JP2015144230A - エッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】硝酸と、含フッ素化合物と、窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bとを含有するエッチング液。
【選択図】なし
Description
半導体の製造工程は、それ自体多岐にわたる。例えば、CVD等による金属含有層の形成、レジスト膜の付与、フォトリソグラフィー、金属含有層のエッチング、ポリッシング、残渣の洗浄などが挙げられる。中でも、化学に関する技術を必要とする工程として、薬液を利用したウエットエッチングが挙げられる。具体的には、各工程で形成されるシリコン、ゲルマニウム、チタン、タングステン、コバルト、これらの複合化合物など、さまざまな金属やその複合化合物に適合したエッチング液を処方し、その除去に対応することが望まれる。一方で、エッチングの際に露出している部材で、そのまま残すものは、除去せずに損傷を与えない、エッチングの選択性が求められることもある。
そこで、本発明は、エッチング後の表面荒れを抑えつつ、チタン含有層とシリコン含有層とをともに適度に(好ましくは高い選択性で)除去することができるエッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品および半導体素子の製造方法の提供を目的とする。また、必要により、シリコン含有層のエッチング速度を過度に低下させずに、チタン含有層とシリコン含有層とのエッチング速度比(η)を適宜に制御しながら変化させることができるエッチング液およびそのキット、これらを用いたエッチング方法、半導体基板製品の製造方法および半導体素子の製造方法の提供を目的とする。
〔1〕硝酸と、含フッ素化合物と、窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bとを含有するエッチング液。
〔2〕上記含窒素有機化合物の分子量が100〜20,000である〔1〕に記載のエッチング液。
〔3〕上記含窒素有機化合物の分子量が1,000以上20,000以下である〔1〕または〔2〕に記載のエッチング液。
〔4〕上記含フッ素化合物100質量部に対して、上記含窒素有機化合物を0.01質量部以上25質量部以下で含有させた〔1〕〜〔3〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔5〕上記含窒素有機化合物の濃度が0.0001質量%〜5質量%である〔1〕〜〔4〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔6〕上記含窒素有機化合物が下記式a−1〜a−8のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または下記式bで表される化合物である〔1〕〜〔5〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
Rc 2N−[Ld−N(Rc)]m−Ld−NRc 2 ・・・ b
式中、Rcは、上記と同様である。mは0以上の整数を表す。Ldは、アルキレン基、カルボニル基、イミノ基、アリーレン基、ヘテロ環基、またはそれらの組合せを表す。複数のRc、Ldは、互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のRc、Ldは互いに結合して環を形成していてもよい。
〔7〕上記含窒素有機化合物が、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリビニルイミダゾール、ポリヘキサジメトリン、ポリ(4−ビニルピリジン)、ポリヒスチジン、ポリアルギニン、ポリジメチルジアリルアンモニウム、ポリリシン、ポリオルニチン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ポリジアリルアミンである、あるいは、リン含有化合物が、リン酸、ホスホン酸、フェニルホスホン酸、ドデシルリン酸、1−ヒドロキエタン−1,1−ビス(ホスホン酸)、二リン酸である〔1〕〜〔6〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔8〕上記リン含有化合物が下記式B1またはB2で表される化合物である〔1〕〜〔7〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔9〕上記リン含有化合物の濃度が0.0001質量%〜5質量%である〔1〕〜〔8〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔10〕上記含フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロケイ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウム、およびヘキサフルオロケイ酸アンモニウムからなる群より選ばれる〔1〕〜〔9〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔11〕上記硝酸の濃度が10質量%〜95質量%である〔1〕〜〔10〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔12〕上記含フッ素化合物の濃度が0.001質量%〜10質量%である〔1〕〜〔11〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔13〕チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができる〔1〕〜〔12〕のいずれか1つに記載のエッチング液。
〔14〕上記チタン含有層のエッチング速度で上記シリコン含有層のエッチング速度を除した比率を、1000〜0.1の範囲で調整することができる〔13〕に記載のエッチング液。
〔15〕上記エッチング速度の比率を、下記の手段a〜dのいずれかまたはそれらの組合せで調整することができる〔14〕に記載のエッチング液。
a:含窒素有機化合物の分子量を高めることでエッチング速度比を高める
b:含窒素有機化合物またはリン含有化合物の濃度を高めることでエッチング速度比を高める
c:含フッ素化合物の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める
d:硝酸の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める
〔16〕硝酸を含有する第1液と、含フッ素化合物と窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bとを含有する第2液とを組み合わせたエッチング液のキット。
〔17〕〔1〕〜〔15〕のいずれか1つに記載のエッチング液を、チタン含有層およびシリコン含有層に接触させて上記チタン含有層およびシリコン含有層の除去を行うエッチング方法。
〔18〕上記シリコン含有層が多結晶シリコンを含有する層またはアモルファスシリコンを含有する層である〔17〕に記載のエッチング方法。
〔19〕上記チタン含有層が窒化チタンを含有する層である〔17〕または〔18〕に記載のエッチング方法。
〔20〕上記チタン含有層のエッチング速度で上記シリコン含有層のエッチング速度を除した比率を、1000〜0.1の範囲で調整する〔17〕〜〔19〕のいずれか1つに記載のエッチング方法。
〔21〕上記エッチング速度の比率を、下記の手段a〜dのいずれかまたはそれらの組合せで調整する〔20〕に記載のエッチング方法。
a:含窒素有機化合物の分子量を高めることでエッチング速度比を高める
b:含窒素有機化合物またはリン含有化合物の濃度を高めることでエッチング速度比を高める
c:含フッ素化合物の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める
d:硝酸の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める
〔22〕〔17〕〜〔21〕のいずれか1つに記載のエッチング方法によりチタン含有層およびシリコン含有層を除去する工程を介して製造する半導体基板製品の製造方法。
〔23〕〔22〕に記載の半導体基板製品の製造方法を介して製造する半導体素子の製造方法。
本発明のエッチング液は、硝酸と、含フッ素化合物と、特定添加剤(含窒素有機化合物A、リン含有化合物B)とを含有する。その好ましい実施形態について以下に説明する。
硝酸は、本実施形態のエッチング液の全質量に対して、10質量%以上含有させることが好ましく、20質量%以上が好ましく、30質量%以上含有させることが特に好ましい。上限としては95質量%以下であることが好ましく、90質量%以下がより好ましく、80質量%以下がさらに好ましく、70質量%以下が特に好ましい。上記上限値以下が、実質的であり、上記下限値以上とすることで必要なシリコン含有層の溶解速度を得られるため好ましい。
本発明において含フッ素化合物はフッ素を分子内に有していれば特に限定されないが、なかでも水中で解離してフッ素イオンを放出するものが好ましい。具体的にはフッ化水素酸(フッ酸)、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロケイ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウム、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウムが挙げられる。カウンターイオンとしてアンモニウム以外のカチオン、例えばテトラメチルアンモニウム等を使用してもよい。
含フッ素化合物の濃度は、本実施形態のエッチング液の全質量に対して、0.001質量%以上が好ましく、0.01質量%以上がより好ましく、0.02質量%以上がさらに好ましく、0.03質量%以上が特に好ましい。上限としては10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、2質量%以下がさらに好ましい。上記上限値以下とすることが、他の溶解したくない金属(例えばアルミニウムとその酸化物、銅、シリコン酸化膜)の腐食を抑制する観点から好ましい。また、この量を上記下限値以上にすることで、必要なシリコン含有層およびチタン含有層の溶解速度を得られるため好ましい。
また、含フッ素化合物は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用して用いてもよい。
(含窒素有機化合物A)
上記含窒素有機化合物は、窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する。上記繰り返し単位は、第一級アミン構造(−NRx2)、第二級アミン構造(>NRx)、第三級アミン構造(>N−)、または第四級アンモニウム構造(>N+<)を有することが好ましい(これらの構造を「特定アミン構造」と称し、その繰り返し単位を「特定アミン繰り返し単位」と称する)。Rxは水素原子もしくは炭素数1〜6のアルキル基を表す。ここで定義される特定アミン繰り返し単位は、上記特定アミン構造とともに炭素原子を含む連結基をもつものであることが好ましい。例えば、第一級アミン構造のイミノ基にメチレン基をともなった−NHCH2−が特定アミン繰り返し単位を構成していることが好ましい。なお、アミノ酸残基は1つの繰り返し単位として評価し、その中で複数の特定アミン繰り返し単位があるものとはしない。
含窒素有機化合物は、上に挙げた繰り返し単位を含有するホモポリマーであってもコポリマーであってもよい。あるいは、さらに別の繰り返し単位(好ましくは非イオン性の繰り返し単位)を有していてもよい。別の繰り返し単位としては、エチレンオキシド基、プロピレンオキシド基、スチレンに由来する繰り返し単位などが挙げられる。高分子電解質中に存在する非イオン性繰り返し単位の数は、繰り返し単位の合計数の99%以下であることが好ましく、90%以下であることがより好ましい。下限値は特にないが、任意の繰り返し単位であることから0%以上とすればよい。
含窒素有機化合物はさらに別の繰り返し単位を含んでいてもよい。さらに別の繰り返し単位としては、例えば、ヒドロキシ基、ホスホン酸基(もしくはその塩)、スルホン酸基(もしくはその塩)、リン酸基(もしくはその塩)、またはカルボン酸基(もしくはその塩)を有する繰り返し単位が挙げられる。
含窒素有機化合物は、ホモポリマー、ランダムコポリマー、交互コポリマー、周期コポリマー(periodiccopolymer)、ブロックコポリマー(例えば、AB、ABA、ABCなど)、グラフトコポリマー、コームコポリマーのいずれであってもよい。
Raは、水素原子、アルキル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、アルケニル基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましい)、アリール基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10が特に好ましい)、またはヘテロ環基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましい)を表す。なかでもRaが水素原子またはメチル基であることが好ましい。なお、本明細書においてアルキル基はアラルキル基を含む意味である。
・Rb
Rbは、アルキル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、アルケニル基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましい)、アリール基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10が特に好ましい)を表す。なかでもRbがメチル基またはエチル基であることが好ましい。
・La
Laは、アルキレン基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、カルボニル基、イミノ基(炭素数0〜6が好ましく、0〜3がより好ましい)、アリーレン基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましく、6〜10が特に好ましい)、ヘテロ環基(炭素数1〜12が好ましく、2〜5がより好ましい)、またはそれらの組合せを表す。中でもアルキレン基またはカルボニル基が好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、またはカルボニル基が好ましく、メチレン基またはエチレン基がより好ましく、メチレン基が特に好ましい。
・Lb
Lbは、単結合、アルキレン基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、カルボニル基、イミノ基(炭素数0〜6が好ましく、0〜3がより好ましい)、アリーレン基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましい)、ヘテロ環基(炭素数1〜12が好ましく、2〜5がより好ましい)、またはそれらの組合せを表す。なかでも、単結合、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、またはカルボニル基が好ましく、単結合、メチレン基、またはエチレン基が好ましい。
・Rc
Rcは、水素原子またはアルキル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)を表す。なかでもRcが水素原子またはメチル基であることが好ましい。
nは0以上の整数を表す。nの上限は各環状構造部の置換可能数である。例えば、下記式5−1〜5−4であれば4であり、式6−5、式6−6であれば3である。
環Q2は含窒素複素環を表し、含窒素不飽和複素環が好ましく、5員または6員環の含窒素不飽和複素環が好ましく、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基(いずれもC位で結合)が好ましい。その環構造として具体的には、下記式6−1〜6−11が好ましい。
環Q3は含窒素複素環を表し、含窒素不飽和複素環が好ましく、5員環の含窒素不飽和複素環が好ましく、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基(いずれもN位で結合)が好ましい。その環構造として具体的には、下記式8−1〜8−3が好ましい。
式中*は、結合位置を示す。
Rc 2N−[Ld−N(Rc)]m−Ld−NRc 2 b
Ldは、アルキレン基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3が特に好ましい)、カルボニル基、イミノ基(炭素数0〜6が好ましく、0〜3がより好ましい)、アリーレン基(炭素数6〜22が好ましく、6〜14がより好ましい)、ヘテロ環基(炭素数1〜12が好ましく、2〜5がより好ましい)、またはそれらの組合せを表す。なかでもアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、プロピレン基が好ましい。
なお、複数のRc、Ldは、互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のRc、Ldは互いに結合して環を形成していてもよい。
A−2 ポリビニルアミン
A−3 ポリアリルアミン
A−4 ジメチルアミン・エピヒドリン系ポリマー
A−5 ポリヘキサジメトリン
A−6 ポリジメチルジアリルアンモニウム(塩)
A−7 ポリ(4−ビニルピリジン)
A−8 ポリオルニチン
A−9 ポリリシン
A−10 ポリアルギニン
A−11 ポリヒスチジン
A−12 ポリビニルイミダゾール
A−13 ポリジアリルアミン
A−14 ポリメチルジアリルアミン
A−15 ジエチレントリアミン
A−16 トリエチレンテトラミン
A−17 テトラエチレンペンタミン
A−18 ペンタエチレンヘキサミン(化学式は省略)
含窒素有機化合物は、含フッ素化合物によって溶解しすぎるチタン含有層を適度に溶解抑制することができる。そのため含フッ素化合物と含窒素有機化合物の含有量比率を調整することで所望のシリコン含有層およびチタン含有層の溶解速度を得ることができる。かかる観点から、含窒素有機化合物は、含フッ素化合物100質量部に対して、0.01質量部以上であることが好ましく、0.05質量部以上であることがより好ましく、0.1質量部以上であることが特に好ましい。25質量部以下であることが好ましく、5質量部以下であることがより好ましく、1質量部以下であることが特に好ましい。
なお、含窒素有機化合物は、窒素を吸着点としてチタン含有層に保護膜を形成しながら、その良好な選択性を達成しているものと推定される。
含窒素有機化合物の分子量は特に限定されないが、高分子化合物系のものと、低分子化合物系のものに分けて規定することが好ましい。上記式a−1〜a−8で表されるものは、高分子化合物系に分類されることが好ましい。上記式bで表されるものは、低分子化合物系に分類されることが好ましい。上記の例示化合物で言うと、A−1〜A−14が高分子化合物系であり、A−15〜A−18が低分子化合物系である。
含窒素有機化合物が高分子化合物系であるとき、分子量は100以上が好ましく、200以上がより好ましく、300以上がさらに好ましく、500以上がさらに好ましく、1000以上がよりさらに好ましく、2,000以上が特に好ましい。上限は100,000以下であることが好ましく、50,000以下であることがより好ましく、20,000以下であることがさらに好ましく、10,000以下であることが特に好ましい。エッチングの速度比(η)を効果的に変化させることができる。その詳細は後述する。
含窒素有機化合物が低分子化合物系であるとき、50以上であることが好ましく、100以上であることがより好ましい。上限は1000以下であることが好ましく、700以下であることがより好ましく、500以下であることがさらに好ましく、300以下であることが特に好ましい。
上記下限値以上とすることが実際的である。一方、上記上限値以下とすることが、含窒素有機化合物の析出を抑制できる観点から好ましい。本発明においては、この分子量範囲で条件を振って、エッチングの速度比(η)を効果的に変化させることができる。その詳細は後述する。
含窒素有機化合物の分子量は特に断らない限り、以下の方法で測定した値を言うものとする。
―分子量の測定―
市販の化合物についてはカタログ記載の化学構造から算出した分子量を適用した。化学構造が不明の場合等は、LC−MSによりカラム分離をした上でマススペクトロメトリーにより分子量を決定する方法を適用した。また、分子量が大きくマススペクトロメトリーの解析が困難な場合はGPCによってポリスチレン換算の重量平均分子量を計測した。GPC装置HLC−8220(東ソー社製)を用い、溶離液としてはTHF(テトラヒドロフラン)(湘南和光純薬社製)を用いカラムはG3000HXL+G2000HXLを用い、23℃で流量は1mL/minで、RIで検出した。
本発明のエッチング液には、リン含有化合物を適用することも好ましい。リン含有化合物はP=O結合を有する化合物であることが好ましく、下記式B1またはB2で表される化合物であることがより好ましい。
RB1〜RB3は連結して環を形成していてもよい。
リン含有化合物は、チタン含有層に吸着性保護膜を形成するというより、チタン含有層の最表面と反応し難溶膜を形成しながら、その良好な選択性を達成しているものと推定される。リン含有化合物は、一種類のみを用いても、その二種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明は水を含んでいてもよい。水(水媒体)としては、本発明の効果を損ねない範囲で溶解成分を含む水性媒体であってもよく、あるいは不可避的な微量混合成分を含んでいてもよい。なかでも、蒸留水やイオン交換水、あるいは超純水といった浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に使用される超純水を用いることが特に好ましい。
・pH調整剤
本実施形態においては、pH調整剤を用いてもよい。pH調整剤としては、pHを上げるためにテトラメチルアンモニウム、コリン等の四級アンモニウム塩、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ又はアルカリ土類塩、2−アミノエタノール、グアニジン等のアミノ化合物を用いることが好ましい。pHを下げるためには、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸などの無機酸、又はギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、2−メチル酪酸、n−ヘキサン酸、3,3−ジメチル酪酸、2−エチル酪酸、4−メチルペンタン酸、n−ヘプタン酸、2−メチルヘキサン酸、n−オクタン酸、2−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸等の有機酸が挙げられる。
pH調整剤の使用量は特に限定されず、pHを上記の範囲に調整するために必要な量で用いればよい。上記pH調整剤は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のエッチング液においては、さらに水溶性有機溶媒を添加してもよい。水溶性有機溶媒は、水と任意の割合で混合できる有機溶媒が好ましい。これにより、ウェハの面内における均一なエッチング性を更に向上しうる点で有効である。
水溶性有機溶媒は、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、1−プロピルアルコール、2−プロピルアルコール、2−ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,6−ヘキサンジオール、シクロヘキサンジオール、ソルビトール、キシリトール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、1,3−ブタンジオール、1,4−ブタンジオール等のアルコール化合物溶媒、アルキレングリコールアルキルエーテル(エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等)を含むエーテル化合物溶媒が挙げられる。
これらの中で好ましくは炭素数2〜15のアルコール化合物溶媒、炭素数2〜15のヒドロキシ基含有エーテル化合物溶媒であり、更に好ましくは、炭素数2〜10の複数のヒドロキシ基を有するアルコール化合物溶媒、炭素数2〜10の複数のヒドロキシ基を有するヒドロキシ基含有エーテル化合物溶媒である。とくに好ましくは、炭素数3〜8のアルキレングリコールアルキルエーテルである。水溶性有機溶媒は単独でも2種類以上適宜組み合わせて用いてもよい。なお、本明細書においては、ヒドロキシ基(−OH)とエーテル基(−O−)とを分子内にもつ化合物は、原則的にはエーテル化合物に含まれるものとし(アルコール化合物とは称しない)、ヒドロキシ基とエーテル基との両者を有するものを特に区別して指すときにはヒドロキシ基含有エーテル化合物と称することがある。
この中でも特に、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールが好ましい。添加量はエッチング液全量に対して0.1〜70質量%であることが好ましく、10〜50質量%であることがより好ましい。この量が上記下限値以上であることで、上記のエッチングの均一性の向上を効果的に実現することができる。
R11−(−O−R13−)n−O−R12 ・・・ (O−1)
R11及びR12は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数1以上5以下のアルキル基である。なかでも、それぞれ独立に、炭素数1以上5以下のアルキル基であることが好ましく、炭素数1以上3以下のアルキル基であることが更に好ましい。
R13は直鎖状又は分岐状の炭素数1以上4以下のアルキレン鎖である。複数のR13が存在するときそのそれぞれは異なっていてもよい。
nは1以上6以下の整数である。nが2以上のとき複数のR13は互いに異なっていてもよい。
上記水溶性有機溶媒は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のエッチング液には、さらに界面活性剤を含有させることも好ましい。これは、上記の含窒素有機化合物Aやリン含有化合物Bと同様にチタン含有層とシリコン含有層のエッチング速度の調節に効果がある。また、シリコン含有層の表面荒れの改善にも効果を奏する。フルオロアルキル化合物はパーフルオロアルキル化合物が好ましい。炭素数は、2〜50が好ましく、2〜20がより好ましく、2〜10が特に好ましい。界面活性剤としては、分子中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤またはラウリルアミン型界面活性剤であることが特に好ましい。
フッ素系界面活性剤としては、分子中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルアミンオキシド、パーフルオロアルキル含有オリゴマー、パーフルオロアルキルベタインが好ましい。フルオロアルキル化合物の例としては以下のものが挙げられる。
サーフロンS−141(非イオン系、パーフルオロアルキルアミンオキシド)
サーフロンS−111N
サーフロンS−131(両性、パーフルオロアルキルベタイン)
いずれも、AGCセイミケミカル社製のパーフルオロアルキル化合物である。
フルオロアルキル化合物は下記の式S1〜S4のいずれかで表されることが好ましい。nは1〜50の整数であり、1〜20の整数が好ましく、1〜10の整数がより好ましい。RSは単結合または炭素数1〜6のアルキレン基である。
(CF3(CF2)nRSSO3H) ・・・S1
(CF3(CF2)nRSCOOH) ・・・S2
(CF3(CF2)nRSNRN 2 +O−) ・・・S3
(F(CF2)nRSOH) ・・・S4
フルオロアルキル化合物の適用量の好ましい範囲は上記含窒素有機化合物の益中の濃度範囲と同じである。フルオロアルキル化合物の適用量を調節して後述するエッチング速度比(η)の制御を行いうることは、上記のリン含有化合物と同様である。
またラウリルアミン型界面活性剤としては、例えば下記のものが挙げられる。
アミート102 ポリオキシエチレンラウリルアミン
アミート105 ポリオキシエチレンラウリルアミン
アミート302 ポリオキシエチレンステアリルアミン
アミート320 ポリオキシエチレンステアリルアミン
いずれも花王社製
カチオン性界面活性剤としては、例えば、セイミケミカル社製「サーフロンS−121」、スリーエム社製「フロラードFC−134」、大日本インキ化学工業社製「メガファックF−150」が挙げられる。
アニオン性界面活性剤としては、例えば、セイミケミカル社製「サーフロンS−111」、「サーフロンS−112」、スリーエム社製「フロラードFC−143」、大日本インキ化学工業社製「メガファックF−120」が挙げられる。
両性界面活性剤としては、例えば、セイミケミカル社製「サーフロンS−132」、スリーエム社製「フロラードFX−172」、大日本インキ化学工業社製「メガファックF−120」が挙げられる。
ノニオン性界面活性剤としては、例えば、セイミケミカル社製「サーフロンS−145」、スリーエム社製「フロラードFC−170」、大日本インキ化学工業社製「メガファックF−141」が挙げられる。
ノニオン性界面活性剤が、分子中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤であることが特に好ましい。分子中にパーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキルエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキルアミンオキシド、パーフルオロアルキル含有オリゴマー、具体的には例えば、「サーフロンS−381」、「サーフロンS−383」、「サーフロンS−393」、「サーフロンSC−101」、「サーフロンSC−105」、「サーフロンKH−40」、「サーフロンSA−100」(以上、セイミケミカル(株)の製品)、「メガファックF−171」、「メガファックF−172」、「メガファックF−173」、「メガファックF−177」、「メガファックF−178A」、「メガファックF−178K」、「メガファックF−179」、「メガファックF−183」、「メガファックF−184」、「メガファックF−815」、「メガファックF−470」、「メガファックF−471」(以上、大日本インキ化学工業(株)の製品)等が挙げられる。
(1)フロラードFC−170C(ノニオン系、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール)、住友スリーエム。
(2)メガファックF−1405(ノニオン系、パーフルオロアルキル基含有ポリオキシエチレン)、大日本インキ化学工業株式会社製。
また、具体的には、エマールE−27C、ネオペレックスGS(以上、花王ケミカル製)、W004、W005、W017(以上、裕商(株)社製)等が挙げられる。これらのうち、炭素数10以上のスルホン酸化合物からなるアニオン界面活性剤が好ましく、なかでもアルキルスルホン酸、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルホスホン酸がより好ましく、炭素数10〜16のアルキルスルホン酸もしくはアルキルスルホン酸塩がより特に好ましい。「塩」としてはアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、テトラメチルアンモニウム塩が挙げられる。
上記界面活性剤は、1種を単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本明細書において置換・無置換を明記していない置換基(連結基についても同様)については、その基に任意の置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。好ましい置換基としては、下記置換基Tが挙げられる。
アルキル基(好ましくは炭素原子数1〜20のアルキル基、例えばメチル、エチル、イソプロピル、t−ブチル、ペンチル、ヘプチル、1−エチルペンチル、ベンジル、2−エトキシエチル、1−カルボキシメチル等)、アルケニル基(好ましくは炭素原子数2〜20のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、オレイル等)、アルキニル基(好ましくは炭素原子数2〜20のアルキニル基、例えば、エチニル、ブタジイニル、フェニルエチニル等)、シクロアルキル基(好ましくは炭素原子数3〜20のシクロアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、4−メチルシクロヘキシル等)、アリール基(好ましくは炭素原子数6〜26のアリール基、例えば、フェニル、1−ナフチル、4−メトキシフェニル、2−クロロフェニル、3−メチルフェニル等)、ヘテロ環基(好ましくは炭素原子数2〜20のヘテロ環基、好ましくは、少なくとも1つの酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有する5または6員環のヘテロ環基が好ましく、例えば、2−ピリジル、4−ピリジル、2−イミダゾリル、2−ベンゾイミダゾリル、2−チアゾリル、2−オキサゾリル等)、アルコキシ基(好ましくは炭素原子数1〜20のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロピルオキシ、ベンジルオキシ等)、アリールオキシ基(好ましくは炭素原子数6〜26のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、1−ナフチルオキシ、3−メチルフェノキシ、4−メトキシフェノキシ等)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素原子数2〜20のアルコキシカルボニル基、例えば、エトキシカルボニル、2−エチルヘキシルオキシカルボニル等)、アミノ基(好ましくは炭素原子数0〜20のアミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基を含み、例えば、アミノ、N,N−ジメチルアミノ、N,N−ジエチルアミノ、N−エチルアミノ、アニリノ等)、スルファモイル基(好ましくは炭素原子数0〜20のスルファモイル基、例えば、N,N−ジメチルスルファモイル、N−フェニルスルファモイル等)、アシル基(好ましくは炭素原子数1〜20のアシル基、例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ベンゾイル等)、アシルオキシ基(好ましくは炭素原子数1〜20のアシルオキシ基、例えば、アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等)、カルバモイル基(好ましくは炭素原子数1〜20のカルバモイル基、例えば、N,N−ジメチルカルバモイル、N−フェニルカルバモイル等)、アシルアミノ基(好ましくは炭素原子数1〜20のアシルアミノ基、例えば、アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等)、スルホンアミド基(好ましくは炭素原子数0〜20のスルファモイル基、例えば、メタンスルホンアミド、ベンゼンスルホンアミド、N−メチルメタンスルホンアミド、N−エチルベンゼンスルホンアミド等)、アルキルチオ基(好ましくは炭素原子数1〜20のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、イソプロピルチオ、ベンジルチオ等)、アリールチオ基(好ましくは炭素原子数6〜26のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ、1−ナフチルチオ、3−メチルフェニルチオ、4−メトキシフェニルチオ等)、アルキルもしくはアリールスルホニル基(好ましくは炭素原子数1〜20のアルキルもしくはアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、ベンゼンスルホニル等)、ヒドロキシル基、シアノ基、ハロゲン原子(例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基、ヒドロキシル基またはハロゲン原子であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、アシルアミノ基またはヒドロキシル基である。
また、これらの置換基Tで挙げた各基は、上記の置換基Tがさらに置換していてもよい。
本発明におけるエッチング液は、その原料を複数に分割したキットとしてもよい。例えば、第1液として上記硝酸を水媒体に含有する液組成物を準備し、第2液として上記含フッ素化合物と特定添加剤(含窒素有機化合物A、リン含有化合物B)とを水媒体に含有する液組成物を準備する態様が挙げられる。その使用例としては、両液を混合してエッチング液を調液し、その後適時に上記エッチング処理に適用する態様が好ましい。このようにすることで、成分の分解による液性能の劣化を招かずにすみ、所望のエッチング作用を効果的に発揮させることができる。ここで、混合後「適時」とは、混合ののち所望の作用を失うまでの時期を指し、具体的には60分以内であることが好ましく、30分以内であることがより好ましく、10分以内であることが特に好ましい。下限は特にないが、1秒以上であることが実際的である。
第1液における硝酸の濃度、第2液における含フッ素化合物の濃度および上記含フッ素化合物と特定添加剤の濃度は、混合後に上記エッチング液の好ましい濃度範囲となるように設定することが好ましい。
第1液と第2液との混合の仕方は特に限定されないが、第1液と第2液とをそれぞれの流路に流通させ、両者をその合流点で合流させて混合することが好ましい。その後、さらに流路を流通させ、合流して得られたエッチング液を吐出口から吐出ないし噴射し、半導体基板と接触させることが好ましい。この実施形態でいうと、上記合流点での合流混合から半導体基板への接触までの過程が、上記「適時」に行われることが好ましい。これを図1を用いて説明すると、調製されたエッチング液が吐出口13から噴射され、反応容器11内の半導体基板Sの上面に適用される。同図に示した実施形態では、A及びBの2液が供給され、合流点14で合流し、その後流路fcを介して吐出口13に移行するようにされている。流路fdは薬液を再利用するための返戻経路を示している。半導体基板Sは回転テーブル12上にあり、回転駆動部Mによって回転テーブルとともに回転されることが好ましい。なお、このような基板回転式の装置を用いる実施態様は、キットにしないエッチング液を用いた処理においても同様に適用することができる。
本発明のエッチング液は、(キットであるか否かに関わらず)耐腐食性等を考慮し、任意の容器に充填して保管、運搬、そして使用することができる。また、半導体用途向けに、容器のクリーン度が高く、不純物の溶出が少ないものが好ましい。使用可能な容器としては、アイセロ化学(株)製の「クリーンボトル」シリーズ、コダマ樹脂工業(株)製の「ピュアボトル」などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本実施形態においてエッチングを行う条件は特に限定されないが、枚葉式のエッチングであっても浸漬式のエッチングであってもよい。枚葉式のエッチングにおいては、半導体基板を所定の方向に搬送もしくは回転させ、その空間にエッチング液を付与(噴射、滴下、流下)して上記半導体基板に上記エッチング液を接触させる。他方、バッチ式のエッチングにおいては、エッチング液からなる液浴に半導体基板を浸漬させ、上記液浴内で半導体基板とエッチング液とを接触させる。これらのエッチング方式は素子の構造や材料等により適宜使い分けられればよい。
吐出口(ノズル)の移動速度は特に限定されないが、0.1cm/s以上であることが好ましく、1cm/s以上であることがより好ましい。一方、その上限としては、30cm/s以下であることが好ましく、15cm/s以下であることがより好ましい。移動軌跡線は直線でも曲線(例えば円弧状)でもよい。いずれの場合にも移動速度は実際の軌跡線の距離とその移動に費やされた時間から算出することができる。
半導体素子の製造プロセスにおいては、レジストパターン等をマスクとして用いたプラズマエッチングにより半導体基板上の金属層等をエッチングする工程がありうる。具体的には、金属層、半導体層、絶縁層などをエッチングし、金属層や半導体層をパターニングしたり、絶縁層にビアホールや配線溝等の開口部を形成したりすることが行われる。上記プラズマエッチングにおいては、マスクとして用いたレジストや、エッチングされる金属層、半導体層、絶縁層に由来する残渣が半導体基板上に生じうる。本発明においては、このようにプラズマエッチングにより生じた残渣を「プラズマエッチング残渣」と称する。
・Ti含有層
本発明のエッチング液により、Tiを含有する層(好ましくはTiNを含む層)をエッチングすることができる。ここでTiNを含む層(TiN層という)とは、酸素を含有してもよい意味であり、特に酸素を含有しない層と区別して言うときには、TiON層などということがある。本発明においては、TiN層の表面酸素含有率は、10mol%以下であることが好ましく、8.5mol%以下であることがより好ましく、6.5mol%以下であることがさらに好ましく、1mol%以下であることが特に好ましい。下限側は0.001mol%以上であることが好ましく、0.005mol%以上であることがより好ましく、0.01mol%以上であることがさらに好ましい。このような基板によるTiN層における酸素濃度の調節は、例えば、TiN層を形成するときのCVD(Chemical Vapor Deposition)のプロセス室内の酸素濃度を調整することによって行うことができる。上記酸素濃度は後記実施例で採用した方法により特定することができる。なお、Ti含有層は、その主たる成分としてTiを含み、TiNを含むことが好ましいが、本発明の効果を奏する範囲でそれ以外の成分を含んでいてもよい。このことは他の金属層等の他の層についても同様である。
本発明においては、そのエッチング液により、シリコン含有層をエッチングすることができ、なかでも、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンをエッチングすることが好ましい。
一般にシリコン材料として、単結晶シリコン、多結晶シリコン(ポリシリコン)、及びアモルファスシリコン(非晶質シリコン)が挙げられる。
単結晶シリコンとは、結晶全体にわたって原子配列の向きがそろったシリコン結晶のことであるが、実際には原子レベルで観察すると、様々な欠陥が存在する。
多結晶シリコンとは、結晶方位の異なる多数の単結晶粒から構成されたブロック又は層状のシリコンのことである。Siのみからなるものでも、ホウ素やリン等がドーピングされたものでもよい。その他、所望の効果を奏する範囲で上記と同様様々な欠陥や不純物が存在するものであってもよい。その製造方法も特に限定されず、CVD法により形成されたもの等が挙げられる。
アモルファスシリコンとは、非晶質半導体のうち、構成元素がシリコンであるものをいう。具体的には、以下のような、長距離周期構造を持たない状態のシリコンのことである。原子配列がまったくの無秩序に結合したものではなく、局所的には何らかの配列秩序は維持されているものを含む。無秩序に結合しているため、シリコン原子は共有結合の結合相手を失って、結合に関与しない電子で占められた未結合手(ダングリングボンド)が存在している。この未結合手を水素で結合させた(水素化した)ものを水素化アモルファスシリコンといい、安定な固体形状を有する。本明細書では、単にアモルファスシリコンと表記するが、水素化していないアモルファスシリコンと水素化しているアモルファスシリコンのどちらの場合も指す。
Ti含有層のエッチング速度[TiER]とシリコン含有層のエッチング速度[SiER]との比率(η=SiER/TiER)は特に限定されないが、本発明においては、これが適宜にその制御下で調整されることが好ましい。好ましい実施形態としていうと、上記エッチング速度比(η)は、0.1以上1000以下の範囲で調整しうることが好ましく、0.5以上500以下の範囲で調整しうることがより好ましく、1以上200以下の範囲で調整しうることが特に好ましい。このような範囲で、所望の速度比(η)の薬液を、所望の時機に、所望の量提供することで、多様な加工形態や仕様の変更に適合できるため好ましい。例えば、上述した、枚葉式の装置(図1)でいえば、供給する2液の比率を適宜変えたり、供給元(薬液)を切り替えたりすることで、装置を止めずに所望のエッチング速度比の薬液を処方して対応することができる。あるいは、加工された製品の状態を観察しながら、その情報をフィードバックして、きめ細かく薬液の処方を調整することで、高度の品質管理を実現することもできる。
(a:含窒素有機化合物の分子量を高めることでエッチング速度比(η)を高める)
(b:含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bの濃度を高めることでエッチング速度比(η)を高める)
(c:含フッ素化合物の濃度を高めることでTiERおよびSiERをともに高める)
(d:硝酸の濃度を高めることでTiERおよびSiERをともに高める)
本実施形態においては、シリコンウエハ上に、上記Ti含有層とシリコン含有層とを形成した半導体基板とする工程と、上記半導体基板にエッチング液を適用し、上記Ti含有層とシリコン含有層とを所望の選択性で除去する工程とを介して、所望の構造を有する半導体基板製品および半導体素子を製造することが好ましい。このとき、エッチングには上記特定のエッチング液を用いることが好ましい。
以下の表1に示す成分を同表に示した組成(質量%)で含有させてエッチング液を調液した。下記の各試験はエッチング液の調液後1分以内に行った。なお、残部は水(超純水)である。エッチング液の供給は、硝酸を含む第1液と含フッ素化合物及び含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bを含む第2液とを、図1の装置のA,Bに送液することで行った(詳細は後記参照)。エッチングの温度は室温(25℃)とした。
市販のシリコン基板上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)により、表面酸素濃度0.1mol%未満のTiNの層(厚さ:0.05μm)を作成した。また、アモルファスシリコンの層(厚さ:0.3μm)を同様にCVDによって製膜し、試験用基板とした。
TiN層の表面酸素濃度はエッチングESCA(アルバックファイ製 Quantera)にて0〜30nmまでの深さ方向のTi,O,Nの濃度プロファイルを測定し、5〜10nmでの含有率をそれぞれ計算し、その平均酸素含有率を表面酸素濃度とした。
上記の試験用基板に対して、枚葉式装置(SPS−Europe B.V.社製、POLOS(商品名))にて下記の条件でエッチングを行い評価試験を実施した。
・処理温度:25℃
・吐出量:1L/min.
・ウェハ回転数500rpm
株式会社堀場製作所製の放射温度計IT−550F(商品名)を上記枚葉式装置内のウェハ上30cmの高さに固定した。ウェハ中心から2cm外側のウェハ表面上に温度計を向け、薬液を流しながら温度を計測した。温度は、放射温度計からデジタル出力し、パソコンで連続的に記録した。このうち温度が安定した10秒間の温度を平均した値をウェハ上の温度とした。
エッチング速度(a−SiER、TiNER)については、エリプソメトリー(分光エリプソメーター、ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社 Vase[商品名])を用いてエッチング処理前後の膜厚を測定することにより算出した。5点の平均値を採用した(測定条件 測定範囲:1.2−2.5eV、測定角:70,75度)。
AFM(Veeco社 NanoscopeIV)にてシリコン含有層の表面粗さを下記条件にて測定した。表面粗さは小さいほど好ましい。
・測定エリア:1.0μm角
・Scan rate:1Hz
硝酸濃度は質量%
含フッ素化合物内の( )は濃度(質量%)を示す。
含窒素有機化合物内の( )は濃度(質量%)を示す。
ERはエッチング速度
F1: フッ酸
F2: フッ化アンモニウム
F3: テトラフルオロホウ酸
F4: フッ化テトラメチルアンモニウム
F5: フッ化テトラブチルアンモニウム
F6: ヘキサフルオロリン酸
PEI: ポリエチレンイミン
PVAm: ポリビニルアミン
PAAm: ポリアリルアミン
PVI: ポリビニルイミダゾール
PDMA: ポリジメチルジアリルアンモニウム
Mw: 重量平均分子量
1Å=0.1nm
TiN層とアモルファスシリコン層とのエッチング速度比(η)と含窒素有機化合物(PEI)の分子量との関係を検討するために、表2の水準の試験を抽出して対比した。これをまとめたグラフを図3に載せている。
TiN層とアモルファスシリコン層とのエッチング速度比(η)と含窒素有機化合物の濃度との関係を検討するために、表3の水準の試験を抽出して対比した。これをまとめたグラフを図4に載せている。
上記実施例1のアモルファスシリコンの層を、多結晶シリコンの層に代えて同様のエッチング試験を行った。結果としては、実施例1と同様に、良好なエッチング性とその速度比(η)の調節制御性、表面荒れの抑制性が確認された。表4にはその代表例を示しておく。
実施例1の試験に対して、含窒素有機化合物を下表5のリン含有化合物に変えた以外同様にしてエッチング試験を行った。その結果、良好なエッチング選択性(η)及び表面粗さ(平滑性)(Ra)が得られた。
次にリン含有化合物の配合量によるエッチング選択性に与える影響を確認した。その結果、リン含有化合物の量を増やすことにより、エッチング選択性(η)を高くすることができ、その制御下に、シリコン含有層とチタン含有層のエッチングを行うことができることが分かる。
試験301〜310、401〜405に、さらに、以下の化合物を、0.01質量%添加した。この薬液を用いて、TiNとa−Siのエッチング速度性能を確認した結果、試験101と同様のエッチング速度比及び表面粗さにおける改良効果が確認できた。
アミート102(花王社製)ポリオキシエチレンラウリルアミン
試験301〜310、401〜405に、さらに、以下の化合物を、0.01質量%添加した。この薬液を用いて、TiNとa−Siのエッチング速度性能を確認した結果、試験101と同様のエッチング速度比及び表面粗さにおける改良効果が確認できた。
サーフロンS−141(AGCセイミケミカル社製)パーフルオロアルキル化合物
12 回転テーブル
13 吐出口
14 合流点
M 回転駆動部
S 基板
t 移動軌跡線
Claims (23)
- 硝酸と、含フッ素化合物と、窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bとを含有するエッチング液。
- 上記含窒素有機化合物の分子量が100〜20,000である請求項1に記載のエッチング液。
- 上記含窒素有機化合物の分子量が1,000以上20,000以下である請求項1または2に記載のエッチング液。
- 上記含フッ素化合物100質量部に対して、上記含窒素有機化合物を0.01質量部以上25質量部以下で含有させた請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記含窒素有機化合物の濃度が0.0001質量%〜5質量%である請求項1〜4のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記含窒素有機化合物が下記式a−1〜a−8のいずれかで表される繰り返し単位を有する化合物または下記式bで表される化合物である請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチング液。
Rc 2N−[Ld−N(Rc)]m−Ld−NRc 2 ・・・ b
式中、Rcは、上記と同様である。mは0以上の整数を表す。Ldは、アルキレン基、カルボニル基、イミノ基、アリーレン基、ヘテロ環基、またはそれらの組合せを表す。複数のRc、Ldは、互いに同じで合っても異なっていてもよい。複数のRc、Ldは互いに結合して環を形成していてもよい。 - 上記含窒素有機化合物が、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリビニルイミダゾール、ポリヘキサジメトリン、ポリ(4−ビニルピリジン)、ポリヒスチジン、ポリアルギニン、ポリジメチルジアリルアンモニウム、ポリリシン、ポリオルニチン、ジエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ポリジアリルアミンである、あるいは、リン含有化合物が、リン酸、ホスホン酸、フェニルホスホン酸、ドデシルリン酸、1−ヒドロキエタン−1,1−ビス(ホスホン酸)、二リン酸である請求項1〜6のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記リン含有化合物の濃度が0.0001質量%〜5質量%である請求項1〜8のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記含フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸、ヘキサフルオロリン酸、ヘキサフルオロケイ酸、テトラフルオロホウ酸アンモニウム、ヘキサフルオロリン酸アンモニウム、およびヘキサフルオロケイ酸アンモニウムからなる群より選ばれる請求項1〜9のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記硝酸の濃度が10質量%〜95質量%である請求項1〜10のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記含フッ素化合物の濃度が0.001質量%〜10質量%である請求項1〜11のいずれか1項に記載のエッチング液。
- チタン含有層とシリコン含有層とをともに除去することができる請求項1〜12のいずれか1項に記載のエッチング液。
- 上記チタン含有層のエッチング速度で上記シリコン含有層のエッチング速度を除した比率を、1000〜0.1の範囲で調整することができる請求項13に記載のエッチング液。
- 上記エッチング速度の比率を、下記の手段a〜dのいずれかまたはそれらの組合せで調整することができる請求項14に記載のエッチング液。
a:含窒素有機化合物の分子量を高めることでエッチング速度比を高める
b:含窒素有機化合物またはリン含有化合物の濃度を高めることでエッチング速度比を高める
c:含フッ素化合物の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める
d:硝酸の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める - 硝酸を含有する第1液と、含フッ素化合物と窒素原子をもつ繰り返し単位を複数有する含窒素有機化合物Aまたはリン含有化合物Bとを含有する第2液とを組み合わせたエッチング液のキット。
- 請求項1〜15のいずれか1項に記載のエッチング液を、チタン含有層およびシリコン含有層に接触させて上記チタン含有層およびシリコン含有層の除去を行うエッチング方法。
- 上記シリコン含有層が多結晶シリコンを含有する層またはアモルファスシリコンを含有する層である請求項17に記載のエッチング方法。
- 上記チタン含有層が窒化チタンを含有する層である請求項17または18に記載のエッチング方法。
- 上記チタン含有層のエッチング速度で上記シリコン含有層のエッチング速度を除した比率を、1000〜0.1の範囲で調整する請求項17〜19のいずれか1項に記載のエッチング方法。
- 上記エッチング速度の比率を、下記の手段a〜dのいずれかまたはそれらの組合せで調整する請求項20に記載のエッチング方法。
a:含窒素有機化合物の分子量を高めることでエッチング速度比を高める
b:含窒素有機化合物またはリン含有化合物の濃度を高めることでエッチング速度比を高める
c:含フッ素化合物の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める
d:硝酸の濃度を高めることで上記チタン含有層のエッチング速度および上記シリコン含有層のエッチング速度をともに高める - 請求項17〜21のいずれか1項に記載のエッチング方法によりチタン含有層およびシリコン含有層を除去する工程を介して製造する半導体基板製品の製造方法。
- 請求項22に記載の半導体基板製品の製造方法を介して製造する半導体素子の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170041367A (ko) * | 2015-10-07 | 2017-04-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 |
JP2018538692A (ja) * | 2015-12-04 | 2018-12-27 | ソウルブレイン シーオー., エルティーディー. | エッチング用組成物及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2020155508A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社豊田中央研究所 | エッチング液およびエッチング方法 |
WO2022190448A1 (ja) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | 花王株式会社 | エッチング液組成物 |
CN115353886A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-18 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种磷酸基蚀刻液及其配制方法 |
JP7331842B2 (ja) | 2018-04-27 | 2023-08-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 |
WO2024004781A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法、半導体デバイスの製造方法、化合物、樹脂 |
WO2024053623A1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | 花王株式会社 | エッチング液組成物 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102636997B1 (ko) * | 2016-12-13 | 2024-02-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 폴리실리콘 식각액 제조용 조성물 및 이를 포함하는 폴리실리콘 식각액 |
US10312106B2 (en) * | 2017-07-31 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method |
US11499236B2 (en) * | 2018-03-16 | 2022-11-15 | Versum Materials Us, Llc | Etching solution for tungsten word line recess |
US20230112795A1 (en) * | 2021-10-12 | 2023-04-13 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Etching compositions |
WO2023248649A1 (ja) * | 2022-06-20 | 2023-12-28 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の処理方法、半導体デバイスの製造方法 |
CN115181569B (zh) * | 2022-07-07 | 2023-05-09 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种氧化硅的选择性蚀刻液 |
CN116162460A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-05-26 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种防止侵蚀铝的缓冲氧化物蚀刻液 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163438A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002115083A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング液およびその製造方法ならびにエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004200638A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Ind Technol Res Inst | 薄膜トランジスタの製造方法とカラーフィルター上に薄膜トランジスタを製造する方法 |
JP2005150236A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 |
JP2005303305A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Paa系のエッチング液、それを利用するエッチング方法及び結果物の構造 |
JP2006114884A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
JP2009206462A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
US20120231632A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-13 | Fujifilm Corporation | Novel Etching Composition |
JP2013055087A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Fujifilm Corp | エッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及び半導体基板製品の製造方法 |
JP2013102089A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Adeka Corp | チタン酸鉛系材料用エッチング剤組成物 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6699356B2 (en) * | 2001-08-17 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures |
SG129274A1 (en) | 2003-02-19 | 2007-02-26 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaaning solution and cleaning process using the solution |
EP1880410A2 (en) * | 2005-05-13 | 2008-01-23 | Sachem, Inc. | Selective wet etching of oxides |
KR100734274B1 (ko) * | 2005-09-05 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정용 조성물을 이용한 게이트 형성 방법 |
JP2009074142A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Mitsubishi Chemicals Corp | チタン含有層用エッチング液及びチタン含有層のエッチング方法 |
US20090137191A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-28 | Wai Mun Lee | Copper cmp polishing pad cleaning composition comprising of amidoxime compounds |
JP2010034128A (ja) * | 2008-07-25 | 2010-02-12 | Sumco Corp | ウェーハの製造方法及び該方法により得られたウェーハ |
US8506831B2 (en) * | 2008-12-23 | 2013-08-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Combination, method, and composition for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate |
US8414789B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-04-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method and composition for chemical mechanical planarization of a metal |
JP5167195B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2013-03-21 | 日東電工株式会社 | クリーニングシート、クリーニング機能付搬送部材、基板処理装置のクリーニング方法、および基板処理装置 |
JP6101421B2 (ja) * | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
-
2014
- 2014-05-28 JP JP2014110203A patent/JP6110814B2/ja active Active
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-
2015
- 2015-12-02 US US14/956,500 patent/US9809746B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60163438A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002115083A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | エッチング液およびその製造方法ならびにエッチング方法および半導体装置の製造方法 |
JP2004200638A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Ind Technol Res Inst | 薄膜トランジスタの製造方法とカラーフィルター上に薄膜トランジスタを製造する方法 |
JP2005150236A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 洗浄液およびそれを用いた洗浄方法 |
JP2005303305A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Paa系のエッチング液、それを利用するエッチング方法及び結果物の構造 |
JP2006114884A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-04-27 | Ebara Corp | 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット |
JP2009206462A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
US20120231632A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-13 | Fujifilm Corporation | Novel Etching Composition |
JP2013055087A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Fujifilm Corp | エッチング方法、これに用いられるシリコンエッチング液、及び半導体基板製品の製造方法 |
JP2013102089A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Adeka Corp | チタン酸鉛系材料用エッチング剤組成物 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170041367A (ko) * | 2015-10-07 | 2017-04-17 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 |
KR102291696B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2021-08-23 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 실리콘산화막 및 실리콘질화막 에칭액 조성물 |
JP2018538692A (ja) * | 2015-12-04 | 2018-12-27 | ソウルブレイン シーオー., エルティーディー. | エッチング用組成物及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP7331842B2 (ja) | 2018-04-27 | 2023-08-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 水性組成物及びこれを用いた洗浄方法 |
JP2020155508A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | 株式会社豊田中央研究所 | エッチング液およびエッチング方法 |
JP7186116B2 (ja) | 2019-03-19 | 2022-12-08 | 株式会社豊田中央研究所 | エッチング液およびエッチング方法 |
WO2022190448A1 (ja) * | 2021-03-10 | 2022-09-15 | 花王株式会社 | エッチング液組成物 |
WO2024004781A1 (ja) * | 2022-06-28 | 2024-01-04 | 富士フイルム株式会社 | 薬液、基板の処理方法、半導体デバイスの製造方法、化合物、樹脂 |
CN115353886A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-18 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种磷酸基蚀刻液及其配制方法 |
CN115353886B (zh) * | 2022-08-31 | 2023-08-25 | 湖北兴福电子材料股份有限公司 | 一种磷酸基蚀刻液及其配制方法 |
WO2024053623A1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | 花王株式会社 | エッチング液組成物 |
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