CN101461028B - 离子植入机的扫描图案 - Google Patents

Abstract

一种离子植入机，包括离子束产生器，配置所述离子束产生器以产生离子束且向工件引导离子束，其中离子束与工件之间的相对运动在此工件的前表面上产生扫描图案。扫描图案在此工件的此前表面的至少一部分上具有振荡图案。

Description

离子植入机的扫描图案

技术领域

本发明是关于离子植入，特别是关于离子植入机的扫描图案。

背景技术

离子植入是用于引入会更改传导性的杂质至诸如半导体晶圆的工件中的标准技术。可在离子源中对所要杂质材料进行离子化，可使离子加速以形成具有指定能量的离子束，且可将离子束引导至晶圆的前表面处。射束中的高能离子穿透至半导体材料的主体中且嵌入半导体材料的晶格(crystalline lattice)中以形成具有所要传导性的区域。离子束可呈仅藉由射束扫描、仅藉由晶圆移动，或藉由射束扫描以及晶圆移动的组合所界定的扫描图案而分布在晶圆区上。

以特定深度以及密度(可为均一的深度以及密度)引入离子至晶圆中对于确保正在形成的半导体装置在规范内操作很重要。可能影响进入晶圆中的剂量的一因素为离子束电流(ion beam current)。然而，离子束电流可能具有大于所要射束电流与小于所要射束电流的意外瞬时波动，瞬时波动可不利地影响均一性需求。此等波动的量值以及持续时间有时可被称为离子束的“离子束杂讯”。

处理离子束杂讯的一有效方法为藉由共计(sum)为目标剂量的较小剂量水准的多次增量的施加来达成此目标剂量，以便“平均化”晶圆的前表面上每一位置处的离子束杂讯。因此，离子束电流中由于较小剂量水准的多次增量的施加中的每一者而产生的任何波动倾向于彼此抵消。举例而言，在晶圆的前表面上的特别位置处，离子束电流中大于所要射束电流的波动的总和倾向于抵消离子束电流中小于所要射束电流的总波动。因此，对于多次增量的施加中的每一者的较小剂量水准的总和可非常接近所要目标剂量。大体而言，此方法的效应随多次增量的施加相对于晶圆的前表面上的每一位置的增加而改良。

存在不同的公知方法用来增加离子束对晶圆的前表面的多次增量的施加或“接触”。举例而言，对于藉由射束扫描以及晶圆移动的组合而分布在晶圆的前表面上的离子束而言，某些公知方法包括增加藉由扫描离子束穿过晶圆的数目、减缓藉由扫描离子束移动晶圆的速度，以及增加扫描离子束的频率。虽然所有方法均有效，但可为给定的产率以及其他系统需求而最佳化此等公知方法。因此，某些方法可能不得不对在设定离子植入机期间所允许的可容许离子束杂讯的水准作出较严格的限制。此情形可引起较长的设定时间以及较低的产率。

公知的扫描图案(例如在一情况下藉由扫描离子束的相对运动以及藉由扫描离子束来移动晶圆的速度所产生的扫描图案)在离子束入射至晶圆上时具有离子束与晶圆之间的恒定相对运动方向。仅当射束行进超越晶圆的边缘时，相对运动才倒转方向。继续此过程，直至离子束得以分布于晶圆的所要前表面区上。因此，一旦增加离子束对晶圆的前表面的增量的施加或“接触”的数目的其他公知方法得以最佳化，则此公知扫描图案不能提供进一步增加对晶圆的增量的施加的数目以便减少离子束杂讯的影响的额外方法。

因此，此项技术中需要在工件的前表面上提供新扫描图案以便减少离子植入中离子束杂讯的影响的新的以及经改良的设备以及方法。

发明内容

根据本发明的第一态样，提供一种离子植入机。离子植入机包括配置为产生离子束的离子束产生器，以及扫描器。扫描器配置为在离子束入射至工件的前表面的至少一部分上时使离子束振荡。

根据本发明的另一态样，提供一种方法。方法包括产生离子束，以及在离子束入射于工件的前表面的至少一部分上时使离子束振荡。

根据本发明的又一态样，提供另一离子植入机。离子植入机包括离子束产生器，配置其以产生离子束且向工件引导离子束，其中离子束与工件之间的相对运动在此工件的前表面上产生扫描图案。扫描图案在此工件的此前表面的至少一部分上具有振荡图案。

附图说明

为更好地了解本发明，参看随附图式，图式以引用方式并入本文且其中：

图1为离子植入机的示意性方框图。

图2为图1的工件的前表面上的扫描图案的示意图。

图3为工件的前表面上的扫描图案的振荡图案的放大视图。

图4为具有扫描器的另一离子植入机的示意性方框图。

图5为可用作图4的扫描器的静电扫描器的示意图。

图6为图5的扫描信号产生器的一实施例的方框图。

图7为输入至图5的静电扫描器的一扫描电极的电压信号的曲线。

图8为工件的前表面上的另一扫描图案的示意性表示，此扫描图案回应离子束相对于工件的前表面的位置而变化。

图9为射束电流对时间的曲线。

图10为与本发明一致的另一扫描图案的示意图。

图11为与本发明一致的又一扫描图案的示意图。

100：离子植入机                      102：离子束产生器

108：前表面                          110：工件

112：压板                            114：终端站

116：驱动机构                        130：离子束/点射束

138：工件平面                        202：扫描图案

204：振荡图案                        304：振荡图案

305：点                              306：点

308：点                              310：点

372：部分                            400：离子植入机

404：扫描器/静电扫描器               404a：静电扫描器

406：角校正器磁体                    420：控制器

422：扫描信号产生器                  424：使用者介面系统

444：位置感测器                      448：射束电流感测器

502：扫描板                          504：扫描板

510：扫描放大器                      512：扫描放大器

526：间隙                            528：射束包络

602：第一周期信号产生器              604：第二周期信号产生器

606：第一周期信号                    608：第二周期信号

610：求和电路                        702：电压信号

802：扫描图案                        804：振荡图案

902：曲线                            904：射束电流

1002：扫描图案                       1004：振荡图案

1102：扫描图案                       1104：振荡图案

A1：第一振幅                          A2：第二振幅

f1：第一频率                          f2：第二频率

具体实施方式

图1说明离子植入机100的方框图，离子植入机100包括离子束产生器102以及终端站114。离子束产生器102可包括各种类型的组件以及系统以产生具有所要特性的离子束130。离子束130可为点射束且点射束可具有至少视离子束130的能量而定的横截面形状。离子束130亦可为具有大的宽度对高度比的带状射束。由离子束产生器102产生的离子束130可为任何类型的带电荷粒子束。

终端站114可具有压板112以在离子束130的路径中支撑一个或多个工件110，以使得所要种类的离子得以植入工件110中。在一实施例中，工件110可为半导体晶圆且在本文中可如此称呼。半导体晶圆可由任何类型的半导体材料(诸如硅)或任何其他材料来制造，所述材料将使用离子束130进行植入。晶圆可采用各种物理形状，诸如常见的圆盘形。

终端站114可包括工件驱动系统(未说明)以自固持区将工件110物理地移动至压板112以及自压板112物理地移动工件110。可使用已知技术(诸如静电夹持)而将工件110夹持至压板112。终端站114亦可包括驱动机构116以便以所要方法来驱动压板112且因此驱动该夹持至压板112的工件110。举例而言，驱动机构116可包括伺服驱动马达、螺杆驱动机构、机械连杆以及此项技术中已知的任何其他组件以提供所要的机械平移。

可以仅藉由射束扫描、仅藉由工件移动，或藉由射束扫描以及工件移动的组合所界定的扫描图案而将离子束130分布在工件110的前表面108上。为有助于解释，参考由工件110在其植入位置中所界定的工件平面138来界定坐标系统。坐标系统在工件平面138中具有处于经定位以供离子植入的工件110的中心的原点。X轴为水平的且在工件平面138中，Y轴为垂直的且在工件平面138中，且Z轴在离子束130的行进方向上与工件平面138垂直。为了说明的明确性，将图1的X、Y、Z坐标系统的原点定位于X方向上远离以上所界定的原点。

在一情况下，可以扫描图案将离子束130分布在工件110的前表面108上，所述扫描图案仅在扫描器(图1中未说明)在工件110得以固定在植入位置中时于X方向与Y方向上扫描离子束时藉由射束扫描予以界定。在另一情况下，扫描图案可由射束扫描以及工件移动的组合而予以界定。在此情况下，可在工件110于与第一平面正交的第二平面上得以驱动时藉由扫描器而在第一平面中扫描离子束130。在一实施例中，在平行于由X以及Z轴所界定的平面的水平平面中扫描离子束130，同时在由X以及Y轴所界定的垂直平面中驱动工件110。在又一情况下，可仅在离子束130保持静止且藉由驱动机构116在X以及Y方向上驱动工件110时，藉由工件移动来界定工件110的前表面108上的扫描图案。

转向图2，说明在下游Z方向上观察到的工件110的前表面108上的扫描图案202的示意图。如本文所使用，在离子束传输方向上参考“下游”以及“上游”。藉由参考指示符A-E来描绘扫描图案202。此等指示符A-E的每一个是指扫描图案202的区域，在所述区域中当离子束130未入射于工件110的前表面108上时离子束100关于工件而改变方向。各参考指示符A-E通常可形成可被称为经修正的“W”扫描的经修正的Z字形。为了说明的明确性，仅说明一个在Y方向上实质上扩展的经修正的“W”扫描。熟习此项技术者应了解，在离子束130对于工件110的前表面108的一穿过期间可出现大量经修正的“W”扫描。在一实施例中，对Y方向上每一0.635毫米(mm)的增量而言，一经修正的“W”扫描可越过工件四次(自参考指示符A-B、B-C、C-D，以及D-E)。

扫描图案202有利地在工件110的前表面108的至少一部分上具有振荡图案204。举例而言，当在参考指示符A与B之间相对于工件110而移动离子束130时，振荡图案204来回移动以使得离子束130与工件110之间的相对运动的方向在参考指示符A与B之间不恒定。振荡图案204可具有各种周期性形状，其包括(但不限于)图2的正弦形状。可藉由离子束130与工件110之间的相对运动来产生振荡图案204。此相对运动可仅由于射束扫描、仅由于工件移动，或由于射束扫描以及工件移动的组合而产生。振荡图案可与扫描图案同步或非同步。

转向图3，说明与本发明的实施例一致的一扫描图案的振荡图案304的放大视图。在工件110的前表面108的至少一部分上提供振荡图案304。振荡图案304可在沿着振荡图案304的不同点(例如点306、308)处来回倒转方向。可藉由诸如振幅以及频率的特性来界定振荡图案304。可藉由相对于工件的离子束方向上的倒转的长度来界定振幅，例如点306与308之间在X方向上的长度A。可藉由每秒来回振荡的数目来界定频率，例如，一周期可为离子束在点306与310之间移动所用的时间。

若离子束130在其撞击工件110的前表面108时为具有已知横截面面积(其可能由于空间电荷效应而在较低射束能量下变得愈来愈大)的点射束，则可修正振荡图案304的振荡的频率以及振幅，以增加可由离子束130“接触”工件的前表面的特别部分的次数。举例而言，在点射束130在点305与306之间、在点306与308之间，以及点308与310之间相对于工件移动时，可由点射束130“接触”工件110的前表面108的部分372三次。因此，相比于越过工件的相似维度而在离子射束与工件之间的相对运动具有恒定方向的公知的“W”扫描图案，在此实例中部分372的“接触”的数目增加到3倍。

转向图4，说明与本发明一致的离子植入机400的另一实施例。类似于图1的组件的图4的组件得以类似地标记且因此为明确起见本文省略任何重复描述。离子植入机400可包括扫描器404、扫描信号产生器422、角校正器磁体406、控制器420，以及使用者介面系统424。终端站114亦可包括射束电流感测器448以及位置感测器444。射束电流感测器448可提供表示离子束130的离子束电流的信号。可将来自射束电流感测器448的信号提供给控制器420。虽然射束电流感测器448可如所说明定位于自工件平面138的下游，但亦可定位于工件平面的上游。在一实施例中，如此项技术中已知，射束电流感测器448可为法拉第感测器(Faraday sensor)。位置感测器444可提供感测器信号，其表示工件110相对于离子束130的位置。尽管将位置感测器444说明为单独的组件，但位置感测器444可为诸如驱动机构116的其他系统的部分，且位置感测器可为诸如位置编码装置的此项技术中已知的任何类型的位置感测器。亦可将来自位置感测器444的位置信号提供给控制器420。

扫描器404可为静电扫描器或磁性扫描器。静电扫描器可包括定位于接近离子束处的至少一扫描电极。其他静电扫描器可具有一组或多组扫描电极，可隔开扫描电极以界定间隙，引导离子束穿过所述间隙。可藉由接近扫描电极的电场使离子束偏转。可回应藉由扫描信号产生器422提供给静电扫描器的至少一扫描电极的电压信号来产生电场。磁性扫描器可包括构成电磁体的磁极片以及线圈。可隔开磁极片以界定间隙。可引导离子束130穿过间隙且可藉由间隙中的磁场使离子束130偏转。可回应由扫描信号产生器422提供给磁性扫描器的线圈的电流扫描信号而产生电场。

扫描信号产生器422可提供多个扫描信号。在静电扫描器的情况下，扫描信号可为电压信号。在磁性扫描器的情况下，扫描信号可为电流信号。亦可藉由相关放大器放大此等信号。控制器420可控制由扫描信号产生器422提供的扫描信号。

角校正器磁体406可使离子束130的所要离子种类的离子偏转以将来自扫描器404的发散的离子束路径转换为几乎准直的离子束路径，其具有实质上平行的离子路径轨迹。

控制器420可接收来自离子植入机400的任何各种系统以及组件的输入数据以及指令且提供输出信号以控制离子植入机400的组件，诸如扫描器404。为说明的明确性，将控制器420说明为向离子束产生器102、扫描信号产生器422，以及终端站114提供输出信号。熟习此项技术者应了解，控制器420可向离子植入机400的每一组件提供输出信号以及自离子植入机400的每一组件接收输入信号。控制器420可为或可包括通用电脑或通用电脑的网路，其可经程序化以执行所要的输入/输出功能。控制器420亦可包括其他电子电路或组件，诸如特殊应用集成电路、其他固线式(hardwired)或可编程电子装置、离散元件电路等。控制器420亦可包括通信装置、数据储存装置，以及软件。

使用者介面系统424可包括(但不限于)诸如触摸式显示屏、键盘、使用者指标装置、显示器、打印机等装置以便允许使用者输入指令及/或数据及/或经由控制器420来监控离子植入机400。所要处方(recipes)包括(但不限于)可经由使用者介面系统424由使用者输入而植入的射束能量、射束电流、离子种类等。

在操作时，配置离子束产生器102以产生离子束130，且配置扫描器404以在至少一平面上使离子束130偏转或扫描离子束130。扫描器404亦配置为藉由在越过工件110的一维度扫描离子束时以振荡图案使离子束偏转而在离子束入射于工件110的前表面的至少一部分上时使离子束130振荡。在图4的实施例中，扫描器可在平行于由X以及Z轴所界定的平面的水平平面上扫描离子束，而在由X以及Y轴所界定的垂直平面上藉由驱动机构116来驱动工件110以将离子束分布于工件110的区域上。在此情况下，藉由扫描器404对离子束130的振荡可提供如至少图2以及3中所说明的振荡图案。

转向图5，说明可用作图4的扫描器404的静电扫描器404a的一实施例。此实施例的静电扫描器404a可具有一组扫描电极，扫描电极呈定位于离子束130的相反侧上的扫描板502、504的形式。其他静电扫描器可能不具有一组扫描电极，而是可能仅具有定位于接近离子束130处的一扫描电极。诸如定位于扫描板502、504的上游的预扫描电极以及定位于扫描板502、504的下游的后扫描电极的额外电极(图4中未说明)亦可能存在。

可隔开扫描板502、504以界定一间隙526。可引导离子束526穿过间隙526且离子束130的扇形射束包络528的宽度可在其穿过间隙526时增加。扫描板502可连接至扫描放大器510且扫描板504可连接至扫描放大器512。扫描放大器510、512可各自从扫描信号产生器422接收电压信号以控制离子束130的偏转。可藉由控制器420来控制扫描信号产生器422。

转向图6，说明图5的扫描信号产生器422的一实施例的方框图以便向每一扫描板502、504提供电压信号。回应电压信号，静电扫描器404藉由在离子束越过工件110的一维度而扫描时使离子束来回偏转而在离子束入射于工件110的前表面的至少一部分上时使离子束130振荡。

扫描信号产生器可包括第一周期信号产生器602以及第二周期信号产生器604。第一周期信号产生器602可产生具有第一振幅(A1)以及第一频率(f1)的第一周期信号606。第二周期信号产生器604可产生具有第二振幅(A2)以及第二频率(f2)的第二周期信号608。周期信号可具有任何形状且在图6的实施例中，第一周期信号606可具有锯齿形状而第二周期信号608可具有正弦波形状。求和电路610可对第一周期信号606以及第二周期信号608求和且将混合的电压信号输出至各别的扫描放大器(例如扫描放大器510)，扫描放大器进一步放大电压信号且将电压信号提供给各别扫描板。

图7说明可提供给扫描板502的例示性电压信号702的曲线。可将与图7的电压异相180度的以类似方式产生的电压信号提供给其他扫描板504，以使得当一板在一方向上“拉”离子束时，相对的板在同一方向上“推”离子束。亦可将电压信号702提供给仅具有一扫描电极的静电扫描器的一扫描电极。

电压信号702具有第一周期分量，其具有锯齿形状；以及添加至第一周期分量的第二周期分量，其具有正弦波形。锯齿信号可具有大于正弦波信号的峰至峰振幅的峰至峰振幅。锯齿信号亦可具有小于正弦波信号的频率。在一实施例中，锯齿信号的峰至峰振幅可为约10伏特而正弦波信号的峰至峰振幅可为1伏特。在此实施例中，锯齿信号的频率可为1千赫兹(kHz)而正弦波信号的频率可为10千赫兹(kHz)。诸如正弦波信号的第二周期信号的频率可选择为足够高以使得第二周期信号对控制器420为透明的。

亦使用对应于在图2中详述的振荡扫描图案202的参考指示符A-E的参考指示符A-E来标记电压信号702的曲线。因此扫描图案202的振荡图案204取决于第二周期分量，例如此实施例中的正弦波。

扫描器404可配置为以回应不同的参数而调整入射于工件110的前表面108的至少一部分上的离子束130的振荡特性。一参数可为离子束相对于工件110的前表面的位置。

转向图8，说明工件110的前表面上的另一扫描图案802的示意性表示，所述扫描图案回应离子束在工件的前表面上的位置而变化。扫描图案802配置为以对于大于对应于任何Y值的X1的X位置振荡。在一实例中，可藉由在平行于由X以及Z轴界定的平面的水平平面上扫描离子束130的扫描器404来产生扫描图案802，同时在由X以及Y轴界定的垂直平面上驱动工件。当扫描器404经过+X1位置而扫描离子束时，扫描器404可开始使离子束振荡以界定振荡图案804。当在负X方向上经过+X1位置而扫描离子束时，扫描器可停止使离子束振荡以产生扫描图案802。为提供此扫描图案802，控制器420可接收表示离子束相对于工件110的前表面的位置的信号且可回应所述信号而控制扫描信号产生器422。

在图8的实施例中，振荡图案804可存在或不回应离子束相对于工件的位置。在其他实施例中，可回应位置而将离子束的振荡的特性调整为不同水准。举例而言，可回应离子束相对于工件的不同位置而将振荡的振幅以及频率调整为不同水准。扫描器404亦可配置为回应离子束130的离子束电流的波动而调整入射于工件的前表面的至少一部分上的离子束130的振荡特性。

转向图9，说明离子束130的离子束电流对时间的曲线902。离子束电流的波动的量值以及持续时间有时可被称为离子束的“离子束杂讯”，且在某些情况下此等波动可高达所要射束电流904的+/-30％。射束电流感测器448可为定位于终端站114中的经设定的法拉第感测器且其可监控射束电流。射束电流感测器448可向控制器420提供诸如曲线902的表示射束电流的信号。作为回应，控制器420可控制扫描器404以调整离子束130的振荡的特性。对于具有高于不同临限值的离子束杂讯的离子束而言，扫描器404可配置为增加振荡的频率及/或振幅以便在所有其他参数相等的情况下增加藉由离子束“接触”工件110的一部分的次数。对于具有小于不同临限值的离子束杂讯的杂讯相对较少的离子束而言，扫描器404可配置为减少振荡器的频率及/或振幅及/或甚至完全去能(disable)此特征。

扫描器404亦可配置为回应离子束130的能量而调整入射于工件的前表面的至少一部分上的离子束130的振荡特性。射束的振荡的特性包括射束的振荡的频率以及振幅。在操作时，使用者可经由使用者介面系统424而输入特别的处方，其指定一具有特别能量水准的特别类型的离子束130。作为回应，控制器420可控制扫描器404在离子束入射于工件110的前表面上时提供对离子束的所要振荡。相比于由于已知的空间电荷效应而更倾向于射束“放大(blowup)”的较低能量离子束，可高度地聚焦较高能量的离子束。因此，对于更高度聚焦的离子束而言，可增加振荡图案的频率及/或振幅。

图10说明与本发明一致的具有振荡图案1004的另一扫描图案1002。相比于先前的扫描图案实施例，振荡图案1004可在离子束在参考指示符A、B以及C之间相对于工件110移动时在垂直Y方向上振荡。在一实施例中，可用具有两组扫描板(水平以及垂直扫描板)以在X以及Y方向上扫描离子束的扫描器来完成该扫描图案1002。当在X方向上扫描射束时，可在Y方向上驱动工件。垂直扫描板可接收电压信号以在垂直的Y方向上使扫描离子束振荡以提供振荡图案1004。为说明的明确性，尽管事实上扫描图案1002可越过工件许多次(例如在一情况下，对于Y方向上的每一0.635毫米(mm)的增量，扫描图案可越过工件四次)，但将扫描图案1002说明为仅越过工件两次。

图11说明与本发明一致的具有振荡图案1104的又一扫描图案1102。相比于图10的扫描图案，振荡图案1104可在离子束在参考指示符A、B以及C之间相对于工件110移动时在垂直Y方向与水平X方向上振荡。为说明的明确性，尽管事实上扫描图案1102可越过工件许多次(例如在一情况下，对于Y方向上的每一0.635毫米(mm)的增量，扫描图案可越过工件四次)，但将扫描图案1102说明为仅越过工件两次。

有利地，提供一种离子植入机，其中离子束与工件之间的相对运动产生扫描图案，扫描图案在此工件的此前表面的至少一部分上具有振荡图案。因此，在所有其他参数相等的情况下，工件的部分可较公知的扫描图案更频繁地被“接触”。此情形藉由提供对离子束杂讯的更佳平均来减少离子束杂讯的有害影响。对于某些应用而言，此情形可致能(enable)各种在设定为松弛的的离子束期间所允许的离子束杂讯的水准的较严格限制。因此，可达成较短的设定时间以及较高的产率。在所有其他参数(包括离子束杂讯)为相等的情况下，振荡扫描图案可藉由增加离子束“接触”工件上的特别位置的次数来改良均一性。对于移动该工件以经过该扫描离子束一较少次数时的高度聚焦的点射束以及低通植入而言，尤其如此。

此外，因相似的原因，当离子束入射于射束电流感测器上时，扫描离子束的振荡可改良射束电流感测器的准确性。举例而言，对于回应入射于法拉第感测器上的大量离子而产生电流读数的法拉第感测器而言，相比于公知的扫描图案，用入射于法拉第感测器上的振荡扫描图案而改良了电流读数的信号杂讯比。

如此描述本发明的至少一说明性实施例后，熟习此项技术者应想到各种更改、修改以及改良。此等更改、修改，以及改良意欲在本发明的范畴内。因此，前述描述仅作为实例且不意欲作为限制。

Claims (17)

1.一种离子植入机，其特征在于包含：

离子束产生器，配置其以产生离子束；以及

扫描器，配置其以在所述离子束入射于工件的前表面的至少一部分上时使所述离子束振荡，所述扫描器进一步配置为以回应所述离子束相对于所述工件的所述前表面的位置来使所述离子束振荡。

2.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述扫描器进一步配置为以回应所述离子束的能量来调整所述离子束的所述振荡的特性。

3.根据权利要求2所述的离子植入机，其特征在于，所述特性包含所述振荡的频率或振幅。

4.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述扫描器进一步配置为以回应所述离子束的离子束电流的波动来调整所述离子束的所述振荡的特性。

5.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述扫描器包含静电扫描器。

6.根据权利要求5所述的离子植入机，其特征在于，所述静电扫描器包含定位于接近所述离子束处的至少一扫描电极，其中所述静电扫描器进一步配置为以回应提供给所述至少一扫描电极的电压信号而在频率以及振幅上使所述离子束振荡。

7.根据权利要求1所述的离子植入机，其特征在于，所述扫描器进一步配置为以在第一平面上扫描所述离子束，且所述离子植入机更包含驱动机构，配置其以在与所述第一平面正交的第二平面上驱动所述工件，其中在所述工件的所述前表面上的所述离子束的扫描图案是随着在所述第一平面上扫描所述离子束且在所述第二平面上驱动所述工件而造成的所述离子束与所述工件的相对运动所提供的，所述扫描图案回应所述离子束的所述振荡而在所述工件的所述前表面的至少所述部分上具有振荡图案。

8.一种离子植入的方法，其特征在于包含：

产生离子束；以及

在所述离子束入射于工件的前表面的至少一部分上时使所述离子束振荡；

回应所述离子束相对于所述工件的所述前表面的位置来调整所述离子束的所述振荡的特性。

9.根据权利要求8所述的方法，其更包含回应所述离子束的能量来调整所述离子束的所述振荡的特性。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述特性包含所述离子束的所述振荡的频率或振幅。

11.根据权利要求8所述的方法，其更包含回应所述离子束的离子束电流的波动来调整所述离子束的所述振荡的特性。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述离子束的所述振荡为频率以及振幅上的振荡且所述方法更包含调整所述频率以及振幅。

13.根据权利要求8所述的方法，其更包含：

在第一平面上扫描所述离子束；

在与所述第一平面正交的第二平面上驱动所述工件，其中在所述工件的所述前表面上的所述离子束的扫描图案是随着在所述第一平面上扫描所述离子束且在所述第二平面上驱动所述工件而造成的所述离子束与所述工件的相对运动所提供的，所述扫描图案回应所述离子束的所述振荡而在所述工件的所述前表面的至少所述部分上具有振荡图案。

14.一种离子植入机，其包含：

离子束产生器，配置其以产生离子束以及向工件引导所述离子束，其中所述离子束与所述工件之间的相对运动在所述工件的前表面上产生扫描图案，所述扫描图案在所述工件的所述前表面的至少一部分上具有振荡图案；以及

扫描器，配置其以使所述离子束振荡以提供所述扫描图案的所述振荡图案，所述扫描器进一步配置为以回应所述离子束相对于所述工件的所述前表面的位置来使所述离子束振荡。

15.根据权利要求14所述的离子植入机，其特征在于，所述扫描器包含静电扫描器，所述静电扫描器具有定位于接近所述离子束处的至少一扫描电极，其中所述静电扫描器进一步配置为以回应提供给所述至少一扫描电极的电压信号来在频率以及振幅上使所述离子束振荡。

16.根据权利要求15所述的离子植入机，其特征在于，所述电压信号包含第一周期分量以及第二周期分量，所述第一周期分量具有第一峰至峰振幅以及第一频率且所述第二周期分量具有第二峰至峰振幅以及第二频率，所述第二峰至峰振幅小于所述第一峰至峰振幅且所述第二频率大于所述第一频率，其中所述扫描图案的所述振荡图案取决于所述第二周期分量。

17.根据权利要求16所述的离子植入机，其特征在于，所述第一峰至峰振幅为10伏特，所述第一频率为1千赫兹(kHz)，所述第二峰至峰振幅为1伏特，且所述第二频率为10千赫兹。

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