JP2015153468A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015153468A5 JP2015153468A5 JP2014023531A JP2014023531A JP2015153468A5 JP 2015153468 A5 JP2015153468 A5 JP 2015153468A5 JP 2014023531 A JP2014023531 A JP 2014023531A JP 2014023531 A JP2014023531 A JP 2014023531A JP 2015153468 A5 JP2015153468 A5 JP 2015153468A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- electrode
- reference trajectory
- beam collimator
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
Claims (26)
- イオン注入装置のビーム平行化器であって、
基準軌道に対し平行化されたビームを前記ビーム平行化器の出口に生成するように、前記基準軌道に沿って配列されている複数の加速または減速レンズ部と、
前記複数のレンズ部を囲む真空容器と、を備え、
前記複数のレンズ部の各々は、少なくとも2つの電極から構成される弓形状湾曲ギャップを形成し、前記弓形状湾曲ギャップに印加される電場により前記基準軌道に対しビーム進行方向のなす角度を変えるよう構成されており、
前記複数のレンズ部のうち一のレンズ部の一方の電極と当該レンズ部に隣接するレンズ部の他方の電極を同電位に構成するとともに、
空間部が前記複数のレンズ部のうち一のレンズ部と当該レンズ部に隣接するレンズ部との間に設けられており、前記空間部は、前記基準軌道上のビーム平行化平面と垂直に交差する方向に向けられており、前記基準軌道を含む内側領域が、前記真空容器と前記複数のレンズ部の間となる外側領域へと前記空間部を通じて連通されていることを特徴とするビーム平行化器。 - 前記複数のレンズ部は、上部構造と下部構造とに分割されており、前記上部構造と前記下部構造との間に前記基準軌道を含む内側領域が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のビーム平行化器。
- 前記複数のレンズ部は、前記上部構造と前記下部構造との相対位置を前記基準軌道に対して調整可能であるよう構成されていることを特徴とする請求項2に記載のビーム平行化器。
- 前記複数のレンズ部の各々は、前記弓形状湾曲ギャップを定める湾曲面を各々が備える一対の電極部材を備え、各電極部材は、前記基準軌道に近接する電極中央部から両側にビーム輸送空間の外縁へと延びる背面を前記湾曲面と反対側に備え、
前記空間部は、前記隣接するレンズ部に近い前記一のレンズ部の電極部材の背面と、前記一のレンズ部に近い前記隣接するレンズ部の電極部材の背面との間に形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のビーム平行化器。 - 前記真空容器は、前記基準軌道の一方側と他方側とにそれぞれ容器壁を備え、
前記一対の電極部材の各々は、前記基準軌道を挟んで離間配置される一組の電極片を備え、前記一組の電極片の一方は前記基準軌道の一方側の前記容器壁に支持され、前記一組の電極片の他方は前記基準軌道の他方側の前記容器壁に支持されていることを特徴とする請求項4に記載のビーム平行化器。 - 各電極片は、弓形に湾曲した棒状体に形成されていることを特徴とする請求項5に記載のビーム平行化器。
- 各電極部材の背面は、前記湾曲面に沿って湾曲していることを特徴とする請求項4から6のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 少なくとも1つのレンズ部は、前記基準軌道から遠い側で前記空間部を覆う蓋部を備えることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 前記蓋部は、前記空間部を通じた前記内側領域の真空排気を許容するよう構成されていることを特徴とする請求項8に記載のビーム平行化器。
- 前記複数のレンズ部の少なくとも一部を支持するベースプレートが前記複数のレンズ部の外側領域に設けられていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 前記ベースプレートは、前記空間部を通じた前記内側領域の真空排気を許容するよう構成されていることを特徴とする請求項10に記載のビーム平行化器。
- 少なくとも1つの電極部材または電極片が絶縁体または導電体を介して前記ベースプレートに取り付けられていることを特徴とする請求項10または11に記載のビーム平行化器。
- 前記ベースプレートは、前記真空容器に対し移動可能に構成され、前記ベースプレートと前記真空容器との間に前記ベースプレートを案内する案内部が設けられていることを特徴とする請求項10から12のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 前記真空容器は、開閉可能な壁部を備え、前記案内部は、前記壁部を通じて前記ベースプレートを前記真空容器の外に引き出し可能に構成されていることを特徴とする請求項13に記載のビーム平行化器。
- 前記複数のレンズ部に給電するよう構成されている給電部をさらに備え、
前記給電部は、前記真空容器の外から給電され、前記真空容器と前記複数のレンズ部との間に配置されている給電プレートを備えることを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載のビーム平行化器。 - 前記給電部は、前記複数のレンズ部の少なくとも1つの電極部材または電極片に前記給電プレートから給電するための端子部を備え、
前記端子部は、前記複数のレンズ部がイオン注入のための定位置にあるとき前記給電プレートと前記少なくとも1つの電極部材または電極片との間で圧縮される弾性導体を備えることを特徴とする請求項15に記載のビーム平行化器。 - 前記給電プレートは、前記真空容器の開閉可能な壁部とは反対側の壁部と前記複数のレンズ部との間に配置されていることを特徴とする請求項15または16に記載のビーム平行化器。
- 前記ビーム平行化器の入口の上流にビームを遮蔽するビームダンプ部が設けられていることを特徴とする請求項1から17のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 前記複数のレンズ部は、複数の加速レンズ部と複数の減速レンズ部とを備え、加速レンズ部と減速レンズ部とが交互に配列されていることを特徴とする請求項1から18のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 各々の入口加速電極部材及び出口減速電極部材の両端部には、延長電極部を備えるよう構成し、加速または減速の同電位の電界領域を保持するよう構成したことを特徴とする請求項1から19のいずれかに記載のビーム平行化器。
- 前記弓形状湾曲ギャップは、前記平行化されたビームの前記基準軌道に垂直な断面における短手方向に向けられており、前記基準軌道を含む内側領域が前記複数のレンズ部の外側領域へと前記弓形状湾曲ギャップを通じて連通されていることを特徴とする請求項1から20のいずれかに記載のビーム平行化器。
- イオン注入装置のビーム平行化器であって、
基準軌道に対し平行化されたビームを前記ビーム平行化器の出口に生成する少なくとも1つのレンズ部を備え、
前記少なくとも1つのレンズ部の各々は、弓形状湾曲ギャップを形成する一対の電極部材を備え、前記弓形状湾曲ギャップに印加される電場により前記基準軌道に対しビーム進行方向のなす角度を変えるよう構成されており、
前記一対の電極部材の各々は、複数の弓形状に湾曲した電極片を備えることを特徴とするビーム平行化器。 - イオン注入装置のビーム平行化器であって、
基準軌道に対し平行化されたビームを前記ビーム平行化器の出口に生成する少なくとも1つのレンズ部と、
前記少なくとも1つのレンズ部を囲み、前記基準軌道の一方側と他方側とにそれぞれ容器壁を備える真空容器と、を備え、
前記少なくとも1つのレンズ部の各々は、弓形状湾曲ギャップを形成する一対の電極部材を備え、前記弓形状湾曲ギャップに印加される電場により前記基準軌道に対しビーム進行方向のなす角度を変えるよう構成されており、
前記一対の電極部材の各々は、前記基準軌道を挟んで離間配置される一組の電極片を備え、前記一組の電極片の一部は前記基準軌道の一方側の前記容器壁に支持され、前記一組の電極片の他の一部は前記基準軌道の他方側の前記容器壁に支持されていることを特徴とするビーム平行化器。 - 請求項1から23のいずれかに記載のビーム平行化器を備えるビーム輸送ラインユニットと、
イオンビームを生成するイオンビーム生成ユニットと、
前記イオンビームを加速する高エネルギー多段直線加速ユニットと、
高エネルギーに加速されたイオンビームを前記ビーム輸送ラインユニットへと方向変換する偏向ユニットと、を備えることを特徴とする高エネルギーイオン注入装置。 - ビームラインの基準軌道の両側にビームをスキャンするビーム走査器をさらに備え、
前記複数のレンズ部の各々は、前記基準軌道の両側にスキャンされたビームを、基準軌道側に近づく方向に偏向させることにより、前記複数のレンズ部を通過したビームの軌道が基準軌道と平行になるように調整するよう構成されていることを特徴とする請求項24に記載の高エネルギーイオン注入装置。 - 基準軌道に対し平行化されたビームを生成するように複数の弓形状湾曲ギャップのそれぞれに電場を印加することと、
前記複数の弓形状湾曲ギャップのうち一の弓形状湾曲ギャップと当該弓形状湾曲ギャップに隣接する弓形状湾曲ギャップとの間に形成される空間部を通じて前記基準軌道を含む内側領域の真空排気をすることと、を備え、
前記空間部は、前記平行化されたビームの前記基準軌道に垂直な断面における短手方向に向けられていることを特徴とするビーム平行化方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014023531A JP6207418B2 (ja) | 2014-02-10 | 2014-02-10 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム平行化器、及びビーム平行化方法 |
TW104103740A TWI662581B (zh) | 2014-02-10 | 2015-02-04 | 高能量離子植入裝置、射束平行化器及射束平行化方法 |
KR1020150017774A KR102281995B1 (ko) | 2014-02-10 | 2015-02-05 | 고에너지 이온주입장치, 빔평행화기, 및 빔평행화 방법 |
CN201510069271.7A CN104835710B (zh) | 2014-02-10 | 2015-02-10 | 高能量离子注入装置、射束平行化器及射束平行化方法 |
US14/618,630 US9373481B2 (en) | 2014-02-10 | 2015-02-10 | High-energy ion implanter, beam collimator, and beam collimation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014023531A JP6207418B2 (ja) | 2014-02-10 | 2014-02-10 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム平行化器、及びビーム平行化方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015153468A JP2015153468A (ja) | 2015-08-24 |
JP2015153468A5 true JP2015153468A5 (ja) | 2016-07-21 |
JP6207418B2 JP6207418B2 (ja) | 2017-10-04 |
Family
ID=53775526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014023531A Active JP6207418B2 (ja) | 2014-02-10 | 2014-02-10 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム平行化器、及びビーム平行化方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9373481B2 (ja) |
JP (1) | JP6207418B2 (ja) |
KR (1) | KR102281995B1 (ja) |
CN (1) | CN104835710B (ja) |
TW (1) | TWI662581B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6207418B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-10-04 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム平行化器、及びビーム平行化方法 |
JP6324231B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2018-05-16 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
US9978556B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-05-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Parallelizing electrostatic acceleration/deceleration optical element |
DE102016106119B4 (de) * | 2016-04-04 | 2019-03-07 | mi2-factory GmbH | Energiefilterelement für Ionenimplantationsanlagen für den Einsatz in der Produktion von Wafern |
US9905396B1 (en) * | 2016-10-18 | 2018-02-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Curved post scan electrode |
JP6814081B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2021-01-13 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
RU174238U1 (ru) * | 2017-05-29 | 2017-10-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" | Система рулевого управления автогрейдером |
JP6414763B1 (ja) * | 2017-08-31 | 2018-10-31 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
US10714301B1 (en) * | 2018-02-21 | 2020-07-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Conductive beam optics for reducing particles in ion implanter |
JP6982531B2 (ja) * | 2018-03-26 | 2021-12-17 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置および測定装置 |
US10665415B1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling ion beam properties using electrostatic filter |
JP7037126B2 (ja) * | 2019-08-02 | 2022-03-16 | 日新イオン機器株式会社 | ビームプロファイルの判定方法およびイオンビーム照射装置 |
JP7296274B2 (ja) * | 2019-08-20 | 2023-06-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置および偏向器 |
WO2024137585A1 (en) * | 2022-12-19 | 2024-06-27 | University Of Iowa Research Foundation | Beam filtration apparatus and method for efficient scanned beam particle arc therapy |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3374335A (en) | 1964-12-08 | 1968-03-19 | Reynolds Metals Co | Method of arc welding a circular joint |
US3663360A (en) * | 1970-08-13 | 1972-05-16 | Atomic Energy Commission | Conversion of high temperature plasma energy into electrical energy |
US5177366A (en) | 1992-03-06 | 1993-01-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter for providing cross plane focusing |
US5300891A (en) | 1992-05-01 | 1994-04-05 | Genus, Inc. | Ion accelerator |
JP3448731B2 (ja) | 1998-06-19 | 2003-09-22 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
US6541781B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-04-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Waveguide for microwave excitation of plasma in an ion beam guide |
US6414329B1 (en) * | 2000-07-25 | 2002-07-02 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for microwave excitation of plasma in an ion beam guide |
JP3680274B2 (ja) | 2002-03-27 | 2005-08-10 | 住友イートンノバ株式会社 | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
US6774377B1 (en) | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
US7112809B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic lens for ion beams |
US7019314B1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Systems and methods for ion beam focusing |
US7675047B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for shaping a ribbon-shaped ion beam |
CN101322217B (zh) * | 2005-11-15 | 2012-02-29 | 瓦里安半导体设备公司 | 缎带状离子束的成形方法 |
JP4747876B2 (ja) | 2006-02-17 | 2011-08-17 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
US7619228B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-11-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improved ion beam transport |
US7888652B2 (en) * | 2006-11-27 | 2011-02-15 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
US7655922B2 (en) * | 2006-12-07 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for confining electrons in an ion implanter |
JP5194975B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2013-05-08 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US8035080B2 (en) | 2009-10-30 | 2011-10-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and system for increasing beam current above a maximum energy for a charge state |
CN102194635A (zh) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | 上海凯世通半导体有限公司 | 离子注入系统及方法 |
JP5963662B2 (ja) * | 2012-12-04 | 2016-08-03 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
JP6086819B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-03-01 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置 |
JP6053611B2 (ja) * | 2013-05-27 | 2016-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置 |
JP6076834B2 (ja) * | 2013-05-28 | 2017-02-08 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置 |
JP6253362B2 (ja) * | 2013-11-21 | 2017-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム電流調整装置、及びビーム電流調整方法 |
JP6207418B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-10-04 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム平行化器、及びビーム平行化方法 |
-
2014
- 2014-02-10 JP JP2014023531A patent/JP6207418B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-04 TW TW104103740A patent/TWI662581B/zh active
- 2015-02-05 KR KR1020150017774A patent/KR102281995B1/ko active IP Right Grant
- 2015-02-10 US US14/618,630 patent/US9373481B2/en active Active
- 2015-02-10 CN CN201510069271.7A patent/CN104835710B/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015153468A5 (ja) | ||
JP2014232671A5 (ja) | ||
TWI391976B (zh) | 射束偏轉方法、掃描用的射束偏轉器、離子注入方法、和離子注入系統 | |
KR102281995B1 (ko) | 고에너지 이온주입장치, 빔평행화기, 및 빔평행화 방법 | |
JP6253362B2 (ja) | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム電流調整装置、及びビーム電流調整方法 | |
JP5085887B2 (ja) | ビーム処理装置及びビーム処理方法 | |
US8841638B2 (en) | Particle beam therapy system | |
CN102763169B (zh) | 降能器及具备该降能器的带电粒子照射系统 | |
TWI466157B (zh) | 射束處理裝置 | |
US7851772B2 (en) | Ion implantation apparatus and ion implantation method | |
TWI584335B (zh) | Ion implantation device | |
US7276711B2 (en) | Beam space-charge compensation device and ion implantation system having the same | |
JP2014183042A (ja) | リボンイオンビームのエネルギーを変更するためのシステムおよびイオン注入システム | |
KR102342213B1 (ko) | 이온주입장치 | |
KR20060060557A (ko) | 이온 빔, 하전입자 빔 조사 시스템 | |
KR20080092298A (ko) | 이온주입장치 및 이에 이용되는 이온빔의 수렴 및 정형방법 | |
US9694209B2 (en) | Particle beam therapy system | |
WO2008001685A1 (fr) | Appareil d'implantation ionique et procédé de correction d'angle de déflexion de faisceau ionique | |
JP6341655B2 (ja) | 円形加速器及び重粒子線治療装置 | |
CN108695129B (zh) | 离子注入装置及离子注入方法 | |
KR102276037B1 (ko) | 정전 스캐너, 이온 주입기, 및 이온 빔을 프로세싱하기 위한 방법 | |
JP4151690B2 (ja) | 偏向電磁石およびイオンビーム照射装置 | |
JP6527016B2 (ja) | 真空容器、円形加速器、ビーム輸送装置及び粒子線治療システム | |
JP2010211972A (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
JP2009198355A (ja) | 電子線照射装置 |