CN101322217B - 缎带状离子束的成形方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中,可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜,其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位,且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
Description
技术领域
本申请是有关于离子植入,且更具体而言,本申请是有关于缎带状离子束的成形技术。
背景技术
离子植入机(ion implanter)广泛用于半导体制造中以选择性地改变材料的传导性。在典型离子植入机中,经由包括一或多个分析磁铁(analyzing magnet)以及多个电极的一系列光束线组件来引导自离子源所产生的离子。分析磁铁选择所要的离子种类、滤出污染物种类以及具有不正确能量的离子、亦调整目标晶圆处的离子束品质。适当成形的电极可用于修改离子束的能量以及形状。
图1展示已知离子植入机100,其包含离子源102、提取电极104、90°磁铁分析器106、第一减速(D1)台108、70°磁铁分析器110以及第二减速(D2)台112。D1以及D2减速台(亦称为“减速透镜”)中的每一者包含具有一允许离子束穿过其的界定孔径的多个电极。藉由将电压电位的不同组合施加至多个电极,D1以及D2减速透镜可操纵离子能量且引起离子束以所要能量击中目标晶圆。
以上所提及的D1或D2减速透镜通常为静电三极体(或四极体)减速透镜。图2展示现有习知静电三极体减速透镜200的透视图。静电三极体减速透镜200包含三组电极:入口电极(entrance electrode)202(亦称为“端电极”)、抑制电极(suppression electrode)204(或“聚焦电极”)以及出口电极(exit electrode)206(亦称为“接地电极”,尽管未必连接至接地)。现有习知静电四极体减速透镜类似于静电三极体减速透镜200,不同点是四极体透镜具有在抑制电极204与出口电极206之间的额外一组抑制电极(或聚焦电极)。
在静电三极体减速透镜200中,每一组电极可具有允许离子束20穿过(例如,沿光束方向的+z方向)的空间。如图2中所示,每一组电极可包括电耦接至彼此以共用相同电压电位的两个导电片。或者,每一组电极可为具有用于使离子束20穿过的孔径的单片结构。同样地,每一组电极有效地为具有单一电压电位的单电极。为简便起见,以单数指示每一组电极。亦即,将入口电极202称为“入口电极202”,将抑制电极204称为“抑制电极204”,且将出口电极206称为“出口电极206”。
操作中,独立地偏压入口电极202、抑制电极204以及出口电极206使得以以下方式来操纵离子束20的能量。离子束20可经由入口电极202进入静电三极体减速透镜200且可具有(例如)10-20keV的初始能量。可在入口电极202与抑制电极204之间加速离子束20中的离子。一旦到达抑制电极204,离子束20可具有(例如)大约30keV或更高的能量。在抑制电极204与出口电极206之间,可将离子束20中的离子减速至通常接近用于目标晶圆的离子植入的离子的能量。因此,当离子束20离开静电三极体减速透镜200时其可具有(例如)大约3-5keV或更低的能量。
在静电三极体减速透镜200中发生的离子能量的显著变化可对离子束20的形状有实质性影响。图3展示静电三极体减速透镜200的俯视图。众所周知,空间电荷效应在低能量离子束中较在高能量离子束中更为显著。因此,当在入口电极202与抑制电极204之间加速离子束20时,观察到离子束20的形状的较小变化。然而,当离子能量在抑制电极204与出口电极206之间急剧减小时,离子束20倾向于在其边缘处沿X及Y两个维度膨胀。结果,可能在到达目标晶圆之前丢失相当多的离子,且离子束20的有效照射量减小了。
已试图减小静电三极体透镜中的上述空间电荷效应。举例而言,在一方法中,将熟习此项技艺者所熟知的Pierce几何学引入静电三极体减速透镜中的每一电极。亦即,每一电极在其端部弯曲至一界定角度使得静电三极体透镜内部的电场产生抵消离子束边缘处的空间电荷扩散效应的聚焦力。然而,此方法仅可在控制离子束形状方面达成有限成果。不管变化的形状,每一电极仍保留以单一电压电位偏压的一个导电片。结果,由施加至电极的总电压电位来抑制在离子束边缘处产生聚焦力。另外,电极的一特定形状仅可用于一特定光束形状的调整或离子束的供应。
鉴于上述描述,需要提供一种克服上述不足以及缺点的用于提供静电透镜的技术。
发明内容
本发明揭示一种缎带状离子束(ribbon-shaped ion beam)的成形技术。在一特定例示性实施例中,可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含
具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜,其中所述静电透镜的一电极沿所述孔径的长边缘而定位,其中所述静电透镜的多个聚焦元件沿所述孔径的短边缘而定位,其中所述电极经偏压,且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形所述缎带状离子束。
根据此特定例示性实施例的其他态样,至少一个聚焦元件可具有界定缎带状离子束的相应成形等位边界的弯曲表面。至少一个聚焦元件可具有 椭圆表面。
根据此特定例示性实施例的其他态样,至少一个聚焦元件可具有界定缎带状离子束的等位边界的弯曲边缘。
根据此特定例示性实施例的额外态样,至少一个聚焦元件可经旋转以改变缎带状离子束的等位边界的形状。
根据此特定例示性实施例的另一态样,静电透镜可更包含多个电极,且在至少一个聚焦元件与多个电极中的至少一者之间的距离可为可调整的。
根据此特定例示性实施例的又一态样,在至少一个聚焦元件与孔径之间的距离可为可调整的。
根据此特定例示性实施例的另一态样,在多个聚焦元件之间的间隔可为可调整的。
根据此特定例示性实施例的另一态样,多个聚焦元件可包含形成椭圆形孔径的一对聚焦元件。
在另一特定例示性实施例中,可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形方法。该方法可包含以下步骤:
提供具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜;沿所述缎带状离子束的长边缘定位所述静电透镜的一电极;沿所述缎带状离子束的短边缘定位所述静电透镜的多个聚焦元件;偏压所述电极;以及各别地偏压且定向每一聚焦元件以成形所述缎带状离子束。
根据此特定例示性实施例的其他态样,至少一个聚焦元件可具有界定缎带状离子束的相应成形等位边界的弯曲表面。至少一个聚焦元件可具有椭圆表面。
根据此特定例示性实施例的其他态样,至少一个聚焦元件可具有界定缎带状离子束的等位边界的弯曲边缘。
根据此特定例示性实施例的额外态样,方法可更包含旋转至少一个聚焦元件以改变缎带状离子束的等位边界的形状。
根据此特定例示性实施例的另一态样,方法可更包含提供在静电透镜中的复数个电极,以及调整在至少一个聚焦元件与多个电极中的至少一者之间的距离。
根据此特定例示性实施例的又一态样,方法可更包含调整在至少一个聚焦元件与孔径之间的距离。
根据此特定例示性实施例的另一态样,方法可更包含调整在多个聚焦元件之间的间隔。
根据此特定例示性实施例的另一态样,多个聚焦元件可包含形成椭圆 形孔径的一对聚焦元件。
在另一特定例示性实施例中,可将技术实现为用于缎带状离子束的成形方法。方法可包含以下步骤:沿静电透镜中的实质上为矩形的孔径的短边缘定位多个聚焦元件;沿静电透镜中的实质上为矩形的孔径的长边缘定位一电极;偏压所述电极;方法亦可包含各别地偏压且定向每一聚焦元件以界定成形等位边界;以及使缎带状离子束穿过所述孔径。
现在将参考如随附图式中所示的本申请的例示性实施例来更详细描述本申请案。虽然以下参考例示性实施例来描述本申请案,但应理解本申请案不限于此。可以理解本文中的教示的熟习此项技艺者将认识到额外的实施、修改以及实施例以及其他使用领域,其属于如本文中所述的本申请案的范畴内且相对于其本申请案可具有显著实用性。
附图说明
图1展示现有习知的离子植入机。
图2以及图3展示现有习知静电三极体透镜且说明其中的问题。
图4展示根据本申请案的实施例的静电三极体透镜的透视图。
图5展示根据本申请案的实施例的静电透镜的俯视图。
图6展示根据本申请案的实施例的另一静电透镜的俯视图。
图7展示根据本申请案的实施例的又一静电透镜的透视图。
图8展示根据本申请案的实施例的又一静电透镜的透视图。
图9展示先前技术的静电三极体透镜中的等位面。
图10展示先前技术的静电透镜中的等位曲线。
图11展示根据本申请案的实施例的具有多个聚焦元件的例示性静电三极体透镜。
图12展示根据本申请案的实施例的具有多个聚焦元件的另一例示性静电透镜。
图13展示根据本申请案的实施例的具有一对椭圆聚焦元件的例示性静电透镜。
图14展示根据本申请案的实施例的具有成段的抑制电极以及一对椭圆聚焦元件的例示性静电透镜。
图15展示根据本申请案的实施例的具有多个聚焦元件的另一例示性静电透镜。
20:离子束
40:离子束
60:离子束
90:离子束
92:等位表面
94:等位表面
100:离子植入机
102:离子源
104:提取电极
106:90°磁铁分析器
108:第一减速(D1)台
110:70°磁铁分析器
112:第二减速(D2)台
200:静电三极体减速透镜
202:入口电极
204:抑制电极
206:出口电极
400:静电透镜
402:入口电极
403:间隙
404:抑制电极
404a:中心电极
404b:侧电极
404c:侧电极
405:间隙
406:出口电极
600:静电透镜
602:入口电极
604:抑制电极
604a:中心电极
604b:侧电极
604c:侧电极
604d:侧电极
604e:侧电极
606:出口电极
700:静电透镜
702:入口电极
704:抑制电极
704a:中心电极
704b:端电极
706:出口电极
800:静电透镜
802:入口电极
804:抑制电极
804a:中心电极
804b:侧电极
804c:侧电极
804d:端电极
806:出口电极
900:静电三极体透镜
902:入口电极
904:抑制电极
906:出口电极
1000:等位线
1002:电极
1004:电极
1100:静电三极体透镜
1102:入口电极
1104:抑制电极
1106:出口电极
1108:聚焦元件
1110:聚焦元件
1112:聚焦元件
1114:聚焦元件
1140:离子束
1160:孔径
1200:静电透镜
1202:主电极
1204:聚焦元件
1204a:成段的聚焦元件
1204b:成段的聚焦元件
1206:聚焦元件
1208:聚焦元件
1240:离子束
1300:静电透镜
1302:主电极
1304:聚焦元件
1306:垂直轴
1340:离子束
1400:静电透镜
1402:抑制电极
1404:一对椭圆聚焦元件
1500:静电透镜
1502:主电极
1504:聚焦元件
具体实施方式
本申请案的实施例说明具有一或多个成段的抑制电极的改良型静电透镜。此等电极可包含相对于彼此独立或各别地偏压的多段,藉此提供离子束形状以及其能量的灵活且有效的操纵。
参看图4,其展示根据本申请案的实施例的静电透镜400的透视图。有些类似于现有习知静电三极体透镜,静电透镜400可包含入口电极402以及出口电极406。然而,并非单一抑制电极,静电透镜400可包含在入口电极402与出口电极406之间的多个电极(共同称为“抑制电极404”)。换言之,可将通常的单一抑制电极分段为可独立定位且偏压以在静电透镜400中产生所要电场的多个电极(或段)。在例示性静电透镜400中,抑制电极404被分段为或包含三个电极:中心电极404a以及两个侧电极(sideelectrode)404b以及404c。可相对于中心电极404a对称地定位侧电极404b以及404c。视入射离子束的形状以及所要形状变化而定,在入口电极402与抑制电极404之间的间隙403可具有经界定曲率的轮廓。同样地,在抑制电极404与出口电极406之间的间隙405亦可具有经界定曲率的轮廓。
图5展示根据本申请案的实施例的静电透镜400的俯视图。离子束40可经由入口电极402进入静电透镜400。离子束40可为沿x方向较其沿y方向的高度更宽的缎带状离子束。离子束40可具有(例如)大约10-20keV的初始能量。假定离子束40主要由正离子组成,则可以与入射离子束40相同或类似的电位来偏压入口电极402,且可以较入口电极402的更低电位来偏压成段的抑制电极404的中心电极404a。举例而言,根据一实施例,可以22kV来偏压入口电极402且可以-11kV来偏压中心电极404a。结果,可产生较强电场以当正离子自入口电极402朝向抑制电极404行进时加速正离子。可以与接收离子束40的目标晶圆的电位相同或类似的电位来偏压出口电极406。举例而言,在此实施例中,可以接地电位来偏压出口电极406,以此方式将离子40减速至大约3-5keV或更低的能量。在另一实施例中,可以-12kV来偏压入口电极402,可以-2kV来偏压成段的抑制电极404的中心电极404a,且可以接地电位来偏压出口电极406。结果,具有大约15keV的初始能量的离子束40一旦离开减速透镜400立即可减速至大约3keV。另外,可独立于中心电极404a来定位及/或偏压侧电极404b以及404c以将所要校正提供至离子束40的形状。视离子植入机(例如,如图1中所示的D1或D2减速透镜)中的特定使用而定,静电透镜400可经组态以(例如)调整离子束40的发散角或改变离子束40的宽度,或执行两者。可相应地定位且偏压侧电极404b以及404c。在此实施例中,静电透 镜400的主要目的为减小离子束40的发散角。因此,在与中心电极404a相同的平面内安置侧电极404b以及404c且相对于中心电极404a对称地定位侧电极404b以及404c。以-8.5kV来偏压侧电极404b与404c,以此方式产生沿离子束40边缘的聚焦力以补偿空间电荷的散焦效应。结果,离子束40可在抑制电极404与出口电极406之间减速之后具有较小发散或根本不发散。另外,电极的曲率可进一步修整(例如,间隙403以及405中)电场以视需要产生聚焦或散焦力。
应注意,为说明起见,将静电透镜400的每一电极中的上片以及下片视为共用相同形状以及偏压。然而,此仅当离子束沿y方向对称或不发散时为必要的。预期可将本文所述的静电透镜技术应用于y方向以及x方向。另外,可如本文所述分段静电四极体透镜中的任一或两个抑制电极。
图6展示根据本申请案的实施例的静电透镜600的俯视图。静电透镜600可包含入口电极602、抑制电极604以及出口电极606。此处,抑制电极604可包含五段:中心电极604a以及四个侧电极604b、604c、604d以及604e。侧电极可处于与中心电极604a相同的平面内。可相对于中心电极604a对称地定位侧电极604b以及604c。同样地,可相对于中心电极604a对称地定位侧电极604d以及604e。可相对于入口电极602来偏压中心电极604a以加速入射离子束60,且可相对于出口电极606来偏压中心电极604a以减速离子束60。根据一实施例,侧电极604b以及604c可共用独立于中心电极604a上的电压电位的第一电压电位。同样地,侧电极604d以及604e可共用独立于第一电压电位或中心电极604a上的电压电位的第二电压电位。
在如图4以及图5中所示的3段式组态与如图6中所示的5段式组态中,可基于数学模型以计算方式判定或基于偏压的迭代式调整以及角回应函数的量测以实验方式判定施加至独立偏压电极的实际电压电位。或者,可在判定偏压过程中结合计算以及实验方法。根据一实施例,可能需要缩减抑制电极中的段数以节省计算时间或调谐时间。
图7展示根据本申请案的实施例的静电透镜700的透视图。静电透镜700可包含入口电极702、抑制电极704以及出口电极706。抑制电极704可包含中心电极704a以及端电极704b。可以第一电压电位来偏压中心电极704a,而可以第二电压电位来偏压端电极704b。根据一实施例,此组态可用于D2减速透镜(诸如图1中所示的减速透镜)中。在D2减速透镜处,离子束可较其在D1减速透镜处时更宽且更高。可能需要调整离子束的宽度与发散角度。适当偏压的端电极704b可提供减小离子束的宽度以及发散角度所需的聚焦力。另外,端电极704b可遮蔽不需要的电磁干扰。
图8展示根据本申请案的实施例的静电透镜800的透视图。静电透镜 800可包含入口电极802、抑制电极804以及出口电极806。抑制电极804可包含中心电极804a、侧电极804b以及804c以及端电极804d。与静电透镜700相比,静电透镜800具有额外的侧电极804b以及804c,且因此可提供更多能力以形成电场。另一方面,额外的侧电极804b以及804c亦可意谓处理的额外变数。
根据本申请案的进一步实施例,沿离子束的一或多个边缘提供聚焦元件可为有利的。可各别或独立地定位、定向及/或偏压此等聚焦元件以帮助进一步成形离子束。每一聚焦元件可界定离子束的成形等位边界以校正由与传统静电透镜相关联的电场偏差所引起的发散或其他离子束输送问题。根据本申请案的实施例的聚焦元件的实施对于成形缎带状离子束可为尤其有利的。
如上所述,缎带状离子束的输送呈现显著的技术挑战。通常要求缎带状离子束在晶圆平面内产生具有小于1%变化的照射量均一性连同具有小于0.5度变化的角均一性。对于低能量(例如,小于1keV)离子束而言,归因于空间电荷效应难以达成此等严格要求。尽管可采用减速程序以改良低能量离子束的输送,但传统静电减速透镜经受通常沿透镜中的主要电极边缘的电场偏差。
图9以及图10说明影响缎带状离子束的输送的典型电场偏差问题。图9展示先前技术的静电三极体透镜900中的等位表面。先前技术的静电三极体透镜900包含入口电极902、抑制电极904以及出口电极906。缎带状离子束90可穿过电极所界定的孔径。在现有习知设置中,(例如,在抑制电极904与出口电极906之间)接近离子束90的中心的等位表面92倾向于凸起但本质上为平行的。然而,沿离子束90的边缘的等位表面94可能更进一步凸起且可产生沿X方向的显著电力。
图10展示具有两个电极1002以及1004的先前技术的静电透镜中的等位曲线。展示电极1002以及1004的等位线1000。接近电极1002以及1004的中心(沿Z轴)处,等位线1000互相平行,从而并不产生沿X方向的电场分量。然而,当靠近电极1002以及1004的边缘时,电场的X分量(Ex)相对于Z分量(Ez)变得越来越显著。电场的X分量倾向于加重缎带状离子束上的空间电荷效应且可引起离子束中的平行性问题以及均一性问题。
为了克服静电透镜中的上述电场偏差,可能需要引入沿离子束边缘的一或多个聚焦元件,其中每一聚焦元件可个别地经组态以界定离子束的适当成形的等位边界。
图11展示根据本申请案的实施例的具有多个聚焦元件的例示性静电三极体透镜1100。静电三极体透镜1100可包含入口电极1102、抑制电极1104以及出口电极1106。此等电极可界定实质上为矩形的孔径1160,缎带状离 子束1140可穿过孔径1160。沿孔径1160的短边缘,可定位通常沿离子束传播方向延伸的一或多个聚焦元件(例如,1108、1110以及1112)。尽管此处为说明起见展示三对聚焦元件1108、1110以及1112,但可视特定光束成形需要而定显著地改变聚焦元件的数目、大小、形状、定位及/或定向。另外,可各别地偏压每一聚焦元件,使得与其实体特征(例如,大小、形状、位置及/或定向)相耦合的电位可产生面向离子束1140的成形等位边界。一或多个此等成形等位边界可视需要共同成形离子束1140。
根据本申请案的实施例,施加至每一元件的偏压以及一或多个实体特征可经调整以达成所要的等位边界。举例而言,聚焦元件可由可挠性金属薄片制成使得表面或边缘曲率可调整至某种程度。可调整在两个聚焦元件之间的相对距离。可更接近于或更远离离子束1140(亦即,沿X方向)、沿光束传播方向(亦即,沿Z方向)或垂直于光束平面(亦即,沿Y方向)来移动聚焦元件。亦可相对于离子束1140关于不同定向来旋转或倾斜聚焦元件。调整与聚焦元件相关联的一些或所有实体特征可能需要机械致动。然而,以上描述不排除使用具有固定实体特征的聚焦元件。
如熟习此项技艺者将了解,使用多个聚焦元件以提供个别成形的等位边界的概念可导致聚焦元件的选择以及组态的无限变化。图12至图15呈现用于实施聚焦元件以成形缎带状光束的仅少数例示性选择。在此等图式中,为说明便利起见,仅展示一组主电极(亦即,1202、1302、1402以及1502)。亦应注意,单组主电极未必为三极体透镜中的抑制电极。替代地,可以静电透镜中的任何电极组件来实施聚焦元件。举例而言,一对聚焦元件可组态为一组接地电极的一部分以当离子束靠近接地电极时帮助成形离子束。
图12展示根据本申请案的实施例的具有多个聚焦元件的例示性静电透镜1200。静电透镜1200可包含一组主电极1202,缎带状离子束1240可穿过主电极1202。沿离子束1240的边缘,可提供少数对聚焦元件1204、1206以及1208。可将聚焦元件1204进一步分段为1204a以及1204b,其中可各别地定向且偏压每一段以产生较非成段对的聚焦元件更为改进的等位边界。
图13展示根据本申请案的实施例具有一对椭圆聚焦元件1304的例示性静电透镜1300。可在一组主电极1302之间且沿缎带状离子束1340的任一侧来定位聚焦元件1304。每一聚焦元件1304可具有面向离子束1340的椭圆表面(或具有类似或其他界定轮廓的表面)。椭圆表面可容纳在主电极1302之间向外凸起的等位面而不将不需要的扰动引入至电场。聚焦元件1304的位置或定向不限于图13中所知的。举例而言,可沿离子束1340的路径(亦即,沿+Z方向)进一步向下定位或移动聚焦元件1304。根据一实 施例,可铰接聚焦元件1340中的任一者或两者使得其可环绕垂直轴1306旋转,藉此改变面向离子束1340的等位边界的有效曲率。
图14展示根据本申请案的实施例的具有成段的抑制电极1402以及一对椭圆聚焦元件1404的例示性静电透镜1400。亦即,可连同用于成段的抑制电极的上述技术来实施聚焦元件1404。聚焦元件1404可提供主要用于离子束的端截面(未图示)的成形等位边界。抑制电极1402中的个别偏压段不仅可提供用于离子束的主要减速电位,亦可平缓电场自中心部分至离子束边缘的转移。
图15展示根据本申请案的实施例的具有多个聚焦元件1504的另一例示性静电透镜1500。每一聚焦元件1504可为沿缎带状离子束的短边缘(未图示)定位的弯曲杆。如所示,可沿Z方向配置弯曲聚焦元件1504的阵列。个别偏压的聚焦元件1504可引起减速缎带状光束表现为好像减速电场沿正X方向与负X方向长度为无限的。
在此点上,应注意根据如上所述的本申请案的缎带状离子束的成形技术在某种程度上通常包含输入资料的处理以及输出资料的产生。可以硬体或软体实施此输入资料的处理以及输出资料的产生。举例而言,可在用于实施与根据如上所述的本申请案的缎带状光束末端终止相关联功能的离子植入机或类似或相关电路中采用特定电子组件。或者,根据所储存的指令操作的一或多个处理器可实施与根据如上所述的本申请案的缎带状光束末端终止相关联的功能。若确实如此,则此等指令可储存于一或多个处理器可读取载体(例如,磁碟)上或可经由一或多个信号传输至一或多个处理器属于本申请案的范畴。
本申请案在范畴上不由本文中所述的特定实施例来限制。实际上,自以上描述以及随附图式,除本文中所述的实施例以外本申请案的其他各种实施例以及修改对于熟习此项技艺者将为显而易见的。因此,期望此等其他实施例以及修改也属于本申请案的范畴。此外,尽管本文已在特定目的的特定环境中在特定实施例的情形下描述本申请案,但熟习此项技艺者将认识到其实用性不限于此且可在许多目的的许多环境中有利地实施本申请案。因此,应鉴于如本文中所述的本申请案的完整宽度以及精神来解释上文陈述的权利要求书。
Claims (19)
1.一种用于缎带状离子束的成形装置,包含:
具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜,其中所述静电透镜的一电极沿所述孔径的长边缘而定位,其中所述静电透镜的多个聚焦元件沿所述孔径的短边缘而定位,其中所述电极经偏压,且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形所述缎带状离子束。
2.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,至少一个聚焦元件具有界定所述缎带状离子束的相应成形等位边界的弯曲表面。
3.如权利要求2所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,所述至少一个聚焦元件具有椭圆表面。
4.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,至少一个聚焦元件具有界定所述缎带状离子束的等位边界的弯曲边缘。
5.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,至少一个聚焦元件可经旋转以改变所述缎带状离子束的等位边界的形状。
6.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,所述静电透镜更包含多个电极,且其中在至少一个聚焦元件与所述多个电极中的至少一者之间的距离为可调整的。
7.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,在至少一聚焦元件与所述孔径之间的距离为可调整的。
8.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,在所述多个聚焦元件之间的间隔为可调整的。
9.如权利要求1所述的用于缎带状离子束的成形装置,其特征在于,所述多个聚焦元件包含形成椭圆形孔径的一对聚焦元件。
10.一种用于缎带状离子束的成形方法,包含以下步骤:
提供具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜;
沿所述缎带状离子束的长边缘定位所述静电透镜的一电极;
沿所述缎带状离子束的短边缘定位所述静电透镜的多个聚焦元件;
偏压所述电极;以及
各别地偏压且定向每一聚焦元件以成形所述缎带状离子束。
11.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,其特征在于,至少一个聚焦元件具有界定所述缎带状离子束的相应成形等位边界的弯曲表面。
12.如权利要求11所述的用于缎带状离子束的成形方法,其特征在于,所述至少一个聚焦元件具有椭圆表面。
13.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,其特征在于,至少一个聚焦元件具有界定所述缎带状离子束的等位边界的弯曲边缘。
14.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,更包含:
旋转至少一个聚焦元件以改变所述缎带状离子束的等位边界的形状。
15.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,更包含:
提供在所述静电透镜中的多个电极;以及
调整在至少一个聚焦元件与所述多个电极中的至少一者之间的距离。
16.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,更包含:
调整在至少一个聚焦元件与所述孔径之间的距离。
17.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,更包含:
调整在所述多个聚焦元件之间的间隔。
18.如权利要求10所述的用于缎带状离子束的成形方法,其特征在于,所述多个聚焦元件包含形成椭圆形孔径的一对聚焦元件。
19.一种用于缎带状离子束的成形方法,包含以下步骤:
沿静电透镜中的实质上为矩形的孔径的短边缘定位多个聚焦元件;
沿静电透镜中的实质上为矩形的孔径的长边缘定位一电极;
偏压所述电极;
各别地偏压且定向每一聚焦元件以界定成形等位边界;以及
使缎带状离子束穿过所述孔径。
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