JP5194975B2 - イオン注入装置 - Google Patents
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Description
12 ビーム走査器
12a 走査中心
14 ビーム平行化器
40 ユニポテンシャルレンズ
41 第1電極
42 第2電極
43 第3電極
44 第4電極
51 第1ギャップ
51a 曲率中心
52 第2ギャップ
52a 曲率中心
53 第3ギャップ
53a 曲率中心
60 直流電源
V1 第1直流電圧
V2 第2直流電圧
Claims (3)
- イオンビームの進行方向Zと実質的に直交する平面内において互いに実質的に直交する2方向をX方向およびY方向とすると、イオンビームをX方向において走査するビーム走査器と、このビーム走査器からのイオンビームをXZ平面内で所定の基準軸に対して実質的に平行になるように曲げて平行ビーム化するビーム平行化器とを備えているイオン注入装置において、
前記ビーム走査器とビーム平行化器との間に設けられていて、そこを通過するイオンビームをY方向において絞る働きをするものであって、イオンビーム進行方向に、XZ平面内の形状がいずれも円弧状をしている第1ギャップ、第2ギャップおよび第3ギャップをそれぞれあけて並べられた第1電極、第2電極、第3電極および第4電極を有していて、第1電極および第4電極は電気的に接地されているユニポテンシャルレンズと、
前記ユニポテンシャルレンズの第2電極および第3電極に第1直流電圧および第2直流電圧をそれぞれ印加する電圧可変の直流電源とを備えており、
前記ユニポテンシャルレンズの第1ギャップおよび第3ギャップの曲率中心の位置を、前記ビーム走査器の走査中心の位置と実質的に一致させており、
前記ユニポテンシャルレンズの第2ギャップの曲率中心の位置を、前記ビーム走査器の走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側または上流側にずらしていることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記ユニポテンシャルレンズの第1電極、第2電極、第3電極および第4電極は、それぞれ、イオンビームが通過する空間を挟んでY方向において相対向しておりかつ互いに同電位である一対の電極から成る請求項1記載のイオン注入装置。
- 前記ユニポテンシャルレンズの第2ギャップの曲率中心の位置を、前記ビーム走査器の走査中心の位置よりもイオンビーム進行方向の下流側にずらしている請求項1または2記載のイオン注入装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102694A JP5194975B2 (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | イオン注入装置 |
US12/418,948 US7759658B2 (en) | 2008-04-10 | 2009-04-06 | Ion implanting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102694A JP5194975B2 (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | イオン注入装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252697A JP2009252697A (ja) | 2009-10-29 |
JP5194975B2 true JP5194975B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=41163207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008102694A Expired - Fee Related JP5194975B2 (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | イオン注入装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7759658B2 (ja) |
JP (1) | JP5194975B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5500500B2 (ja) * | 2010-03-11 | 2014-05-21 | 日新イオン機器株式会社 | 非対称なアインツェルレンズを有するビーム偏向器を備えたイオン注入装置 |
DE102010041813A1 (de) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Teilchenstrahlgerät und Verfahren zur Untersuchung und/oder Bearbeitung eines Objekts |
TWI452595B (zh) * | 2010-10-22 | 2014-09-11 | Advanced Ion Beam Tech Inc | 用於加速或減速離子束之電極組、離子植入系統及減速點狀或帶狀離子束之方法 |
US9029811B1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-05-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus to control an ion beam |
JP6207418B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-10-04 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム平行化器、及びビーム平行化方法 |
JP6324231B2 (ja) | 2014-06-23 | 2018-05-16 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
US9905396B1 (en) * | 2016-10-18 | 2018-02-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Curved post scan electrode |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5834786A (en) * | 1996-07-15 | 1998-11-10 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High current ribbon beam ion implanter |
JP4138946B2 (ja) * | 1998-06-11 | 2008-08-27 | 株式会社アルバック | イオン注入装置 |
US6774377B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
US7105839B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-09-12 | White Nicholas R | Method and fine-control collimator for accurate collimation and precise parallel alignment of scanned ion beams |
US7675047B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for shaping a ribbon-shaped ion beam |
JP4747876B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-08-17 | 日新イオン機器株式会社 | イオンビーム照射装置 |
TWI416572B (zh) * | 2006-06-13 | 2013-11-21 | Semequip Inc | 多用途離子佈植器束流線組態 |
JP4600426B2 (ja) | 2006-06-26 | 2010-12-15 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置およびイオンビームの偏差角補正方法 |
-
2008
- 2008-04-10 JP JP2008102694A patent/JP5194975B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2009
- 2009-04-06 US US12/418,948 patent/US7759658B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7759658B2 (en) | 2010-07-20 |
US20090256082A1 (en) | 2009-10-15 |
JP2009252697A (ja) | 2009-10-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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