CN1134819C - 离子注入方法和离子注入设备 - Google Patents

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Abstract

离子注入设备包括一个注入控制装置(26a)，它具有由扫掠磁体(12)扫掠离子束的功能和由扫描机构扫描目标的功能。注入控制装置(26a)具有以下功能：根据离子束的种类和能量中的至少一个参数，改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率；根据扫掠频率的改变，改变要由所述扫描机构扫描的目标的最低扫描次数。

Description

离子注入方法和离子注入设备
技术领域
本发明涉及混合扫描型离子注入设备和离子注入方法，这种设备和方法通过磁力方式扫掠离子束和通过机械方式扫描目标，并且本发明尤其是涉及能够扫掠多种能量和离子种类的离子束且能够缩短离子注入时间提高设备生产率的装置。在本说明书中，离子束的磁力方式的往复扫描称为“扫掠(sweep)”，而目标的机械方式的往复扫描称为“扫描(scan)”。
背景技术
对于离子注入而言，以良好的均匀性将离子注入目标(例如晶片)中是重要的。当离子注入用于半导体制造工艺中时，这尤其重要。根据具体情况，需要用平行扫描的离子束照射目标。
为了满足上述需要而提出的已有技术的离子注入设备显示在图2中。这个设备的结构基本上与日本专利公开号平8-115701(JP-A-8-115701)中描述的结构相同。
该离子注入设备包括：离子源2，用于发射离子束4；质量分离磁体6，用于选择发射出的特定的离子种类；加速器管8，用于使离子束加速或减速；质量分离磁体10(也称为“能量分离磁体”)，用于从离子束4中选择具有特定的能量的离子种类；扫掠磁体12，用于在磁场的作用下在X方向上(例如水平方向)扫掠离子束；和平行化磁体14，它与扫掠磁体配合使离子束再次弯曲，以便平行地扫描离子束4，即，使离子束4平行于Z轴，Z轴就是离子束4的运动方向。离子种类是由质量数和离子价确定的。
从平行化磁体14引出的离子束4作用于目标(例如晶片)20，目标20放置在扫描机构16的支架18上。参照图3，在离子束4的扫掠区域4a内，在垂直于上述X方向的Y方向上(例如垂直方向)，扫描机构16按机械方式扫描目标20。由于目标20的扫描和离子束4的扫掠之间的配合，离子可以注入目标20的整个表面并且具有良好的均匀性。
在这个离子注入设备中，离子注入是由如图4中所示的控制电路控制的，该控制电路包括注入控制装置26。
需要的离子种类、束能量、束电流(束流量)和注入量是由人-机接口28设定的，并且供给注入控制装置26。
注入控制装置26根据设定信息的这些参数计算目标20的扫描次数，以通过预定的束电流实现预定的注入量，并且为实现扫描而通过扫描控制单元32控制扫描机构16。扫描机构16将由注入控制装置26供给的控制信号转换为用于驱动扫描机构16中的电动机的信号。
目标20的扫描速度的初始值是不变的，并且在注入过程中，可以由注入控制装置26根据注入的离子束4的束电流的变化来改变扫描速度。具体地讲，当束电流减小时，扫描速度降低。相反，当束电流增大时，扫描速度提高。为了实现这种改变，注入的离子束的束电流IB始终由设置在目标20的上游侧的剂量法拉第仪(dose Faraday)22(还参见图3)进行测量。测量的束电流IB通过电流转换器24供给注入控制装置26。
用于驱动扫掠磁体12的扫掠电流I(t)是三角波整形得到的。这种波形整形是由注入控制装置26通过已知的方法实现的，这种方法描述于日本专利公开号平9-55179(JP-A-9-55179)中。例如，使用设置在目标20的上游侧和下游侧的多点束监视器(未示出)，测定在目标20的X方向上的束电流密度分布，并且按照这种分布近似不变的方式对三角波进行整形。具体地讲，三角波是这样整形的：在电流密度分布中需要增大电流密度的位置，减小离子束4的扫掠速度，而在需要减小电流密度的位置，提高离子束4的扫掠速度，由此形成扫掠信号S(t)。扫掠信号由驱动放大器20放大，并且供给扫掠磁体12作为扫掠电流I(t)。
在这种已有技术的离子注入设备中，离子束4的扫掠频率是固定的。为了保证注入的恒定的均匀性，目标20的最低扫描次数也是固定的。
更具体地讲，一般情况下，假设在目标20的Y方向上的扫描速度是固定的，那么随着离子束4的扫掠频率的变高，目标20的注入均匀性会提高。即，如上所述，当离子束4的束电流固定时，目标20的扫描速度是固定的。这样，当观察目标20时，如图5中所示，离子束注入的同时画出了锯齿形的轨迹。因此，可以容易地理解，当离子束4的扫掠频率变低时，会产生仅通过扫描目标一次而未被注入的区域。
在实际的注入过程中，根据具体情况，由于在离子源2的束引出部分(引出电极系统)中的放电，离子束4的引出会瞬间停止。此时，离子束4的束电流IB的变化由上述的剂量法拉第仪22所测量，并且从注入控制装置26发出停止目标20的扫描的命令。这是为了防止目标上产生未被注入的区域。不过，在离子束4扫掠过程中，束电流IB的变化要晚于实际的变化才能检测到，一个周期的最大延迟时间为t0(参见图6)。其原因如下所述。当束电流IB在离子束4通过剂量法拉第仪22的时刻变化时，这种变化要在离子束再次返回剂量法拉第仪22时才能被检测到。这种情况同样适用于离子束恢复时的检测。
此外，由于扫描机构16具有惯性，目标20的扫描不可能在0时间内停止。在离子束4恢复时，扫描速度也不可能在0时间内增大到额定速度。图6中示出了这个时间内目标20的扫描速度变化的一个例子。在这个例子中，离子束4的停止时间设定为0.1秒。
由于上述原因，当离子束4的引出停止片刻时，在目标的Y方向上就产生了注入的不均匀性。图7中示出了当图6中所示的这种现象发生时离子注入量分布的一个例子。图7显示出这样的例子：目标20被扫描一次，并且当离子束4位于目标20的Y方向上的中心时发生一次放电。在这个例子中，注入的均匀性降低(变劣)到1.156％。
顺便应当指出的是，注入均匀性是由(σ/M)×100％表示的，其中M是离子注入量分布的平均值，σ是标准偏差，0％是最佳情况。
随着离子束4的扫掠频率变低，注入的均匀性变差。这是因为上述延迟时间t0相应地变长。当从离子源2引出的离子束4的束电流IB变化时同样会发生注入均匀性变差的现象。
为了克服这种均匀性变差的问题，常规的离子注入设备通过增加目标20的扫描次数来拉平上述注入量分布的浓/淡部分，由此保证预定的注入均匀性。即，由于离子束4的扫掠频率是固定的，为了平衡上述的注入量的浓/淡部分，常规的离子注入设备需要保证恒定的最低扫描次数。
因此，虽然从离子源2的角度看，束电流IB可以足够大，但注入时间不能缩短，因为必须保证最低扫描次数。换句话说，不能提高该设备的生产率。
当离子束4的扫掠频率增大时，它不能过多地增大。扫掠频率具有上限。这将参照图4予以解释。从注入控制装置26供给的扫掠信号S(t)由驱动放大器30放大，以提供驱动扫掠磁体12所需的扫掠电流I(t)。
在这种结构中，离子束4的扫掠频率由以下因素决定。(1)扫掠电流I(t)的大小
它取决于离子种类和离子束4的能量。它还受到驱动放大器30的最大输出电流的限制。(2) 驱动放大器30的输出电压V(t)的大小
它受到驱动放大器30的最大输出电压的限制。(3) 扫掠磁体12的线圈13的电感L
它由所需的扫掠磁体12的磁通密度决定。
现在，假设当具有特定质量和特定能量的种类的离子在需要的宽度上由扫掠磁体扫掠时，扫掠电流为I(t)，此时驱动放大器30的输出电压为V(t)，扫掠磁体12的线圈13的电感为L，并且线圈的电阻可忽略不计，那么这些参数之间的关系可由下式表示：
V(t)＝L·dI(t)/dt    [1]
图8中示出了三角波形的扫掠电流I(t)与输出电压V(t)之间的关系的一个例子。输出电压V(t)为方波形。如果离子束4的扫掠频率，即扫掠电流I(t)的频率增大到例如两倍，由于电感L的值是扫掠磁体12固有的，因此从等式[1]可以看出，所需的输出电压V(t)也会增大到两倍。另外，为了提高目标的X方向上的注入均匀性，当扫掠电流I(t)按上述方式进行波形整形时，从图9A和9B所示的例子可以理解，需要的输出电压V(t)大于三角波情况下的输出电压(差值对应于图9B中的V1)。这是因为在相同的周期内为了增大dV(t)/dt必须增大电压。不过，如果这个需要的输出电压V(t)超过了驱动放大器30的最大输出电压，扫掠电流I(t)的增加会放慢，以致于X方向上的注入均匀性变差。
另一方面，具有较低的能量和较轻的离子种类的离子束4需要较小的束电流I(t)。这是因为这种离子束可以容易地弯曲。
由于上述原因，在实际的设备中，离子束4的扫掠频率的上限是受离子束4的能量、离子种类和驱动放大器30的最大输出电压限制的。反过来讲，在常规的离子注入设备中，离子束4的扫掠频率是固定的，以致于可以适当地扫掠的离子束4的能量和离子种类受到了限制。
因此，例如，为了适应较高能量的离子束4，必需改进技术条件，诸如提高驱动放大器30的最大输出电压或者减小扫掠磁体12的线圈13的电感L。
另外，当为了适应较高的能量或较重的离子种类而简单地降低离子束4的扫掠频率时，由于上述原因，如果目标的最低扫描次数不增大，目标20的注入均匀性就会变差。不过，如果最低扫描次数增大，注入时间就要延长，这样就降低了设备的生产率。
发明内容
鉴于上述情况，本发明的主要目的是提供一种离子注入方法及设备，这种方法及设备可以在不改变用于扫掠离子束的装置的情况下扫掠多种能量和离子种类的离子束，并且可以缩短离子注入时间，从而提高设备的生产率。
根据本发明的离子注入方法包括这样一个步骤：根据离子束的种类和能量中的至少一个参数，改变要由扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率，并且根据扫掠频率的变化，改变要由扫描机构扫描的目标的最低扫描次数。
根据本发明的离子注入设备包括一个注入控制装置，该装置具有控制由扫掠磁体扫掠离子束的功能和由扫描机构扫描目标的功能，并且具有以下功能：根据离子束的种类和能量中的至少一个参数，改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率；根据扫掠频率的变化，改变要由所述扫描机构扫描的目标的最低扫描次数。
由于离子束的扫掠频率根据要扫掠的离子束的离子种类和能量中的至少一个参数改变，等式[1]中的dI(t)/dt就可以改变。因此，即使离子束的离子种类和能量中的至少一个参数改变，离子束也可以在与离子束的扫掠相关的装置的能力范围内正常地扫掠。由此，在不改变与离子束的扫掠相关的装置的情况下，可以正常地扫掠多种能量和离子种类的离子束。
另外，要扫掠的具有较低的能量和较轻的离子种类的离子束可以更容易地由扫掠磁体弯曲。因此，扫掠电流可以减小，并且扫掠频率可以相应地提高。由此，为保证预定的注入均匀性，通过提高扫掠频率，目标的最低扫描次数可以减少，并且注入时间可以缩短，从而提高了设备的生产率。
附图说明
图1是一个方框图，它显示出根据本发明的离子注入设备的控制电路的一个例子；
图2是显示常规的离子注入设备的一个例子的平面示意图；
图3是显示图2中目标附近的结构及扫描机构的正视图；
图4是一个方框图，它显示图2中所示的离子注入设备的控制电路的一个例子；
图5是显示离子束对目标的扫描轨迹的示意图；
图6是显示当离子源中发生放电时目标的扫描速度的变化的示意图；
图7是一个曲线图，它显示出当离子源中发生放电时在目标的Y方向上注入的不均匀性；
图8A是显示当扫掠电流为三角波时的波形示意图，图8B是显示驱动放大器的输出电压的一个例子的示意图；
图9A是显示当扫掠电流进行了波形整形时的波形示意图，图9B是显示驱动放大器的输出电压的一个例子的示意图。
具体实施方式
图1是一个方框图，它显示出根据本发明的离子注入设备的控制电路的一个例子。该离子注入设备的整体结构与图2和3中所示的结构是相同的，因此为了省略重复性说明，这里将参照这些图以及以上的说明。另外，在以下的说明中，相同的参考数字和符号表示与上述的已有技术中相同的部分。下面将主要说明本发明与常规技术的区别。
根据本发明的离子注入设备设有一个注入控制装置26a，它对应于常规的注入控制装置26。注入控制装置26a具有控制由扫掠磁体12对离子束4的扫掠的功能和控制由扫描机构16对目标20的扫描的功能。具体地讲，如上所述，注入控制装置26a向驱动放大器30提供扫掠信号S(t)，此信号引生扫掠电流I(t)。另外，它通过扫描控制单元32控制扫描机构16，以控制扫描速度和目标20的扫描次数。
除了上述功能之外，注入控制装置26a还具有以下功能：根据离子束的种类和能量中的至少一个参数，改变要由所述扫掠磁体12扫掠的离子束4的扫掠频率；根据扫掠频率的变化，改变要由所述扫描机构16扫描的目标20的最低扫描次数。同样是在这个例子中，如上所述，要扫掠的离子束4的离子种类、能量等也是通过人-机接口28设定的。具体地讲，由扫掠磁体12扫掠的离子束4的扫掠频率的改变是这样实现的：改变供给驱动放大器30的扫掠信号S(t)的扫掠频率。
如上所述，对于常规的离子注入设备，离子束4的扫掠频率和目标20的最低扫描次数是固定的。因此，只要离子束4的束电流和目标的注入量是固定的，即使离子束的离子种类和能量改变，目标20的扫描次数也是基本相同的。因此，根据具体情况，即使为缩短注入时间要增大束电流，也不能增大它来减少固定的最低扫描次数。通常，为了提高设备的生产率，束电流被设定为在最低的扫描次数中可以注入预定的量。因此，最低扫描次数的数值应尽可能小。
另一方面，在根据本发明的离子注入设备中，注入控制装置26a根据离子束的种类和能量中的至少一个参数，改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束4的扫掠频率，并且根据扫掠频率的变化，改变要由所述扫描机构16扫描的目标20的最低扫描次数，此后，实施驱动(进行离子注入)。
下面将说明当离子束4的扫掠频率根据离子束的离子种类或能量改变时，注入均匀性的变化。注入均匀性的变化是对应于以下情况检测的：在注入过程中离子源2中发生一次放电，注入是在例如下列条件下进行的并且离子束4停止0.1秒。
扫掠频率：100Hz
扫描速度：20cm/s
注入量：5.0×1012/cm2
束电流：150μA(这是由于最低扫描次数的限制)
次数：4次(最低扫描次数)
注入时间：10秒。
在上述条件下计算出的注入均匀性的数值为0.248％。如果均匀性的最低合格值为0.25％，那么0.248％已处于极限。假设当一次扫描过程中发生一次放电时注入均匀性为A％，随着扫描次数的增加，注入均匀性会更大程度地改善。例如，当在n次扫描过程中(n：扫描次数)只发生一次放电时，注入均匀性由A/n％表示。因此，在上述的例子中，如果扫描次数设定为3次，注入均匀性为0.33％，这就导致不合乎要求。由于这个原因，最低扫描次数设定为4次。
现在，在上述条件下，当离子束4的扫掠频率从100Hz(模式1)改变为200Hz(模式2)或300Hz(模式3)时，如表1所示，注入均匀性逐渐提高。(表1)
模式1 模式2 模式3
扫掠频率(Hz) 100 200 300
扫描速度(cm/s) 20 20 20
注入量(个/cm2) 5×1012 5×1012 5×1012
束电流(μA) 150 150 150
扫描次数(次) 4 4 4
注入时间(s) 10 10 10
注入均匀性 0.248 0.13  0.099
从表1中可以看出，如果离子束4的扫掠频率增加，在注入均匀性保持在规定的合格范围内的同时，可以减少扫描次数。因此，离子束4的束电流可以增大。表2中给出了这样的一个例子。(表2)
模式1 模式2a 模式3a
扫掠频率(Hz) 100 200 300
扫描速度(cm/s) 20 20 20
注入量(个/cm2) 5×1012 5×1012 5×1012
束电流(μA) 150 200 300
扫描次数(次) 4 3 2
注入时间(s) 10 7.5 5
注入均匀性 0.248 0.17 0.199
在常规的离子注入设备中，由于离子束4的扫掠频率是固定的，只能选择表中的模式1。另一方面，在根据本发明的离子注入设备中，通过改变扫掠频率，还可以选择模式2或模式3。结果，注入时间可以缩短，从而提高生产率。
如上所述，离子束4的扫掠频率受到要被扫掠的离子束4的能量和离子种类的限制。具体地讲，具有低的能量和轻的离子种类的被扫掠离子束可以更容易地由扫掠磁体12弯曲。因此，扫掠电流I(t)可以减小。相应地，上述等式[1]中的dI/dt减小，这样扫掠频率可以提高。换句话说，在离子束具有高的能量和重(即大的质量数)的离子种类的注入条件下，扫掠频率不能提高到超出这种限制。因此，与扫掠频率固定的情况相比，注入时间没有大的差别。不过，在离子束具有低的能量和轻(即小的质量数)的离子种类的注入条件下，如上所述，扫掠频率可以增大，从而减少最低扫描次数。由此，当涉及到各种注入条件(种类)时，总体上讲，与扫掠频率固定的情况相比，本发明可以提高设备的生产率。
此外，由于可以通过扫掠频率来适应注入条件，因此几乎不需要改变(其它)技术条件，诸如升高驱动放大器30的最大输出电压或者减小线圈1 3的电感L。即，不必改变与离子束的扫掠相关的装置。由此，可以容易地适应具有高的能量和重的离子种类的离子束。
下式表示离子束4的扫掠电流I和扫掠频率的上限F之间的关系。因此，采用这个关系，可以容易地计算扫掠频率。
 I∝{√(离子质量)×(能量)/离子价}∝F    [2]
作为一个实际的例子，为了适应通过人-机接口28设定的离子种类(具体地讲是质量数和离子价)和能量，通过将如表3中所示的参数表存储在离子注入控制装置26a中，根据参数表的各参数，可以有效地改变离子束4的扫掠频率和目标20的最低扫描次数。(表3)
离子质量数×能量/离子价2(AMU·Kev) ＜5000  5000-10000 ＞10000
扫掠频率(Hz) 300 200 100
扫描速度(cm/s) 20 20 20
最低扫描次数(次) 2 3 4
扫掠频率可以从三种模式的基础上增加，这样表3的参数表可以进一步细分。在处理具有较高能量的离子的情况下，只能添加低于100Hz的扫掠频率参数。
从前面的说明可以理解，根据本发明，由于离子束的扫掠频率可以根据要被扫掠的离子束的离子种类和能量中的至少一个参数而改变，即使离子束的离子种类和能量中的至少一个参数改变，离子束也可以在与离子束的扫掠相关的装置的能力范围内正常地被扫掠。因此，在不改变与离子束的扫掠相关的装置的情况下，具有多种能量和离子种类的离子束均可以正常地被扫掠。
另外，当要被扫掠的离子束能量较低和离子种类较轻时，它可以更容易地由扫掠磁体弯曲。因此，扫掠电流可以减小。相应地，扫掠频率可以提高。由此，为保证预定的注入均匀性，目标的最低扫描次数可以减少。相应地，注入时间可以缩短，从而提高设备的生产率。
尽管已经展示和描述了本发明的该优选实施例，但应当理解，这种公开是用于描绘之用途，并且在不脱离所附权利要求中限定的本发明的范围的情况下，还可以作出多种变化和修改。

Claims (2)

1.一种离子注入设备，包括：
一个扫掠磁体，用于在磁场的作用下在X方向上扫掠离子束；
一个扫描机构，用于在离子束的扫掠范围内，在垂直于所述X方向的Y方向上以机械方式扫描目标；和
一个注入控制装置，它根据离子束的离子种类和能量中的至少一个参数，改变要由所述扫掠磁体扫掠的离子束的扫掠频率，并且根据扫掠频率的变化，改变要由所述扫描机构扫描的目标的最低扫描次数。
2.一种离子注入方法，包括：
在磁场的作用下，由一个扫掠磁体在X方向上扫掠离子束；
在离子束的扫掠范围内，在垂直于所述X方向的Y方向上，由一个扫描机构以机械方式扫描目标；和
根据离子束的离子种类和能量中的至少一个参数，改变要扫掠的离子束的扫掠频率，并且根据扫掠频率的变化，改变要扫描的目标的最低扫描次数。
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GB (1) GB2359925B (zh)
TW (1) TW544711B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101410929B (zh) * 2006-03-27 2010-07-28 瓦里安半导体设备公司 具有可变扫描频率的离子植入机
CN101461028B (zh) * 2006-06-23 2010-09-29 瓦里安半导体设备公司 离子植入机的扫描图案

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3692999B2 (ja) 2001-10-26 2005-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法およびその装置
AU2003214435A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-27 Applied Materials, Inc. A method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method
JP4251453B2 (ja) * 2004-02-23 2009-04-08 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法
US6903350B1 (en) * 2004-06-10 2005-06-07 Axcelis Technologies, Inc. Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity
JP5289721B2 (ja) * 2007-04-10 2013-09-11 株式会社Ｓｅｎ イオン注入装置
JP5242937B2 (ja) * 2007-04-10 2013-07-24 株式会社Ｓｅｎ イオン注入装置及びイオン注入方法
US7586111B2 (en) * 2007-07-31 2009-09-08 Axcelis Technologies, Inc. Ion implanter having combined hybrid and double mechanical scan architecture
JP4471009B2 (ja) * 2008-02-12 2010-06-02 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法およびイオン注入装置
DE102013216857A1 (de) * 2013-08-19 2015-02-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Bearbeiten und/oder zum Beobachten eines Objekts sowie Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens
CN109192646B (zh) * 2018-09-11 2020-12-08 德淮半导体有限公司 离子植入机
CN112843497B (zh) * 2021-01-05 2022-09-16 中国科学院上海高等研究院 一种基于射频偏转腔技术的质子束流扫描装置及扫描方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH077658B2 (ja) * 1989-05-15 1995-01-30 日新電機株式会社 イオン注入装置
US5003183A (en) * 1989-05-15 1991-03-26 Nissin Electric Company, Limited Ion implantation apparatus and method of controlling the same
JP3358336B2 (ja) 1994-10-14 2002-12-16 日新電機株式会社 イオン注入装置における注入条件異常検出方法
JP3456318B2 (ja) 1995-08-11 2003-10-14 日新電機株式会社 ビーム走査波形整形方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101410929B (zh) * 2006-03-27 2010-07-28 瓦里安半导体设备公司 具有可变扫描频率的离子植入机
CN101461028B (zh) * 2006-06-23 2010-09-29 瓦里安半导体设备公司 离子植入机的扫描图案

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