JP2015165545A - パワーモジュールとその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属構造体上面に複数のLED素子が実装され、放熱する金属構造体のモジュール、及び次世代パワー半導体(SiC)、パワー半導体が実装され、高放熱、低損失を実現するパワーモジュールの小型化において、縁面部が充分な絶縁耐圧を確保できる。また、モジュール基板裏面に放熱部材(ヒートシンク)を有する場合、その放熱部との間に絶縁放熱材が接するように配置し、放熱性を維持しながら充分な絶縁耐圧が確保できることを特徴とするパワーモジュールとそのモジュール基板の製造方法。
【選択図】図1
Description
パワー半導体素子等も高温になるため、上記と同様に高耐熱、高放熱特性に適したパワーモジュールの提供が求められている。そして、小型化での絶縁耐圧を確保することも求められている。
高耐熱、高放熱を要求されるモジュール基板などは、従来はアルミナや窒化アルミなどのセラミックス系基板が利用されるケースが多いが、セラミックス基板はコストが高く、機械的衝撃など強度に弱い、銅とセラミックの膨張率の相違によるクラック発生、取り扱いにくい、生産に時間がかかるなどの課題を持ち、パワーモジュールとして機能面、性能面を含め十分対応ができていない。
シリコーンラバーシートは、密着性を向上し熱伝導を安定化させる機能もある。しかしながら、絶縁シートにより絶縁耐圧を高くしようとすると、絶縁シートを厚くする必要があり、放熱性を損なう結果になる。また、厚くすることでコストも高くなるなどデメリットが発生する。
このモジュールは、高耐熱、高放熱面等において最も優れ、ハイパワーの発熱部品搭載可能な大電流、高耐熱、高放熱モジュールとして有効に活用できる。
そして、小型化で絶縁耐圧が確保できるパワーモジュールを提供することができる。
金属ベース材としては、銅を主体に無酸素銅(記号:C1020)、タフピッチ銅(記号:C1100)とその他の銅合金、アルミ材など選択して使用する。
実施例は外層部にパターンを必要としていることから、導体と高耐熱性絶縁層の構造体の外層部に無電解銅メッキ、及び電解銅メッキを施した後に、感光性液状エッチングレジスト(又は、感光性ドライフィルムエッチングレジスト)の形成、露光、現像、エッチング工程を通してコアになる金属ベース部分との導体回路の配線を形成する。
絶縁するための樹脂は高耐熱、絶縁耐圧性能、各種物性仕様とコストを考慮しながら最適化を図ることが好ましい。これにより、より高温、及び厳しい温度サイクル環境に耐え最適で高信頼性、高耐熱、高放熱の絶縁耐圧を確保したパワーモジュールを提供することができる。
耐熱絶縁樹脂は、通常50KV/mm以上の絶縁耐圧を有していることから、十分に縁面部分の絶縁を確保できる。
コスト面ではセラミック材よりも、さらに安価に提供出来るなどのメリットがある。
また、設計の自由度ある構造設計などを実施することができ、シンプルな工程でパワーモジュール基板を多面付けにして製造実施できることから量産性ある生産に適している。
コア部分の金属体を中心に先に構造体の導体部分を形成し、配線仕様などに準じ、内層導体回路を形成し、その形成された金属構造体層間には、高耐熱性絶縁樹脂を充填する。
その後、下記のように外層部分の配線回路を実施し、パワーモジュール基板裏面に絶縁放熱材を接着することにより、高放熱、大電流などに適したパワーモジュール基板を生産する。
これにより、小型化しても絶縁耐圧が確保された適切なパワーモジュールを提供する事が出来る。
主な概略プロセスは次の通りとなる。
1)金属構造体の内層にあたる導体部分を金属ベース材にて作成
コアになる金属構造体部分を最初に作成する。金属板、又はリードフレーム材などに構造に応じて金型プレス、又はエッチングを実施し、コア部分を最初に形成する。また、さらに構造に応じて凸凹など必要な場合は、さらに追加エッチングなどにて形成を実施する。
2)金属構造体の上下表層部分を研磨、及び金属体部分を全面粗化実施
3)金属構造体に高耐熱性樹脂の充填(印刷、または積層熱プレス)
耐熱性樹脂は熱硬化性、又は熱可塑性樹脂から選択する。
充填、硬化後に外形加工部分の絶縁層の挿入が必要な縁面部をエッチング実施し、粗化後に高耐熱性樹脂を充填し、縁面部を樹脂で覆う。
この時にエッチングで上下貫通して支持部分がなくなる場合は、上下からのエッチングで支持部分を残し、耐熱性樹脂充填、プレキュア後に、反対面からエッチングして残りの部分に耐熱性樹脂を充填して硬化させる。
支持部分が有る場合は、そのまま樹脂充填後に硬化させる。
4)金属構造体に耐熱性樹脂充填された外層部をセラミックバフにて、上下の表面を研磨してフラットにした後に粗化する。
5)無電解銅メッキ後、電解銅メッキプロセスにより表層全面にパネルメッキを実施する。
6)外層部の配線回路形成のため、感光性エッチングレジスト(又は、感光性ドライフィルムエッチングレジスト)を実施する。
7)感光性エッチングレジスト、又はドライフィルムへの露光工程を実施する。
8)パターンレジストの現像工程を実施する。
9)配線回路形成のため、エッチング工程でパターン形成を実施する。
10)ソルダーレジスト形成工程を実施する。
11)表面処理(フラックス、金メッキ、銀メッキなど)の工程を実施する。
12)モジュール基板をVカット、又は金型プレスなどで個片化処理を実施する。
2:電流、又は放熱用導体(配線)回路
3:表層部導体(配線)回路
4:内層導体回路
5:高耐熱性樹脂
6:コンデンサ部品(実装)
7:抵抗部品(実装)
8:ソース/ゲート電極
9:放熱部材(アルミヒートシンク)など
10:パワー半導体(SiC)など
11:金属ブロック
12:コレクタ電極
13:銅金属プレート
14:小径金属柱
15:絶縁放熱材
101:金属体
102:導体回路パターン
103:高耐熱絶縁樹脂
104:絶縁放熱材(熱伝導材)
105:発熱部品(LED素子など)
106:放熱部材(ヒートシンクなど)
実施例における、図1はLEDパワーモジュールの断面図を示す。
パワーモジュール基板は、ベース材が金属体からなる構造であり、厚さが0.6mmから1.0mm程度を標準とする。コアになる金属構造体部分には熱伝導性が高い金属類が使用され、他の素材に比較して小型化に有利である。仕様に応じて前記の様々な金属類を選択できる。
LED素子がダイボンディングされ、またLED素子間はCOBモジュールの場合、ワイヤーボンディングするため、ボンディンする部分の表面処理はボンディング金メッキなどが施される。
ダイボンディングされない部分は、反射率を上げるため白色レジスト、又は銀メッキを施し、その皮膜部分に銀硫化防止コート剤などで処理するのが好ましい。
LED向けなどの銀硫化防止コート剤としては、耐硫化性能の高いフッソ皮膜などが硫化、吸湿を防止するひとつの方法でもあるが、その他に硫化防止の電解メッキ等してもよい。
導体回路パターン102は、発熱部品105などにワイヤーボンディングなど行うための回路パターンで絶縁層によってコア部分の金属体とは分離されている。
実施例における絶縁層の絶縁耐圧は80KV/mm以上であることから、例えば絶縁部を200μm厚みでは10KV以上の絶縁耐圧が十分確保できる。
絶縁放熱材は、熱抵抗を小さくするためフィラーなどを含むが、4KV以上の絶縁耐圧を確保するためには50μm以上程度が好ましい。
絶縁放熱材のパワーモジュール基板への接着法としては実施例では熱プレスなど使用する。
放熱性、耐熱性などが重要であることからエアー混入など接着面に入らないよう処理する。
発熱部品105は、金属体101のセンター位置に実装され、高耐熱性樹脂103は外形縁面部に充填されていることから、小型化されても端面部からの絶縁耐圧を十分確保することができる。実施例では端面からの絶縁距離を1mm以上とした。従って厚み方向の絶縁も含めて加えると縁面における絶縁耐圧を十分確保することが出来る構造とした。
導体回路パターン102から、発熱部品であるLED素子にワイヤーボンディングされて電極間に電圧が印加され、パワーモジュール基板として使用される。良好な熱伝導が行われるよう発熱部品から直下の金属体へ伝えられる。銅を使用した場合の熱伝導率は約398W/mKでセラミックよりかなり高い。金属体から絶縁放熱を経由して放熱部材(ヒートシンク)へ放熱される。
放熱方向、絶縁性などはこのモジュール構造から読み取ることが出来る。
この平面図は、導体回路、及びパッドなどが見られ、導体間は180℃以上に耐える高耐熱性樹脂5による絶縁樹脂にて形成される。この高耐熱性樹脂5は熱硬化、熱可塑性のどちらでも選択でき、主にノボラック型、イミダゾール型エポキシ、フェノール類、PEEK(ポリエーテル・エーテルケトン)、LCP(液晶ポリマー)、ポリイミド、ポリアミドイミド、スーパエンプラ、シアネート、BTレジン他の耐熱高分子材料など選択でき、高耐熱、高絶縁耐圧性を持つ材料を使用する。
配線導体間の距離、パッドの形状(パターン)などはそれぞれのパワーモジュール仕様、絶縁耐圧に耐えられる沿面距離等を考慮して設計、配置する。通常パワーデバイスが搭載される側は主に高放熱を行うためのヒートシンクなどが配置されるケースが多いが、表裏は金属構造体を直接介した導体金属結合で熱伝導率(約390W/mK)の良好な放熱動作が行われる構造をとることができ、発熱部が高温になることを緩和することができる。
次世代パワー半導体向けなどは500μm以上で、電流量、パワーモジュール仕様に応じて構造を設定することが可能である。従って、加工性、電気伝導性、電流容量、配線、パッド、パターンなど設計考慮し、金属材料、厚みなどを選択して最適化できる。
金型プレスによる形成の場合は、バリなどが発生しやすいことから、樹脂充填前には機械研磨、若しくは化学研磨工程を経て、バリ等を事前除去し、滑らかに平坦化しておく必要がある。
機械研磨としてはセラミックバフなど活用し、金属体の上下面に沿って移動させ平坦化する事が出来る。研磨後は、高耐熱性樹脂との密着力をあげるために化学研磨などにより金属構造体の密着部全面に事前に粗化する。
ひとつは熱硬化性樹脂を充填する方法で、インク状樹脂の場合は高温で軟化、脱泡して、メタルマスク、又はシルクスクリーン印刷法にてスキージなどを使用し真空充填などを実施し、その後に熱硬化させる。
もう一方は、熱可塑性樹脂の充填方法で、LCP(液晶ポリマー)などは耐熱性樹脂シートを高温(300℃以上)で積層熱プレスを行ない、金属体間へ絶縁層を積層封入し成形する。
樹脂成形方式としては、射出成形やトランスファー成形が一般的に利用されている。
熱硬化性樹脂では、高耐熱性のノボラック型エポキシ樹脂、イミダゾール型エポキシ樹脂、PEEK、シアネート樹脂他など多品種の高耐熱性樹脂から選択し、充填することでパワーデバイス向けに大電流、高放熱で性能の高いパワーモジュールを提供できる。
熱プレスによる熱硬化樹脂に対する硬化温度は一例として160℃から180℃範囲で、圧力は2MPaから3MPaが適切であるが、熱可塑性樹脂の温度は300℃以上必要とする場合もある。
その後、パネルメッキなど銅メッキを実施するにあたり、密着強度を確保するため樹脂面はあらかじめ機械研磨、化学研磨、又は、光研磨などで樹脂表面を粗化、又は改質を実施する。
モジュールが多面付けの大判サイズのパネルメッキ表面が平坦、平滑になっているかを確認し、その後導体回路形成を実施するために、機械研磨、化学研磨などで表面を平坦化、平滑に仕上げる。
表面処理は金属の導体上に、ニッケル(Ni)メッキ、金(Au)メッキなどパワーデバイス搭載に適した表面処理仕様にて仕上げる。例えば、Au−Sn共晶などで半導体素子など接合実装する場合は、同種のフラシュ金メッキ、金メッキなどが好ましい表面処理となる。
実施例における図5はパワー半導体搭載モジュール概略平面説明図1のA−A’断面図の例である。構造図、特徴とその製造法など詳細の説明については以下の通りである。
コアになる金属板に高耐熱性樹脂5が充填され、導体回路の配線、パッドなどが表裏に形成され、放熱金属体2及び導体回路3など前記金属体と電気的に導通されていることを特徴に、表裏と内層に任意に配置することができる。従って、導体配線は上下の外層面とコアになる部分を使用して自由に配線する事ができ、放熱導体2も電気回路などと分離絶縁して発熱部から直接直下、もしくは直上に金属結合で配置することもできるため、さらなる高放熱性が得られる構造を容易に構築することができる。
大電流、又は放熱導体回路2と表層導体回路3は金属体1に外層部と銅メッキにて結合され、内層導体回路4は配線回路として表層部と裏面接合、及び表層部と内層接合など自由に設ける事ができる。
金属体と充填樹脂は密着強度を高め、表裏に金属結合されている部分は表裏のパッドと内部の導体部より少し広く設定することで絶縁層の耐熱性樹脂と構成する金属部とをしっかり密着固定することができる。
図7と図8との相違は、コンデンサ6と抵抗7間の導体回路を裏面の導体パターン経由にした場合と、より近く導体回路を配置した場合の断面構造の差を表している。
また、実施例では発熱高いパワーデバイス部品などはヒートシンク側9に実装し、電子部品のコンデンサ6、抵抗7、集積回路などは反対(裏面)側に分散配置し実装することで、温度サイクル条件などが厳しい環境下においても、実装される部品との間で熱などに伴う半田クラックなどの防止、及び低減することも可能である。
また、外層導体回路部のパッドサイズ、形状など製品仕様に応じて3層構造にする事が出来、任意に金属構造体など構造設計し、構成することができるなどの特徴がある。
図7、図8からの進展形として、発熱部品との熱の影響を減少させるため、上側実装部品のコンデンサ6、抵抗7とヒートシンク9間は金属体を柱構造の金属柱14にすることで熱による影響緩和を図る。熱部品が搭載される下側には、熱緩和などを行うため金属柱を形成する場合には、金属体下面側を図のようにエッチングする。金属柱の大きさ、配置、数量、高さは製品仕様に応じて任意に設計し、形成することができる。コア部分の金属部厚みにも影響するが、実施例として、通常金属柱部分の高さは0.2mmから0.6mmであるが、事前に熱シュミレーションによってある程度評価した上で、設計、構造化するのが好ましい。
ヒートシンク9は、絶縁放熱材(熱伝導性樹脂)15を介して接着され、絶縁、絶縁耐圧などを確保できる構造を施す必要がある。
大電流は、ソース電極/ゲート電極8、及びコレクタ電極12を通し、パワーデバイス部が最も高温となるため、接触する部分を金属柱構造14にする。金属柱の高さ、太さ、数量、形状などは任意に設定することができることから、最適な構造での提供が可能である。
また、断面図の上部に当たるコンデンサ6側、抵抗7側の部品実装側にも金属柱の構造を施すことができる。
シート状プリプレグを使用する場合は、モジュール基板のベースになる外形パターン化された金属体に耐熱性絶縁樹脂のシートをレイアップし、その上下には離型性を有するクッション材を置き、プレス板(SUS板)で挟むことが好ましい。熱プレスの熱盤とSUS板等のプレス板間には、クッション材などの離型紙を置くことにより、打痕の防止とプレスの押圧力が均一になるように配置する。
上記レイアップ後は、選択された耐熱絶縁樹脂の積層温度プロファイルに準じ、真空熱プレスによる積層を実施し、その結果は図7、図8、図9、又は図10に示されるパワーモジュール用の3層構造モジュールの積層体を得ることができる。
無電解メッキは、銅、ニッケルなどのメッキ液が使用されるが、その後に図7、及び図8の断面構造に示されるようにするには、エッチングにて大電流、又は放熱導体回路2、内層導体回路4を形成するため銅が好ましい。
表面に全面電解銅メッキを施した後に、感光性エッチングレジストなどラミネートし、導体回路2、3、4のパターン形状に応じて露光、現像、エッチングを実施し、形成する。
エッチング後は、残されたドライフィルムエッチングレジストなどを水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、その後洗浄、乾燥させることにより導体回路を形成することができる。
高耐熱性樹脂5は内層導体部分を取り囲むように樹脂が充填され、縁面部にも金属体が露出しないように樹脂で絶縁を施すことにより、沿面からの絶縁耐圧を確保する。
金属構造体の外形周辺部は樹脂で充填することにより、端面部には絶縁層が入り、表層導体パターン部、内層導体パターン部、及び縁面部での絶縁耐圧を容易に確保することが出来る。
実施例で使用する耐熱絶縁樹脂は、80KV/mm以上の絶縁耐圧を有していることから、小型化してもパワーモジュール基板の放熱性を維持しながら十分な縁面絶縁耐圧を確保することができる。
その後の工程で個片化のため外形加工を実施する。外形加工後は、図4の概略平面説明図に示す形状となる。実施例としては、金型プレス打抜き、Vカット、ルーター、レーザカットなど仕様に沿って外形加工を仕上げる。
Claims (6)
- 金属構造体をコアに高耐熱性絶縁樹脂を充填して構成され、金属体上面に複数のLED素子が実装され、金属体を通して放熱するモジュール基板裏面に放熱部材(ヒートシンク)を有し、そのモジュール基板底面の放熱部との間に絶縁放熱材を接触するように配置し、小型化しても放熱性を維持しながら縁面部の絶縁耐圧なども充分確保できることを特徴とするパワーモジュール。
- 金属構造体をコアに高耐熱性絶縁樹脂を充填して構成され、表裏の導体回路とコアの金属体と金属結合を特徴とする高放熱性能のパワー半導体搭載モジュールであり、大電流導体回路と制御用導体回路を表裏に同一平面で併設する。小型化しても放熱性を維持しながら縁面部の絶縁耐圧を充分確保でき、2層、又は3層の構造体も持つことができるパワーモジュールである。また、そのパワー半導体搭載モジュールの放熱部材(ヒートシンク)との間に絶縁放熱材が接触するように配置する場合もある。
- 前記金属構造体のベース材は、タフピッチ銅、無酸素銅、アルミ材、その他のリードフレームなど合金を含む金属のいずれかひとつに記載の材料。
- 前記パワーモジュール基板と放熱部材(ヒートシンク)との間に絶縁放熱材が接触して配置される請求項1、2記載のパワーモジュール。
絶縁放熱材としては、熱伝導性を有した絶縁樹脂、絶縁シート、セラミック、セラミックコートなどの放熱材を含む。 - 請求項1、2に充填される耐熱性絶縁樹脂は、シート状樹脂、または固形樹脂を軟化させて印刷、又は積層プレスにて充填する熱硬化性、及び熱可塑性の耐熱性絶縁樹脂。
- 請求項1,2記載のパワーモジュールベースになるパワーモジュール基板の製造方法。
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