に示す画像パターンをプリント（出力）し、狙い画像密度０％以上２０％以下、及び８０％以上１００％以下の領域の階調性を評価した。このときのプロセススピードは３２０ｍｍ／ｓとした。
評価基準は以下の通りである。
Ａ（○）：狙い画像濃度とプリントされた実際の画像濃度の差が２％以下
Ｂ（△）：狙い画像濃度とプリントされた実際の画像濃度の差が２％より大きく３％以下
Ｃ（×）：狙い画像濃度とプリントされた実際の画像濃度の差が３％より大きい
なお、画像濃度は、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、Ｘ−Ｒｉｔｅ４０４を用いて測定を行った

−プリント後階調性評価−
高温高湿環境下（３０℃８５％）において、画像密度５％の全面ハーフトーン画像をＡ４用紙１０００枚プリントした。
その後、図６に示す画像パターンをプリント（出力）し、狙い画像密度０％以上２０％以下、及び８０％以上１００％以下の領域の階調性を評価した。このときのプロセススピードは３２０ｍｍ／ｓとした。
評価基準は以下の通りである。
Ａ（○）：狙い画像濃度とプリントされた実際の画像濃度の差が２％以下
Ｂ（△）：狙い画像濃度とプリントされた実際の画像濃度の差が２％より大きく３％以下
Ｃ（×）：狙い画像濃度とプリントされた実際の画像濃度の差が３％より大きい
なお、画像濃度は、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、Ｘ−Ｒｉｔｅ４０４を用いて測定を行った。

−感光体の寿命評価−
高温高湿環境下（３０℃８５％）において、画像密度５％のハーフトーン画像をプリントし続け、保護層が消滅する感光体の回転数（サイクル数）を調べた。

上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、ブリントテスト前後の階調性の画質評価が共に良好であることがわかる。これにより、本実施例は、比較例に比べ、電子写真感光体の電気特性の悪化が抑制されていることがわかる。
また、本実施例では、摩耗量が低く、保護層（最表面層）の機械的強度も高いことがわかる。

以下、各例で使用した材料、及び表中に示す各略称の詳細について示す。

（反応性電荷輸送材料）
・（Ｉ−ｃ）−１２１： 例示化合物（Ｉ−ｃ）−１２１
・（Ｉ−ｂ）−３２： 例示化合物（Ｉ−ｂ）−３２
・（Ｉ−ｂ）−３３： 例示化合物（Ｉ−ｂ）−３３
・（Ｉ−ｃ）−８８： 例示化合物（Ｉ−ｃ）−８８
・（Ｉ−ｂ）−２９： 例示化合物（Ｉ−ｂ）−２９
・（ＩＩ）−１８３： 例示化合物（ＩＩ）−１８３
・（ＩＩ）−５９： 例示化合物（ＩＩ）−５９
・（ＩＩ）−５４： 例示化合物（ＩＩ）−５４
・（Ｉ−ｃ）−１０３： 例示化合物（Ｉ−ｃ）−１０３
・（Ｉ−ｄ）−２４： 例示化合物（Ｉ−ｄ）−２４
・（Ｉ−ｄ）−３０： 例示化合物（Ｉ−ｄ）−３０
・（ＩＩ）−８４： 例示化合物（ＩＩ）−８４
・（ＩＩ）−８８： 例示化合物（ＩＩ）−８８
・（Ｉ−ａ）−２５： 例示化合物（Ｉ−ａ）−２５
・（Ｉ−ｃ）−２５： 例示化合物（Ｉ−ｃ）−２５
・（Ｉ−ａ）−５５： 例示化合物（Ｉ−ａ）−５５
・（ＩＩ）−１４８： 例示化合物（ＩＩ）−１４８
・（Ｉ−ａ）−３０： 例示化合物（Ｉ−ａ）−３０
・（Ｉ−ｄ）−２２： 例示化合物（Ｉ−ｄ）−２２
・化合物（Ａ）：下記構造式で示される電荷輸送材料
・化合物（Ｂ）：下記構造式で示される電荷輸送材料
・化合物（Ｃ）：下記構造式で示される電荷輸送材料

（非反応性電荷輸送材料）
・ＣＴＭ１：下記構造式ＣＴＭ−１で示される電荷発生材料
・ＣＴＭ２：下記構造式ＣＴＭ−２で示される電荷発生材料
・ＣＴＭ３：下記構造式ＣＴＭ−２で示される電荷発生材料

（不飽和結合を有する化合物）
・ＡＴＭＰＴ：トリメチロールプロパントリアクリレート「Ａ−ＴＭＰＴ（新中村化学社製）」

（重合開始剤）
・ＯＴａｚｏ１５：熱重合開始剤「ＯＴａｚｏ−１５（大塚化学社製、分子量３５４．４）」

（溶媒）
・ＡｃＯｉＢｕ： 酢酸イソブチル
・ＴＦＴ： テトラヒドロフラン

１…下引層、２…電荷発生層、３…電荷輸送層、４…導電性基体、５…保護層、６…単層型感光層、７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７…電子写真感光体、８…帯電装置、９…露光装置、１１…現像装置、１３…クリーニング装置、１４…潤滑材、４０…転写装置、５０…中間転写体、１００…画像形成装置、１２０…画像形成装置、３００…プロセスカートリッジ

Claims (8)

1. 導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた感光層と、を有し、
   最表面層が、反応性電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成され、
   且つ電界強度３．０×１０^５Ｖ／ｃｍの条件下で測定される前記最表面層の電荷移動度のうち、最も速い電荷移動度（μ_ｆ）と最も遅い電荷移動度（μ_ｓ）との関係が下記式（１）を満たす電子写真感光体。
   ・式（１）： （μ_ｆ）／（μ_ｓ）≦１．０×１０^３
2. 前記反応性電荷輸送材料が、下記一般式（Ｉ）及び（II）で示される反応性化合物からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１に記載の電子写真感光体。
   
   〔一般式（Ｉ）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌは、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｍは１以上８以下の整数を示す。〕
   
   〔一般式（II）中、Ｆは、電荷輸送性骨格を示す。Ｌ’は、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。 ｍ’は、１以上６以下の整数を示す。ｎは、２以上３以下の整数を示す。〕
3. 前記一般式（Ｉ）で示される反応性化合物が、下記一般式（Ｉ−ａ）、下記一般式（Ｉ−ｂ）、下記一般式（Ｉ−ｃ）、及び下記一般式（Ｉ−ｄ）で示される反応性化合物からなる群より選択される少なくとも１種の反応性化合物である請求項２に記載の電子写真感光体。
   
   〔一般式（Ｉ−ａ）中、Ａｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ａ５及びＡｒ^ａ６は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｘａは、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、及びエステル基から選ばれる基を組み合わせてなる２価の連結基を示す。Ｄａは、下記一般式（IＡ−ａ）で示される基を示す。ａｃ１〜ａｃ４は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。但し、Ｄａの総数は１又は２である。〕
   
   〔一般式（IＡ−ａ）中、Ｌ^ａは、＊−（ＣＨ_２）_ａｎ−Ｏ−ＣＨ_２−で示され、＊にてＡｒ^ａ１〜Ａｒ^ａ４で示される基に連結する２価の連結基を示す。ａｎは、１又は２の整数を示す。〕
   
   〔一般式（Ｉ−ｂ）中、Ａｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｂ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｂは、下記一般式（IＡ−ｂ）で示される基を示す。ｂｃ１〜ｂｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｂｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｂの総数は、１又は２である。〕
   
   〔一般式（IＡ−ｂ）中、Ｌ^ｂは、＊−（ＣＨ_２）_ｂｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｂ１〜Ａｒ^ｂ５で示される基に連結する２価の連結基を示す。ｂｎは、３以上６以下の整数を示す。〕
   
   〔一般式（Ｉ−ｃ）中、Ａｒ^ｃ１〜Ａｒ^ｃ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｃ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｃは、下記一般式（IＡ−ｃ）で示される基を示す。ｃｃ１〜ｃｃ５は、それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｃｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｃの総数は、１以上８以下である。〕
   
   〔一般式（IＡ−ｃ）中、Ｌ^Ｃは、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−と−Ｏ−、−Ｎ（Ｒ）−、又は−Ｓ−とを組み合わせた基からなる群より選択される１つ以上の基を含む２価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。〕
   
   〔一般式（Ｉ−ｄ）中、Ａｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｄ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｄは、下記一般式（IＡ−ｄ）で示される基を示す。ｄｃ１〜ｄｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｄｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｄの総数は、３以上８以下である。〕
   
   〔一般式（IＡ−ｄ）中、Ｌ^ｄは、＊−（ＣＨ_２）_ｄｎ−Ｏ−で示される基を含み、＊にてＡｒ^ｄ１〜Ａｒ^ｄ５で示される基に連結する２価の連結基を示す。ｄｎは、１以上６以下の整数を示す。〕
4. 前記一般式（II）で示される化合物が、下記一般式（II−ａ）で示される化合物である請求項２又は請求項３に記載の電子写真感光体。
   
   〔一般式（II−ａ）中、Ａｒ^ｋ１〜Ａｒ^ｋ４は、それぞれ独立に置換若しくは未置換のアリール基を示す。Ａｒ^ｋ５は、置換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置換のアリーレン基を示す。Ｄｋは、下記一般式（IIＡ−ａ）で示される基を示す。ｋｃ１〜ｋｃ５は，それぞれ独立に０以上２以下の整数を示す。ｋｋは、０又は１を示す。但し、Ｄｋの総数は、１以上８以下である。〕
   
   〔一般式（IIＡ−ａ）中、Ｌ^ｋは、アルカン若しくはアルケンから誘導される３価又は４価の基、並びに、アルキレン基、アルケニレン基、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｓ−、及び−Ｏ−からなる群より選択される２種以上を含む（ｋｎ＋１）価の連結基を示す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示す。ｋｎは、２以上３以下の整数を示す。〕
5. 前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）で示される基である請求項２に記載の電子写真感光体。
   
   〔一般式（IIＡ−ａ１）又は（IIＡ−ａ２）中、Ｘ^ｋ１は２価の連結基を示す。ｋｑ１は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ２は２価の連結基を示す。ｋｑ２は０又は１の整数を示す。〕
6. 前記一般式（II）で示される化合物のＦで示される電荷輸送性骨格に連結する基が、下記一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）で示される基である請求項２に記載の電子写真感光体。
   
   〔一般式（IIＡ−ａ３）又は（IIＡ−ａ４）中、Ｘ^ｋ３は２価の連結基を示す。ｋｑ３は０又は１の整数を示す。Ｘ^ｋ４は２価の連結基を示す。ｋｑ４は０又は１の整数を示す。〕
7. 請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
   画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
8. 請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
   帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
   トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
   前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
   を備える画像形成装置。