JP3341749B2 - イオン注入方法およびイオン注入装置 - Google Patents
イオン注入方法およびイオン注入装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、イオンビームを
磁気的にスイープすると共に、ターゲットを機械的にス
キャンする、いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオ
ン注入装置および注入方法に関し、より具体的には、幅
広いエネルギーおよびイオン種のイオンビームをスイー
プすることができ、また注入時間を短くして装置のスル
ープット向上を図ることもできるようにする手段に関す
る。なお、この明細書においては、イオンビームを磁気
的に往復走査することをスイープと呼び、ターゲットを
機械的に往復走査することをスキャンと呼ぶ。
磁気的にスイープすると共に、ターゲットを機械的にス
キャンする、いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオ
ン注入装置および注入方法に関し、より具体的には、幅
広いエネルギーおよびイオン種のイオンビームをスイー
プすることができ、また注入時間を短くして装置のスル
ープット向上を図ることもできるようにする手段に関す
る。なお、この明細書においては、イオンビームを磁気
的に往復走査することをスイープと呼び、ターゲットを
機械的に往復走査することをスキャンと呼ぶ。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入においては、ターゲット（例
えばウェーハ）に均一性良くイオン注入を行うことが重
要である。半導体製造プロセスに用いる場合は特にそう
である。また、イオンビームを平行にスイープしてター
ゲットに照射することが望まれる場合もある。
えばウェーハ）に均一性良くイオン注入を行うことが重
要である。半導体製造プロセスに用いる場合は特にそう
である。また、イオンビームを平行にスイープしてター
ゲットに照射することが望まれる場合もある。
【０００３】このような要求に応えるようにしたイオン
注入装置の従来例を図２に示す。この装置は、基本的に
は、特開平８−１１５７０１号公報に記載されたものと
同様の構造をしている。
注入装置の従来例を図２に示す。この装置は、基本的に
は、特開平８−１１５７０１号公報に記載されたものと
同様の構造をしている。
【０００４】このイオン注入装置は、イオンビーム４を
引き出すイオン源２と、それから引き出されたイオンビ
ーム４から特定のイオン種を選別する質量分離マグネッ
ト６と、それから導出されたイオンビーム４を加速また
は減速する加速管８と、それから導出されたイオンビー
ム４から特定エネルギーのイオン種を選別する質量分離
マグネット（これはエネルギー分離マグネットとも呼ば
れる）１０と、それから導出されたイオンビーム４を磁
界によってＸ方向（例えば水平方向）にスイープするス
イープマグネット１２と、それから導出されたイオンビ
ーム４を曲げ戻してスイープマグネット１２と協働して
イオンビーム４の平行走査を行う、即ちイオンビーム４
の進行方向であるＺ軸に平行なイオンビーム４を作る平
行化マグネット１４とを備えている。イオン種は、イオ
ンの質量数および価数で特定される。
引き出すイオン源２と、それから引き出されたイオンビ
ーム４から特定のイオン種を選別する質量分離マグネッ
ト６と、それから導出されたイオンビーム４を加速また
は減速する加速管８と、それから導出されたイオンビー
ム４から特定エネルギーのイオン種を選別する質量分離
マグネット（これはエネルギー分離マグネットとも呼ば
れる）１０と、それから導出されたイオンビーム４を磁
界によってＸ方向（例えば水平方向）にスイープするス
イープマグネット１２と、それから導出されたイオンビ
ーム４を曲げ戻してスイープマグネット１２と協働して
イオンビーム４の平行走査を行う、即ちイオンビーム４
の進行方向であるＺ軸に平行なイオンビーム４を作る平
行化マグネット１４とを備えている。イオン種は、イオ
ンの質量数および価数で特定される。
【０００５】平行化マグネット１４から導出されたイオ
ンビーム４は、スキャン機構１６のホルダ８に保持され
たターゲット（例えばウェーハ）２０に照射される。ス
キャン機構１６は、図３も参照して、イオンビーム４の
スイープ領域４ａ内でターゲット２０を前記Ｘ方向と直
交するＹ方向（例えば垂直方向）に機械的にスキャンす
る。このターゲット２０のスキャンとイオンビーム４の
スイープとの協働によって、ターゲット２０の全面に均
一性良くイオン注入を行うことができる。
ンビーム４は、スキャン機構１６のホルダ８に保持され
たターゲット（例えばウェーハ）２０に照射される。ス
キャン機構１６は、図３も参照して、イオンビーム４の
スイープ領域４ａ内でターゲット２０を前記Ｘ方向と直
交するＹ方向（例えば垂直方向）に機械的にスキャンす
る。このターゲット２０のスキャンとイオンビーム４の
スイープとの協働によって、ターゲット２０の全面に均
一性良くイオン注入を行うことができる。
【０００６】このイオン注入装置におけるイオン注入
は、図４に示すような、注入制御装置２６を含む制御回
路によって制御される。
は、図４に示すような、注入制御装置２６を含む制御回
路によって制御される。
【０００７】所望のイオン種、ビームエネルギー、ビー
ム電流（ビーム量）および注入量が、マンマシンインタ
フェース２８で設定され、注入制御装置２６に与えられ
る。
ム電流（ビーム量）および注入量が、マンマシンインタ
フェース２８で設定され、注入制御装置２６に与えられ
る。
【０００８】注入制御装置２６は、これらの設定情報に
基づいて、目標のビーム電流によって目標の注入量を実
現するためのターゲット２０のスキャン回数を計算し、
それを実現するようにスキャン制御部３２を介してスキ
ャン機構１６を制御する。スキャン制御部３２は、注入
制御装置２６からの制御信号を、スキャン機構１６内の
モータを駆動する信号に変換するものである。
基づいて、目標のビーム電流によって目標の注入量を実
現するためのターゲット２０のスキャン回数を計算し、
それを実現するようにスキャン制御部３２を介してスキ
ャン機構１６を制御する。スキャン制御部３２は、注入
制御装置２６からの制御信号を、スキャン機構１６内の
モータを駆動する信号に変換するものである。
【０００９】ターゲット２０のスキャン速度の初期値は
一定であるが、注入中のイオンビーム４のビーム電流の
変化に応じて、注入制御装置２６によって注入中に可変
される。即ち、ビーム電流が小さくなればスキャン速度
を上げ、逆に大きくなれば下げる。そのために、ターゲ
ット２０の上流側方に設けられたドーズファラデー２２
（図３も参照）によって注入中のイオンビーム４のビー
ム電流ＩB が常に計測され、電流変換器２４を経由して
注入制御装置２６に与えられる。
一定であるが、注入中のイオンビーム４のビーム電流の
変化に応じて、注入制御装置２６によって注入中に可変
される。即ち、ビーム電流が小さくなればスキャン速度
を上げ、逆に大きくなれば下げる。そのために、ターゲ
ット２０の上流側方に設けられたドーズファラデー２２
（図３も参照）によって注入中のイオンビーム４のビー
ム電流ＩB が常に計測され、電流変換器２４を経由して
注入制御装置２６に与えられる。
【００１０】スイープマグネット１２を駆動するスイー
プ電流Ｉ（ｔ）は、三角波を整形したものである。この
波形整形は、注入制御装置２６によって、特開平９−５
５１７９号公報等に記載された公知の方法に従って行わ
れる。例えば、ターゲット２０の上流側および下流側に
設けられた図示しない多点ビームモニタを用いて、ター
ゲット２０上でのＸ方向のビーム電流密度分布を予測
し、当該分布が一定に近づくように三角波を整形する。
具体的には、上記電流密度分布中の電流密度を上げたい
位置でのイオンビーム４のスイープ速度が小さくなり、
下げたい位置でのスイープ速度が大きくなるように、三
角波を整形してスイープ信号Ｓ（ｔ）を作り、それをド
ライブアンプ３０で増幅してスイープ電流Ｉ（ｔ）とし
てスイープマグネット１２に与える。
プ電流Ｉ（ｔ）は、三角波を整形したものである。この
波形整形は、注入制御装置２６によって、特開平９−５
５１７９号公報等に記載された公知の方法に従って行わ
れる。例えば、ターゲット２０の上流側および下流側に
設けられた図示しない多点ビームモニタを用いて、ター
ゲット２０上でのＸ方向のビーム電流密度分布を予測
し、当該分布が一定に近づくように三角波を整形する。
具体的には、上記電流密度分布中の電流密度を上げたい
位置でのイオンビーム４のスイープ速度が小さくなり、
下げたい位置でのスイープ速度が大きくなるように、三
角波を整形してスイープ信号Ｓ（ｔ）を作り、それをド
ライブアンプ３０で増幅してスイープ電流Ｉ（ｔ）とし
てスイープマグネット１２に与える。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のイ
オン注入装置においては、イオンビーム４のスイープ周
波数は固定である。また、一定の注入均一性を確保する
ためのターゲット２０の最低スキャン回数も決まってい
る。
オン注入装置においては、イオンビーム４のスイープ周
波数は固定である。また、一定の注入均一性を確保する
ためのターゲット２０の最低スキャン回数も決まってい
る。
【００１２】これを詳述すると、一般的にターゲット２
０に対する注入均一性は、ターゲット２０のＹ方向のス
キャン速度を同じとした場合、イオンビーム４のスイー
プ周波数が高いほど良くなる。即ち、ターゲット２０の
スキャン速度は、前述したようにイオンビーム４のビー
ム電流が一定であれば一定であるので、ターゲット２０
から見れば、図５に示すように、イオンビーム４はジグ
ザグの軌跡を描きながら注入される。従って例えば、イ
オンビーム４のスイープ周波数が低くなると、ターゲッ
ト２０を１回スキャンしただけでは注入されない部分が
生じることは容易に想像することができる。
０に対する注入均一性は、ターゲット２０のＹ方向のス
キャン速度を同じとした場合、イオンビーム４のスイー
プ周波数が高いほど良くなる。即ち、ターゲット２０の
スキャン速度は、前述したようにイオンビーム４のビー
ム電流が一定であれば一定であるので、ターゲット２０
から見れば、図５に示すように、イオンビーム４はジグ
ザグの軌跡を描きながら注入される。従って例えば、イ
オンビーム４のスイープ周波数が低くなると、ターゲッ
ト２０を１回スキャンしただけでは注入されない部分が
生じることは容易に想像することができる。
【００１３】また、実際の注入では、イオン源２のビー
ム引出し部（引出し電極系）における放電によって、イ
オンビーム４の引き出しが瞬時停止することがある。こ
のときのイオンビーム４のビーム電流ＩB の変化は、前
述したドーズファラデー２２で計測され、すぐにターゲ
ット２０のスキャンを停止させる指令が注入制御装置２
６から発せられる。ターゲット２０にイオン注入されな
い部分の発生を防止するためである。しかしながら、ビ
ーム電流ＩB の変化は実際の変化よりイオンビーム４の
スイープの最大で１周期分の遅延時間ｔ0 （図６参照）
を経て検出される。これは、イオンビーム４がドーズフ
ァラデー２２を通り過ぎた瞬間にビーム電流ＩB が変化
したときは、次にイオンビーム４がドーズファラデー２
２に戻って来る時間まで待たなければその変化をドーズ
ファラデー２２で計測することはできないからである。
イオンビーム４の回復時の検出も同様である。
ム引出し部（引出し電極系）における放電によって、イ
オンビーム４の引き出しが瞬時停止することがある。こ
のときのイオンビーム４のビーム電流ＩB の変化は、前
述したドーズファラデー２２で計測され、すぐにターゲ
ット２０のスキャンを停止させる指令が注入制御装置２
６から発せられる。ターゲット２０にイオン注入されな
い部分の発生を防止するためである。しかしながら、ビ
ーム電流ＩB の変化は実際の変化よりイオンビーム４の
スイープの最大で１周期分の遅延時間ｔ0 （図６参照）
を経て検出される。これは、イオンビーム４がドーズフ
ァラデー２２を通り過ぎた瞬間にビーム電流ＩB が変化
したときは、次にイオンビーム４がドーズファラデー２
２に戻って来る時間まで待たなければその変化をドーズ
ファラデー２２で計測することはできないからである。
イオンビーム４の回復時の検出も同様である。
【００１４】しかも、スキャン機構１６には慣性が存在
するので、ターゲット２０のスキャンを零時間で停止さ
せることはできない。イオンビーム４の回復時に零時間
でスキャン速度を定格速度まで上げることもできない。
この間のターゲット２０のスキャン速度の変化の一例を
図６に示す。この例では放電によるイオンビーム４の停
止時間を０．１秒としている。
するので、ターゲット２０のスキャンを零時間で停止さ
せることはできない。イオンビーム４の回復時に零時間
でスキャン速度を定格速度まで上げることもできない。
この間のターゲット２０のスキャン速度の変化の一例を
図６に示す。この例では放電によるイオンビーム４の停
止時間を０．１秒としている。
【００１５】上記のような理由から、イオンビーム４の
引き出しが瞬時停止すると、ターゲット２０におけるＹ
方向の注入不均一性が発生する。図６の現象発生時の注
入量分布の一例を図７に示す。これは、ターゲット２０
のスキャンを１回行う場合で、イオンビーム４がターゲ
ット２０のＹ方向の中心にあるときに放電が１回発生し
たときの例である。この例では、注入均一性は１．１５
６％に低下（悪化）している。
引き出しが瞬時停止すると、ターゲット２０におけるＹ
方向の注入不均一性が発生する。図６の現象発生時の注
入量分布の一例を図７に示す。これは、ターゲット２０
のスキャンを１回行う場合で、イオンビーム４がターゲ
ット２０のＹ方向の中心にあるときに放電が１回発生し
たときの例である。この例では、注入均一性は１．１５
６％に低下（悪化）している。
【００１６】なお、注入均一性は、注入量分布の平均値
をＭ、標準偏差をσとしたとき、（σ／Ｍ）×１００
［％］であり、０％が最も良い。
をＭ、標準偏差をσとしたとき、（σ／Ｍ）×１００
［％］であり、０％が最も良い。
【００１７】このような注入均一性悪化は、イオンビー
ム４のスイープ周波数が低いほど大きくなる。その分、
上記遅延時間ｔ0 が長くなるからである。また、このよ
うな注入均一性悪化現象は、イオン源２から引き出すイ
オンビーム４のビーム電流Ｉ B が変化したときも同様に
発生する。
ム４のスイープ周波数が低いほど大きくなる。その分、
上記遅延時間ｔ0 が長くなるからである。また、このよ
うな注入均一性悪化現象は、イオン源２から引き出すイ
オンビーム４のビーム電流Ｉ B が変化したときも同様に
発生する。
【００１８】そこで従来のイオン注入装置では、ターゲ
ット２０のスキャン回数を増やすことによって、上記の
ような注入量の粗密部分を平坦化して、所定の注入均一
性を確保するようにしている。即ち、イオンビーム４の
スイープ周波数が固定であるため、従来のイオン注入装
置には、上記のような注入量の粗密を補償するために必
要な一定の最低スキャン回数が存在する。
ット２０のスキャン回数を増やすことによって、上記の
ような注入量の粗密部分を平坦化して、所定の注入均一
性を確保するようにしている。即ち、イオンビーム４の
スイープ周波数が固定であるため、従来のイオン注入装
置には、上記のような注入量の粗密を補償するために必
要な一定の最低スキャン回数が存在する。
【００１９】そのために、イオン源２等からみれば十分
なビーム電流ＩB を得ることができるにも拘わらず、一
定の最低スキャン回数を守る必要上、注入時間を短くす
ることができない、換言すれば装置のスループットを上
げることができないという課題がある。
なビーム電流ＩB を得ることができるにも拘わらず、一
定の最低スキャン回数を守る必要上、注入時間を短くす
ることができない、換言すれば装置のスループットを上
げることができないという課題がある。
【００２０】イオンビーム４のスイープ周波数を上げる
にしても、それを無闇に上げることはできない。スイー
プ周波数には一定の上限が存在する。これを図４を参照
して説明すると、前述したように注入制御装置２６から
与えられるスイープ信号Ｓ（ｔ）をドライブアンプ３０
で増幅して必要なスイープ電流Ｉ（ｔ）を得て、それで
スイープマグネット１２を駆動している。
にしても、それを無闇に上げることはできない。スイー
プ周波数には一定の上限が存在する。これを図４を参照
して説明すると、前述したように注入制御装置２６から
与えられるスイープ信号Ｓ（ｔ）をドライブアンプ３０
で増幅して必要なスイープ電流Ｉ（ｔ）を得て、それで
スイープマグネット１２を駆動している。
【００２１】このような構成において、イオンビーム４
のスイープ周波数を決める要因として次のものが挙げら
れる。
のスイープ周波数を決める要因として次のものが挙げら
れる。
【００２２】スイープ電流Ｉ（ｔ）の大きさ これは、イオンビーム４のイオン種およびエネルギーに
依存する。また、ドライブアンプ３０の最大出力電流に
よって制限を受ける。 ドライブアンプ３０からの出力電圧Ｖ（ｔ）の大きさ これは、ドライブアンプ３０の最大出力電圧によって制
限される。 スイープマグネット１２のコイル１３のインダクタン
スＬ これは、スイープマグネット１２の必要磁束密度等によ
って決定される。
依存する。また、ドライブアンプ３０の最大出力電流に
よって制限を受ける。 ドライブアンプ３０からの出力電圧Ｖ（ｔ）の大きさ これは、ドライブアンプ３０の最大出力電圧によって制
限される。 スイープマグネット１２のコイル１３のインダクタン
スＬ これは、スイープマグネット１２の必要磁束密度等によ
って決定される。
【００２３】ここで、あるエネルギーを持ったある質量
のイオン種をスイープマグネット１２によって所望のス
イープ幅でスイープするときのスイープ電流をＩ
（ｔ）、そのときのドライブアンプ３０の出力電圧をＶ
（ｔ）、スイープマグネット１２のコイル１３のインダ
クタンスをＬとすると、コイル１３の抵抗分を無視すれ
ば、これらの関係は次式のとおりである。ｔは時間であ
る。
のイオン種をスイープマグネット１２によって所望のス
イープ幅でスイープするときのスイープ電流をＩ
（ｔ）、そのときのドライブアンプ３０の出力電圧をＶ
（ｔ）、スイープマグネット１２のコイル１３のインダ
クタンスをＬとすると、コイル１３の抵抗分を無視すれ
ば、これらの関係は次式のとおりである。ｔは時間であ
る。
【００２４】
【数１】Ｖ（ｔ）＝Ｌ・ｄＩ（ｔ）／ｄｔ
【００２５】スイープ電流Ｉ（ｔ）を三角波としたとき
の出力電圧Ｖ（ｔ）との関係の一例を図８に示す。出力
電圧Ｖ（ｔ）は方形波状になる。また、イオンビーム４
のスイープ周波数すなわちスイープ電流Ｉ（ｔ）の周波
数を例えば２倍にすれば、インダクタンスＬはスイープ
マグネット１２に固有の値なので、数１からも分かるよ
うに、必要な出力電圧Ｖ（ｔ）も２倍になる。更に、タ
ーゲット２０でのＸ方向の注入均一性を高めるために、
前述したように、スイープ電流Ｉ（ｔ）の波形整形が行
われると、図９に示す例のように、三角波の場合に比べ
てより大きな（図中のＶ1 がそれに相当する）出力電圧
Ｖ（ｔ）が必要になる。同じ時間で電圧を大きくしてｄ
Ｖ（ｔ）／ｄｔを大きくする必要があるからである。し
かし、この必要な出力電圧Ｖ（ｔ）がドライブアンプ３
０の最大出力電圧を超えると、スイープ電流Ｉ（ｔ）の
上昇が鈍化し、結果的にはＸ方向の注入均一性が悪化す
る。
の出力電圧Ｖ（ｔ）との関係の一例を図８に示す。出力
電圧Ｖ（ｔ）は方形波状になる。また、イオンビーム４
のスイープ周波数すなわちスイープ電流Ｉ（ｔ）の周波
数を例えば２倍にすれば、インダクタンスＬはスイープ
マグネット１２に固有の値なので、数１からも分かるよ
うに、必要な出力電圧Ｖ（ｔ）も２倍になる。更に、タ
ーゲット２０でのＸ方向の注入均一性を高めるために、
前述したように、スイープ電流Ｉ（ｔ）の波形整形が行
われると、図９に示す例のように、三角波の場合に比べ
てより大きな（図中のＶ1 がそれに相当する）出力電圧
Ｖ（ｔ）が必要になる。同じ時間で電圧を大きくしてｄ
Ｖ（ｔ）／ｄｔを大きくする必要があるからである。し
かし、この必要な出力電圧Ｖ（ｔ）がドライブアンプ３
０の最大出力電圧を超えると、スイープ電流Ｉ（ｔ）の
上昇が鈍化し、結果的にはＸ方向の注入均一性が悪化す
る。
【００２６】一方、スイープマグネット１２でスイープ
するイオンビーム４のエネルギーが低く、軽いイオン種
ほど、ビーム電流Ｉ（ｔ）は小さくて済む。曲げやすい
からである。
するイオンビーム４のエネルギーが低く、軽いイオン種
ほど、ビーム電流Ｉ（ｔ）は小さくて済む。曲げやすい
からである。
【００２７】以上の理由から、実際の装置では、イオン
ビーム４のスイープ周波数の上限は、イオンビーム４の
エネルギー、イオン種およびドライブアンプ３０の最大
出力電圧によって制限される。逆に言えば、従来のイオ
ン注入装置はイオンビーム４のスイープ周波数が固定で
あるため、正常にスイープすることのできるイオンビー
ム４のエネルギーおよびイオン種が制限されている。
ビーム４のスイープ周波数の上限は、イオンビーム４の
エネルギー、イオン種およびドライブアンプ３０の最大
出力電圧によって制限される。逆に言えば、従来のイオ
ン注入装置はイオンビーム４のスイープ周波数が固定で
あるため、正常にスイープすることのできるイオンビー
ム４のエネルギーおよびイオン種が制限されている。
【００２８】そのために、例えばより高エネルギーのイ
オンビーム４に対応するためには、例えばドライブアン
プ３０の最大出力電圧を高めたり、スイープマグネット
１２のコイル１３のインダクタンスＬを低くする等の改
造（スペックアップ）を行う必要がある。これには多大
なコストと手間とがかかる。より重いイオン種に対応す
る場合も同様である。
オンビーム４に対応するためには、例えばドライブアン
プ３０の最大出力電圧を高めたり、スイープマグネット
１２のコイル１３のインダクタンスＬを低くする等の改
造（スペックアップ）を行う必要がある。これには多大
なコストと手間とがかかる。より重いイオン種に対応す
る場合も同様である。
【００２９】また、より高エネルギーまたはより重いイ
オン種に対応するために、単純にイオンビーム４のスイ
ープ周波数を下げれば、前記理由により、ターゲット２
０の最低スキャン回数を多くしなければ、ターゲット２
０に対する注入均一性が悪化する。しかし最低スキャン
回数を多くすれば、前述したように、注入時間が長くな
って装置のスループット低下を惹き起こす。
オン種に対応するために、単純にイオンビーム４のスイ
ープ周波数を下げれば、前記理由により、ターゲット２
０の最低スキャン回数を多くしなければ、ターゲット２
０に対する注入均一性が悪化する。しかし最低スキャン
回数を多くすれば、前述したように、注入時間が長くな
って装置のスループット低下を惹き起こす。
【００３０】そこでこの発明は、イオンビームのスイー
プ系機器を変更することなく幅広いエネルギーおよびイ
オン種のイオンビームをスイープすることができ、また
注入時間を短くして装置のスループット向上を図ること
もできるイオン注入方法および装置を提供することを主
たる目的とする。
プ系機器を変更することなく幅広いエネルギーおよびイ
オン種のイオンビームをスイープすることができ、また
注入時間を短くして装置のスループット向上を図ること
もできるイオン注入方法および装置を提供することを主
たる目的とする。
【００３１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るイオン注
入方法は、前記スイープマグネットによるイオンビーム
のスイープ周波数を、スイープするイオンビームのイオ
ン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて切り換
え、かつこのスイープ周波数の切り換えに応じて、前記
ターゲットにおける注入均一性を所定の合格範囲内に保
つことのできる範囲内で、前記スキャン機構によるター
ゲットの最低スキャン回数を、スイープ周波数を増加さ
せるときは減少させ、スイープ周波数を減少させるとき
は増加させるように切り換えることを特徴としている。
入方法は、前記スイープマグネットによるイオンビーム
のスイープ周波数を、スイープするイオンビームのイオ
ン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて切り換
え、かつこのスイープ周波数の切り換えに応じて、前記
ターゲットにおける注入均一性を所定の合格範囲内に保
つことのできる範囲内で、前記スキャン機構によるター
ゲットの最低スキャン回数を、スイープ周波数を増加さ
せるときは減少させ、スイープ周波数を減少させるとき
は増加させるように切り換えることを特徴としている。
【００３２】この発明に係るイオン注入装置は、前記ス
イープマグネットによるイオンビームのスイープおよび
前記スキャン機構によるターゲットのスキャンを制御す
るものであって、前記スイープマグネットによるイオン
ビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビーム
のイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて
切り換える機能と、このスイープ周波数の切り換えに応
じて、前記ターゲットにおける注入均一性を所定の合格
範囲内に保つことのできる範囲内で、前記スキャン機構
によるターゲットの最低スキャン回数を、スイープ周波
数を増加させるときは減少させ、スイープ周波数を減少
させるときは増加させるように切り換える機能とを有す
る注入制御装置を備えていることを特徴としている。
イープマグネットによるイオンビームのスイープおよび
前記スキャン機構によるターゲットのスキャンを制御す
るものであって、前記スイープマグネットによるイオン
ビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビーム
のイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて
切り換える機能と、このスイープ周波数の切り換えに応
じて、前記ターゲットにおける注入均一性を所定の合格
範囲内に保つことのできる範囲内で、前記スキャン機構
によるターゲットの最低スキャン回数を、スイープ周波
数を増加させるときは減少させ、スイープ周波数を減少
させるときは増加させるように切り換える機能とを有す
る注入制御装置を備えていることを特徴としている。
【００３３】イオンビームのスイープ周波数を、スイー
プするイオンビームのイオン種およびエネルギーの少な
くとも一方に応じて切り換えることによって、前記数１
に示したｄＩ（ｔ）／ｄｔを変えることができるので、
イオンビームのイオン種およびエネルギーの少なくとも
一方を変えても、イオンビームのスイープ系機器の能力
内でイオンビームを正常にスイープすることができるよ
うになる。従って、イオンビームのスイープ系機器を変
更することなく、幅広いエネルギーおよびイオン種のイ
オンビームを正常にスイープすることができるようにな
る。
プするイオンビームのイオン種およびエネルギーの少な
くとも一方に応じて切り換えることによって、前記数１
に示したｄＩ（ｔ）／ｄｔを変えることができるので、
イオンビームのイオン種およびエネルギーの少なくとも
一方を変えても、イオンビームのスイープ系機器の能力
内でイオンビームを正常にスイープすることができるよ
うになる。従って、イオンビームのスイープ系機器を変
更することなく、幅広いエネルギーおよびイオン種のイ
オンビームを正常にスイープすることができるようにな
る。
【００３４】また、スイープするイオンビームのエネル
ギーが低く、軽いイオン種ほど、スイープマグネットに
おいて曲げやすいのでスイープ電流は小さくて済み、そ
のぶんスイープ周波数を高くすることができる。スイー
プ周波数を高くすることによって、一定の注入均一性を
確保するためのターゲットの最低スキャン回数を少なく
することができるので、そのぶん注入時間を短くして装
置のスループット向上を図ることができる。
ギーが低く、軽いイオン種ほど、スイープマグネットに
おいて曲げやすいのでスイープ電流は小さくて済み、そ
のぶんスイープ周波数を高くすることができる。スイー
プ周波数を高くすることによって、一定の注入均一性を
確保するためのターゲットの最低スキャン回数を少なく
することができるので、そのぶん注入時間を短くして装
置のスループット向上を図ることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係るイオン注
入装置の制御回路の一例を示すブロック図である。イオ
ン注入装置全体の構成は例えば図２および図３と同様で
あるので、当該図およびその先の説明を参照するものと
し、ここでは重複説明を省略する。また、先に示した従
来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以
下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
入装置の制御回路の一例を示すブロック図である。イオ
ン注入装置全体の構成は例えば図２および図３と同様で
あるので、当該図およびその先の説明を参照するものと
し、ここでは重複説明を省略する。また、先に示した従
来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以
下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００３６】この発明に係るイオン注入装置は、従来の
注入制御装置２６に相当する注入制御装置２６ａを備え
ている。この注入制御装置２６ａは、スイープマグネッ
ト１２によるイオンビーム４のスイープおよびスキャン
機構１６によるターゲット２０のスキャンを制御する機
能を有している。具体的には、前述したように、ドライ
ブアンプ３０にスイープ電流Ｉ（ｔ）の元になるスイー
プ信号Ｓ（ｔ）を与える。また、スキャン制御部３２を
介してスキャン機構１６を制御して、ターゲット２０の
スキャン速度、スキャン回数等を制御する。
注入制御装置２６に相当する注入制御装置２６ａを備え
ている。この注入制御装置２６ａは、スイープマグネッ
ト１２によるイオンビーム４のスイープおよびスキャン
機構１６によるターゲット２０のスキャンを制御する機
能を有している。具体的には、前述したように、ドライ
ブアンプ３０にスイープ電流Ｉ（ｔ）の元になるスイー
プ信号Ｓ（ｔ）を与える。また、スキャン制御部３２を
介してスキャン機構１６を制御して、ターゲット２０の
スキャン速度、スキャン回数等を制御する。
【００３７】しかもこの注入制御装置２６ａは、前述し
たような機能の他に更に、スイープマグネット１２によ
るイオンビーム４のスイープ周波数を、スイープするイ
オンビーム４のイオン種およびエネルギーの少なくとも
一方に応じて切り換える機能と、このスイープ周波数の
切り換えに応じて、スキャン機構１６によるターゲット
２０の最低スキャン回数を切り換える機能とを有してい
る。スイープするイオンビーム４のイオン種、エネルギ
ー等は、前述したように、この例でもマンマシンインタ
フェース２８から設定される。スイープマグネット１２
によるイオンビーム４のスイープ周波数の切り換えは、
具体的には、ドライブアンプ３０に与えるスイープ信号
Ｓ（ｔ）の周波数の切り換えによって行われる。
たような機能の他に更に、スイープマグネット１２によ
るイオンビーム４のスイープ周波数を、スイープするイ
オンビーム４のイオン種およびエネルギーの少なくとも
一方に応じて切り換える機能と、このスイープ周波数の
切り換えに応じて、スキャン機構１６によるターゲット
２０の最低スキャン回数を切り換える機能とを有してい
る。スイープするイオンビーム４のイオン種、エネルギ
ー等は、前述したように、この例でもマンマシンインタ
フェース２８から設定される。スイープマグネット１２
によるイオンビーム４のスイープ周波数の切り換えは、
具体的には、ドライブアンプ３０に与えるスイープ信号
Ｓ（ｔ）の周波数の切り換えによって行われる。
【００３８】前述したように、従来のイオン注入装置で
は、イオンビーム４のスイープ周波数およびターゲット
２０の最低スキャン回数は固定である。従って、イオン
ビーム４のビーム電流およびターゲット２０への注入量
が同じであれば、イオンビーム４のイオン種およびエネ
ルギーが異なっても、基本的にターゲット２０のスキャ
ン回数は同じになる。また、最低スキャン回数も同じで
あるので、ビーム電流を大きくして注入時間を短くしよ
うとしても、最低スキャン回数以下にはビーム電流を大
きくすることができない場合が生じる。一般的に、装置
のスループットを上げるためには最低スキャン回数で目
標量を注入できるようにビーム電流を設定するので、こ
の最低スキャン回数の値はできるだけ低いことが望まし
い。
は、イオンビーム４のスイープ周波数およびターゲット
２０の最低スキャン回数は固定である。従って、イオン
ビーム４のビーム電流およびターゲット２０への注入量
が同じであれば、イオンビーム４のイオン種およびエネ
ルギーが異なっても、基本的にターゲット２０のスキャ
ン回数は同じになる。また、最低スキャン回数も同じで
あるので、ビーム電流を大きくして注入時間を短くしよ
うとしても、最低スキャン回数以下にはビーム電流を大
きくすることができない場合が生じる。一般的に、装置
のスループットを上げるためには最低スキャン回数で目
標量を注入できるようにビーム電流を設定するので、こ
の最低スキャン回数の値はできるだけ低いことが望まし
い。
【００３９】これに対してこの発明に係るイオン注入装
置では、上記注入制御装置２６ａによって、スイープマ
グネット１２によるイオンビーム４のスイープ周波数
を、スイープするイオンビーム４のイオン種およびエネ
ルギーの少なくとも一方に応じて切り換え、かつこのス
イープ周波数の切り換えに応じて、スキャン機構１６に
よるターゲット２０の最低スキャン回数を切り換えて運
転する（イオン注入を行う）。
置では、上記注入制御装置２６ａによって、スイープマ
グネット１２によるイオンビーム４のスイープ周波数
を、スイープするイオンビーム４のイオン種およびエネ
ルギーの少なくとも一方に応じて切り換え、かつこのス
イープ周波数の切り換えに応じて、スキャン機構１６に
よるターゲット２０の最低スキャン回数を切り換えて運
転する（イオン注入を行う）。
【００４０】イオンビーム４のスイープ周波数をイオン
種またはエネルギーに応じて変化させたときの注入均一
性の変化について述べる。例えば次の条件で注入中に、
イオン源２における放電が１回起きてイオンビーム４が
０．１秒間停止するとしたときの注入均一性の変化につ
いて検討する。
種またはエネルギーに応じて変化させたときの注入均一
性の変化について述べる。例えば次の条件で注入中に、
イオン源２における放電が１回起きてイオンビーム４が
０．１秒間停止するとしたときの注入均一性の変化につ
いて検討する。
【００４１】スイープ周波数：１００Ｈｚ スキャン速度：２０ｃｍ／ｓ 注入量：５．０×１０12／ｃｍ2 ビーム電流：１５０μＡ（これは最低スキャン回数から
の制限による） スキャン回数：４回（最低スキャン回数） 注入時間：１０秒
の制限による） スキャン回数：４回（最低スキャン回数） 注入時間：１０秒
【００４２】上記条件のときの注入均一性の計算値は
０．２４８％である。ここで、注入均一性の最低合格ラ
インを０．２５％とすると、上記０．２４８％はぎりぎ
りで合格している。１スキャン時１回の放電があった時
の注入均一性をＡ％とすると、スキャン回数が多くなる
ほど注入均一性は良くなる。例えばｎをスキャン回数と
してｎ回のスキャン中に１回しか放電がなかった場合の
注入均一性はＡ／ｎ％で表される。従って上記例の場
合、仮にスキャン回数を３回にすると、注入均一性は
０．３３％になり、不合格になる。このような理由か
ら、最低スキャン回数は４回なのである。
０．２４８％である。ここで、注入均一性の最低合格ラ
インを０．２５％とすると、上記０．２４８％はぎりぎ
りで合格している。１スキャン時１回の放電があった時
の注入均一性をＡ％とすると、スキャン回数が多くなる
ほど注入均一性は良くなる。例えばｎをスキャン回数と
してｎ回のスキャン中に１回しか放電がなかった場合の
注入均一性はＡ／ｎ％で表される。従って上記例の場
合、仮にスキャン回数を３回にすると、注入均一性は
０．３３％になり、不合格になる。このような理由か
ら、最低スキャン回数は４回なのである。
【００４３】ここで、上記注入条件において、イオンビ
ーム４のスイープ周波数を１００Ｈｚ（モード１）から
２００Ｈｚ（モード２）または３００Ｈｚ（モード３）
に変化させると、表１に示すように、注入均一性は次第
に良くなる。
ーム４のスイープ周波数を１００Ｈｚ（モード１）から
２００Ｈｚ（モード２）または３００Ｈｚ（モード３）
に変化させると、表１に示すように、注入均一性は次第
に良くなる。
【００４４】
【表１】
【００４５】従って、イオンビーム４のスイープ周波数
を高めると、注入均一性を所定の合格範囲内に保ちつ
つ、ターゲット２０のスキャン回数を減らすことができ
る。それによってイオンビーム４のビーム電流も高める
ことができる。その例を表２に示す。
を高めると、注入均一性を所定の合格範囲内に保ちつ
つ、ターゲット２０のスキャン回数を減らすことができ
る。それによってイオンビーム４のビーム電流も高める
ことができる。その例を表２に示す。
【００４６】
【表２】
【００４７】従来のイオン注入装置は、イオンビーム４
のスイープ周波数が固定であるため、表２のモード１し
か選択することができなかったのに対して、この発明に
係るイオン注入装置では、イオンビーム４のスイープ周
波数を切り換えて、モード２ａやモード３ａを選択する
ことができる。その結果、注入時間を短くして、装置の
スループットを向上させることができる。
のスイープ周波数が固定であるため、表２のモード１し
か選択することができなかったのに対して、この発明に
係るイオン注入装置では、イオンビーム４のスイープ周
波数を切り換えて、モード２ａやモード３ａを選択する
ことができる。その結果、注入時間を短くして、装置の
スループットを向上させることができる。
【００４８】イオンビーム４のスイープ周波数は、前述
したように、スイープするイオンビーム４のエネルギー
およびイオン種によって制限される。即ち、スイープす
るイオンビーム４のエネルギーが低く、軽いイオン種ほ
ど、スイープマグネット１２において曲げやすいので、
スイープ電流Ｉ（ｔ）は小さくて済み、そのぶん前記数
１に示したｄＩ（ｔ）／ｄｔは小さくなるので、そのぶ
んスイープ周波数を高くすることができる。換言すれ
ば、イオンビーム４のエネルギーが高くかつイオン種の
質量が大きい注入条件では、スイープ周波数を限度以上
に高くすることはできないので、注入時間はスイープ周
波数固定の場合と大差ないけれども、イオンビーム４の
エネルギーが低いかイオン種の質量が小さい注入条件で
は、スイープ周波数を上記のように高くして最低スキャ
ン回数を少なくすることができる。従って、色々な注入
条件（レシピ）に対応する場合に、スイープ周波数固定
の場合に比べて、全体として装置のスループット向上を
実現することができる。
したように、スイープするイオンビーム４のエネルギー
およびイオン種によって制限される。即ち、スイープす
るイオンビーム４のエネルギーが低く、軽いイオン種ほ
ど、スイープマグネット１２において曲げやすいので、
スイープ電流Ｉ（ｔ）は小さくて済み、そのぶん前記数
１に示したｄＩ（ｔ）／ｄｔは小さくなるので、そのぶ
んスイープ周波数を高くすることができる。換言すれ
ば、イオンビーム４のエネルギーが高くかつイオン種の
質量が大きい注入条件では、スイープ周波数を限度以上
に高くすることはできないので、注入時間はスイープ周
波数固定の場合と大差ないけれども、イオンビーム４の
エネルギーが低いかイオン種の質量が小さい注入条件で
は、スイープ周波数を上記のように高くして最低スキャ
ン回数を少なくすることができる。従って、色々な注入
条件（レシピ）に対応する場合に、スイープ周波数固定
の場合に比べて、全体として装置のスループット向上を
実現することができる。
【００４９】しかも、イオンビーム４のスイープ周波数
の切り換えで対応することができるので、ドライブアン
プ３０の最大出力電圧を高めたり、スイープマグネット
１２のコイル１３のインダクタンスＬを低くする等の改
造を行う必要が全くない。即ち、イオンビーム４のスイ
ープ系機器を変更する必要がない。従って簡単に、高エ
ネルギーイオンビームまたは重いイオン種に対応するこ
とができる。
の切り換えで対応することができるので、ドライブアン
プ３０の最大出力電圧を高めたり、スイープマグネット
１２のコイル１３のインダクタンスＬを低くする等の改
造を行う必要が全くない。即ち、イオンビーム４のスイ
ープ系機器を変更する必要がない。従って簡単に、高エ
ネルギーイオンビームまたは重いイオン種に対応するこ
とができる。
【００５０】なお、イオンビーム４のスイープ電流Ｉと
スイープ周波数上限Ｆには次式の関係がある。従ってこ
の関係を用いて容易にスイープ周波数を計算することが
できる。
スイープ周波数上限Ｆには次式の関係がある。従ってこ
の関係を用いて容易にスイープ周波数を計算することが
できる。
【００５１】
【数２】Ｉ∝｛√（（イオンの質量）×（エネルギ
ー））／イオンの価数｝∝Ｆ
ー））／イオンの価数｝∝Ｆ
【００５２】より実際的な例としては、注入制御装置２
６ａ内に例えば表３に示すようなパラメータテーブルを
格納しておいて、マンマシンインタフェース２８から設
定されるイオン種（具体的には前述したようにイオンの
質量数と価数）およびエネルギーに応じて、当該パラメ
ータテーブルに従ってイオンビーム４のスイープ周波数
の切り換えと、それに応じたターゲット２０の最低スキ
ャン回数の切り換えとを行うようにしても良い。
６ａ内に例えば表３に示すようなパラメータテーブルを
格納しておいて、マンマシンインタフェース２８から設
定されるイオン種（具体的には前述したようにイオンの
質量数と価数）およびエネルギーに応じて、当該パラメ
ータテーブルに従ってイオンビーム４のスイープ周波数
の切り換えと、それに応じたターゲット２０の最低スキ
ャン回数の切り換えとを行うようにしても良い。
【００５３】
【表３】
【００５４】スイープ周波数を３通りよりも増やして、
表３のパラメータテーブルをより細分化しても良い。ま
た、より高エネルギー対応とする場合も、スイープ周波
数が１００Ｈｚよりも小さい例のパラメータを追加する
だけで簡単に対応することができる。
表３のパラメータテーブルをより細分化しても良い。ま
た、より高エネルギー対応とする場合も、スイープ周波
数が１００Ｈｚよりも小さい例のパラメータを追加する
だけで簡単に対応することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、イオン
ビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビーム
のイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて
切り換えることによって、イオンビームのイオン種およ
びエネルギーの少なくとも一方を変えても、イオンビー
ムのスイープ系機器の能力内でイオンビームを正常にス
イープすることができるようになるので、イオンビーム
のスイープ系機器を変更することなく、幅広いエネルギ
ーおよびイオン種のイオンビームを正常にスイープする
ことができるようになる。
ビームのスイープ周波数を、スイープするイオンビーム
のイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に応じて
切り換えることによって、イオンビームのイオン種およ
びエネルギーの少なくとも一方を変えても、イオンビー
ムのスイープ系機器の能力内でイオンビームを正常にス
イープすることができるようになるので、イオンビーム
のスイープ系機器を変更することなく、幅広いエネルギ
ーおよびイオン種のイオンビームを正常にスイープする
ことができるようになる。
【００５６】また、スイープするイオンビームのエネル
ギーが低く、軽いイオン種ほど、スイープマグネットに
おいて曲げやすいのでスイープ電流は小さくて済み、そ
のぶんスイープ周波数を高くすることができ、それによ
って、一定の注入均一性を確保するためのターゲットの
最低スキャン回数を少なくすることができるので、その
ぶん注入時間を短くして装置のスループット向上を図る
ことができる。
ギーが低く、軽いイオン種ほど、スイープマグネットに
おいて曲げやすいのでスイープ電流は小さくて済み、そ
のぶんスイープ周波数を高くすることができ、それによ
って、一定の注入均一性を確保するためのターゲットの
最低スキャン回数を少なくすることができるので、その
ぶん注入時間を短くして装置のスループット向上を図る
ことができる。
【図１】この発明に係るイオン注入装置の制御回路の一
例を示すブロック図である。
例を示すブロック図である。
【図２】従来のイオン注入装置の一例を示す概略平面図
である。
である。
【図３】図２中のターゲットおよびそのスキャン機構周
りの一例を拡大して示す正面図である。
りの一例を拡大して示す正面図である。
【図４】図２のイオン注入装置の制御回路の一例を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図５】ターゲットに対するイオンビームの軌跡の一例
を示す図である。
を示す図である。
【図６】イオン源における放電発生時のターゲットのス
キャン速度の変化の一例を示す図である。
キャン速度の変化の一例を示す図である。
【図７】イオン源における放電発生時のターゲット上の
Ｙ方向の注入不均一性の一例を示す図である。
Ｙ方向の注入不均一性の一例を示す図である。
【図８】スイープ電流が三角波の場合のその波形（Ａ）
およびドライブアンプの出力電圧（Ｂ）の一例を示す図
である。
およびドライブアンプの出力電圧（Ｂ）の一例を示す図
である。
【図９】スイープ電流の波形整形後のその波形（Ａ）お
よびドライブアンプの出力電圧（Ｂ）の一例を示す図で
ある。
よびドライブアンプの出力電圧（Ｂ）の一例を示す図で
ある。
４ イオンビーム １２ スイープマグネット １６ スキャン機構 ２０ ターゲット ２６ａ 注入制御装置
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−315765（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−259338（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−115701（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−55179（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−245849（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/317 C23C 14/48 H01L 21/265
Claims (2)
- 【請求項１】 イオンビームを磁界によってＸ方向にス
イープするスイープマグネットと、このイオンビームの
スイープ領域内でターゲットを前記Ｘ方向と直交するＹ
方向に機械的にスキャンするスキャン機構とを備えるイ
オン注入装置において、前記スイープマグネットによる
イオンビームのスイープ周波数を、スイープするイオン
ビームのイオン種およびエネルギーの少なくとも一方に
応じて切り換え、かつこのスイープ周波数の切り換えに
応じて、前記ターゲットにおける注入均一性を所定の合
格範囲内に保つことのできる範囲内で、前記スキャン機
構によるターゲットの最低スキャン回数を、スイープ周
波数を増加させるときは減少させ、スイープ周波数を減
少させるときは増加させるように切り換えることを特徴
とするイオン注入方法。 - 【請求項２】 イオンビームを磁界によってＸ方向にス
イープするスイープマグネットと、このイオンビームの
スイープ領域内でターゲットを前記Ｘ方向と直交するＹ
方向に機械的にスキャンするスキャン機構とを備えるイ
オン注入装置において、前記スイープマグネットによる
イオンビームのスイープおよび前記スキャン機構による
ターゲットのスキャンを制御するものであって、前記ス
イープマグネットによるイオンビームのスイープ周波数
を、スイープするイオンビームのイオン種およびエネル
ギーの少なくとも一方に応じて切り換える機能と、この
スイープ周波数の切り換えに応じて、前記ターゲットに
おける注入均一性を所定の合格範囲内に保つことのでき
る範囲内で、前記スキャン機構によるターゲットの最低
スキャン回数を、スイープ周波数を増加させるときは減
少させ、スイープ周波数を減少させるときは増加させる
ように切り換える機能とを有する注入制御装置を備えて
いることを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37254999A JP3341749B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| GB0031674A GB2359925B (en) | 1999-12-28 | 2000-12-22 | Ion-implanting method and ion-implanting apparatus |
| US09/748,241 US6495840B2 (en) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | Ion-implanting method and ion-implanting apparatus |
| DE10065348A DE10065348A1 (de) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | Verfahren und Vorrichtung zur Ionenimplantation |
| TW089128112A TW544711B (en) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | Ion-implanting method and ion-implanting apparatus |
| CNB001372483A CN1134819C (zh) | 1999-12-28 | 2000-12-28 | 离子注入方法和离子注入设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37254999A JP3341749B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001185071A JP2001185071A (ja) | 2001-07-06 |
| JP3341749B2 true JP3341749B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=18500634
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37254999A Expired - Fee Related JP3341749B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6495840B2 (ja) |
| JP (1) | JP3341749B2 (ja) |
| CN (1) | CN1134819C (ja) |
| DE (1) | DE10065348A1 (ja) |
| GB (1) | GB2359925B (ja) |
| TW (1) | TW544711B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7935946B2 (en) | 2008-02-12 | 2011-05-03 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion implantation method and apparatus |
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| US7498590B2 (en) * | 2006-06-23 | 2009-03-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Scan pattern for an ion implanter |
| JP5242937B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-07-24 | 株式会社Ｓｅｎ | イオン注入装置及びイオン注入方法 |
| JP5289721B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-09-11 | 株式会社Ｓｅｎ | イオン注入装置 |
| US7586111B2 (en) * | 2007-07-31 | 2009-09-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion implanter having combined hybrid and double mechanical scan architecture |
| DE102013216857A1 (de) * | 2013-08-19 | 2015-02-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Bearbeiten und/oder zum Beobachten eines Objekts sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
| CN109192646B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-12-08 | 德淮半导体有限公司 | 离子植入机 |
| CN112843497B (zh) * | 2021-01-05 | 2022-09-16 | 中国科学院上海高等研究院 | 一种基于射频偏转腔技术的质子束流扫描装置及扫描方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077658B2 (ja) * | 1989-05-15 | 1995-01-30 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置 |
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