JP2015144252A - プリント回路配線の修復 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】材料堆積の方法は、対向する第1及び第2の面と第2の面上に形成されるドナーフィルム58とを有するトランスペアレントなドナー基板56を提供する段階を含む。ドナーフィルム58は厚みδ及び熱拡散率αを有し、熱拡散時間τ=(δ2/4α)により特徴づけられる。ドナー基板56は、アクセプタ基板22に近接し、第2の面をアクセプタ基板22に向けて、位置決めされる。ドナーフィルム58の熱拡散時間の2倍以下のパルス時間を有するレーザ放射の複数のパルスが向けられて、ドナー基板56の第1の面に通し、ドナーフィルム上に衝突して、アクセプタ基板上にドナーフィルム58からの溶融物質の複数の液滴の放出を誘導する。
【選択図】図2
Description
本出願は、2013年12月15日に出願された米国仮特許出願61/916,233の利益を主張する。本出願は、2010年2月7日に出願されたPCT特許出願PCT/IL2010/000106の国内段階において、2011年7月26日に出願された米国特許出願13/146,200の一部継続でもある。これらの関連出願のすべてが、参照により本明細書に組み込まれる。
レーザ直接描画(LDW)技術において、レーザビームは、制御された物質の除去又は堆積により、空間的に分解された3次元構造を用いてパターン化された表面を生成するために使用される。レーザ誘起前方転写(LIFT)は、表面上にマイクロパターンを堆積するのに適用できるLDW技術である。
Claims (88)
- 材料堆積の方法であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されるドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を提供する段階であり、前記ドナーフィルムは厚みδ及び熱拡散率αを有し、熱拡散時間τ=(δ2/4α)により特徴づけられる、段階と、
前記ドナー基板を、アクセプタ基板に近接し、前記第2の面を前記アクセプタ基板に向けて、位置決めする段階と、
前記ドナーフィルムの前記熱拡散時間の2倍以下のパルス時間を有するレーザ放射の複数のパルス(複数のレーザパルス)を向ける段階であり、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記アクセプタ基板上に前記ドナーフィルムからの溶融物質の複数の液滴の放出を誘導する、段階と、
を備える方法。 - 前記ドナーフィルムは、金属を含む、請求項1に記載の方法。
- δ≦1μmであり、前記複数のレーザパルスの前記パルス時間は5ナノ秒未満である、請求項2に記載の方法。
- 前記複数のレーザパルスの前記パルス時間は2ナノ秒未満である、請求項3に記載の方法。
- 前記複数のパルスを向ける段階は、前記複数の液滴の前記アクセプタ基板への付着を促進するように選択された第1パルスエネルギで、前記レーザ放射の複数の第1パルスを向け、それにより、前記レーザ放射の複数の第2のパルスを向ける段階に続いて、前記第1パルスエネルギより大きい第2パルスエネルギで、前記アクセプタ基板上に初期金属層を形成して、前記複数の液滴が前記初期金属層の上に前記金属を積み上げる段階を含む、請求項2から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アクセプタ基板は、プリント回路基板であり、前記複数のパルスを向ける段階は、前記プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を修復するように、前記金属の堆積を誘導する段階を含む、請求項2から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記パルス時間は、前記ドナーフィルムの前記熱拡散時間より短いまたは等しい、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドナー基板は、前記第2の面を前記アクセプタ基板から少なくとも0.1mm離して位置決めされるとともに、前記レーザ放射の前記複数のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドナー基板は、前記アクセプタ基板から少なくとも0.2mm離れて前記第2の面に位置決めされるとともに、前記レーザ放射の前記複数のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項8に記載の方法。
- 前記複数のパルスを向ける段階は、前記レーザ放射をフォーカスして、前記ドナーフィルムの前記厚みδの少なくとも10倍であるビームスポットサイズで前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レーザ放射の前記複数のパルスを向ける段階は、前記レーザ放射を前記ドナーフィルムに加えて、前記アクセプタ基板の標的領域をカバーする複数の液滴のアレイの前記放出を引き起こす段階を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 材料堆積の方法であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されるドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を提供する段階であり、前記ドナーフィルムは金属を含む、段階と、
前記ドナー基板をアクセプタ基板に近接して、前記第2の面を前記アクセプタ基板に向け、前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板との間に少なくとも0.1mmのギャップを設けて、位置決めする段階と、
レーザ放射の複数のパルスを向ける段階であり、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記アクセプタ基板上に前記ギャップを介して前記ドナーフィルムからの前記金属の複数の溶滴の放出を誘導する、段階と、
を備える方法。 - 前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板との間の前記ギャップは、少なくとも0.5mmであるとともに、前記レーザ放射の前記複数のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項12に記載の方法。
- 前記アクセプタ基板はプリント回路基板であり、前記複数のパルスを向ける段階は、前記プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を修復するように、前記金属の堆積を誘導する段階を含む、請求項13に記載の方法。
- 回路修復の方法であって、
プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を識別する段階と、
前記プリント回路基板上の前記欠陥のサイトを前処理するためにレーザビームを向ける段階と、
前記サイトの前処理の後、対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて金属を含むドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を、前記欠陥の前記サイトに近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする段階と、
レーザ放射の複数のパルスを向ける段階であり、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記サイトに前記ドナーフィルムからの複数の溶滴の放出を誘導し、それにより前記欠陥を修復する、段階と、
を備える方法。 - 前記レーザビームを向ける段階は、前記サイトからレーザアブレーションにより金属を取り除く段階を含む、請求項15に記載の方法。
- 前記欠陥は、前記導電配線内の裂け目を含み、前記金属を取り除く段階は、前記裂け目に隣接する前記導電配線のエッジを前成形する段階を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記エッジを前成形する段階は、前記導電配線を、前記導電配線の前記エッジを前記裂け目に向けて傾けさせるように、アブレーションする段階を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記導電配線をアブレーションする段階は、前記導電配線内に階段スロープを形成する段階を含む、請求項18に記載の方法。
- 前記エッジを前成形する段階は、前記導電配線内の複数のトレンチを、前記導電配線への前記複数の溶滴の付着を促進するよう、アブレーションする段階を含む、請求項17から19のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レーザ放射の前記複数のパルスを向ける段階は、前成形された前記エッジを上に越えて延在するように、前記導電配線の上に前記複数の溶滴を堆積する段階を含む、請求項17から20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レーザ放射の前記複数のパルスを向ける段階は、前記導電配線のプロファイルに一致するパッチを前記サイト内に形成するよう、前記導電配線の上に前記複数の溶滴を堆積する段階を含む、請求項17から21のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レーザビームを向ける段階は、前記サイトの近傍の前記基板を粗くし、それにより前記基板への前記複数の溶滴の付着を促進するよう、前記プリント回路基板の基板の上に前記レーザビームを走査する、請求項15から22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レーザビームを走査する段階は、前記基板内に複数の穴のパターンを形成する段階を含む、請求項23に記載の方法。
- 前記複数の穴の前記パターンは、非直線である、請求項24に記載の方法。
- 前記レーザビームを向ける段階は、前記導電配線への前記複数の溶滴の付着を促進するよう、前記レーザビームを用いて、前記サイトの近傍の前記導電配線から酸化物層をアブレーションする段階を含む、請求項15から25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記欠陥を修復する段階は、前記導電配線内にパッチを形成する段階を含み、前記方法は、前記欠陥を修復する段階の後、前記パッチを後処理するために前記レーザビームを向ける段階を備える、請求項15から26のいずれか一項に記載の方法。
- 回路修復の方法であって、
プリント回路基板上の導電配線内の欠陥のサイトを識別する段階と、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて金属を含むドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を、前記プリント回路基板に近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする段階と、
レーザ放射の複数の第1のパルスを、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記欠陥の前記サイト上に前記ドナーフィルムからの複数の第1の溶滴の放出を誘導するよう向ける段階であり、前記複数の第1のパルスは、前記プリント回路基板の基板への前記複数の第1の溶滴の付着を促進して、それにより前記サイトで前記基板上に初期金属層を形成するよう選択された第1パルスエネルギを有する、段階と、
前記レーザ放射の複数の第2のパルスを向ける段階であり、前記第1パルスエネルギより大きい第2パルスエネルギで、前記ドナー基板の前記第1の面を通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記ドナーフィルムから前記初期金属層への複数の第2の溶滴の放出を誘導し、それにより前記欠陥を修復する、段階と、
を備える方法。 - 前記ドナー基板は、前記第2の面を前記プリント回路基板から少なくとも0.1mm離して位置決めされるとともに、前記レーザ放射の前記複数の第1のパルス及び前記複数の第2のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項28に記載の方法。
- 前記複数の第2のパルスを向ける段階の後、前記欠陥を修復する前記金属をアニールするよう、前記複数の第2の溶滴を再溶融するためにレーザビームを向ける段階を備える、請求項28または29に記載の方法。
- レーザビームを、前記ドナーフィルムと前記プリント回路基板との間を飛ぶ前記複数の第2の溶滴を加熱するために向ける段階を備える、請求項28から30のいずれか一項に記載の方法。
- 回路修復の方法であって、
プリント回路基板上の第1の金属材料を有する導電配線内の欠陥のサイトを識別する段階と、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて、前記第1の金属材料より高いガルバニー電位を有し、第2の金属材料を有するドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を、前記欠陥の前記サイトに近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする段階と、
レーザ放射の複数のパルスを向ける段階であり、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記欠陥の前記サイト上に前記ドナーフィルムからの前記第2の金属材料の複数の溶滴の放出を誘導し、それにより前記欠陥を修復するとともにガルバニック腐食を防止する、段階と、
を備える方法。 - 前記第1の金属材料は銅を含み、前記第2の金属材料は銅合金を含む、請求項32に記載の方法。
- 犠牲金属層を前記欠陥の前記サイトで前記第2の金属材料の上に堆積する段階を備え、前記犠牲金属層は前記第2の金属材料より低いガルバニーポテンシャルを有する、請求項32または33に記載の方法。
- 回路修復の方法であって、
プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を識別する段階と、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて、金属を有するドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を、前記欠陥のサイトに近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする段階と、
レーザ放射の複数のパルスを向ける段階であり、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記欠陥の前記サイト上に前記ドナーフィルムからの複数の溶滴の放出を誘導し、それにより金属パッチを形成して前記欠陥を修復する、段階と、
前記金属パッチを形成する段階の後、前記欠陥の前記サイトを後処理するためにレーザビームを向ける段階と、
を備える方法。 - 前記導電配線は、所定の3次元プロファイル(3Dプロファイル)を有し、前記レーザビームを向ける段階は、前記パッチを前記導電配線の前記3Dプロファイルに一致させるよう前記サイトから材料をアブレーションする段階を含む、請求項35に記載の方法。
- 前記材料をアブレーションする段階は、前記パッチの表層を酸化するよう選択された第1エネルギレベルで複数の第1のレーザパルスと、酸化された前記表層を除去するよう選択された、前記第1エネルギレベルよりも大きい第2エネルギレベルを有する複数の第2レーザパルスとを、前記パッチから前記材料を取り除くよう交互に、連続的に加える段階を含む、請求項36に記載の方法。
- 前記レーザビームを向ける段階は、前記材料をアブレーションする前及び後に前記パッチの形状を監視するために、前記パッチの3D画像を形成する段階を含む、請求項36または37に記載の方法。
- 前記導電配線は、複数の第1の横方向の寸法を有し、前記レーザ放射の前記複数のパルスを向ける段階は、前記導電配線の対応する第1の横方向の寸法より大きい第2の横方向の寸法を有するように前記パッチを形成する段階を含み、前記材料をアブレーションする段階は、前記パッチの前記第2の横方向の寸法を減じる段階を含む、請求項36から38のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の横方向の寸法は、高さ寸法及び幅寸法のうちの少なくとも1つを有する、請求項39に記載の方法。
- 前記レーザビームを向ける段階は、前記金属パッチをアニールする複数のレーザパルスを加える段階を含む、請求項35から40のいずれか一項に記載の方法。
- 回路修復の方法であって、
プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を識別する段階と、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて、金属を有するドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板を、標的領域に近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする段階と、
レーザ放射の複数のパルスを向ける段階であり、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上に前記ドナーフィルムからの複数の溶滴の2次元アレイの放出を誘導し、それにより前記標的領域をカバーする、段階と、
を備える方法。 - 前記レーザ放射の前記複数のパルスを向ける段階は、前記アレイ内の前記複数の溶滴の空間密度を設定することにより、前記標的領域の範囲の厚みを制御する段階を含む、請求項42に記載の方法。
- レーザ放射の前記複数のパルスを向ける段階は、六角形状のパターン内の前記標的領域上に前記複数の溶滴をプリントする段階を含む、請求項42または43に記載の方法。
- 材料堆積の装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されるドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板であり、前記ドナーフィルムは厚みδ及び熱拡散率αを有し、熱拡散時間τ=(δ2/4α)により特徴づけられる、ドナー基板と、
前記ドナー基板を、アクセプタ基板に近接し、前記第2の面を前記アクセプタ基板に向けて、位置決めする位置決めアセンブリと、
前記ドナーフィルムの前記熱拡散時間の2倍以下のパルス時間を有するレーザ放射の複数のパルス(複数のレーザパルス)を向け、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記アクセプタ基板上に前記ドナーフィルムからの溶融物質の複数の液滴の放出を誘導する、光学アセンブリと、
を備える装置。 - 前記ドナーフィルムは、金属を含む、請求項45に記載の装置。
- δ≦1μmであり、前記複数のレーザパルスの前記パルス時間は5ナノ秒未満である、請求項46に記載の装置。
- 前記複数のレーザパルスの前記パルス時間は2ナノ秒未満である、請求項47に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記複数の液滴の前記アクセプタ基板への付着を促進するように選択された第1パルスエネルギで、前記レーザ放射の複数の第1パルスを向け、前記ドナーフィルム上に衝突し、それにより、前記レーザ放射の複数の第2のパルスを向ける段階に続いて、前記第1パルスエネルギより大きい第2パルスエネルギで、前記アクセプタ基板上に初期金属層を形成して、前記複数の液滴が前記初期金属層の上に前記金属を積み上げる段階を含む、請求項46から48のいずれか一項に記載の装置。
- 前記アクセプタ基板は、プリント回路基板であり、前記光学アセンブリは、前記プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を修復するために、前記金属の堆積を誘導するよう前記複数のパルスを向ける、請求項46から49のいずれか一項に記載の装置。
- 前記パルス時間は、前記ドナーフィルムの前記熱拡散時間より短いまたは等しい、請求項45から50のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ドナー基板は、前記第2の面を前記アクセプタ基板から少なくとも0.1mm離して位置決めされるとともに、前記レーザ放射の前記複数のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項45から51のいずれか一項に記載の装置。
- 前記ドナー基板は、前記第2の面を前記アクセプタ基板から少なくとも0.2mm離して位置決めされるとともに、前記レーザ放射の前記複数のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項52に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記レーザ放射をフォーカスして、前記ドナーフィルムの前記厚みδの少なくとも10倍であるビームスポットサイズで前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項45から53のいずれか一項に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記レーザ放射を前記ドナーフィルムに加えて、前記アクセプタ基板の標的領域をカバーする複数の液滴のアレイの前記放出を引き起こす、請求項45から54のいずれか一項に記載の装置。
- 材料堆積の装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されるドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板であり、前記ドナーフィルムは金属を含む、ドナー基板と、
前記ドナー基板をアクセプタ基板に近接して、前記第2の面を前記アクセプタ基板に向け、前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板との間に少なくとも0.1mmのギャップを設けて、位置決めする位置決めアセンブリと、
レーザ放射の複数のパルスを向けて、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記アクセプタ基板上に前記ギャップを介して前記ドナーフィルムからの前記金属の複数の溶滴の放出を誘導する、光学アセンブリと、
を備える装置。 - 前記ドナーフィルムと前記アクセプタ基板との間の前記ギャップは、少なくとも0.5mmであるとともに、前記レーザ放射の前記複数のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項56に記載の装置。
- 前記アクセプタ基板はプリント回路基板であり、前記光学アセンブリは、前記プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を修復するために、前記金属の堆積を誘導するよう前記複数のパルスを向ける、請求項56または57に記載の装置。
- 回路修復の装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて金属を含むドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板と、
前記ドナー基板を、プリント回路基板上の導電配線内の欠陥のサイトに近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする位置決めアセンブリと、
レーザビームを向けて、前記プリント回路基板上の前記欠陥の前記サイト上に衝突して、前記サイトを前処理し、その後、レーザ放射の複数のパルスを向けて、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記サイト上に前記ドナーフィルムからの複数の溶滴の放出を誘導し、それにより前記欠陥を修復する光学アセンブリと、
を備える装置。 - 前記サイトを前処理することは、前記サイトからレーザアブレーションにより金属を取り除くことを含む、請求項59に記載の装置。
- 前記欠陥は、前記導電配線内の裂け目を含み、前記サイトを前処理することは、前記裂け目に隣接する前記導電配線のエッジを前成形することを含む、請求項60に記載の装置。
- 前記エッジを前成形することは、前記導電配線を、前記導電配線の前記エッジを前記裂け目に向けて傾けさせるように、アブレーションすることを含む、請求項61に記載の装置。
- 前記導電配線をアブレーションすることは、前記導電配線内に階段スロープを形成することを含む、請求項62に記載の装置。
- 前記エッジを前成形することは、前記導電配線内の複数のトレンチを、前記導電配線への前記複数の溶滴の付着を促進するよう、アブレーションすることを含む、請求項61から63のいずれか一項に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記レーザビームを向けて、前記前成形されたエッジを上に越えて延在するように、前記導電配線の上に前記複数の溶滴の堆積を誘導する、請求項61から64のいずれか一項に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記レーザビームを向けて、前記導電配線のプロファイルに一致するパッチを前記サイト内に形成するよう、前記導電配線の上に前記複数の溶滴の堆積を誘導する、請求項61から65のいずれか一項に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記サイトの近傍の前記基板を粗くし、それにより前記基板への前記複数の溶滴の付着を促進するよう、前記プリント回路基板の基板の上に前記レーザビームを走査する、請求項59から66のいずれか一項に記載の装置。
- 前記レーザビームは、前記基板内に複数の穴のパターンを形成するよう操作される、請求項67に記載の装置。
- 前記複数の穴の前記パターンは、非直線である、請求項68に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記レーザビームを向けて、前記導電配線への前記複数の溶滴の付着を促進するよう、前記サイトの近傍の前記導電配線から酸化物層を除去する、請求項59から69のいずれか一項に記載の装置。
- 前記欠陥を修復することは、前記導電配線内にパッチを形成することを含み、前記光学アセンブリは、前記欠陥を修復した後、前記パッチを後処理するために前記レーザビームを向ける、請求項59から70のいずれか一項に記載の装置。
- 回路修復の装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて金属を含むドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板と、
前記ドナー基板を、プリント回路基板に近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする位置決めアセンブリと、
レーザ放射の複数の第1のパルスを、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の欠陥のサイト上に前記ドナーフィルムからの複数の第1の溶滴の放出を誘導するよう向ける光学アセンブリであり、前記複数の第1のパルスは、前記プリント回路基板の基板への前記複数の第1の溶滴の付着を促進して、それにより前記サイトで前記基板上に初期金属層を形成するよう選択された第1パルスエネルギを有する、光学アセンブリと、を備え、
前記光学アセンブリは、前記レーザ放射の複数の第2のパルスを、前記第1パルスエネルギより大きい第2パルスエネルギで、前記ドナー基板の前記第1の面を通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記ドナーフィルムから前記初期金属層への複数の第2の溶滴の放出を誘導し、それにより前記欠陥を修復するよう向ける、装置。 - 前記ドナー基板は、前記第2の面を前記プリント回路基板から少なくとも0.1mm離して位置決めされるとともに、前記レーザ放射の前記第1及び第2のパルスは、前記ドナーフィルム上に衝突する、請求項72に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記複数の第2のパルスを向けた後、前記欠陥を修復する前記金属をアニールするよう、前記複数の第2の溶滴を再溶融するためにレーザビームを向ける、請求項72または73に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、レーザビームを、前記ドナーフィルムと前記プリント回路基板との間を飛ぶ前記複数の第2の溶滴を加熱するために向ける、請求項72から74のいずれか一項に記載の装置。
- プリント回路基板上の第1の金属材料を含む導電配線内の欠陥を修復する装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて、前記第1の金属材料より高いガルバニー電位を有し、第2の金属材料を有するドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板と、
前記ドナー基板を、前記欠陥のサイトに近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする位置決めアセンブリと、
レーザ放射の複数のパルスを向けて、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記欠陥の前記サイト上に前記ドナーフィルムからの前記第2の金属材料の複数の溶滴の放出を誘導し、それにより前記欠陥を修復するとともにガルバニック腐食を防止する、光学アセンブリと、
を備える装置。 - 前記第1の金属材料は銅を含み、前記第2の金属材料は銅合金を含む、請求項76に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記欠陥の前記サイトで前記第2の金属材料の上への犠牲金属層の堆積を誘導し、前記犠牲金属層は前記第2の金属材料より低いガルバニーポテンシャルを有する、請求項76または77に記載の装置。
- 回路修復の装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて、金属を有するドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板と、
前記ドナー基板を、プリント回路基板上の導電配線内の欠陥のサイトに近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする位置決めアセンブリと、
レーザ放射の複数のパルスを向けて、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上の前記欠陥の前記サイト上に前記ドナーフィルムからの複数の溶滴の放出を誘導し、それにより金属パッチを形成して前記欠陥を修復し、さらに、前記金属パッチを形成した後、前記欠陥の前記サイトを後処理するためにレーザビームを向ける、光学アセンブリと、
を備える装置。 - 前記導電配線は、所定の3次元プロファイル(3Dプロファイル)を有し、前記サイトを後処理することは、前記パッチを前記導電配線の前記3Dプロファイルに一致させるよう前記レーザビームを用いて前記サイトから材料をアブレーションすることを含む、請求項79に記載の装置。
- 前記材料をアブレーションすることは、前記パッチの表層を酸化するよう選択された第1エネルギレベルで複数の第1のレーザパルスと、酸化された前記表層を除去するよう選択された、前記第1エネルギレベルよりも大きい第2エネルギレベルを有する複数の第2レーザパルスとを、前記パッチから前記材料を取り除くよう交互に、連続的に加えることを含む、請求項80に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、前記材料をアブレーションする前及び後に前記パッチの形状を監視するために、前記パッチの3D画像を形成する、請求項80または81に記載の装置。
- 前記導電配線は、複数の第1の横方向の寸法を有し、前記光学アセンブリは、レーザ放射の前記複数のパルスを向けて、前記導電配線の対応する第1の横方向の寸法より大きい第2の横方向の寸法を有するように前記パッチを形成し、前記材料をアブレーションすることは、前記パッチの前記第2の横方向の寸法を減じることを含む、請求項80から82のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第2の横方向の寸法は、高さ寸法及び幅寸法のうちの少なくとも1つを有する、請求項83に記載の装置。
- 前記サイトを後処理することは、前記金属パッチをアニールする前記レーザビームを加えることを含む、請求項79から84のいずれか一項に記載の装置。
- プリント回路基板上の導電配線内の欠陥を修復する装置であって、
対向する第1及び第2の面と前記第2の面上に形成されて、金属を有するドナーフィルムとを有するトランスペアレントなドナー基板と、
前記ドナー基板を、標的領域に近接して、前記第2の面を前記プリント回路基板に向けて位置決めする位置決めアセンブリと、
レーザ放射の複数のパルスを向けて、前記ドナー基板の前記第1の面に通し、前記ドナーフィルム上に衝突して、前記プリント回路基板上に前記ドナーフィルムからの複数の溶滴の2次元アレイの放出を誘導し、それにより前記標的領域をカバーする光学アセンブリと、
を備える装置。 - 前記光学アセンブリは、前記アレイ内の前記複数の溶滴の空間密度を変更して、前記標的領域の範囲の厚みを制御する、請求項86に記載の装置。
- 前記光学アセンブリは、六角形状のパターン内の前記標的領域上に前記複数の溶滴をプリントする、請求項86または87に記載の装置。
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