JP2008503067A - 改良したイオン注入均一化のためのイオンビーム走査システム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体に不純物をドーピングするとき、イオン注入システムは、選択されたイオン種を注入して所望の半導体材料を製造する。アンチモンや砒素や燐等のイオン源材料から生成される注入イオンは、結果的に、n型の半導体材料のウエハを生じることになり、一方、ボロンやガリウムやインジウム等のイオン源材料を注入すると、半導体ウエハ内にp型の半導体材料部分が形成される。
集束調整装置は、スキャナーの時間的に変化する集束特性を少なくとも1つ補正するために、イオンビームの集束特性を動的に調整する。1つの実施形態では、集束調整装置は、スキャナーの上流にあるビーム径路を取り囲んでいる単一の電極(例えば、アインゼルレンズ)を含み、この電極は、時間的に変化するスキャナーの集束特性を中和あるいは補正する時間的に変化する電界を作り出す。
ソレノイド172に時間的に変化する電流を供給し、電源171は、ソレノイド172に供給される電流を、スキャナー136の2倍のスキャン周波数で逆転させるほぼ三角形の電圧波形を供給する。
電磁石182a〜182dを通る電流の極性が位置しているとき、四極子182は、イオンビーム124を、Y方向に発散させかつX方向に収束させることができる。電源181からの電流が、磁石182b及び182dでのN極に供給されるとともに、磁石182a及び182cでのS極に供給されると、イオンビーム124は、Y方向に収束しかつX方向に発散する。図示した例では、電源181は、図2C(図2CにおけるV2の交番波形)に示すように、電磁石182a〜182dのコイルに時間的に変化する電圧を供給して、スキャン周波数の2倍の時間的に変化するコイル電流を形成する。これにより、時間的に変化する磁界は、スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビーム124の位置に関係した所定時間で所定の大きさを有する。
Claims (40)
- 引き出されたイオンビームを発生させるように作動可能なイオン源と、
前記引き出されたイオンビームを前記イオン源から受け入れて、所望の質量範囲のイオンからなる質量分析されたイオンビームを供給するための質量分析器と、
前記ビーム径路に沿って質量分析されたイオンビームを前記質量分析器から受け入れて、前記ビーム径路に沿う集束調整されたイオンビームを供給する集束調整装置と、
前記集束調整されたイオンビームを前記集束調整装置から受け入れて、スキャンされたイオンビームを加工物に向けるスキャナーとを備え、
前記集束調整装置は、集束調整されたイオンビームの集束特性を動的に調整して、前記スキャナーの少なくとも1つの時間的に変化する集束特性を補正することを特徴とするイオン注入システム。 - 前記集束調整装置は、前記集束調整されたイオンビームの集束特性を動的に調整する質量分析されたイオンビームの近くに少なくとも1つの時間的に変化する電界を発生させることを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記集束調整装置は、
アインゼルレンズと、
このアインゼルレンズに接続され、かつ該アインゼルレンズに時間的に変化する電位を与える電源と、を含んでいることを特徴とする請求項2記載のイオン注入システム。 - 前記集束調整装置は、
前記ビーム径路の対向する側面に互いに離間した少なくとも2つの集束調整電極と、
これらの集束調整電極に接続され、前記集束調整電極に時間的に変化する電位を与える電源と、を含んでいることを特徴とする請求項2記載のイオン注入システム。 - 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、かつ前記集束調整電極は、前記ビーム径路に平行な方向に沿って伸びて前記スキャン方向の軸線に対して平行な方向に互いに離間していることを特徴とする請求項4記載のイオン注入システム。
- 前記集束調整装置は、
ビーム径路の回りに互いに離間した4つの集束調整電極を有する電気四極子と、
少なくとも2つの集束調整電極に時間的に変化する電位を供給する集束調整電極に接続された電源と、を含んでいることを特徴とする請求項2記載のイオン注入システム。 - 前記スキャナーは、スキャン周波数で集束調整されたイオンビームをスキャンし、前記集束調整装置は、前記スキャン周波数の2倍で少なくとも1つの時間的に変化する電界を発生させることを特徴とする請求項2記載のイオン注入システム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、所定の時間で時間的に変化する電界の大きさが、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項2記載のイオン注入システム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、前記集束調整装置は、スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係する量によって、前記集束調整されたイオンビームの集束特性を調整することを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記集束調整装置は、前記集束調整されたイオンビームの集束特性を動的に調整する質量分析されたイオンビームに近くに、少なくとも1つの時間的に変化する磁界を発生させることを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- 前記集束調整装置は、ソレノイドを含んでいることを特徴とする請求項10記載のイオン注入システム。
- 前記集束調整装置は、
前記ビーム経路の回りに互いに離間した4つの電磁石を有する四極子磁石と、
前記電磁石に接続され、時間的に変化する電流を前記電磁石に供給する電源と、を含んでいることを特徴とする請求項10記載のイオン注入システム。 - 前記スキャナーは、スキャン周波数で集束調整されたイオンビームをスキャンし、前記集束調整装置は、前記スキャン周波数の2倍で少なくとも1つの時間的に変化する磁界を発生させることを特徴とする請求項10記載のイオン注入システム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、所定の時間で時間的に変化する磁界の大きさが、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項11記載のイオン注入システム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路の対向側面に互いに離間し、かつ前記ビーム径路の一部分に沿って時間的に変化するスキャン電界を与えて、イオンビームをスキャン方向の軸線に沿ってスキャンさせる少なくとも2つのスキャン電極を含み、前記集束調整装置は、前記2つのスキャン電極に時間的に変化する共通モードの電位を供給する電源を含んでいることを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- イオンビームの1つ以上の特性を測定し、かつ前記集束調整装置に1つ以上のフィードバック信号を供給するビーム特性測定装置をさらに含み、前記集束調整装置は、前記ビーム特性測定装置から1つ以上のフィードバック信号に従って集束調整されたイオンビームの集束調整を動的に調整することを特徴とする請求項1記載のイオン注入システム。
- イオン注入システムにおいて、スキャンされたイオンビームを加工物に供給するためのスキャンニングシステムであって、前記スキャンニングシステムは、
ビーム径路に沿うイオンビームを受け入れて、スキャンされたイオンビームを加工物に向けるスキャナーと、
前記スキャンされたイオンビームの集束特性を動的に調整して前記スキャナーの少なくとも1つの時間的に変化する集束特性を補正する集束調整装置と、を含んでいることを特徴とするスキャンニングシステム。 - 前記スキャナーは、前記ビーム径路の対向側面に互いに離間し、かつ前記ビーム径路の一部分に沿って時間的に変化するスキャン電界を与えて、イオンビームをスキャン方向の軸線に沿ってスキャンさせる少なくとも2つのスキャン電極を含み、前記集束調整装置は、前記2つのスキャン電極に時間的に変化する共通モードの電位を供給する電源を含んでいることを特徴とする請求項17記載のスキャンニングシステム。
- 前記スキャナーは、スキャン周波数で集束調整されたイオンビームをスキャンし、前記電源は、前記スキャン周波数の2倍で時間的に変化する共通モードの電位を供給することを特徴とする請求項18記載のスキャンニングシステム。
- 所定の時間で時間的に変化する共通モードの電位の大きさが、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項19記載のスキャンニングシステム。
- 所定の時間で時間的に変化する共通モードの電位の大きさが、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項18記載のスキャンニングシステム。
- 前記集束調整装置は、イオンビームの集束特性を動的に調整する少なくとも1つの時間的に変化する電界を発生させることを特徴とする請求項17記載のスキャンニングシステム。
- 前記集束調整装置は、
前記ビーム径路に沿って前記スキャナーの上流に配置されたアインゼルレンズと、
このアインゼルレンズに接続され、かつ該アインゼルレンズに時間的に変化する電位を与える電源と、を含んでいることを特徴とする請求項22記載のスキャンニングシステム。 - 前記集束調整装置は、
前記スキャナーの上流で前記ビーム径路の対向する側面に互いに離間した少なくとも2つの集束調整電極と、
これらの集束調整電極に接続され、前記集束調整電極に時間的に変化する電位を与える電源と、を含んでいることを特徴とする請求項22記載のスキャンニングシステム。 - 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、かつ前記集束調整電極は、前記ビーム径路に平行な方向に沿って伸びて前記スキャン方向の軸線に対して平行な方向に互いに離間していることを特徴とする請求項24記載のスキャンニングシステム。
- 前記集束調整装置は、
前記スキャナーの上流でビーム径路の回りに互いに離間した4つの集束調整電極を有する電気四極子と、
前記集束調整電極に接続され、少なくとも2つの前記集束調整電極に時間的に変化する電位を供給する電源と、を含んでいることを特徴とする請求項22記載のスキャンニングシステム。 - 前記スキャナーは、スキャン周波数でイオンビームをスキャンし、前記集束調整装置は、前記スキャン周波数の2倍で少なくとも1つの時間的に変化する電界を発生させることを特徴とする請求項22記載のスキャンニングシステム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、所定の時間で少なくとも1つの時間的に変化する電界の大きさが、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項22記載のスキャンニングシステム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、前記集束調整装置は、スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係する量によって、前記スキャンされたイオンビームの集束特性を調整することを特徴とする請求項17記載のスキャンニングシステム。
- 前記集束調整装置は、イオンビームの集束特性を動的に調整する少なくとも1つの時間的に変化する磁界を発生させることを特徴とする請求項17記載のスキャンニングシステム。
- 前記集束調整装置は、ソレノイドを含んでいることを特徴とする請求項30記載のスキャンニングシステム。
- 前記集束調整装置は、前記ビーム経路の回りに互いに離間した4つの電磁石を有する四極子磁石と、
前記電磁石に接続され、時間的に変化する電流を前記電磁石に供給する電源と、を含んでいることを特徴とする請求項30記載のスキャンニングシステム。 - 前記スキャナーは、スキャン周波数でイオンビームをスキャンし、前記集束調整装置は、前記スキャン周波数の2倍で少なくとも1つの時間的に変化する磁界を発生させることを特徴とする請求項30記載のスキャンニングシステム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路にほぼ垂直なスキャン方向の軸線に沿って集束調整されたイオンビームをスキャンし、所定の時間で時間的に変化する磁界の大きさが、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項30記載のスキャンニングシステム。
- 前記スキャナーは、前記ビーム径路の一部分に沿って時間的に変化するスキャン電界を与えて、イオンビームをスキャン方向の軸線に沿ってスキャンさせることを特徴とする請求項17記載のスキャンニングシステム。
- イオン注入システムにおいて、スキャンされたイオンビームを加工物に供給するためのスキャンニングシステムであって、前記スキャンニングシステムは、
ビーム径路に沿うイオンビームを受け入れて、スキャンされたイオンビームを加工物に向けるスキャナーと、
前記スキャンされたイオンビームの集束特性を動的に調整して前記スキャナーの少なくとも1つの時間的に変化する集束特性を補正するための手段と、を含んでいることを特徴とするスキャンニングシステム。 - スキャンされたイオンビームを加工物に供給する方法であって、
ビーム径路に沿ってイオンビームを供給し、
イオンビームのスキャン位置に従ってイオンビームの集束特性を動的に調整し、
イオンビームをスキャンして、スキャンされたイオンビームを作り出し、このスキャンされたイオンビームを加工物に向ける、各工程を含んでいることを特徴とする方法。 - イオンビームの集束特性を動的に調整する工程は、イオンビームの近くに少なくとも1つの時間的に変化する電界を発生させることを含んでいる請求項37記載の方法。
- イオンビームをスキャンする工程は、スキャン周波数で行われ、イオンビームの集束特性を動的に調整する工程は、スキャン周波数の2倍で少なくとも1つの時間的に変化する電界を発生させることを含んでいる請求項38記載の方法。
- イオンビームは、スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされ、時間的に変化する電界の大きさは、前記スキャン方向の軸線に沿ってスキャンされたイオンビームの位置に関係していることを特徴とする請求項38記載の方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011517837A (ja) * | 2008-03-28 | 2011-06-16 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入機システムにおける改良した均一チューニングのための技術 |
JP2012513089A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-06-07 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 走査型フィールド効果が軽減されたイオン注入 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100538813B1 (ko) * | 2004-07-31 | 2005-12-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 트랜지스터 파라미터의 균일도 확보를 위한 이온주입 장치및 그를 이용한 이온주입 방법 |
US7019314B1 (en) * | 2004-10-18 | 2006-03-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Systems and methods for ion beam focusing |
US7355188B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-04-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for uniformity tuning in an ion implanter system |
US7176470B1 (en) | 2005-12-22 | 2007-02-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for high-efficiency ion implantation |
US7397049B2 (en) * | 2006-03-22 | 2008-07-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Determining ion beam parallelism using refraction method |
US7358510B2 (en) * | 2006-03-27 | 2008-04-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter with variable scan frequency |
US7550751B2 (en) * | 2006-04-10 | 2009-06-23 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning control methods and systems for ion implantation uniformity |
US7498590B2 (en) * | 2006-06-23 | 2009-03-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Scan pattern for an ion implanter |
WO2008003526A2 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | Ion Beam Applications S.A. | Method and software for irradiating a target volume with a particle beam and device implementing same |
US7615763B2 (en) * | 2006-09-19 | 2009-11-10 | Axcelis Technologies, Inc. | System for magnetic scanning and correction of an ion beam |
US7507978B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-03-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam line architecture for ion implanter |
US7842934B2 (en) * | 2007-08-27 | 2010-11-30 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Terminal structures of an ion implanter having insulated conductors with dielectric fins |
US20090057573A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for terminal insulation in an ion implanter |
WO2009039884A1 (en) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Ion Beam Applications S.A. | Particle beam transport apparatus and method of transporting a particle beam with small beam spot size |
US7858955B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-12-28 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of controlling broad beam uniformity |
US20110111581A1 (en) * | 2008-06-30 | 2011-05-12 | Shincron Co., Ltd. | Deposition apparatus and manufacturing method of thin film device |
US8330125B2 (en) * | 2010-09-21 | 2012-12-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion beam tuning |
US8421039B2 (en) * | 2011-03-31 | 2013-04-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for improved uniformity control with dynamic beam shaping |
US8637838B2 (en) * | 2011-12-13 | 2014-01-28 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for ion implantation with improved productivity and uniformity |
US9070534B2 (en) * | 2012-05-04 | 2015-06-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ion beam dimension control for ion implantation process and apparatus, and advanced process control |
JP5904895B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-04-20 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
CN103310865B (zh) * | 2013-05-28 | 2016-01-20 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种光阳极质子源 |
JP6253362B2 (ja) | 2013-11-21 | 2017-12-27 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | 高エネルギーイオン注入装置、ビーム電流調整装置、及びビーム電流調整方法 |
JP6161571B2 (ja) * | 2014-05-26 | 2017-07-12 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
JP6324223B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2018-05-16 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62241248A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Hitachi Ltd | 集束イオン線装置 |
JPS62285354A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
JPH01124948A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム注入装置 |
JPH0329319A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 焦点調整方法 |
JPH0337947A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JPH08298247A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JPH09330680A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Canon Inc | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
JPH10513301A (ja) * | 1992-02-28 | 1998-12-15 | 日新電機株式会社 | 原子及び分子イオンで表面を照射するために有用な振動磁場をワーキング・ギャップにおいて生成するためのシステム及び方法 |
JP2003288857A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4283631A (en) | 1980-02-22 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Bean scanning and method of use for ion implantation |
JPS56126918A (en) | 1980-03-11 | 1981-10-05 | Hitachi Ltd | Injecting device for ion |
US4593200A (en) | 1984-03-06 | 1986-06-03 | Mcguire Iii Edward L | Scan controller for ion implanter device |
JPS61240553A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Jeol Ltd | イオンビ−ム描画装置 |
US4661712A (en) | 1985-05-28 | 1987-04-28 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence |
US4736107A (en) | 1986-09-24 | 1988-04-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter scan control system |
US4804852A (en) | 1987-01-29 | 1989-02-14 | Eaton Corporation | Treating work pieces with electro-magnetically scanned ion beams |
US4851693A (en) | 1988-06-03 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Compensated scan wave form generator for ion implantation equipment |
US5160846A (en) | 1990-10-03 | 1992-11-03 | Eaton Corporation | Method and apparatus for reducing tilt angle variations in an ion implanter |
US5091655A (en) | 1991-02-25 | 1992-02-25 | Eaton Corporation | Reduced path ion beam implanter |
US5177366A (en) | 1992-03-06 | 1993-01-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter for providing cross plane focusing |
DE69330699T2 (de) | 1992-07-16 | 2002-07-04 | Axcelis Tech Inc | Ionenstrahl-Abrasterungsvorrichtung |
US5432352A (en) | 1993-09-20 | 1995-07-11 | Eaton Corporation | Ion beam scan control |
US5406088A (en) | 1993-12-22 | 1995-04-11 | Eaton Corporation | Scan and tilt apparatus for an ion implanter |
US5838112A (en) | 1994-11-15 | 1998-11-17 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Parallel scan type ion implanter |
US5760405A (en) * | 1996-02-16 | 1998-06-02 | Eaton Corporation | Plasma chamber for controlling ion dosage in ion implantation |
US5825038A (en) * | 1996-11-26 | 1998-10-20 | Eaton Corporation | Large area uniform ion beam formation |
US5780863A (en) | 1997-04-29 | 1998-07-14 | Eaton Corporation | Accelerator-decelerator electrostatic lens for variably focusing and mass resolving an ion beam in an ion implanter |
JP3717301B2 (ja) | 1998-03-27 | 2005-11-16 | 富士通株式会社 | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
US6130436A (en) * | 1998-06-02 | 2000-10-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Acceleration and analysis architecture for ion implanter |
US6075249A (en) | 1998-06-19 | 2000-06-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam |
GB9813327D0 (en) * | 1998-06-19 | 1998-08-19 | Superion Ltd | Apparatus and method relating to charged particles |
US6207963B1 (en) | 1998-12-23 | 2001-03-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam implantation using conical magnetic scanning |
US6521895B1 (en) | 1999-10-22 | 2003-02-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wide dynamic range ion beam scanners |
JP3341749B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2002-11-05 | 日新電機株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
WO2001051183A1 (en) | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Proteros, Llc. | Enhanced faraday cup for diagnostic measurements in an ion implanter |
JP2001283762A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Mamoru Nakasuji | 荷電粒子線調整方法、パターン転写方法及びこれらの方法を用いたデバイス製造方法 |
KR20020084290A (ko) * | 2000-04-04 | 2002-11-04 | 주식회사 아도반테스토 | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 복수의 전자빔을집속하는 다축전자렌즈, 반도체소자 제조방법 |
WO2001088949A2 (en) | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High efficiency scanning in ion implanters |
AU2002237741A1 (en) | 2000-10-20 | 2002-05-27 | Proteros, Llc | Magnetic scanning system with a nonzero field |
JP4252237B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2009-04-08 | 株式会社アルバック | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
WO2002058103A2 (en) | 2001-01-17 | 2002-07-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | In situ ion beam incidence angle and beam divergence monitor |
US20020175297A1 (en) | 2001-05-25 | 2002-11-28 | Scheuer Jay T. | Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines |
US7282721B2 (en) * | 2001-08-30 | 2007-10-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for tuning ion implanters |
US6633040B1 (en) | 2002-04-25 | 2003-10-14 | International Business Machines Corporation | Solenoid electron beam lenses with high demagnification and low aberrations |
US6770888B1 (en) * | 2003-05-15 | 2004-08-03 | Axcelis Technologies, Inc. | High mass resolution magnet for ribbon beam ion implanters |
-
2004
- 2004-06-10 US US10/865,061 patent/US6903350B1/en active Active
-
2005
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- 2005-06-06 EP EP05758662A patent/EP1766654A1/en not_active Withdrawn
- 2005-06-07 TW TW094118675A patent/TWI466195B/zh active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62241248A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-21 | Hitachi Ltd | 集束イオン線装置 |
JPS62285354A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
JPH01124948A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-17 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム注入装置 |
JPH0329319A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 焦点調整方法 |
JPH0337947A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Jeol Ltd | 集束イオンビーム装置 |
JPH10513301A (ja) * | 1992-02-28 | 1998-12-15 | 日新電機株式会社 | 原子及び分子イオンで表面を照射するために有用な振動磁場をワーキング・ギャップにおいて生成するためのシステム及び方法 |
JPH08298247A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JPH09330680A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Canon Inc | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
JP2003288857A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011517837A (ja) * | 2008-03-28 | 2011-06-16 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | イオン注入機システムにおける改良した均一チューニングのための技術 |
JP2012513089A (ja) * | 2008-12-18 | 2012-06-07 | アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド | 走査型フィールド効果が軽減されたイオン注入 |
KR101677578B1 (ko) * | 2008-12-18 | 2016-11-29 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 주사 필드 효과들을 감소시키는 이온 주입 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6903350B1 (en) | 2005-06-07 |
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